DE3625689A1 - Basissteuerschaltung in einem transistor-wechselrichter - Google Patents

Basissteuerschaltung in einem transistor-wechselrichter

Info

Publication number
DE3625689A1
DE3625689A1 DE19863625689 DE3625689A DE3625689A1 DE 3625689 A1 DE3625689 A1 DE 3625689A1 DE 19863625689 DE19863625689 DE 19863625689 DE 3625689 A DE3625689 A DE 3625689A DE 3625689 A1 DE3625689 A1 DE 3625689A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
control circuit
base
main circuit
photocoupler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19863625689
Other languages
English (en)
Other versions
DE3625689C2 (de
Inventor
Tomotaka Ito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3625689A1 publication Critical patent/DE3625689A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3625689C2 publication Critical patent/DE3625689C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/615—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
    • H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft Wechselrichter und insbesondere eine Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung.
Fig. 1 zeigt eine Anordnung einer bekannten Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung, die zur Umwandlung einer Gleichspannung in eine Wechselspannung verwendet wird. Gemäss Fig. 2 liefert eine erste Leistungsquelle (1) einen Basisstrom in Durchlassrichtung. Es ist ein Fotokoppler (2) vorhanden, ferner Basissteuertransistoren (3-7), ein Wechselrichter-Hauptschaltungstransistor (8), der als Darlington-Transistor ausgebildet ist), ein Basisstrom-Begrenzungswiderstand (9) und Dioden (10-18).
Eine zweite Leistungsquelle (19) liefert einen Basisstrom in Sperrichtung. Ferner ist ein Kondensator (20) vorhanden, eine Induktivität (21) und Widerstände (22-32).
Die Betriebsweise der auf diese Weise aufgebauten Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung wird nunmehr beschrieben.
Ein Impulssignal wird durch eine Steuerschaltung (P) geliefert, um das Schalten des Transistors (8) zu steuern, so dass die Richtung des Stromflusses geschaltet wird, um eine Gleichspannung in eine Wechselspannung umzuwandeln. Dieses Impulssignal wird über den Fotokoppler (2) übertragen, um den PNP-Transistor (3) und den NPN-Transistor (4) zu steuern, die in einer rückwärtigen Stufe des Fotokopplers (2) angeordnet sind. Der NPN-Transistor (5) ist als rückwärtige Stufe mit dem Transistor (4) verbunden, so dass die Transistoren (3, 5) als komplementäres Paar arbeiten. Das heisst, wenn der Transistor (3) leitend wird (eingeschaltet ist), so wird der Transistor (5) nicht-leitend (ausgeschaltet), und umgekehrt.
Es wird nunmehr der Fall beschrieben, bei welchem der Transistor (3) leitend ist. Der Basisstrom (IB 1) des Wechselrichter-Hauptschaltungstransistors (8) fliesst von der Leistungsquelle (1) durch den Transistor (3), den Widerstand (9), die Diode (10), den Transistor (7) und durch die Induktivität (21) zur Basis des Transistors (8) und kehrt durch die Reihe der Dioden (11-16) zur Leistungsquelle (1) zurück. Bei diesem Vorgang wird eine Durchlassspannung, die den sechs Dioden (11-16) entspricht, in dem parallelen Kondensator (20) geladen.
Wird die Zuführung des Impulssignals von der Steuerschaltung (P) unterbrochen, so wird der Transistor (3) nicht-leitend (ausgeschaltet), während der Kondensator (20) über den Transistor (8), die Induktivität (21), den Transistor (7), den Transistor (6), den Widerstand (28) und den Transistor (5) entladen wird. Gleichzeitig wird der Transistor (6) eingeschaltet und ein in Sperrichtung fliessender Vorspannungsstrom (IB 2) fliesst von der Leistungsquelle (19) zum Transistor (8) und zum Transistor (7), womit der Transistor (7) nicht-leitend (abgeschaltet) wird. Bei diesem Vorgang dient die Diode (18) als Nebenschluss, nachdem der Transistor (7) ausgeschaltet ist.
Die übliche Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung ist in der vorausgehend beschriebenen Weise aufgebaut. Daher ist es erforderlich, dass die Spannung, die benötigt wird, um den Transistor (6) leitend (eingeschaltet) zu machen, im Kondensator (20) geladen wird, und der Durchlassspannungsabfall der Dioden (11-16), die parallel zum Kondensator (20) liegen, wird zum Aufladen des Kondensators (20) verwendet. Es ist deshalb erforderlich, eine verhältnismässig grosse Anzahl von Dioden (11-16) zu verwenden. Daher ist die Schaltung komplex und der in den Dioden fliessende Durchlassstrom erzeugt Wärme. Somit hat die Schaltung eine geringe thermische Zuverlässigkeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorausgehend aufgeführten Schwierigkeiten der bekannten Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung zu beseitigen.
Insbesondere ist die Erfindung darauf gerichtet, eine Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung hoher thermischer Zuverlässigkeit zu schaffen, bei welcher die Schaltung vereinfacht wird, indem der Kondensator (20) und die Dioden (11-16) eliminiert werden, die bei der bekannten Schaltung dazu verwendet werden, den Transistor (6) leitend (eingeschaltet) zu machen. Somit kann die Anzahl der wärmeerzeugenden Bauelemente verringert werden.
Eine erfindungsgemässe Basissteuerschaltung bei einem Transistor-Wechselrichter ist derart ausgebildet, dass ein Transistor (6) zur Zuführung eines in Sperrichtung fliessenden Sperrstroms an einem Wechselrichter- Hauptschaltungstransistor unmittelbar durch einen verstärkenden Transistor gesteuert wird, der in einer rückwärtigen Stufe eines Fotokopplers (2) vorgesehen ist, welcher in der Lage ist, unter Erzielung einer Isolierung, das Ausgangsimpulssignal einer Steuerschaltung zu übertragen.
Wie vorausgehend beschrieben wurde, wird in der erfindungsgemässen Basissteuerschaltung der Transistor zur Zuführung eines in Sperrichtung fliessenden Vorspannungsstroms zum Wechselrichter-Hauptschaltungstransistor unmittelbar durch den verstärkenden Transistor gesteuert, der in einer rückwärtigen Stufe des Fotokopplers vorgesehen ist. Daher kann die Basissteuerschaltung in ihrem Aufbau vereinfacht und somit so klein wie möglich ausgeführt werden. Ferner kann die Anzahl der wärmeerzeugenden Bauelemente verringert werden, womit die Zuverlässigkeit der Schaltung erhöht wird.
Die vorausgehend genannte Aufgabenstellung wird erfindungsgemäss durch eine Basissteuerschaltung gelöst, die gekennzeichnet ist durch einen Hauptschaltungstransistor; eine Steuerschaltung zur Steuerung einer Stromrichtung durch den Hauptschaltungstransistor; einen Fotokoppler, der durch ein von der Steuerschaltung abgegebenes Impulssignal ein- und ausgeschaltet wird; einen verstärkenden Transistor in einer rückwärtigen Stufe des Fotokopplers; und einen unmittelbar von einem Ausgang des verstärkenden Transistors gesteuerten Transistor zur Zuführung eines Sperrstroms an eine Basis des Hauptschaltungstransistors.
Die Erfindung wird anschliessend anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Transistor-Wechselrichter- Basissteuerschaltung;
Fig. 2 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemässen Transistor-Wechselrichter- Basissteuerschaltung.
Es wird nunmehr auf die bevorzugten Ausführungsformen eingegangen. Eine Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschrieben. In Fig. 2 werden jene Bauelemente, die bereits unter Bezugnahme auf diese Figur beschrieben worden sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Wie aus einem Vergleich der Fig. 2 mit Fig. 1 hervorgeht, werden die Dioden (10-16), der Kondensator (20) und die Widerstände (27, 28, 30) erfindungsgemäss eliminiert. Ferner wird der Transistor (6), dem der in Sperrichtung fliessende Vorspannungsstrom zugeführt wird, unmittelbar durch den verstärkenden Transistor (5) gesteuert, der in der rückwärtigen Stufe des Fotokopplers (2) angeschlossen ist.
Es wird nunmehr die Betriebsweise der erfindungsgemässen Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung beschrieben.
Ein von der Steuerschaltung (P) abgegebenes Impulssignal wird mittels des Fotokopplers (2) übertragen, um den ersten und den zweiten Transistor (3, 4) leitend zu machen, die an die Ausgangsklemmen des Fotokopplers (2) angeschlossen sind. Der dritte oder Verstärkungstransistor (5) ist in der rückwärtigen Stufe des zweiten Transistors (4) vorgesehen. Der dritte Transistor (5) wird zum Verstärken des Impulssignals verwendet.
