DE3704887A1 - Ionisationsdetektor und verfahren zum verbessern von dessen signalempfindlichkeit - Google Patents
Ionisationsdetektor und verfahren zum verbessern von dessen signalempfindlichkeitInfo
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Ionisationsdetektoren und be
trifft insbesondere Detektoren, wie sie in der Röntgentomo
graphie verwendet werden.
Die Röntgentomographie beinhaltet das mehrfache Röntgenfoto
grafieren eines Objekts von den Seiten her, um mittels Com
puter eine Ansicht von oben her zu gewinnen. Wenn es jedoch
erwünscht ist, die Auflösung der Tomographie zu verbessern,
d.h. kleinere Teile des Objekts sichtbar zu machen, treten
zahlreiche Probleme auf.
Beispielsweise resultiert ein Problem aus dem Typ des in der
Röntgentomographie benutzten Detektors. Röntgenfilm wird
nicht benutzt, weil die Kosten zu hoch wären (wegen der
Vielzahl an benötigten Fotografien) und weil es schwierig
sein würde, Daten von einem solchen Detektor (d.h. dem Film)
in einen Computer zu übertragen. Statt dessen sind die De
tektoren, die gegenwärtig benutzt werden, im allgemeinen
kleine, diskrete Sensoren, die auf Röntgenstrahlung anspre
chen. Zum Erzielen einer größeren Auflösung müssen kleinere,
dichtgepackte Sensoren benutzt werden. Selbstverständlich
treten Probleme bei der Herstellung von sehr kleinen Senso
ren auf, die in sehr engen gegenseitigen Abständen angeord
net sind.
Neben den Fertigungsproblemen, denen man sich bei der Her
stellung von Tomographiesensoren hoher Auflösung gegenüber
sieht, arbeiten viele bekannte Tomographievorrichtungen nur
in kontrollierten Umgebungen. Die Anmelderin hat Verbesse
rungen ersonnen, die die Notwendigkeit eliminieren, eine
kontrollierte Umgebung aufrechtzuerhalten, und außerdem ge
statten, solche Tomographievorrichtungen in einer aggressi
ven Umgebung zu realisieren, beispielsweise in einem Ferti
gungsbetrieb, und sie auf kontinuierlicher, ununterbroche
ner Basis zu benutzen. Solche Verbesserungen sind bei
den tomographischen Untersuchungen von Gasturbinentriebwerks
teilen einschließlich Turbinenlaufschaufeln besonders rele
vant.
Darüber hinaus werden bei einer Ausführungsform eines be
kannten Ionisationsdetektors Zwischenwände 3 A benutzt, die
zwischen benachbarten Detektoren 6 A angeordnet sind, wie es
in Fig. 1 dargestellt ist. Die Zwischenwände verhindern, daß
ein ionisiertes Teilchen 9 A einem Weg 12 A folgt und so auf
einen anderen als den direkt unter ihm befindlichen Detek
tor, nämlich den Detektor 6 B, fällt.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen neuen und verbesserten
Röntgendetektor zur Verwendung bei der Tomographie zu schaf
fen.
Weiter soll durch die Erfindung ein neuer und verbesserter
Röntgendetektor für fortgesetzten, ununterbrochenen Gebrauch
geschaffen werden.
In einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Kammer durch
ein Gehäuse gebildet. Ein Substrat dringt in die Kammer von
außerhalb des Gehäuses ein und trägt mehrere langgestreckte
Detektorelemente zum Auffangen von elektrischen Ladungen,
die durch Ionisationsereignisse erzeugt werden, welche ober
halb der Elemente stattfinden. Die Erfindung schafft mecha
nische Verbesserungen des Gehäuses zum besseren Einschlies
sen des ionisierenden Mediums, welches vorzugsweise Xenongas
ist, sowie ein Verfahren zum Beseitigen der Ursachen von un
gewollten Ladungen, die durch die Detektoren geliefert wer
den.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden unter
Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 einen bekannten Detektor,
Fig. 2 einen bekannten Ionisationsdetektor,
Fig. 3 Biegen, das bei bekannten Gehäusen auftritt,
Fig. 4 eine Querschnittansicht einer Ausführungs
form der Erfindung,
Fig. 5 eine auseinandergezogene Darstellung einer
Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6 schematisch Doppel-T-Träger und Seile, die
Entwurfsmerkmale der Erfindung veranschau
lichen, welche benutzt werden, um Biegen
und Klaffen zu reduzieren,
Fig. 7 Klaffen, das bei bekannten Gehäusen auf
tritt,
Fig. 8 und 9 eine Kraftzelle zum Aufweiten eines Schlit
zes gemäß der Erfindung,
Fig. 10 eine Teilschnittansicht einer Ausführungs
form der Erfindung,
Fig. 11 eine Goldinsel zwischen zwei Detektorele
menten,
Fig. 12 eine Seitenansicht einer Goldinsel,
Fig. 13 Goldgebiete, die durch schleifendes Scheu
ern entfernt werden,
Fig. 14-19 einige Aspekte von Plasmen,
Fig. 20 und 21 elektrische Feldlinien, die an den Detek
torelementen endigen,
Fig. 22 einen Weg, den ein geladenes Teilchen
nimmt,
Fig. 23 die Vergleichsbereiche einer Goldinsel und
eines freiliegenden Substrats,
Fig. 24 die Matrix von Detektorelementen, welche
den Schlitz in der Endplatte durchdringen,
Fig. 25 eine radiale Matrix von Detektorelementen,
Fig. 26 eine Schaltung, die zum Lesen der auf die
Detektorelemente aufgebrachten Ladung be
nutzt wird, und
Fig. 27 ein Standardmodell einer Stromquelle.
Ein vorhandener Röntgendetektor ist der in der US-PS
43 94 578 beschriebene, die die Bezeichnung "Hochdruck-
Xenon-Röntgendetektormatrix hoher Auflösung" trägt und auf
die bezüglich weiterer Einzelheiten verwiesen wird. Die hier
beigefügte Fig. 2 gleicht Fig. 2 der vorgenannten US-Patent
schrift, und folgende Passage, welche diese Figur beschreibt,
ist der genannten US-Patentschrift, S. 4 und 5, entnommen
worden.
- "Ein Röntgendetektor gemäß der Erfindung ist in Fig. 2 gezeigt. Der Detektor 10 hat ein insgesamt zylindrisches Gehäuse 12 aus einem Metall oder einer Metallegierung, das eine Endplatte 14 aus Metall oder Metallierung hat, welche an ihm bei spielsweise mittels Schrauben 16 befestigt ist. Die Endplatte 14 ist an dem Gehäuse 12 durch eine 0-Ringdichtung 18 abgedichtet, welche aus zusam mendrückbarem Material, beispielsweise Gummi, be steht. Das Gehäuse 12 enthält eine insgesamt zy lindrische Kammer 20, die an einem Ende durch ein Fenster 22 verschlossen ist, welches aus einer dünnen Platte aus einem Material besteht, das von Röntgenstrahlen leicht durchdringbar ist, z.B. Aluminium. Das entgegengesetzte Ende der Kammer 20 ist durch die Endplatte 14 verschlossen. Durch die Endplatte 14 erstrecken sich Kollektorplatten 24, 26, welche durch konische Epoxyverschlüsse 28, 30 abgedichtet sind. Außerdem sind in der Kammer Spannungsplatten 32, 34 angeordnet, die über elektrische Leiter 36 bzw. 38 mit elektrischen Kontakten 40 bzw. 42 verbunden sind, welche sich durch die Endplatte 14 erstrecken und an dieser mittels Verschlüssen 44 bzw. 46 abgedichtet sind. Es ist klar, daß bei einem Detektor eine einzel ne Kollektorplatte und eine einzelne Spannungs platte oder jede praktische Anzahl derselben verwendbar ist."
Die Anmelderin hat festgestellt, daß, wenn die Kammer 20
mit Xenongas bis zu einem Druck von etwa 76 bar (1100 psi)
beaufschlagt wird, die Endplatte 14 die Eigenschaft hat,
sich zu verbiegen, wie es in übertriebener Form in Fig. 3
gezeigt ist. Die Biegung gleicht der einer kreisförmigen
Membran mit einem Schlitz, wenn sie Druck auf einer Seite
ausgesetzt wird. Das Verbiegen der Endplatte 14 führt zur
Ausübung von Zugkräften auf die Epoxyverschlüsse 28 und 30
nach Fig. 2 in dem Gebiet 102 in Fig. 3 (die Dichtungen
sind in Fig. 3 nicht gezeigt) und zur Ausübung von Druck
kräften auf die Verschlüsse in dem Gebiet 104. Diese Kräfte
können die Lebensdauer der Verschlüsse verkürzen.
Die Anmelderin reduziert das Verbiegen durch Herstellen
einer insgesamt rechteckigen (d.h. nichtzylindrischen) Kam
mer 120 innerhalb eines Gehäuses 112, das im Querschnitt in
Fig. 4 und in auseinandergezogener Darstellungen in Fig. 5
gezeigt ist. Die Kammer ist in den Richtungen von Pfeilen
106 A und 106 B langgestreckt. Ebenso ist auch die Endplatte
114 langgestreckt, wodurch ihre Ähnlichkeit mit einer kreis
förmigen Membran verringert und die Tendenz der Endplatte
114, sich wie eine kreisförmige Membran zu verhalten, redu
ziert wird.
Oberhalb und unterhalb der Kammer 120 sind Materialgebiete,
welche sich innerhalb der gestrichelten Linien 126 befinden
und als Verstärkungsstege, ähnlich wie der Steg eines Doppel-
T-Trägers,wirken. Die Stegfunktion ist deutlicher in Fig. 6
gezeigt, in der das Material innerhalb der gestrichelten
Linien symbolisch als Doppel-T-Träger 126 A dargestellt ist.
Der Druck, der auf die Endplatte 114 durch das Xenongas aus
geübt wird, ist bestrebt, die Doppel-T-Träger 126 A zu ver
biegen (d.h. "zu biegen"), was durch den gestrichelten Trä
ger 126 B dargestellt ist. Die Stege 126 C sind jedoch be
strebt, sich diesem Biegen zu widersetzen. Daher widersetzt
sich das Material in den Gebieten 126 in Fig. 4 dem Verbie
gen ebenso wie die Doppel-T-Träger 126 A in Fig. 6.
Die rechteckige Ausbildung der Endplatte, die mit dem Ver
stärkungsmaterial in den Gebieten 126 zusammenwirkt, hat
zwar das Verbiegen reduziert, jedoch die Tendenz geschaffen,
daß die Vorrichtung "klafft". Das ist in stark übertriebe
ner Form in Fig. 7 gezeigt. Das Klaffen führt zu einer Ver
größerung der Abmessung 127. Das Klaffen ist zum Teil das
Ergebnis des Fehlens von Material mit hoher Zugfestigkeit
innerhalb eines Schlitzes 128. Das Klaffen übt auf die Dich
tungsmasse innerhalb des Schlitzes (weiter unten näher be
schrieben) Zugkräfte aus.
Die Anmelderin reduziert das Klaffen durch Vorsehen von Ver
stärkungsmaterial in Gebieten 130 in Fig. 5. Dieses Material
ist Zugkräften ausgesetzt, wenn die Kammer unter inneren
Druck gesetzt wird. Die Funktionsweise des Materials in dem
Gebiet 130 ist schematisch in Fig. 6 gezeigt, in der Seile
130 A gezeigt sind, die die Doppel-T-Träger 126 A zusammenhal
ten. Das heißt, die weiter oben beschriebenen Doppel-T-Trä
ger 126 A blockieren das Verbiegen und die Seile 130 A blockie
ren das Klaffen. Diese symbolischen Seile und Doppel-T-Trä
ger nehmen die Form von massivem Material in den Gebieten
126 und 130 in Fig. 5 zur Konstruktionsvereinfachung an.
Zum weiteren Verringern der Zugkräfte, die auf den Verschluß 146
in dem Schlitz 128 einwirken, wird die Endplatte 114 vorbe
lastet, indem sie in eine Kraftzelle 132 gemäß Fig. 8 ein
gebracht wird. Löcher 134 werden in den oberen Teil 136 und
in den unteren Teil 138 der Endplatte 114 gebohrt und mit
Gewinde versehen. Schrauben 139 (10 an der Zahl) werden in
die Löcher 134 geschraubt und an Trägern 140 bzw. 142 ver
ankert. Diese Schrauben haben einen Durchmesser von 4,83 mm
(0,190 Zoll) und eine Gewindesteigung von 0,79 mm (0,031
Zoll). Das Anziehen der Schrauben 136 bis zu einem Drehmo
ment von 16,3 Nm (12 foot pounds) bewirkt jeweils das Auf
weiten des Schlitzes 128, wie es in übertriebener Form in
Fig. 9 gezeigt ist. Wenn der Schlitz in diesem aufgeweite
ten Zustand ist, werden Spannungs- und Kollektorplatten 144
und 145 gemäß Fig. 4 (weiter unten ausführlicher beschrie
ben) analog den Platten 24 und 32 gemäß Fig. 2 durch den
Schlitz 128 eingeführt, und ein Epoxykitt wird in den Zwi
schenraum um die Kollektorplatten 145 eingebracht, um den
oben erwähnten Verschluß 146 herzustellen. Nachdem der Kitt
ausgehärtet ist, wird der Druck der Schrauben 136 abgebaut,
wodurch der Epoxyverschluß 146 zusammengedrückt und vorbela
stet wird. Die anschließende Druckbeaufschlagung der Kammer
120 dient zum Entlasten des Epoxyverschlusses und zum Zu
rückbringen desselben in einen unbelasteten Zustand.
Bei diesem Vorbelasten des Epoxy wird die Tatsache ausgenutzt,
daß Epoxy hinsichtlich Druckbeanspruchung stärker ist als
hinsichtlich Zugbeanspruchung. Wenn die Kammer 120 in Fig. 4
unter Druck gesetzt wird, wird die Druckbelastung des Epoxy
reduziert (durch Klaffen), und das unter Druck stehende
Xenon übt auf es eine Scherbelastung aus. Das steht im Ge
gensatz zu der Situation in Fig. 2, in der das Epoxy nicht
vorbelastet ist, in welchem Fall das Klaffen der Vorrichtung
das Epoxy auf Zug beansprucht und das unter Druck stehende
Xenon das Epoxy auf Scherung beansprucht. Bei dieser letzt
genannten Kombination aus Zug- und Scherbelastungen des
Epoxy werden nicht die Eigenfestigkeiten des Epoxy vorteil
haft ausgenutzt, wie es bei dem vorbelasteten Epoxy gemäß
Fig. 4 der Fall ist.
In Fig. 5 ist eine Kammer 120 sowohl durch das rechteckige
Gehäuse 112 als auch durch die rechteckige Endplatte 114
gebildet. Eine Dichtung 118 aus rostfreiem Stahl, die einen
kreisförmigen Querschnitt hat, ist durch eine Platte 118 A
gehaltert, welche ein Loch 119 hat, das eine ähnliche Form
wie die Dichtung 118 aufweist. Ein Stift 119 A faßt in das
Loch 119 in der Platte ein, um dieses Loch auf die Hohlräume
120 A und 120 B auszurichten. Die Platte 118 A paßt zwischen
zwei Lippen 160, die an der Endplatte 114 gebildet sind, wie
es der Querschnitt in Fig. 4 zeigt. Die Lippen 160 richten
außerdem die Hohlräume 120 A und 120 B aufeinander aus.
