DE3705295A1 - Einrichtung zur tiefenabhaengigen implantation von teilchen in ein target - Google Patents
Einrichtung zur tiefenabhaengigen implantation von teilchen in ein targetInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur tiefenabhängigen
Implantation von Teilchen in ein Target, auf das die Teilchen
als Teilchenstrahl gerichtet sind und wobei die Energie der
Teilchen gleichmäßig mittels eines Moderators nach dem Prinzip
des Graukeils variierbar ist.
Da die Eindringtiefe von Teilchen in Material in Form eines
Targets von deren kinetischer Energie abhängt, muß z. B. bei
einer homogenen Implantation die Teilchenenergie entsprechend
gleichmäßig veränderbar sein. In der Praxis ist jedoch eine
Variation der kinetischen Energie aufwendig und oftmals nur
begrenzt möglich. Insbesondere ist bei der Verwendung von
Kreisbeschleunigern mit nachfolgenden Strahlführungssystemen
die Teilchenenergie (E max ) festgelegt. Somit könnte nur in
einer Schicht, welche X max von der Auftreffoberfläche der
Teilchen auf dem Target entfernt ist, implantiert werden. Um
auch zwischen X max und dieser Oberfläche Teilchen implantieren
zu können, müßte die ursprüngliche Teilchenenergie E max
entsprechend abgeschwächt (moderiert) werden.
Im allgemeinen wird dazu vor dem implantierenden Material
(Target) ein Keil angeordnet, durch den die Teilchen auf die
gewünschte Energie abgebremst werden. Wird eine homogene Implantation
gewünscht, so wird der Keil senkrecht zur Strahlrichtung
zyklisch hin und her bewegt. Anstelle des Keils ist
auch ein scheibenförmiger Moderator üblich, welcher mit konstanter
Drehzahl um eine Achse parallel zur Strahlachse rotiert.
Ein besonderes Problem entsteht hierbei dadurch, daß beim
Durchfliegen von Materie geladene Teilchen nicht nur eine
Energiemoderation erfahren, sondern auch eine Richtungsänderung
um den Winkel R (Standardabweichung bei Gaußverteilung)
infolge vieler unabhängiger Kleinwinkel-Coulombstreuungen.
Dabei gilt die Gleichung:
wobei δ x die Materialdicke, L x die Strahlungslänge, p der
Teilchenimpuls und β c die Teilchengeschwindigkeit ist. Infolge
dieser Aufstreuung kann R ohne weiteres 45° überschreiten,
wenn im Bereich der Targetoberfläche implantiert werden
soll, d. h. die Teilchen stark abgebremst werden müssen.
Ist z. B. in einem typischen Fall die Targetoberfläche gleich
der Strahlquerschnittsfläche A₀ = 1 cm², R = 45° und der Moderator
5 cm vom Target entfernt, so wird die durch die Aufstreuung
bestrahlte Fläche A₁ < 75 cm². Der Abstand Moderator-
Target kann in der Praxis 5 cm deutlich überschreiten, da
das Target oftmals in einem Ofen gehalten werden muß und die
Moderatorhalterung und -führung ebenfalls Platz beanspruchen.
Besonders bei Teilchenimplantationen bis dicht an die Targetoberfläche
führt die Winkelaufstreuung zu einem enormen Zeitverlust
um den Faktor A₁/A₀. Da die effektiven Betriebskosten
von Beschleunigern, welche in der Lage sind, z. B. 500 µm
Eisen homogenen mit Teilchen zu implantieren (26 MeV/Nukleon),
bei ca. 1200 DM pro Stunde liegen, ist eine wesentliche
Zeitersparnis höchst wünschenswert.
Werden Teilchen mit kinetischen Energien oberhalb der Coulombschwelle
implantiert, führen Kernreaktionen zu einer
deutlichen Aktivierung des Inventars. Eine Aufstreuung und
somit Bestrahlung über den unmittelbaren Targetbereich hinaus
sollte demzufolge vermieden werden.