Der vierte Transistor (6) ist in der rückwärtigen Stufe des dritten Transistors (5) vorgesehen, um den in Sperrichtung fliessenden Vorspannungsstrom (IB₂) dem Wechselrichter-Hauptschaltungstransistor (8) zuzuführen. Daher arbeiten der erste und dritte Transistor (3, 5) als komplementäres Paar und der erste und vierte Transistor (3, 6) arbeiten ebenfalls als komplementäres Paar. Ist der erste Transistor (3) leitend (eingeschaltet), so ist der zweite Transistor (4) ebenfalls leitend (eingeschaltet) und der dritte und vierte Transistor (5, 6) sind deshalb nicht-leitend (ausgeschaltet). Ist der erste Transistor (3) nicht-leitend (ausgeschaltet), so ist der zweite Transistor (4) ebenfalls nicht-leitend (ausgeschaltet), und der dritte und vierte Transistor (5, 6) sind deshalb leitend (eingeschaltet).
Zunächst wird nun der Fall beschrieben, bei welchem der Fotokoppler (2) durch das Ausgangsimpulssignal der Steuerschaltung (P) leitend wird, womit der erste und zweite Transistor (3, 4) leitend sind. In diesem Falle fliesst der Basisstrom (IB 1) des Wechselrichter- Hauptschaltungstransistors (8) von der positiven Elektrode der ersten Leistungsquelle (1) durch den ersten Transistor (3), den Widerstand (9) und die Basis und den Emitter des Filtertransistors (7) und die Induktivität (21) zur Basis des Transistors (8) und kehrt zur negativen Elektrode der ersten Leistungsquelle (1) zurück.
In jenem Fall, wo die Zuführung des Ausgangsimpulssignals der Steuerschaltung (P) unterbrochen ist, wird der Fotokoppler (2) nicht-leitend, und der erste und zweite Transistor (3, 4) werden nicht-leitend (ausgeschaltet). Somit erhöht sich die Basisspannung des dritten Transistors (5), so dass der dritte Transistor (5) leitend wird (eingeschaltet) und infolgedessen wird der vierte Transistor (6) ebenfalls leitend (eingeschaltet). Deshalb fliesst der Basisstrom des Wechselrichter- Hauptschaltungstransistors (8) als in Sperrichtung fliessender Vorspannungsstrom (IB₂) von der positiven Elektrode der zweiten Leistungsquelle (19) durch den Emitter und die Basis des Transistors (8) und die Induktivität (21) zum Emitter und zur Basis des fünften Transistors (7), um dabei die Transistoren (7, 8) nicht-leitend (ausgeschaltet) zu machen.
Wie vorausgehend beschrieben wurde, fliesst, wenn die Zufuhr des Ausgangsimpulssignals der Steuerschaltung (P) unterbrochen wird, der in Sperrichtung fliessende Vorspannungsstrom (IB₂) durch den Wechselrichter- Hauptschaltungstransistor (8) und den fünften Transistor (7), so dass die zwischen der Basis und dem Emitter eines jeden der Transistoren gespeicherte Ladung freigegeben wird. Somit werden, wenn das Impulssignal erneut dem Fotokoppler zugeführt wird, die Transistoren (7, 8) schnell leitend (eingeschaltet), da sie nicht durch die Ladung beeinflusst werden.
In diesem Falle dient die zweite Diode (18) als Nebenschluss für den in Sperrichtung fliessenden Vorspannungsstrom (IB₂), nachdem der fünfte Transistor (7) nicht-leitend wurde. Die erste Diode (17) dient dazu, das Fliessen des Basisstroms von der Basis des fünften Transistors (7) zum Kollektor zu verhindern, wenn der Wechselrichter-Hauptschaltungstransistor (8) übersteuert wird.
Wie aus der vorausgehenden Beschreibung hervorgeht, ist bei der erfindungsgemässen Transistor-Wechselrichter- Basissteuerschaltung der vierte Transistor (6) unmittelbar mit dem dritten Transistor (5) zur Verstärkung verbunden, damit der in Sperrichtung fliessende Vorspannungsstrom (IB₂) veranlasst wird, durch den Wechselrichter-Hauptschaltungstransistor (8) und den vierten Transistor (6) zu fliessen. Daher ist es bei der erfindungsgemässen Transistor-Wechselrichter-Basissteuerschaltung im Gegensatz zur bekannten Schaltung nicht erforderlich, den Kondensator und eine Anzahl parallel zum Kondensator liegender Dioden zu verwenden.
Erfindungsgemäss wird der fünfte Transistor (7) zur Zuführung des in Sperrichtung fliessenden Vorspannungsstroms unmittelbar vom verstärkenden Transistor (4 oder 5) gesteuert, der in der rückwärtigen Stufe des Fotokopplers vorgesehen ist und das Ausgangsimpulssignal der Steuerschaltung übertragen kann. Daher ist die Transistor-Wechselrichter- Basissteuerschaltung einfach in ihrem Aufbau und weist eine kleine Anzahl von wärmeerzeugenden Bauelementen auf, sowie eine hohe Zuverlässigkeit.

Claims (2)

1. Basisteuerschaltung in einem Transistor-Wechselrichter bei welchem ein Ein/Aus-Betrieb eines Transistors dazu verwendet wird, eine Gleichspannung in eine Wechselspannung umzuwandeln, gekennzeichnet durch einen Hauptschaltungstransistor (8); eine Steuerschaltung (P) zur Steuerung einer Stromrichtung durch den Hauptschaltungstransistor; einen Fotokoppler (2), der durch ein von der Steuerschaltung abgegebenes Impulssignal ein- und ausgeschaltet wird; einen verstärkenden Transistor (5) in einer rückwärtigen Stufe des Fotokopplers; und einen unmittelbar von einem Ausgang des verstärkenden Transistors gesteuerten Transistor zur Zuführung eines Sperrstroms an eine Basis des Hauptschaltungstransistors (8).
2. Basissteuerschaltung, gekennzeichnet durch einen Hauptschaltungstransistor (8), eine Steuerschaltung (P) zur Steuerung einer Stromrichtung durch den Hauptschaltungstransistor; einen Fotokoppler (2), der durch ein Impulssignal der Steuerschaltung leitend und nicht-leitend gemacht wird; einen ersten und zweiten Transistor (3, 4), die mit dem Fotokoppler verbunden sind; einen dritten Transistor (5), der an einer rückwärtigen Stufe des zweiten Transistors (4) vorgesehen ist, um ein Ausgangssignal des zweiten Transistors zu verstärken; einen vierten Transistor (6), dessen Basis mit einem Kollektor des dritten Transistors verbunden ist und dessen Emitter über einen Widerstand (9) an einen Kollektor des ersten Transistors angeschlossen ist, wobei der vierte Transistor und der erste Transistor komplementär arbeiten; und einen fünften Transistor (7), dessen Basis an einem Verbindungspunkt des vierten Transistors und des Widerstandes angeschlossen ist, und dessen Kollektor mit einer ersten Diode (17) verbunden ist, wobei eine zweite Diode (18) zwischen einem Emitter und der Basis des fünften Transistors liegt; der Emitter des fünften Transistors (7) über eine Induktivität (21) mit einer Basis des Hauptschaltungstransistors (8) verbunden ist; der Kollektor des fünften Transistors (7) über die erste Diode (17) mit einem Kollektor des Hauptschaltungstransistors (8) verbunden ist; ein Verbindungspunkt einer negativen Elektrode einer ersten Leistungsquelle (1) und einer positiven Elektrode einer zweiten Leistungsquelle (19) an einen Emitter des Hauptschaltungstransistors angeschlossen sind; eine positive Elektrode der ersten Leistungsquelle an einen Emitter des ersten Transistors angeschlossen ist; eine negative Elektrode der zweiten Leistungsquelle an die Emitter des zweiten und dritten Transistors und an einen Kollektor des vierten Transistors angeschlossen ist.
DE3625689A 1985-07-30 1986-07-30 Basissteuerung in einem Transistor-Wechselrichter Expired - Fee Related DE3625689C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60168111A JPS6231377A (ja) 1985-07-30 1985-07-30 トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3625689A1 true DE3625689A1 (de) 1987-02-12
DE3625689C2 DE3625689C2 (de) 1997-09-11

Family

ID=15862054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3625689A Expired - Fee Related DE3625689C2 (de) 1985-07-30 1986-07-30 Basissteuerung in einem Transistor-Wechselrichter

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4716513A (de)
JP (1) JPS6231377A (de)
KR (1) KR900002597B1 (de)
CN (1) CN86105717B (de)
DE (1) DE3625689C2 (de)
GB (1) GB2180709B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4816984A (en) * 1987-02-06 1989-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Bridge arm with transistors and recovery diodes
US4970635A (en) * 1988-11-14 1990-11-13 Sundstrand Corporation Inverter with proportional base drive controlled by a current transformer
EP0373240A1 (de) * 1988-12-13 1990-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Selbstregelnde Treiberschaltung mit Sättigungsgradregelung für den Basisstrom eines Leistungstransistors
US4937468A (en) * 1989-01-09 1990-06-26 Sundstrand Corporation Isolation circuit for pulse waveforms
US6806457B2 (en) * 2001-09-28 2004-10-19 Tai-Her Yang Transistor photoelectric conversion drive circuit
GB2437964B (en) 2006-05-06 2009-03-25 Siemens Magnet Technology Ltd An annular enclosure provided with an arrangement of recesses or protrustions to reduce mechanical resonance

