DE3725009C2 - Serieller Spannungsregler - Google Patents
Serieller SpannungsreglerInfo
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen seriellen Spannungsregler gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein serieller Spannungsregler der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1
beschriebenen Art ist aus der DE-Zeitschrift: Funkschau 17/1984, Seite 84,
bekannt. Der bekannte Spannungsregler, der für den Einsatz bei bat
teriebetriebenen Geräten bestimmt ist, soll eine niedrige Leistungsaufnahme
haben und mit einem kleinen Spannungsabfall über dem Feldeffekttransistor
einwandfrei arbeiten. Der N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor ist bei
der bekannten Anordnung mit seiner Drain-Source-Strecke zwischen dem
negativen Pol der Gleichspannungsquelle und dem negativen Ausgang des
Spannungsreglers angeordnet, wobei die Kathode der Referenzquelle
unmittelbar mit dem Gate des Feldeffekttransistors verbunden ist.
Bekannt ist auch ein serieller Spannungsregler, der zwischen einem Pol
einer Gleichspannungsquelle und einem positiven Ausgang einen n-Kanal-
MOSFET enthält, der von einem Differenzverstärker angesteuert wird. Der
Differenzverstärker ist mit seinem nichtinvertierenden Eingang an den
positiven Ausgang und mit dem invertierenden Eingang über eine Zener-
Diode an den Abgriff eines Spannungsteilers gelegt (DE-Zeitschrift:
Elektronik 16/13.08.1982, Seiten 41-43).
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, einen einfach aufgebauten
Spannungsregler zu entwickeln, der mit nur einem Transistor als Längs
regler einen großen Ausgangsstrom bei geringen Querströmen gegenüber
dem Ausgangsstrom und geringem Spannungsabfall am Transistor erzeugt.
Das Problem wird bei einem seriellen Spannungsregler der im Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 beschriebenen Art erfindungsgemäß durch die
Merkmale des Kennzeichens des Patentanspruchs 1 gelöst. Der im Patent
anspruch 1 beschriebene Spannungsregler kann mit nur einem Transistor
die hohen Ausgangsströme ausgeben, wobei die programmierbare Referenz
quelle nur einen geringen Strom verbraucht.
Dieser Spannungsregler arbeitet nicht nur bei hohen Lastströmen sondern
auch beim Ausgangsstrom null sicher. Es lassen sich Restspannungen am
Transistor im Millivoltbereich bei Querströmen von einigen µA erreichen.
Auch niedrige Ausgangsspannungen können mit dem im Patentanspruch 1
beschriebenen Serienregler genau geregelt werden. Durch die geringen
Spannungsabfälle im Längszweig ergibt sich auch bei niedrigen Aus
gangsspannungen ein hoher Wirkungsgrad. Programmierbare Referenzquellen
sind kommerziell z. B. von der Fa. Motorola unter der Type TL 431 als
integrierte Schaltung erhältlich, die einen Anoden-, einen Kathoden- und
einen Referenzspannungseingang hat. Für die Erzeugung des Steuersignals
reichen bei dieser Anordnung wenige, kompakte Bausteine aus, so daß sich
die Anordnung besonders wirtschaftlich fertigen läßt.
Vorzugsweise ist zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des
selbstsperrend ausgebildeten MOS-Feleffekttransistors ein Widerstand
angeordnet. Mit diesem Widerstand läßt sich das Sperrverhalten des
Transistors verbessern.
Es ist günstig, wenn zwischen dem Referenzeingang und der Kathode der
programmierbaren Referenzquelle die Parallelschaltung eines Kondensators
und eines Widerstands angeordnet ist. Diese Parallelschaltung verbessert
das dynamische Verhalten des Spannungsreglers. Über den Kondensator
beeinflussen z. B. Änderungen der Ausgangsspannung schneller als das von
der programmierbaren Referenzquelle erzeugte Ansteuersignal das Gate-
Potential des MOS-Feldeffekttransistors.
Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform ist der Referenzeingang der
programmierbaren Referenzquelle mit dem Abgriff eines Spannungsteilers
verbunden, der an die Ausgänge des Spannungsreglers angeschlossen ist und
einen Widerstand aufweist, dem zu ein Kondensator parallel gelegt ist. Mit
dieser Anordnung wird das Ansprechverhalten des Spannungsreglers
verbessert, da über den Widerstand bei Ausgangsspannungsänderungen
dynamisch höhere Spannungswerte auf den Abgriff gelangen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in einer Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispiels näher beschrieben, aus dem sich weitere
Einzelheiten, Merkmale und Vorteile ergeben.
Eine Gleichspannungsquelle 1, die z. B. aus einem Doppelweg-Netzgleich
richter mit Glättungskondensator besteht, ist mit ihren Polen 2, 3 an einen
seriellen Spannungsregler 4 angeschlossen. Der Spannungsregler 4 enthält
einen mit seiner Source-Elektrode an den negativen Pol 3 angeschlossenen,
selbstsperrenden MOS-Feldeffekttransistor 5, dessen Drain-Elektrode mit
einem Ausgangsanschluß 6 des Spannungsreglers 4 verbunden ist. Der
andere Ausgang 7 des Spannungsreglers 4 steht unmittelbar mit dem
positiven Pol 2 in Verbindung. Parallel zu den Ausgängen 6, 7 ist ein aus
drei Widerständen 8, 9, 10 bestehender Spannungsteiler geschaltet. Der eine
Widerstand 8 ist einstellbar ausgebildet. Die gemeinsame Verbindungsstelle
der beiden Widerstände 8, 9 ist an den Referenzeingang einer programmier
baren Referenzquelle 1 angeschlossen, die noch eine Kathode K und eine
Anode A hat. Die programmierbare Referenzquelle 1 wird kommerziell unter
den Typen TL 431 CLP, TL 431 CP, TL 431 CJG, TL 431 ILP, TL 431 IJG,
TL 431 MJM von der Fa. Motorola vertrieben. Sie hat die Funktion einer
programmierbaren Zener-Diode, die einen niedrigen Temperatur-Koeffizienten
hat. Über den Spannungsteiler ist die Referenzspannung der Referenz
quelle 1 einstellbar.
Die Kathode K der Referenzquelle 11 ist einerseits mit der Kathode einer
Zener-Diode 12 und andererseits mit einem Anschluß eines Widerstands 13
verbunden, dessen anderer Anschluß an den positiven Pol 14 einer Hilfs
spannungsquelle angeschlossen ist. Die Anode der Zener-Diode 12 steht mit
der Gate-Elektrode des MOS-Feldeffekttransistors 5 in Verbindung. Zwischen
der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors 5
ist ein Widerstand 15 angeordnet. Ein weiterer Widerstand 16 verbindet die
Gate-Elektrode mit der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors 5.
Die Parallelschaltung eines Kondensators 17 und eines Widerstandes 18 ist
zwischen dem Referenzeingang und der Kathode der Referenzquelle 11 ange
ordnet. Zum Widerstand 10 ist ein Kondensator 19 parallel geschaltet. Eine
der Spannungen an den Ausgängen 6, 7 proportionale Spannung gelangt zum
Referenzeingang der Referenzquelle 11, die diese Spannung mit einer
bauteilinternen Referenzspannung vergleicht. Bei einer Abweichung wird die
Ausgangsspannung der Referenzquelle verändert, so daß sich auch der Wider
stand der Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors 5 ändert. Hier
durch wird die Spannung an den Ausgängen 6, 7 derart beeinflußt, daß die
am Spannungsteiler abgegriffene Spannung gleich der internen Referenzspan
nung wird.
Mit der Zener-Diode 12 wird die Sättigungsspannung der Referenzquelle 11
kompensiert. Wenn die Referenzquelle 11 gesättigt ist, gelangt noch eine
ausreichende Spannung zum Gate des Feldeffekttransistors 5, um diesen zu
sperren. Durch höhere Zenerspannungen der Zener-Diode 12, die die Sätti
gungsspannung der Referenzquelle 11 übersteigen, kann der Stellbereich der
Ausgangsspannung zuzüglich zum Stellbereich verändert werden, der mittels
der Referenzquelle 11 erzielt werden kann.