Das Gehäuse 112 gemäß Fig. 4 ist aus einem Material herge
stellt, das für Röntgenstrahlen durchlässig ist, beispiels
weise Aluminium. Ein Fenster 165, das eine innere Oberflä
che 168 hat, die insgesamt zylindrisch ist, ist so ausge
bildet, daß die Abmessung 170 ungefähr 3,30 mm (1/8 Zoll)
beträgt, was ein Fenster mit einer Dicke von 3,30 mm
(1/8 Zoll) ergibt, durch die die Röntgenstrahlen hindurch
gehen. Weiter ist gemäß der Darstellung in Fig. 4 das Fen
ster nicht gleichmäßig dick, vielmehr ist die Abmessung 172
größer als die Abmessung 171. Die Anmelderin hat festge
stellt, daß dieser Unterschied in der Fensterdicke die
Röntgenerfassung nicht nennenswert nachteilig beeinflußt.
Daher können die erwünschten Merkmale der zylindrischen
inneren Oberfläche 168 hinsichtlich des Widerstandes gegen
die Kräfte des Druckgases trotz der Veränderungen in der
Dicke über der Fensteroberfläche, welche die zylindrische
Oberfläche 168 schafft, ausgenutzt werden.
Anders ausgedrückt, das Fenster 165 ist eine plan-konkave
Aluminiumlinse, da die Oberfläche 168 konkav und die Ober
fläche 174 plan ist.
Ein Kollimator 180 ist gemäß Fig. 10 vorgesehen, der zwei
Schienen 181 und 182 aufweist, die aus Wolfram (einem
röntgenabsorbierenden Material) hergestellt sind und einen
Schlitz 183 zwischen parallelen Seiten 185 und 186 gemäß
Fig. 4 begrenzen. Der Schlitz 183 in Fig. 10 ist 0,29 mm
(0,0115 Zoll) hoch (Abmessung 190) und 87,76 mm (3,455 Zoll)
breit (Abmessung 191). Demgemäß werden die Röntgenstrahlen,
die in die Kammer 120 eindringen, kollimiert und dadurch im
wesentlichen parallel gemacht, wie es durch Linien 192 in
Fig. 4 gezeigt ist, so daß sie sich als eine dünne "Schicht"
oder "Platte" in die Kammer bewegen.
Wenn die Detektorplatte in dem Schlitz 128 angeordnet ist,
wird sie so positioniert, daß die (weiter unten beschriebe
ne) Matrix von Elementen auf der Platte 145 in Fig. 4 paral
lel zu der "Platte" oder "Schicht" von kollimierten Röntgen
strahlen ist. Ein Grund dafür ist, daß die Strecke von einem
Ionisationsereignis bis zur Elementenmatrix auf der Platte
dieselbe sein muß, ungeachtet dessen, ob das Ionisationser
eignis nahe dem Fenster 165 in Fig. 4 in dem Gebiet 201 oder
weiter weg davon in dem Gebiet 204 auftritt.
Weiter wird zur Zeit des Positionierens die Platte 145 so
angeordnet, daß, wenn die Endplatte 114 an dem Gehäuse 112
befestigt ist, der Abstand 204 zwischen dem Ende der Platte
145 und dem Fenster so klein wie möglich ist. Die Anmelderin
hat einen Abstand von 0,38 mm (0,015 Zoll) benutzt. Der Ab
stand soll klein sein, um die Bewegung von Ionen durch den
Raum, der zwischen dem Brett und dem Fenster gebildet ist,
zu reduzieren. Es muß jedoch wenigstens ein gewisser Ab
stand vorhanden sein, um eine elektrische Lichtbogenbildung
zwischen der Platte und dem Fenster zu verhindern, da eine
Potentialdifferenz von mehreren hundert Volt zwischen den
beiden vorhanden ist.
Das Positionieren der Platten wie beschrieben vor dem Anbau
der Endplatte 114 an das Gehäuse 112 ergibt den zusätzli
chen Vorteil des Festlegens der Platte in einer vorbestimm
ten Position in bezug auf den Kollimator 180 und das Fen
ster 165. Es ist wichtig, diese Position zu kennen, weil
die Signalanalyse (hier nicht erläutert) von Ionisationser
eignissen nachteilig beeinflußt würde, wenn die Platte 145
an einer anderen Stelle positioniert wäre, beispielsweise
weiter von dem Fenster entfernt. In diesem Zusammenhang ist
die Verwendung der vorliegenden Erfindung, die hier be
schrieben wird, weit zweckmäßiger als eine Alternative,
beispielsweise das Zusammenbauen einer Endplatte und eines
Gehäuses mit anschließendem Einführen der Platte 145. In
diesem alternativen Fall ist das Positionieren der Platte
145 an einer bekannten Stelle sowohl schwieriger als auch
zeitraubender, weil der Plattenabschnitt, der sich inner
halb der Kammer 120 befindet, dem Blick verborgen ist.
Nachdem der Aufbau der Druckkammer, die die Röntgendetektor
platten der Erfindung aufnimmt, beschrieben worden ist,
wird nun die Aufmerksamkeit auf die Platten selbst gerich
tet.
Eine derartige Detektorplatte ist in Fig. 11 gezeigt, die
eine Matrix von langgestreckten, parallelen, Gold-Chrom-Ele
menten 210 zeigt, welche auf einem Substrat 212 angebracht
sind, wobei jedes Element 0,10 mm (4 mils oder 4/1000 Zoll)
breit ist (Abmessung 214). Die Elemente sind 0,03 mm (one mil
oder 1/1000 Zoll) dick (Abmessung 216) und haben einen Ab
stand von ihren Nachbarn von 0,04 mm (1,5 mil) (Abmessung
218). Die Detektorelemente werden folgendermaßen hergestellt.
Gemäß der Darstellung in Fig. 12 wird eine erste Schicht 220
aus Chrom mit einer Dicke von 0,03 mm (1 mil) auf das Sub
strat 212 auf bekannte Weise aufgebracht. Das Substrat 212
besteht vorzugsweise aus einem glasfaserverstärkten Epoxy
mit einem hohen Glasfasergehalt, vorzugsweise von 40 Vol.-%.
Die Wichtigkeit dieses hohen Fasergehalts wird später erläu
tert. Eine zweite Schicht 222, die aus Gold besteht und
0,03 mm (1 mil) dick ist, wird auf das Chrom auf bekannte
Weise aufgebracht.
Das Chrom unterstützt das Haftvermögen der Goldschicht 222
an dem Substrat 212. Im Anschluß an das Auftragen von Chrom
und Gold werden die Schichten in einem ersten Ätzschritt ge
äzt, um eine Matrix von Detektorelementen herzustellen, wel
che die oben angegebenen Abmessungen haben. Ein bekanntes
Ätzverfahren beinhaltet das Auftragen eines Photoresist in
dem Muster der gewünschten Elemente. Eine Säure wird auf
die Platte aufgebracht, wobei die Säure die nicht durch das
Photoresist geschützten Gebiete wegätzt.Die Anmelderin hat
jedoch festgestellt, daß im Anschluß an das Ätzen trotzdem
Goldinseln 224 zwischen den Elementen 210 verbleiben, wie es
in Fig. 11 gezeigt ist. Die Goldinseln 224 sind teilweise
auf die Tatsache zurückzuführen, daß das Substrat 212 in
Fig. 12 winzige Kratzer 226 aufweist. Der Überzug aus Gold
und Chrom dringt in die Kratzer ein und wird nicht voll
ständig weggeäzt, wodurch Goldinseln nach dem Ätzen zurück
bleiben. Die Anmelderin vermutet, daß die Goldinseln an dem
ungewollten Strom (weiter unten erläutert) beteiligt sind,
weshalb die Anmelderin das folgende Verfahren entwickelt
hat, um die Konzentration an Goldinseln zu reduzieren.
Die Anmelderin wiederholt das Ätzverfahren ein zweites Mal
nach dem Entfernen des Photoresist. Dann werden durch einen
Waschschritt das restliche Photoresist und die restliche
Säure beseitigt. Es hat sich gezeigt, daß das doppelte Ätzen
die Konzentration an Goldinseln reduziert, um dadurch den
Bedarf an Scheuern zu reduzieren, was nicht beschrieben
wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß das doppelte Ätzen
ausgeführt werden kann, ohne daß schädigende Mengen an
Gold von den Elementen abgetragen werden.