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5742589U (de) * 1980-08-20 1982-03-08
JPS59178980A (ja) * 1983-03-29 1984-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd インバ−タ用ベ−ス電流ドライブ回路
JPS607225A (ja) * 1983-06-24 1985-01-16 Matsushita Refrig Co トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4220987A (en) * 1978-12-29 1980-09-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Converter drive circuit
JPS5828292A (ja) * 1981-08-10 1983-02-19 Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd 発酵法によるｌ−リジンの製造法
JPS5855582B2 (ja) * 1981-11-13 1983-12-10 株式会社東芝 透視性テ−プカセツト
IT1218316B (it) * 1982-03-17 1990-04-12 Ates Componenti Elettron Circuito di comando in commutazione di carichi induttivi,integrabile monolicamente,comprendente uno stadio finalein push-pull
JPS59106885A (ja) * 1982-12-08 1984-06-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体スイツチ駆動回路
GB2142495B (en) * 1983-06-24 1986-09-17 Barry Wayne Williams Switch-off circuits for transistors and gate turn-off thyristors
DE3341074A1 (de) * 1983-11-12 1985-05-23 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Schaltnetzteil, insbesondere fuer einen fernsehempfaenger, mit einer schutzschaltung zur begrenzung des primaerstroms
US4638240A (en) * 1985-12-05 1987-01-20 Tandem Computers Incorporated Base drive circuit for high-power switching transistor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5742589U (de) * 1980-08-20 1982-03-08
JPS59178980A (ja) * 1983-03-29 1984-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd インバ−タ用ベ−ス電流ドライブ回路
JPS607225A (ja) * 1983-06-24 1985-01-16 Matsushita Refrig Co トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: Der Elektroniker, 1984, H. 9, S. 42-47 *
DE-Z.: Elektronik, 1977, H. 11, S. 55-58 *
DE-Z.: Elektrotechnik, 67 (1985), H. 8, S. 12-19 *
DE-Z.: Win.Ber. AEG-Telefunken, 50 (1977), H. 1/2, S. 39-48 *

Also Published As

Publication number Publication date
GB2180709B (en) 1989-08-16
CN86105717B (zh) 1988-12-28
JPS6231377A (ja) 1987-02-10
CN86105717A (zh) 1987-01-28
GB2180709A (en) 1987-04-01
DE3625689C2 (de) 1997-09-11
KR900002597B1 (ko) 1990-04-20
KR870001698A (ko) 1987-03-17
US4716513A (en) 1987-12-29
GB8618449D0 (en) 1986-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3126525C2 (de) "Spannungsgesteuerter Halbleiterschalter und damit versehene Spannungswandlerschaltung"
DE10344572A1 (de) Gateansteuerungseinrichtung zur Reduktion einer Stoßspannung und einem Schaltverlust
DE2534245C3 (de) Regelschaltung für piezoelektrische Wandler
DE3638012A1 (de) Treiber fuer einen halbleiterlaser
DE2614607B2 (de) Steuereinrichtung für ein Thyristor-Stromrichterventil
DE2831307A1 (de) Hubmagnet-treibschaltung
DE2809439A1 (de) Schaltungseinrichtung zur steuerung des basisstromes eines als schalttransistor betriebenen leistungstransistors
DE2900539B2 (de) Logische Schaltung
EP0123814A1 (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Einschaltstromes
DE2814021C3 (de) Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist
DE3625689A1 (de) Basissteuerschaltung in einem transistor-wechselrichter
DE2506196C2 (de) Gleichstrom-Schaltvorrichtung zur Erhöhung des Spitzenstromes
DE2518861B2 (de) Nichtsättigende Logikschaltung
DE3539379C2 (de) Monolithisch integrierte Steuerschaltung für die Umschaltung von Transistoren
DE3546208C2 (de) Monolithisch integrierte Steuerschaltung hohen Wirkungsgrades für die Umschaltung von Transistoren
DE1615110C3 (de) SIVEN Bearbeitung eines Werkstückes
EP0048490B1 (de) Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal
DE3437371C2 (de)
DE2728945C3 (de) Halbleiter-Schalteinheit mit 4-Elektroden-PNPN-Schaltern
DE4114939C2 (de) Photoelektrischer Schalter
DE2713310C3 (de) Schutzanordnung für eine Niederspannungs-Steuerschaltung
EP0126242B1 (de) Schaltungsanordnung zur Überwachung einer Betriebsspannung
DE2327308C3 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer stabilisierten Gleichspannung
DE2019779A1 (de) Steuerschaltung fuer Transistor-Wechselrichter
DE2539233B2 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung impulsfoermiger schaltspannungen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee