DE3611663A1 - Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition - Google Patents

Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition

Info

Publication number
DE3611663A1
DE3611663A1 DE19863611663 DE3611663A DE3611663A1 DE 3611663 A1 DE3611663 A1 DE 3611663A1 DE 19863611663 DE19863611663 DE 19863611663 DE 3611663 A DE3611663 A DE 3611663A DE 3611663 A1 DE3611663 A1 DE 3611663A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thin films
cluster
cluster deposition
generating thin
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19863611663
Other languages
English (en)
Inventor
Juergen Dipl Phys Dr Gspann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE19863611663 priority Critical patent/DE3611663A1/de
Publication of DE3611663A1 publication Critical patent/DE3611663A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung dünner Schichten, insbesondere für mikroelektronische, optische und optoelektronische Anwendungen, bei denen in der Regel in der Höhe scharf begrenzte Schichten mit den Eigenschaften des ungestörten dreidimensional ausgedehn­ ten Materials angestrebt werden.
Es ist bekannt, daß sich dünne Schichten mittels Deposition ionisierter und beschleunigter Clusterstrah­ len erzeugen lassen. (T. Takagi, I. Yamada, M. Kunori, S. Kobiyama, Proc. Second Intern. Conf. on Ion Sources, Wien 1972, S. 790). Als Cluster werden hierbei Mikro­ partikel oder Mikrotropfen bezeichnet, die durch partielle Kondensation von durch eine Düse in Vakuum ausströmendem Dampf entstehen. Bei dem bekannten Ver­ fahren werden die die Cluster enthaltenden Dampfstrahlen durch Beschluß mit Elektronen ionisiert und mit bis zu einigen Kilovolt elektrischer Potentialdifferenz auf das Substrat zu beschleunigt. Die elektrischen und optischen Eigenschaften der so erzeugten Schichten entsprechen jedoch häufig nicht denen des ungestörten dreidimensional ausgedehnten Materials. Es zeigen sich Strahlenschäden, wie sie beim Auftreffen von Atom- oder Molekülionen hoher kinetischer Energie beobachtet werden. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, solche Strahlenschäden zu vermeiden.
Bei der erfindungsmäßigen Lösung der Aufgabe erfolgt daher die Schichterzeugung durch Deposition von neutra­ len Clustern und von unkondensierten Atomen und Molekü­ len thermischer Energie.
Beschleunigte Ionen können auch unbeabsichtigt erzeugt werden, etwa infolge einer Beheizung des zur Dampf­ erzeugung dienenden Ofens mittels Elektronenbeschuß. In einer weiteren Ausbildung der Erfindung werden daher geeignete elektromagnetische Felder eingesetzt, um einen unerwünschten Ioneneinfall auf das Substrat bzw. die sich bildende Schicht zu unterbinden.

Claims (2)

1. Verfahren zur Herstellung dünner Schichten mittels Clusterdeposition, dadurch gekennzeichnet, daß neutrale Strahlen von Clustern und unkondensierten Atomen oder Molekülen verwendet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein unerwünschter Ioneneinfall auf die Schicht unter Verwendung elektromagnetischer Felder unterbunden wird.
DE19863611663 1986-04-07 1986-04-07 Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition Withdrawn DE3611663A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863611663 DE3611663A1 (de) 1986-04-07 1986-04-07 Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863611663 DE3611663A1 (de) 1986-04-07 1986-04-07 Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3611663A1 true DE3611663A1 (de) 1987-10-08

Family

ID=6298151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863611663 Withdrawn DE3611663A1 (de) 1986-04-07 1986-04-07 Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3611663A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351905A2 (de) * 1988-07-16 1990-01-24 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zur Herstellung von Festkörpern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351905A2 (de) * 1988-07-16 1990-01-24 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zur Herstellung von Festkörpern
EP0351905A3 (en) * 1988-07-16 1990-08-22 Philips Patentverwaltung Gmbh Solid bodies production process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yamada et al. Surface modification with gas cluster ion beams
US4559901A (en) Ion beam deposition apparatus
Ruault et al. High resolution and in situ investigation of defects in Bi-irradiated Si
DE1521327A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von zaehen Ueberzuegen auf einer Obernaeche
CN107408483A (zh) 使用基于气体团簇离子束技术的中性射束处理的超浅蚀刻方法以及由此产生的物品
WO2012049110A2 (en) Improvements in and relating to ion guns
CN106164326B (zh) 基于气体团簇离子束技术的中性射束处理方法以及由此产生的物品
EP0462688B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Dünnschichten
US3206336A (en) Method of transforming n-type semiconductor material into p-type semiconductor material
EP3836188A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur ionenimplantation in wafern
DE3611663A1 (de) Verfahren zur erzeugung duenner schichten mittels clusterdeposition
DE3709448C2 (de)
Habenicht et al. A low-energy ion implanter for surface and materials science
TWI779138B (zh) 在待處理的物件表面上植入離子的方法及實施此方法的設備
KR20000062399A (ko) 반도체 표면 처리 방법 및 장치
Bouffard et al. Damage production yield by electron excitation in mica for ion and cluster irradiations
Horino et al. Focused high-energy heavy ion beams
Saressalo et al. In-situ plasma treatment of Cu surfaces for reducing the generation of vacuum arc breakdowns
DE4221361C1 (en) Plasma-supported deposition of thin insulating layers on substrates - buy vaporising insulating material and ionising in plasma of low energetic arc discharge
EP0167111B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters
DE4304613C1 (de) Verfahren zur Stabilisierung der Plasmaerzeugung mittels Elektronenstrahlverdampfer
Nakai et al. Electron capture and loss cross sections in collisions of C atoms with He
DE1025475B (de) Verfahren und Einrichtung zur Bestrahlung eines Kunststoffueberzeuges auf einem draht- oder bandfoermigen, elektrisch leitenden Traeger mit Ladungstraegerstrahlen
US3380853A (en) Intensified radioactive sources and method of preparation
DE3124987A1 (de) Oberflaechenbehandlungsverfahren und -vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee