DE3717440C2 - - Google Patents
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- DE3717440C2 DE3717440C2 DE3717440A DE3717440A DE3717440C2 DE 3717440 C2 DE3717440 C2 DE 3717440C2 DE 3717440 A DE3717440 A DE 3717440A DE 3717440 A DE3717440 A DE 3717440A DE 3717440 C2 DE3717440 C2 DE 3717440C2
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- blocking film
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- semiconductor wafer
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- Expired - Lifetime
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-
- H10P14/69215—
-
- H10P14/6334—
-
- H10P14/69433—
-
- H10P32/15—
-
- H10P50/283—
-
- H10P14/2905—
-
- H10P14/3411—
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873717440 DE3717440A1 (de) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | Halbleiter-plaettchen und verfahren zu seiner herstellung |
| US07/214,501 US4925809A (en) | 1987-05-23 | 1988-07-01 | Semiconductor wafer and epitaxial growth on the semiconductor wafer with autodoping control and manufacturing method therefor |
| US07/742,560 US5225235A (en) | 1987-05-18 | 1991-08-05 | Semiconductor wafer and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873717440 DE3717440A1 (de) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | Halbleiter-plaettchen und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3717440A1 DE3717440A1 (de) | 1988-12-01 |
| DE3717440C2 true DE3717440C2 (enExample) | 1991-01-31 |
Family
ID=6328274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19873717440 Granted DE3717440A1 (de) | 1987-05-18 | 1987-05-23 | Halbleiter-plaettchen und verfahren zu seiner herstellung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3717440A1 (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG67879A1 (en) * | 1991-08-22 | 1999-10-19 | At & T Corp | Removal of substrate perimeter material |
| JP2827885B2 (ja) * | 1994-02-12 | 1998-11-25 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶基板およびその製造方法 |
| JP3454033B2 (ja) * | 1996-08-19 | 2003-10-06 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-05-23 DE DE19873717440 patent/DE3717440A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3717440A1 (de) | 1988-12-01 |
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