Mit den Widerständen 13 und 15 wird die Stromversorgung der Referenz
quelle 11 und der Zener-Diode 3 eingestellt. Die Widerstandswerte beein
flussen aber auch den Verstärkungsfaktor des Feldeffekttransistors 5.
Eine Verbesserung hinsichtlich des Sperrverhaltens des Feldeffekttran
sistors 5 läßt sich mit dem Widerstand 10 erreichen.
Das dynamische Verhalten des Spannungsreglers 4 wird durch die Konden
satoren 17 und 19 und dem Widerstand 18 beeinflußt. Der Kondensator 19
führt bei schnellen Änderungen der Ausgangsspannung zu einem kurzzeitig
höheren Spannungswert am Abgriff des Spannungsteilers, so daß die Referenz
quelle 11 schneller anspricht. Der Kondensator 1 leitet schnelle Spannungs
änderungen an der Referenzquelle vorbei, so daß die Anordnung trotz einer
etwaigen Trägheit der Referenzquelle schnell reagiert.
Je nach der Höhe der Ausgangsspannung können die Widerstände 8, 9, 10
durch ein Potentiometer ersetzt werden. Wenn eine wenig empfindliche
Anordnung für die Spannungsregelung ausreicht, können die Elemente 17, 18
und 19 entfallen.
Der Feldeffekttransistor 5 ist ein Leistungsfeldeffekttransistor. Wenn
noch höhere Stromstärken benötigt werden, können mehrere Feldeffekttran
sistoren parallel geschaltet werden.
Als Hilfsspannung kann auch das Potential des Pols 2 verwendet werden.
Die Referenzquelle 11 ist Teile einer Regeleinrichtung, der über den
Referenzeingang der Istwert der Spannung zugeführt wird, der mit einem
intern in der Referenzquelle erzeugten Sollwert verglichen wird. Ein der
Regelabweichung entsprechendes, verstärktes Signal steuert den Widerstand
des Feldeffekttransistors 5.
Claims (5)
1. Serieller Spannungsregler mit mindestens einem zwischen einem Pol einer
Gleichspannungsquelle und einem Ausgang angeordneten Feldeffekt-
Transistor, der von einer Regeleinrichtung mit einer programmierbaren
Referenzquelle angesteuert wird, die die Spannung am Ausgang mit einer
Referenzspannung vergleicht und ein Regelabweichungssignal erzeugt, das
durch Ansteuerung des Feldeffekt-Transistors auf null oder nahezu null
vermindert wird, wobei die Referenzquelle mit der Kathode über einen
Widerstand an eine Spannung gelegt ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Feldeffekt-Transistor ein selbstsperrender Leistungs-MOS-
Feldeffekt-Transistor (5) ist, der mit seiner Drain-Source-Strecke zwischen
dem negativen Pol (3) der Gleichspannungsquelle und dem negativen
Ausgang (6) des Spannungsreglers (4) angeordnet ist, daß die Kathode der
Referenzquelle (11) mit der Kathode einer Zener-Diode (12) verbunden ist,
deren Anode mit der Gate-Elektrode des MOS-Feldeffekt-Transistors (5)
verbunden ist und daß die Spannung eine Hilfsspannung ist.
2. Spannungsregler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der Source-Elektrode und der Gate-Elektrode des MOS-
Feldeffekttransistors (5) ein Widerstand (15) angeordnet ist.
3. Spannungsregler nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des MOS-Feld
effekttransistors (5) ein Widerstand (16) angeordnet ist.
4. Spannungsregler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem Referenzeingang und der Kathode der Referenz
quelle (11) die Parallelschaltung eines Kondensators (17) und eines
Widerstands (18) angeordnet ist.
5. Spannungsregler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Referenzeingang der Referenzquelle (11) mit dem Abgriff
eines Spannungsteilers verbunden ist, der an die Ausgänge (6, 7) des
Spannungsreglers (4) angeschlossen ist und einen Widerstand (10) auf
weist, zu dem ein Kondensator (19) parallel gelegt ist.
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DE3725009A1 DE3725009A1 (de) | 1989-02-09 |
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- 1987-07-29 DE DE19873725009 patent/DE3725009C2/de not_active Expired - Fee Related
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