Anschließend an das doppelte Ätzen wird die Platte-Detektor-
Matrix mit einer wässerigen Aufschlämmung von Aluminium
oxidteilchen von 1 µm sanft gescheuert. Die sanfte Schleif
wirkung dient zum Abtragen sowohl von Resten des Ätzverfah
rens als auch von mikroskopisch kleinen Teilchen, nicht
aber zum Zerstören der Detektorelemente 210. Das Scheuern
trägt bei dem Entfernen von Teilchen und organischen Ober
flächenverunreinigungen, wie beispielsweise den Goldinseln
224 in Fig. 13, auch einen Teil des Goldes der Detektorele
mente ab, wie es durch das gestrichelte Gebiet 230 gezeigt
ist. Die Anmelderin nimmt an, daß dieselbe Gesamtdicke an
Material von den Detektorelementen 210 wie von den Goldin
seln abgetragen wird. Zum Verhindern des zufälligen Weg
scheuerns von Elementen werden diese häufig mit dem Mikro
skop angeschaut, um festzustellen, ob die Konzentration an
Goldinseln eine Schwelle erreicht hat, was weiter unten noch
näher beschrieben ist. Wenn die Schwelle erreicht ist, wird
das Scheuern gestoppt. Dieses häufige Anschauen reduziert
die Möglichkeit des zufälligen Abtragens eines Elements. An
schließend an das Scheuern wird die Platte-Detektor-Matrix
mittels Ultraschall auf bekannte Weise mit einer Alconox-
Wasserlösung gereinigt und trocknen gelassen. Alkonox ist
von der VWR Scientific Company, PO Box 232, Boston, Massa
chusetts 02101, erhältlich.
Die Wände der Kammer 120 in Fig. 4 werden ebenfalls gerei
nigt, aber zuerst durch Aufbringen von siedender Freon-Flüs
sigkeit auf die innere Oberfläche der Kammer, gefolgt von
Ultraschallreinigen, wie oben beschrieben. Die Gründe für
diese umfangreiche Reinigungsprozedur werden nun erläutert.
Die Anmelderin hat festgestellt, daß, wenn die auf die Ele
mente durch ionisiertes Gas aufgebrachte Ladung mit höheren
Geschwindigkeiten gemessen wird, unerwartete Schwierigkeiten
auftreten. Sie hat festgestellt, daß im Anschluß an das Mes
sen der Ladung eine unbekannte Quelle einen restlichen, un
gewollten Strom über die Elemente lieferte, der etwa 30 s
benötigte, um abzuklingen. Selbstverständlich sind während
des Abklingintervalls die Elemente für die Erfassung nicht
verfügbar, worunter die Erfassungsgeschwindigkeit leidet.
Fig. 26 ist ein Schaltbild einer Vorrichtung, die benutzt
wird, um die auf die Elemente 6 aufgebrachte Ladung zu mes
sen oder abzulesen, die in der Figur gezeigt sind. Ein 10-
Kohm-Widerstand 401 ist zwischen ein Element 6 und einen
750-pF-Kondensator 405 geschaltet. Ladung baut sich auf dem
Kondensator 405 aufgrund des Aufbringens von Ladung auf das
Element 6 infolge der oberhalb des Elements stattfindenden
Ionisation auf. Wenn ein Schalter 410 geschlossen wird (es
ist ein symbolischer Schalter 410 gezeigt, in der Praxis
wird aber ein Feldeffekttransistor benutzt), sammelt sich
praktisch die gesamte Ladung auf dem 20-pF-Kondensator 415,
welcher einem Verstärker 420 zugeordnet ist. Eine ver
stärkte Spannung wird auf einer Leitung 425 geliefert, die
eine Funktion der Ladung des Kondensators 415 ist. Die ver
stärkte Spannung kann dann auf irgendeine Weise verarbeitet
werden, beispielsweise durch Anzeigen auf einem Oszilloskop
(nicht gezeigt).
Der oben erwähnte Reststrom nimmt die Form eines als Pfeil
430 dargestellten Stroms an, der weiterhin fließt, selbst
nachdem die Spannung an jedem Kondensator 405 gemessen und
der Kondensator entladen worden ist. Der Strom hält, wie er
wähnt, 30 Sekunden lang an.
Dieser Reststrom zusammen mit anderen Erkenntnissen der An
melderin bei der Ausarbeitung der Erfindung zeigt, daß sich
die Detektormatrix 210 in Fig. 11 ganz wie eine Stromquelle
hoher Impedanz verhält. Das ist ungewöhnlich, weil eine
Stromquelle üblicherweise im Modell so dargestellt wird, wie
es Fig. 27 zeigt. Von einer Stromquelle wird erwartet, daß
sie eine niedrige Impedanz (gezeigt durch den Widerstand
435) hat und nicht die hohe Impedanz, die die Anmelderin
festgestellt hat. Durch Reduzieren des ungewollten Stroms
hat die Anmelderin die Tendenz der Detektormatrix, sich wie
eine Stromquelle hoher Impedanz zu verhalten, reduziert.
Die Anmelderin hat die oben beschriebene Reinigungsprozedur
im Hinblick auf das Reduzieren des ungewollten Stroms ge
schaffen. Wie nun erläutert werden wird, sind jedoch die
Gründe, warum die Reinigungsprozeduren tatsächlich den unge
wollten Strom reduzieren, nicht klar.
Beim Untersuchen der möglichen Ursachen des ungewollten
Stroms werden einige der Theorien, die die Ereignisse be
schreiben, welche während der Ionisation in der Kammer 120
auftreten, nun erläutert. Der Leser wird sehen, daß die Theo
rien nicht gänzlich folgerichtig sind. Da das ionisierte
Xenon in der Kammer 120 einige der Eigenschaften des Plasmas
hat, wird zuerst ein Plasma erläutert.
Ein verallgemeinertes Plasma 234 ist in Fig. 14 gezeigt. Das
Plasma besteht aus Elektronen 235 und positiven Ionen 237,
die durch Kollisionen mit Röntgenphotonen voneinander ge
trennt worden sind. Die Anmelderin glaubt, daß innerhalb
des Plasmas Raumladungsneutralität vorhanden ist, was be
deutet, daß in einem makroskopischen Gebiet 239 insgesamt
keine Ladung vorhanden ist. Der Grund dafür ist, daß die
positiven Ladungen die negativen Ladungen in dem Gebiet aus
gleichen. Der Begriff "makroskopisch" bezieht sich auf ein
Gebiet, das groß genug ist, um viele ionisierte Atome zu
enthalten. Das steht im Gegensatz zu einem Gebiet, welches
nur ein Elektron enthält und selbstverständlich insgesamt
eine Ladung enthalten würde, nämlich die des Elektrons.
Wenn ein Leiter 240, der an einem Ioslierstab 242 befestigt
ist (analog einer Goldinsel 224, die durch das Substrat 212
gehaltert ist), in das Plasma 234 eingeführt wird, nimmt die
Anmelderin an, daß sich insgesamt keine Ladung entweder auf
dem Leiter oder auf dem Stab absetzt, und zwar wegen der
Raumladungsneutralität. Anders betrachtet, gleiche Zahlen
von Elektronen und Ionen werden auf den Leiter und den Iso
lator aufgebracht, so daß keine Gesamtladung auf sie aufge
bracht wird. Soweit die Goldinseln und das freiliegende Sub
strat in Fig. 11 dem Leiter 240 und dem Isolator 242 in
Fig. 14 gleichen, ist somit zu erwarten, daß sie keine La
dung aus Ionisationsereignissen empfangen, die nahe den De
tektorelementen stattfinden.
Teile des Plasmas jedoch, das in der Kammer 120 enthalten
ist, sind einem elektrischen Feld ausgesetzt. Aus diesem
Grund betrachtet die Anmelderin nun ein Plasma, das sich in
einem elektrischen Feld befindet, wie beispielsweise das
Plasma 244 in Fig. 15. Das elektrische Feld ist als Pfeile
246 dargestellt und wird durch Ladungen 248 und 250 auf lei
tenden Platten 252 und 254 erzeugt.
Das elektrische Feld ist bestrebt, die Elektronen 235 von
den Ionen 237 zu trennen, wobei die (positiven) Ionen sich
in der Richtung des Pfeils 246 bewegen, während sich die
(negativen) Elektronen in der entgegengesetzten Richtung be
wegen. Es stellt sich die Frage, ob unter diesen Umständen
Raumladungsneutralität vorhanden ist. Die Anmelderin glaubt,
daß diese Frage unter stationären Bedingungen zu bejahen
ist.
Im stationären Zustand wird ein kontinuierlicher Strom von
Ionen 237 und von Elektronen 235 wie in Fig. 16 gezeigt auf
rechterhalten, was durch Pfeile 260 und 261 dargestellt ist.
Insgesamt gibt es keine Ladung in einem makroskopischen Ge
biet 264. Diese Schlußfolgerung steht in Einklang mit dem
Vorhandensein von Raumladungsneutralität in einem Stab aus
Halbleitermaterial, der einen Strom führt, wenn keine Hall-
Effekte vorhanden sind. In einem solchen Stab strömen Elek
tronen in einer Richtung und Löcher in der entgegengesetz
ten Richtung, aber jeweils gleiche Anzahlen von ihnen sind
in jedem makroskopischen Gebiet vorhanden. Demgemäß ist
insgesamt keine Ladung auf dem Leiter 240 oder auf dem
Isolierstab 242 im stationären Zustand zu erwarten.
Die nichtstationären Situationen sind vermutlich anders.
Gemäß der Darstellung in Fig. 17 kann genau beim Einsetzen
der Ionisation eine Ladungstrennung vorhanden sein, was
durch getrennte Ladungen 266 und 268 gezeigt ist. Das heißt,
vor dem Ausbilden des kontinuierlichen Flusses von Elektro
nen und Ionen im stationären Zustand kann Raumladungsnicht
neutralität auftreten. Ebenso kann im Anschluß an die Be
endigung der Ionisation, wenn die Ladungen zu den Platten
252 und 254 wandern, wie es in der Folge von Ereignissen
in den Fig. 18 und 19 gezeigt ist, Raumladungstrennung wie
in Gebieten 272 und 274 vorhanden sein.
In jedem der in Fig. 17 oder in Fig. 19 gezeigten Fälle kann,
wenn ein Leiter 240, der mit einem Isolator 242 verbunden
ist, wie gezeigt positioniert wird, entweder der Leiter
oder der Isolator etwas Ladung erhalten. Die Anmelderin weiß
jedoch nicht, ob der Leiter eine größere Ladungsaffinität
als der Isolator hat. Weiter glaubt die Anmelderin, daß die
Zeitdauer der Situationen, die in den Fig. 17 und 19 ge
zeigt sind, so kurz sein kann (in der Größenordnung von
Mikrosekunden), daß diese Situationen bei der vorliegenden
Analyse außer Betracht bleiben können.
An diesem Punkt hat die Anmelderin noch keine Erläuterung
gegeben, die unzweideutig zeigt, daß sich Ladung entweder
auf den Goldinseln oder auf dem benachbarten freiliegenden
Substrat absetzen wird. Eine Analyse der Situation wird nun
unter einem anderen Gesichtspunkt vorgenommen. Bei dieser
neuen Analyse wird die Rolle betrachtet, die die besondere
Konfiguration des elektrischen Feldmusters spielt.
Ein elektrisches Feld wird zwischen der Platte 144 und dem
Element 210 aufgebaut. Die genaue Verteilung des Feldes ist
schwierig zu ermitteln, sie liegt aber vermutlich zwischen
den beiden Extremen, die in den Fig. 20 und 21 gezeigt sind.
Ein bedeutsames Merkmal dieser Verteilungen ist, daß keine
Feldlinien gezeigt sind, die auf dem Substrat 212 oder auf
der Goldinsel 224 endigen. Weiter gehen keine elektrischen
Feldlinien durch die Goldinseln 224 hindurch, da die Gold
insel 224 ein Leiter ist. Außerdem gibt es kein elektrisches
Feld in dem Gebiet 290.
Das Fehlen eines elektrischen Feldes in dem Gebiet 290 be
deutet, daß die Analyse des verallgemeinerten Plasmas, das
in Verbindung mit Fig. 14 erläutert worden ist, auf dieses
Gebiet angewandt werden kann. Diese Analyse führt zu der
Schlußfolgerung, daß keine Gesamtladung auf die Goldinseln
oder das in dem Gebiet 290 vorhandene Substrat aufgebracht
werden sollte. Die Feldverteilung gemäß den Fig. 20 und 21
außerhalb des Gebietes 290 zeigt außerdem, daß keine Ladung
auf die Goldinseln 224 oder das Substrat 212 aufgebracht
werden sollte, was nun erläutert wird.
Elektronen aus Ionisationsereignissen werden durch die Feld
linien angetrieben und sind bestrebt, den Feldlinien zu fol
gen. Die Elektronen, die den Feldlinien nahe den Goldinseln
folgen, wie beispielsweise der Linie 292 in Fig. 22, werden
daher auf ihrem Weg zu dem Element 210 an der Goldinsel 224
"entlangstreifen", wodurch sie auf das Element 210 und nicht
auf die Goldinsel 224 aufgebracht werden.
An diesem Punkt ist wieder keine unzweideutige Erläuterung
für das Ansammeln von Ladung auf den Goldinseln auf dem be
nachbarten Substrat geboten worden. Trotzdem nimmt die An
melderin nun willkürlich an, daß sich Elektronen auf den
Goldinseln und dem benachbarten Substrat ansammeln. Die An
melderin wird nun untersuchen, ob eine solche Ansammlung zu
dem ungewollten Strom beitragen kann.
Die Goldinsel 224 und das benachbarte freiliegende Substrat
212 A werden einem Schwall von Elektronen ausgesetzt, welche
aus der Ionisation resultieren. Dieser Schwall sollte im
Raum gleichmäßig sein. Die Elektronen fallen daher gleich
mäßig auf die Goldinsel 224 und auf das freiliegende Sub
strat 212 A. Die Anmelderin sieht keinen deutlichen Grund,
warum die Elektronen, die auf die Goldinsel 224 oder auf
das freiliegende Substrat 212 A gefallen sind, dann in Form
des ungewollten Stroms zu einem Element wandern sollten.
Weiter sollte das Entfernen der Goldinsel die Situation
nicht ändern, weil sich dann die Elektronen auf dem neuer
dings freiliegenden Substrat ansammeln werden, das sich
unter der Goldinsel befindet. Wiederum sieht die Anmelderin
keine deutlichen Umstände, die eine Beteiligung der Gold
inseln an dem ungewollten Strom zeigen.
Obgleich gemäß obiger Diskussion nicht klar ist, wie die
Goldinseln an dem ungewollten Strom beteiligt sind, nimmt
die Anmelderin hypothetisch an, daß Mittel wie die Goldin
seln, gasförmige Verunreinigungen, restliche Verunreinigun
gen aus dem Photoätzprozeß oder Spurenöle, welche auf den
Wänden der Kammer 120 in Fig. 4 vorhanden sind, einzeln
oder gemeinsam den ungewollten Strom produziert haben könn
ten. Jedes dieser Mittel wird kurz erläutert.
Gasförmige Verunreinigungen können in die Kammer 120 durch
organisches Material gelangen, beispielsweise durch den
O-Gummiring 18 in Fig. 2 oder die verschiedenen Epoxies, die
als Verschluß- oder Substratmaterialien benutzt werden.