Da das Implantationsprofil nicht parallel zu Targetoberfläche
(Winkel α ≠ 0°) liegt, ist eine tiefenabhängige Präparationsmethode
(z. B. Ätzen) oder eine Analyse somit problematisch.
Zwar ist aus dem Handbuch der Physik, Band 24, Jahrgang 1929,
bekannt, einen Graukeil zur Messung der Schwächung der Intensität
einer Photonenstrahlung zu verwenden, bei dem zwei gegeneinander
verschiebbare Keile vor den Spalt eines Spektrographen
gesetzt werden. Je nach Dicke des Doppelkeils wird
die Strahlung in meßbarer Weise mehr oder weniger stark geschwächt.
Allerdings wird der Graukeil weder als Moderator
benutzt, noch sind Vorgänge wie Streueffekte untersucht oder
gar berücksichtigt worden. Außerdem verhalten sich geladene
Teilchen beim Eindringen in Materie grundsätzlich anders als
elektromagnetische Strahlung.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, die
e. g. Einrichtung derart auszubilden, daß eine tiefenabhängige
Implantation von Teilchen (z. B. Elektronen, Protonen, Alpha-
Teilchen, Ionen) schichtweise zur Materialoberfläche eines
Targets zeitsparend gewährleistet werden kann.
Die Lösung ist in den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches
1 beschrieben.
Die übrigen Ansprüche geben vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung an.
Die besonderen Vorteile, welche sich aus dem erfindungsgemäßen
Lösungsvorschlag ergeben, sind:
- - Implantationsprofil parallel zur Targetoberfläche
- - definierte Teilchenimplantationen sind bis zur Targetoberfläche sichergestellt, d. h. homogene Implantationen oder willkürliche Konzentrationsprofile lassen sich herstellen.
- - Teilchenimplantationen höherer Konzentration direkt an der Targetoberfläche werden erst möglich
- - wesentlicher Zeit- und Unkostengewinn
- - Handhabungsvorteile durch Reduzierung der Radioaktivität an Komponenten infolge geringer Aufstreuung am implantierten Target infolge verringerter Eintrittsenergie, bei der He-Implantation von Eisenbasislegierungen (200 µm) ist die Aktivität um 70% gegenüber Einfachkeilen reduziert
- - beim Umbau auf neue Targetmaterialien bzw. andere Implantationsprofile muß der Doppelkeil in der Regel nicht ausgetauscht bzw. neu angefertigt werden. Die Anpassung kann durch geeignete Materialwahl des Moderatorplättchens erfolgen
- - beim Einsatz einer Targetheizung kann das Moderatorplättchen als Ofenwand dienen. Temperaturgradienten an der Targetoberfläche werden somit auf ein Minimum reduziert und
- - infolge der kleineren Keildicke kann auf eine Kühlung, welche an beweglichen Teilen im Vakuum aufwendig ist, oftmals ganz verzichtet werden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels
mittels der Fig. 1-8 näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt schematisch eine Bestrahlungsanlage für ein
Target 1, welches mittels des Teilchenstrahls 2 homogen bestrahlt
werden soll. Der Teilchenstrahl 2 tritt mit der Energie
E max aus einer nicht dargestellten Teilchenstrahlenquelle
aus und wird mittels der beiden Blenden 3 und 4 fokussiert.
Zwischen den beiden Blenden 3 und 4 sind die beiden Keile 5
und 6 gegenläufig senkrecht zur Strahlrichtung 7 derart verschiebbar,
daß sie bezüglich des Strahlquerschnitts immer
eine konstante Dicke aufweisen (Prinzip des Graukeils).
In Strahlrichtung 7 hinter der Blende 4 gesehen, ist über der
Oberfläche 8 parallel zu dieser eine Scheibe 9, ebenfalls aus
Moderatormaterial wie die Keile 5 und 6, ausgerichtet angeordnet.
Sie besteht möglichst nahe der Oberfläche 8. Ein Tiefenprofil
10 für eine Implantation ist eingezeichnet.
Durch Verwendung des Doppelkeil-Moderators 5, 6, wobei sich
beide in ihren Abmessungen vorzugsweise gleichen Keile 5 bzw.
6 senkrecht zur Strahlrichtung 7 gegenläufig hin und her bewegen,
ist somit zu jedem Zeitpunkt die Energieabschwächung
über die gesamte Bestrahlungsfläche gleich groß, so daß
Parallelität des Tiefenprofils 10 zur Oberfläche 8 exakt erreicht
wird. Zusätzlich wird damit noch etwa ein Faktor zwei
in der Strahlzeit gewonnen. Weiterhin erfolgt eine drastische
Reduzierung der Winkelaufstreuung R (siehe Fig. 1). Dies
wird erreicht, indem die beiden Moderatorteile 5, 6 etwas
dünner gemacht werden, und dieses fehlende Material in Form
des Moderator-Plättchens 9 konstanter Dicke im Targethalter -
wenige Millimeter vom Target 1 entfernt - integriert wird.
Man wird dabei dieses Plättchen 9 möglichst dick und die beiden
Keile 5, 6 möglichst dünn wählen. Letztere sollten dann
in einem Arbeitsbereich bewegt werden, der nur so dick ist,
wie zur jeweiligen Implantierung unbedingt notwendig ist. In
der Praxis kann das Plättchen 9 durchaus dicker sein als
beide Keile 5, 6 zusammen, wobei sich die konkreten Abmessungen
von Plättchen 9 und Keilen 5, 6 mit Hilfe von Fig. 2
(Eisen, Aluminium und Graphit) bestimmen lassen. Natürlich
sind auch andere Materialien oder Materialkombinationen möglich.
Aus Fig. 2 wird ersichtlich, daß der anfängliche Energieverlust
zunächst gering ist; entsprechend gering ist somit
noch die Winkelaufstreuung R nach dem Durchfliegen der
Doppelkeile 5, 6. Erst nach dem Passieren des Moderatorplättchens
9 kann R große Werte annehmen, was dann aber praktisch
keine Rolle mehr spielt, da es nahezu direkt vor dem Target 1
steht.
Der Vergleich von konventionellen Moderatorlösungen (einteilig,
Keil oder Rad) mit der erfindungsgemäßen Moderatorlösung
(3-teilig) wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels
unternommen.
Homogene Implantation eines Targets aus 400 µm dickem Eisen
mit Alphateilchen, deren Energie E max = 104 MeV, und deren
Strahlquerschnitt A₀ = 1,0 cm² (ohne Moderatorkeile) auf dem
Target beträgt.
Graphit (gute Wärmeabstrahlung, Aktivierung vergleichsweise
gering, da nur das Nuklid Be-7 erzeugt wird, große Strahlungslänge L x ).
Ein direkter Vergleich zwischen der einteiligen konventionellen
Lösung und der dreitteiligen erfindungsgemäßen Lösung
(gemäß Fig. 1) ist bei Targetstrommessungen nicht direkt
möglich, da der Einfachkeil ein schräges (Winkel α ≠ 0) Implantationsprofil
ergibt, die Winkelaufstreuung bei vorgegebener
Keilposition also nicht über die gesamte Keilbreite
konstant ist. Ein Vergleich wäre nur bei einer Implantation
parallel zur Targetoberfläche möglich. Für eine Vergleichsmessung
wurde deshalb das Moderatorplättchen 9 am Target 1
entfernt und die Doppelkeile 5, 6 entsprechend dicker gemacht.
Auf Einhaltung der engen Fertigungstoleranzen wurde
geachtet (siehe hierzu Fig. 3 und Fig. 4).
Die Fig. 3 zeigt den Targetstrom I/I₀ bzw. die Eindringtiefe
(t e ) bei Fe in Abhängigkeit von der Moderatorposition 5, 6
bei neuentwickelten Dreifachmoderator (Kurve 11) und bei herkömmlichen
Moderatoren (Kurve 12) - hier simuliert durch den
Doppelkeilmoderator gemäß Fig. 4. Die enorme Überlegenheit
der neuen, dreiteiligen Moderatorbauweise infolge stark reduzierter
Winkelaufstreuung R kommt deutlich zum Ausdruck; der
Zeit- und Kostengewinn beträgt mindestens eines Faktor 3. Die
Keilstellung bei verschiedenen Moderatorpositionen ist in Fig. 4
dargestellt. Ein Hub von 11,5 mm (START) entspricht einer
Implantationstiefe (Abstand Tiefenprofil 10 zu Oberfläche
8) von 400 µm und ein Hub von 26,9 mm (STOPP) einer Implantation
an der Targetoberfläche 8.
Obwohl mit 35 cm der Abstand zwischen Moderator und Target
sehr groß ist, wird die Stromstärke bei größeren Implantationstiefen
nur auf etwa 50% im Fall des Dreifachmoderators
5, 6, 9 reduziert. Die mit abnehmender Implantationstiefe 10
zunehmende Winkelaufstreuung R wird bei homogener Implantation
durch eine zunehmende Verweildauer der Keile 5, 6
ausgeglichen. Fig. 3 zeigt auch, daß mit herkömmlichen Moderatoren
(untere Kurve) nicht an der unmittelbaren Oberfläche
8 (< 35 µm) implantiert werden kann und somit eine homogene
Implantation über die gesamte Probendicke gar nicht möglich
ist. Selbst Bestrahlungen in Oberflächennähe (hier ca. 40-60 µm)
führen bei konventioneller Lösung zu großen Zeiteinbußen
und somit oft zu nicht mehr vertretbaren Bestrahlungskosten.
Es sei noch erwähnt, daß der Abfall des Targetstroms beim
Dreifachmoderator 5, 6, 9 in Fig. 3 allein noch durch die inhärente
Reichweitenstreuung bestimmt ist; in Eisen liegt
diese bei Alphateilchen mit E max = 104 MeV bei 28 MeV (FWHM).
Für die Oberflächenimplantation spielt der Abfall im Kurvenverlauf
(obere Kurve) des Targetstroms jedoch keine Rolle, da
das Plättchen 9 praktisch auf der Probe 1 liegt und somit
"Bestandteil des Targets" geworden ist.
Ausführungsbeispiele für die Keile 5 und 6 bzw. die Scheibe 9
sind im Schnitt und als Aufsicht in den Fig. 5 bzw. 6 und
Fig. 7 bzw. 8 dargestellt. Das Moderatormaterial ist Reingraphit
mit einer Dichte von 1,80 g/cm³.
Claims (4)
1. Einrichtung zur tiefenabhängigen Implantation von Teilchen
in ein Target, auf das die Teilchen als Teilchenstrahl gerichtet
sind und wobei die Energie der Teilchen gleichmäßig
mittels eines Moderators nach dem Prinzip des Graukeils
variierbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß
- a) der Moderator (5, 6, 9) sich aus mindestens drei Teilen zusammensetzt, von denen mindestens zwei (5, 6) als senkrecht zur Strahlrichtung (7) gegenläufig hin und her bewegbare Keile (5 und 6) ausgebildet sind, und daß mindestens
- b) ein drittes Teil (9) als Scheibe geformt ist, die in unmittelbarer Nähe der Oberfläche (8) des Targets (1), parallel zu dieser ausgerichtet, angeordnet ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Stärke und der Steigwinkel der beiden Keile (5 und 6)
derart ausgewählt sind, daß ihr Arbeitsbereich ausreicht,
um die Teilchenimplantationsbereiche (10) im Target (1) zu
überdecken, und daß mit der Stärke der Scheibe (9) die
fehlende Moderatorwirkung der beiden Keile (5, 6) ausgleichbar
ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Scheibe (9) als Bauteil für eine Targetheizung
einsetzbar ist.
4. Einrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß mit der Scheibe (9) die Abhängigkeit der Teilchenimplantation
von der Winkelaufstreuung ( R ) reduzierbar ist.
Priority Applications (3)
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