Organische Materialien absorbieren atmosphärische Gase und
geben diese absorbierten Gase wieder ab, wenn sie in die
Xenonatmosphäre der Kammer 120 in Fig. 4 eingebracht werden.
Die freigesetzten Gase können zu dem ungewollten Strom bei
tragen. Die Anmelderin reduziert die Menge an organischen
Materialien, welche mit dem Xenon in Berührung kommen, da
durch, daß sie den O-Gummiring 18 in Fig. 2 durch einen
O-Ring 18 aus rostfreiem Stahl gemäß Fig. 5 ersetzt und ein
glasfaserverstärktes Substrat 212 benutzt. Die Glasfaser,
ein anorganisches Material, ersetzt organisches Material
und reduziert somit die Menge an organischem Material, die
mit dem Xenon in Berührung kommt.
Restliche Photoätzverunreinigungen und Spurenöle können zu
dem ungewollten Strom beigetragen haben. Die Anmelderin
beseitigt Photoätzverunreinigungen bei der oben beschrie
benen Scheuerprozedur. Die Anmelderin beseitigt Spurenöle
durch Auflösen derselben in siedendem Freon, woran anschlies
send die Wände der Kammer 120 einer Ultraschallreinigung ge
mäß obiger Beschreibung unterzogen werden.
Die Anmelderin beseitigt die Goldinseln durch die oben be
schriebene Scheuerprozedur. Die Anmelderin hat herausgefun
den, daß, wenn die Goldinselkonzentration auf (oder unter)
einen gewissen Schwellenwert verringert wird und wenn die
oben beschriebenen Reinigungsprozeduren angewandt werden,
der ungewollte Strom im wesentlichen eliminiert wird. Der
Schwellenwert wird folgendermaßen definiert.
Eine Messung des Flächeninhalts der Goldinseln erfolgt durch
ein Mikroskop, mit dem die Matrix von Elementen 210 gemäß
der Darstellung in Fig. 23 von oben herbetrachtet wird. Der
Abstand der Elemente beträgt 0,04 mm (1,5 mil) (Abmessung
298). Das Verhältnis von Goldinselflächeninhalt (eng schraf
fierter Bereich 224) zu freiliegendem Substratflächeninhalt
(weit schraffierter Bereich 301) darf 0,0025 nicht über
schreiten, d.h., das Verhältnis von Inselflächeninhalt zu
freiliegendem Substratflächeninhalt darf nicht größer als
0,25% sein.
Zugeordnete Komponenten zum Befestigen der Detektorvorrich
tung werden nun erläutert. Gemäß der Darstellung in Fig. 10
ist das Gehäuse auf einer Plattform 305 befestigt. Das Sub
strat 212, welches die Detektormatrix (nicht im einzelnen
gezeigt) trägt, erstreckt sich in die Kammer 120. Eine Span
nungsplatte 308 ist unter dem Substrat und parallel zu den
Elementen angeordnet.
Das Substrat 212 ist weiter in Fig. 24 gezeigt. Das Gebiet
309 der Platte ist dasjenige, das in die Kammer 120 einge
führt ist. Die Elemente 210, die gezeigt sind, erstrecken
sich längs des Gebietes 312, das sich in dem Schlitz 128 in
Fig. 4 befindet. Die Elemente gehen weiter, sind in Gebie
ten wie dem Gebiet 314 abgewinkelt, und gehen weiter zu den
Rändern des Substrats 212 wie dargestellt. In Fig. 10 sind
Verbinder, vorzugsweise hochdichte Leiterplattenverbinder
316, mit den Plattenrändern in dem Gebiet 318 in Fig. 24 zum
Herstellen des Kontakts mit den Elementen 210 verbunden. Die
Verbinder sind an Bandkabeln 321 befestigt, die wie darge
stellt gefaltet und ihrerseits mit einer Signalverarbei
tungsschaltungsanordnung (nicht dargestellt) verbunden sind.
Die Bandkabel sind so ausgelegt, daß die Längen von sämt
lichen Kabeln 321 von den Randverbindern 316 in Fig. 10 bis
zu den Enden an dem Signalprozessor (nicht dargestellt) alle
identisch sind.
Die Bandkabel sind durch starre Träger 323 festgehalten, um
Schwingungen zu reduzieren, die durch äußere Quellen verur
sacht werden, welche in einer Fabrik vorhanden sind. Es ist
festgestellt worden, daß Schwingungen ungewollte Signalable
sungen erzeugen, und die Anmelderin nimmt an, daß die Schwin
gungen Kleinpegelsignale, welche die Bandkabel führen, nach
teilig beeinflussen.
In dem Gebiet 312 in Fig. 24 geht die Matrix von Elementen
210 durch die Endplatte hindurch und ist an der Endplatte
durch den Epoxyverschluß 146 befestigt. Das heißt, es gibt
eine mechanische Befestigung zwischen der Matrix von Elemen
ten und den Wänden des Schlitzes 128. Die körperliche Länge
dieser Befestigung (Abmessung 326) ist vorzugsweise so klein
wie möglich, je nach den Festigkeitserfordernissen, die sich
durch die Notwendigkeit ergeben, das unter Druck stehende
Xenon in der Kammer 120 in Fig. 4 einzuschließen. Die Länge
326 ist aus wenigstens zwei Gründen vorzugsweise klein. Zum
einen wird bevorzugt, daß die Länge, auf der der Epoxyver
schluß die Matrix von Elementen berührt, so klein wie mög
lich ist. Ein Grund dafür ist, daß die Elemente sehr klein
sind, kleiner als ein menschliches Haar, und daher heikel
sind. Die mechanische Befestigung zwischen den Elementen und
der Endplatte 114 über den Epoxyverschluß bewirkt, daß die
Elemente mechanischen Spannungen der Endplatte ausgesetzt
sind. Beispielsweise wirken Klaffen und Biegen, die oben
beschrieben sind, zusammen mit thermischer Expansion und
Kontraktion auf die Elemente ein.
Ein zweiter Grund für das Reduzieren der Länge 326 ist, daß
die Konzentration an Goldinseln in dem Gebiet 312 unter den
oben angegebenen Schwellenwert reduziert werden muß. Der
Grund dafür ist, daß angenommen wird, daß das Ansammeln der
Elektronen in dem Gebiet 312 erfolgt. Das Reduzieren der
Länge 326 reduziert auch die Länge der Matrix von Elementen,
die die Schwellenwerterfordernisse hinsichtlich der Goldin
selkonzentration erfüllen muß. Diese Reduktion vergrößert
die Fertigungsausbeute an Detektorplatten im Hinblick auf
die brauchbaren Detektorplatten, die pro Produktionslauf
erzeugt werden.
Daher wird rostfreier Stahl, der eine höhere Festigkeit als
Aluminium hat, bei der Herstellung der Endplatte 114 bevor
zugt, weil das gestattet, die Länge 326 zu reduzieren und
gleichzeitig die Festigkeit der Endplatte beizubehalten.
Die Anmelderin hat festgestellt, daß die Verwendung von Nic
kelelementen 210 den Elementen größere mechanische Festig
keit gibt, da Ionenwanderungsprobleme, die bei Gold auftre
ten verringert sind. Die Ionenwanderung wird in Detektoren
mit kleiner Abmessung bedeutsam. Die Anmelderin hat festge
stellt, daß trotz des größeren spezifischen Widerstands von
Nickel gegenüber Gold (Nickel hat ungefähr den dreifachen
spezifischen Widerstand wie Gold), die Verwendung von Nickel
die sehr kleinen Ströme, die bei dem Messen der auf die
Elemente 210 aufgebrachten Ladungen auftreten, nicht nennens
wert verschlechtert.
Ein Aspekt der Erfindung beinhaltet die Verwendung von Fer
tigungstechniken ähnlich denjenigen, die bei der bekannten
Herstellung von Leiterplatten angewandt werden. Ein wich
tiges Merkmal der Erfindung ist jedoch die Differenz in der
Funktion zwischen ihr und bekannten Leiterplatten. Im all
gemeinen werden bekannte Leiterplatten zur Handhabung großer
Spannungen (im Vergleich zu denjenigen bei der Erfindung) in
der Größenordnung von 2,5+0,015 Volt und außerdem zum
Handhaben von Strömen in der Größenordnung von Milliampere
benutzt. Bei der Erfindung werden andererseits extrem kleine
Spannungen in der Größenordnung von 100 mV gehandhabt, und
in gewissem Sinn befaßt sich die Erfindung nicht mit der
Übertragung von Strömen, sondern mit dem Erfassen von ange
sammelter Ladung auf den Elementen. Es ist zwar strengge
nommen richtig, daß bei der Erfindung Ladung in Form eines
Stroms in dem Widerstand 401 in Fig. 25 übertragen wird,
die Ströme sind jedoch so klein, denn sie liegen in dem
Nano- und Pikoamperebereich, daß andere Prinzipien für den
Leiterplattenentwurf und die Leiterplattenfertigung ent
wickelt werden mußten. Die funktionalen Unterschiede zwi
schen dem Stromverhalten in bekannten Leiterplatten und der
Detektormatrix nach der Erfindung erwiesen sich als so be
deutsam, daß die bekannten Fertigungsstandards und Rein
heitstoleranzen nicht ausreichend waren. Infolge dessen
mußte die Anmelderin unabhängige Untersuchungen ausführen,
um die Unzulänglichkeiten zu analysieren und die oben be
schriebenen Korrekturlösungen zu entwickeln.
Die winzigen Abmessungen der Detektorelemente bei der Erfin
dung könnten, unter Anwendung der Technik der Herstellung
von integrierten Schaltungen leicht erzielt werden. Die vor
handene Ausrüstung, die zum Herstellen von integrierten
Schaltungen auf Siliziumscheiben benutzt wird, ist jedoch
hinsichtlich der Größe der Scheibe, die bearbeitet werden
kann, beschränkt. Scheiben von mehr als etwa 102 mm (4 Zoll)
im Durchmesser können nicht bearbeitet werden. Da das De
tektorplattensubstrat 212 diese Grenze überschreitet, denn
sie mißt etwa 102×152 mm (4×6 Zoll),konnten diese Fer
tigungstechniken nicht benutzt werden.
Die Anmelderin möchte ein weiteres wichtiges Merkmal der
Erfindung herausstellen. Es zeigt für sich, daß ein Typ von
Leiterplatte, der anfänglich getestet wurde, ein Verhältnis
von Goldinselflächeninhalt zu Substratflächeninhalt von
0,01 (1%) hatte. Diese Leiterplatte erzeugte den oben be
schriebenen ungewollten Strom. Eine ähnliche Leiterplatte
wurde mit einer Goldinselkonzentration unter dem Schwellen
wert hergestellt und dann auf oben beschriebene Weise ge
scheuert und mittels Ultraschall gereinigt. Der ungewollte
Strom war bei der letztgenannten Leiterplatte im wesentli
chen beseitigt. Die Anmelderin sieht es als überraschend an,
daß eine Verringerung des Flächeninhalts der Goldinseln um
einen Faktor von 4 (d.h., ein Übergang von einem Flächenver
hältnis von 0,01 auf 0,0025) die Zeitkonstante des ungewoll
ten Stroms (d.h. dessen Abklingzeit) um einen Faktor von
1800 verringerte. Diese Verringerung der Zeitkonstante des
ungewollten Stroms ist im Vergleich zu der Verringerung der
Goldinselkonzentration unverhältnismäßig groß.
Ein wichtiger Aspekt der Erfindung ist die Beseitigung von
röntgenundurchlässigen Barrieren in dem Dielektrikum über
den Elementen 210. Bekannte Vorrichtungen, wie sie oben er
wähnt worden sind, haben die in Fig. 1 gezeigten Barrieren
3 A, die manchmal aus Wolfram hergestellt sind und auf der
Theorie basieren, daß die Barrieren das Ion (oder Elektron),
welches aus einem Ionisationsereignis resultiert, zwingen,
auf ein Element direkt unter und nicht neben dem Ereignis
aufzutreffen. Die Anmelderin hat jedoch herausgefunden, daß
selbst bei dem oben beschriebenen schmalen Abstand von
0,03 mm (1/1000 Zoll) diese Barrieren nicht notwendig sind.
Die Anmelderin benutzt daher ein homogenes Dielektrikum
zwischen den Detektoren 210 und der Spannungsplatte 308.
Das Dielektrikum ist in dem Sinne homogen, daß es ein Xenon
gas ist, welches von Verunreinigung so frei wie möglich ist
und nicht von Barrieren unterbrochen wird, die oberhalb der
Zwischenräume zwischen den Detektoren angeordnet sind.
Weiter, die sammelnden Teile der Elemente 210 erstrecken
sich durch den Schlitz 128 und längs des Substrats in dem
Gebiet 312 in Fig. 24 außerhalb der Kammer, aber unverändert
in der Querschnittsgeometrie: die Elemente sind gemäß der
Darstellung in Fig. 24 im Querschnitt rechteckig, und zwar
an allen Stellen auf dem Substrat innerhalb der Kammer (in
dem Gebiet 313), in dem Schlitz (in dem Gebiet 313 A) und
außerhalb der Kammer (in dem Gebiet 314).
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die
Elemente nicht parallel wie in Fig. 24, sondern sind längs
Radien in bezug auf einen Mittelpunkt 330 ausgerichtet, wie
es in Fig. 25 gezeigt ist. Diese radiale Ausrichtung be
rücksichtigt die Tatsache, daß Röntgenquellen, wie bei
spielsweise die Röntgenquelle Philips Xray unit MCN 421,
die von Ridge, Inc., Atlanta, Ga., erhältlich ist, als eine
Punktquelle betrachtet werden kann, wenn sie mehr als etwa
3 m (10 Fuß) von der Detektormatrix entfernt ist.
Gemäß der Darstellung in Fig. 25 erzeugt eine solche Punkt
quelle ein fächerartiges Röntgenbündel, welches die Elemen
te wie dargestellt kreuzt. Demgemäß sind die Röntgenstrahlen
zu den radial angeordneten Elementen 210 insgesamt parallel.
Das dient zum Vergrößern der Auflösung, weil ein gegebener
Röntgenstrahl 440 ein und nur ein Element 210 überquert. In
einem solchen Fall erzeugt ideal nur ein Element 210 ein
Signal aufgrund von Ionisationsereignissen, die durch den
Röntgenstrahl 440 erzeugt werden, im Gegensatz zu zwei oder
mehr als zwei Elementen wie in dem Fall der parallelen
Elemente 6 A-6 C in Fig. 1 in dem Fall, in welchem keine
Barrieren 3 A vorhanden sind.
Die Anmelderin hat festgestellt, daß, wenn die Detektorvor
richtung in einer Umgebung mit hoher Feuchtigkeit benutzt
wird, es eine merkliche Abnahme der Signalempfindlichkeit
oder -antwort gibt. Im Zuge des Verbesserns der Signalant
wort hat die Anmelderin herausgefunden, daß das Besprühen
der Schaltungsseite der Detektorplatte mit einem elektrisch
neutralen, feuchtigskeitsbeständigen Material die Leistung
verbessert. Ein Material, das sich für diesen Zweck als ge
eignet erwiesen hat, ist Humiseal, das von der Columbia
Chase Corporation hergestellt wird. Die Theorie, mit der
sich diese Erscheinung erklären läßt, besagt, daß Verun
reinigungen, wie beispielsweise Wasserdampf und Luftverun
reinigungen aus der Atmosphäre sich zwischen den Stromkrei
sen ab den Detektorelementen befinden und den Widerstand
zwischen benachbarten Leiterbahnen und Masse reduzieren. Es
wird angenommen, daß die Verunreinigungen den Rückwirkungs
widerstand der Detektorschaltung reduzieren und dadurch zu
einem Verlust an erfaßbarem Signal führen.
In der Praxis muß die Detektorplatte zuerst sorgfältig ge
reinigt werden. Das Reinigen erfolgt vorzugsweise, indem
saubere, feuchtigkeitsfreie Luft mit ausreichender Geschwin
digkeit über die Plattenoberfläche geblasen wird, um auf
der Platte festgehaltene Teilchen und Verunreinigungen zu
lösen. Die beste Art des Reinigens und Aufbringens von
feuchtigkeitsbeständigem Material ist, zuerst die Detektor
vorrichtung in eine vertikale Position zu bringen, in der
das Gehäuse 112 auf einer ebenen Fläche ruht. Die Endplatte
114 wird dann unter Verwendung von Klemmbacken auf einer
ebenen Fläche festgeklemmt. Die Plattform 305 wird dann ent
fernt. Passende Verbinder werden in die Verbinder eingeführt,
die sich auf der Detektorplatte befinden. Die Platte wird
dann, wie oben beschrieben, gereinigt und anschließend,
unter Verwendung einer Heißluftkanone, sanft erwärmt, um
sicherzustellen, daß keine Feuchtigkeit auf der Schaltungs
oberfläche verbleibt. Die Detektorplattenschaltungsseite
wird dann mit dem wasserbeständigen Material besprüht. Die
entgegengesetzte Seite der Detektorplatte und sämtliche Ver
bindungskabel werden ebenfalls mit der Dichtungsmasse be
sprüht. Dieses Verfahren macht die Detektorschaltungen für
Änderungen hinsichtlich Feuchtigkeit und Luftverunreinigun
gen unempfindlich.
Claims (5)
1. Verfahren zum Verbessern der Signalempfindlichkeit eines
Ionisationsdetektors, der eine Linearmatrixdetektorplatte
aufweist, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- a) Reinigen der Linearmatrixoberfläche der Platte, um Ver unreinigungen zu beseitigen;
- b) Auftragen eines elektrisch neutralen,feuchtigkeitsbestän digen Materials auf die Platte.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt b) weiter beinhaltet:
- c) Sprühen eines elektrisch neutralen,wasserbeständigen Ma terials auf die Platte.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schritt a) des Reinigens folgende Unterschritte um
faßt:
- d) Positionieren in einer im wesentlichen vertikalen Ebene;
- e) Blasen von vorgereinigter, feuchtigkeitsfreier Luft über die Oberfläche der Platte, um Verunreinigungen zu lösen; und
- f) Erwärmen der Oberfläche der Platte, um Wasserdampf zu entfernen.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt d) des Positionierens weiter beinhaltet, elek
trische Signalkabel an die Platte anzuschließen und folgen
den Schritt auszuführen:
- g) Besprühen der elektrischen Signalkabel und der Verbinder mit dem elektrisch neutralen, feuchtigkeitsbeständigen Material.
5. Ionisationsdetektor mit
- a) einer Kammer (120), die Xenongas mit einem Druck, der 55,2 bar (800 pounds per square inch) übersteigt, ent hält;
- b) einer Kollimationseinrichtung (180) zum Kollimieren von ankommender Strahlung;
- c) einer Fenstereinrichtung (165) zum Einlassen der kolli mierten Strahlung in die Kammer (120) und zum Verhindern des Entweichens von Xenon aus der Kammer (120);
- d) einer Matrix aus im wesentlichen parallelen, langgestreck
ten Detektorelementen (210), die durch das Substrat
(212) gehaltert sind und sich in den Hohlraum erstrecken
und eine Querschnittskonfiguration innerhalb des Hohl
raums haben, die mit der Querschnittskonfiguration außer
halb des Hohlraums im wesentlichen identisch ist, dadurch
gekennzeichnet, daß die Matrix durch ein Verfahren herge
stellt worden ist, das folgende Schritte beinhaltet:
- 1. Anordnen einer Matrix aus parallelen Komponenten auf dem Substrat (212) in einer Konfiguration, die mit der Konfiguration von d) im wesentlichen identisch ist, wobei jede Komponente eine Nickel enthaltende Schicht (220) benachbart zu dem Substrat (212) und eine Gold enthaltende Schicht (222) auf der Nickel enthaltenden Schicht aufweist;
- 3. Entfernen der Gold enthaltenden Schicht (222), so daß eine Detektormatrix geschaffen wird, die aus der Nickel enthaltenden Schicht (220) besteht;
- 3. Entfernen von metallischen Resten (224), die sich in den Zwischenräumen zwischen den Detektorelementen (210) befinden, so daß die Querschnittsfläche der me tallischen Reste (224) bei Betrachtung von oben weni ger als 0,50% des Flächeninhalts des Zwischenraums zwischen den Detektorelementen (210) beträgt;
- e) Treffen von Maßnahmen zum Verhindern der Verunreinigung der Detektorelemente (210), welche das Substrat (212) trägt; und
- f) Ausführen eines Oberflächenüberziehens mit einem elek trisch neutralen feuchtigkeitsbeständigen Material.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/832,980 US4682964A (en) | 1983-12-27 | 1986-02-25 | Ionization detector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3704887A1 true DE3704887A1 (de) | 1987-08-27 |
Family
ID=25263101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873704887 Withdrawn DE3704887A1 (de) | 1986-02-25 | 1987-02-17 | Ionisationsdetektor und verfahren zum verbessern von dessen signalempfindlichkeit |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4682964A (de) |
JP (1) | JPS6313251A (de) |
DE (1) | DE3704887A1 (de) |
FR (1) | FR2594960B1 (de) |
GB (1) | GB2187884A (de) |
IT (1) | IT1203507B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1641153A2 (de) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | Schleifring und Apparatebau GmbH | Optischer Drehübertrager mit Reinigungsvorrichtung |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4827135A (en) * | 1987-03-19 | 1989-05-02 | Technology For Energy Corporation | High speed curved position sensitive detector |
US5061216A (en) * | 1990-04-16 | 1991-10-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ionization chamber dosimeter |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB947786A (en) * | 1961-01-24 | 1964-01-29 | Licentia Gmbh | Dipping varnish for electrical components |
US4048356A (en) * | 1975-12-15 | 1977-09-13 | International Business Machines Corporation | Hermetic topsealant coating and process for its formation |
US4072377A (en) * | 1976-05-10 | 1978-02-07 | Utility Products Co. | Terminal block |
US4161655A (en) * | 1977-11-28 | 1979-07-17 | General Electric Company | Multi-cell detector using printed circuit board |
US4238679A (en) * | 1978-12-07 | 1980-12-09 | Conrac Corporation | Dual-chamber ionization smoke detector assembly |
US4394578A (en) * | 1981-04-24 | 1983-07-19 | General Electric Company | High pressure, high resolution xenon x-ray detector array |
FR2505492B1 (de) * | 1981-05-06 | 1985-11-08 | Commissariat Energie Atomique | |
NL8202258A (nl) * | 1982-06-04 | 1984-01-02 | Philips Nv | Inrichting met meervoudige electrische doorvoering. |
US4570071A (en) * | 1983-12-27 | 1986-02-11 | General Electric Company | Ionization detector |
US4613313A (en) * | 1983-12-27 | 1986-09-23 | General Electric Company | Ionization detector |
US4613314A (en) * | 1983-12-27 | 1986-09-23 | General Electric Company | Ionization detector |
-
1986
- 1986-02-25 US US06/832,980 patent/US4682964A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-10 JP JP62027467A patent/JPS6313251A/ja active Pending
- 1987-02-17 DE DE19873704887 patent/DE3704887A1/de not_active Withdrawn
- 1987-02-18 GB GB08703762A patent/GB2187884A/en not_active Withdrawn
- 1987-02-20 FR FR878702213A patent/FR2594960B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-25 IT IT8719486A patent/IT1203507B/it active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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