DE3546745C2 - Lateraler MOS-Feldeffekttransistor mit Leitfähigkeitsmodulation - Google Patents

Lateraler MOS-Feldeffekttransistor mit Leitfähigkeitsmodulation

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Hiromichi Ohashi
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Description

Die Erfindung betrifft einen lateralen MOS-Feldeffekt­ transistor (MOSFET) mit Leitfähigkeitsmodulation nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Ein derartiger MOSFET ist z. B. aus EP 0 115 098 A1 bekannt.
Ein MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation weist angren­ zend an eine Drainzone eine Substratzone auf, deren Leitfähigkeitstyp demjenigen der Sourcezone eines nor­ malen Leistungs-MOSFETs entgegengesetzt ist. Typische Beispiele für bisherige MOSFETs mit Leitfähigkeitsmo­ dulation sind in US-PS 4 364 073 und in "IEEE Electron Device Letters", Bd. EDL-4, 1983, S. 452-454, be­ schrieben.
Ein solcher MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation bzw. Ladungsträgerinjektion weist einen parasitären p-n-p-n- Thyristor auf. Wenn letzter durchgeschaltet wird, kann der MOSFET auch dann nicht zum Sper­ ren gebracht werden, wenn eine über seine Gate- und Source-Elektrode anliegende Spannung gleich Null ist.
Hierbei wird der MOSFET häufig beschädigt. Der parasitä­ re Thyristor wird durchgeschaltet, weil von der p⁺-Typ- Drainschicht (Substratschicht) in die n⁻-Typ-Drainzone injizierte Löcher über die p-Typ-Basisschicht in die Sourceelektrode eintreten. Mit anderen Worten: wenn ein Löcher-Strom durch die p-Basisschicht fließt und ein Spannungsabfall über den Widerstand der Basisschicht un­ mittelbar unter der Sourceschicht eine Größe von 0,7 V übersteigt, werden Elektronen von der Sourceschicht in­ jiziert, wodurch der parasitäre Thyristor durchgeschal­ tet wird. Diese Erscheinung ist in der ersten der bei­ den oben angegebenen Veröffentlichungen beschrieben.
Zur Verhinderung einer solchen "Latch-up-Erscheinung" sind bereits, u. a. in der obengenannten US-PS 4 364 073 verschiedene Gegenmaßnahmen vorgeschlagen worden.
Bei dem aus der bereits erwähnten EP 0 115 098 A1 be­ kannten MOSFET liegt eine Injektorzone zwischen einer unter einer Gateelektrode vorgesehenen Kanalzone und einer Drainzone. Diese Injektorzone injiziert zur Ver­ minderung des Einschaltwiderstandes Ladungsträgern ohne dadurch die Durchbruchspannung zu vermindern.
Ein Feldeffekttransistor mit lateral veränderlicher Leitfähigkeit, bei dem die Leitfähigkeit unterhalb der Gateelektrode in Richtung auf die Drainzone bei­ spielsweise zunimmt, ist in der DE 28 52 621 A1 be­ schrieben.
Schließlich ist aus der DE-OS 19 20 077 eine Kondensa­ torüberladevorrichtung bekannt, bei der innerhalb einer Drainzone ein entgegengesetzt zu dieser Zone datierter Bereich vorgesehen ist, um die Kapazität des so ge­ bildeten pn-überganges auszunutzen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen late­ ralen MOS-Feldeffekttransistor zu schaffen, bei dem bei einem Betrieb im Sperrbereich die Ausbreitung einer Verarmungsschicht vermindert ist.
Diese Aufgabe wird bei einem lateralen MOSFET nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß durch die in dessen kennzeichnendem Teil enthaltenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Patentansprüchen 2 bis 4.
Der durch den lateralen MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation fließende Sättigungsstrom ist stets kleiner als der Latch-up-Strom, wodurch im Prinzip auch die Ent­ stehung einer "Latch-up-Erscheinung" infolge eines pa­ rasitären Thyristors verhindert wird.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Er­ findung anhand der Zeichnungen näher erläutert, deren bei­ de Fig. 1 und 2 jeweils Schnittansichten einer Aus­ führungsform der Erfindung zeigen.
Fig. 1 zeigt im Schnitt einen Hauptteil eines lateralen MOSFETs. Dabei ist eine hochohmige n⁻- Schicht 212 auf einer p⁺-Schicht 210 ausgebildet. In der Oberfläche der Schicht 212 sind eine p-Basis-Diffusionsschicht 222 und eine n⁺-Source-Diffusionsschicht 226 erzeugt.
Eine Gate-Elektrode 220 mit einem Gate-Anschluß G ist auf einer Gate-Isolierschicht 218 ausgebildet, die auf einer Kanalzone 228 zwischen den Schichten 226 und 212 geformt ist. Eine Sourceelektrode 230 mit einem Source- Anschluß S ist die Schichten 226 und 222 kontaktierend ausgebildet. Darüber hinaus ist bei diesem MOSFET eine n-Schicht 260 in der Fläche der n⁻-Schicht 212 ausge­ bildet, während eine p⁺-Drainschicht 262 in der Schicht 260 geformt ist. Auf der Drainschicht 262 ist eine Drainelektrode 232 mit einem Drain-Anschluß D ausgebil­ det. Die Schicht 260 verhindert die Ausbreitung einer Verarmungsschicht, die dann erzeugt wird, wenn der MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation in einem Durch­ laßsperrbereich betrieben wird, wodurch die Breite LDS des Fensters der Schicht 212 verkleinert wird. Die p- Basis-Diffusionsschicht 222 kann das Fenster der Schicht 212 vollständig umschließen, wodurch der Sätti­ gungsstrom kleiner als der Latch-up-Strom gemacht wird.
Gemäß Fig. 2 kann die p⁺-Schicht 210 nach Fig. 1 durch eine n⁺-Schicht 264 ersetzt werden.
Wenn die oben beschriebenen MOSFETs so ausgelegt sind, daß sie der folgenden Gleichung auch bei einer anliegen­ den Gate-Spannung von 15 V genügen, kann die Latch-up- Erscheinung noch besser verhindert werden:
W·SG/(T·l·d)<1,1×108,
mit:
W = Gesamtkanalbreite (µm) in Flächeneinheit von 1 cm2 eines aktiven Bereichs,
SG = Fläche (µm2) eines Abschnitts des hochohmigen Be­ reichs direkt unter der Gate-Elektrode und in Be­ rührung mit der Gate-Isolierschicht innerhalb der Flächeneinheit von 1 cm2 des aktiven Bereichs,
T = gesamte Umfangsfläche (µm) der Basisschicht in Be­ rührung mit der hochohmigen Schicht, d. h. gesamte Umfangsfläche der Fläche SG innerhalb der Flächen­ einheit von 1 cm2 des aktiven Bereichs,
l = Kanallänge (µm) und
d = Dicke (µm) der Gate-Isolierschicht.
Bei einer Gate-Spannung von 10 V ist obiger Zahlenwert von 1,1 × 108 durch 1,46 × 108 zu ersetzen.
Bei beiden obigen MOSFETs kann die hochohmige n⁻- Schicht als Ausgangssubstrat für die Ausbildung der an­ deren Halbleiterschichten benutzt werden.

Claims (4)

1. Lateraler MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET) mit Leitfähigkeitsmodulation, mit:
  • - einer hochohmigen Halbleiterschicht (212) eines ersten Leitfähigkeitstyps,
  • - einer Basiszone (222) des zweiten Leitfähigkeits­ typs, die in der Oberfläche der hochohmigen Halb­ leiterschicht (212) ausgebildet ist,
  • - einer Sourcezone (226) des ersten Leitfähigkeits­ typs, die in der Basiszone (222) ausgebildet ist,
  • - einer Drainzone (262) des zweiten Leitfähigkeits­ typs, die in der Oberfläche der hochohmigen Halb­ leiterschicht (212) ausgebildet ist,
  • - einer Gate-Isolierschicht (218), die auf einer Kanal­ zone ausgebildet ist, die in einer Oberfläche der Basiszone (222) zwischen der hochohmigen Halbleiter­ schicht (212) und der Sourcezone (226) liegt,
  • - einer Gate-Elektrode (220), die auf der Gate- Isolierschicht (218) ausgebildet ist,
  • - einer Source-Elektrode (230), die in ohmschen Kontakt mit der Sourcezone und der Basiszone (222) steht und
  • - einer Drain-Elektrode (232), die in ohmschen Kon­ takt mit der Drainzone (262) steht, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - ein Halbleiterbereich (260) des ersten Leitfähig­ keitstyps in einer Oberfläche der hochohmigen Halbleiterschicht (212) ausgeführt ist und eine größere Fremdstoffkonzentration als die hochohmi­ ge Halbleiterschicht (212) hat,
  • - die Drainzone (262) im Halbleiterbereich (260) ausgebildet ist und darin liegt und
  • - die Basiszone (222) ein Fenster der hochohmigen Halbleiterschicht (212) in der Oberfläche umgibt, das in der Oberfläche der hochohmigen Halbleiter­ schicht (212) liegt.
2. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die hochohmige Halbleiterschicht (212) über einem Halbleitersubstrat (210) vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist.
3. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die hochohmige Halbleiterschicht (212) über einem Halbleitersubstrat (210) vom zwei­ ten Leitfähigkeitstyp ist.
4. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster aus wenigstens zwei parallelen Seiten besteht.
DE3546745A 1984-05-30 1985-05-30 Lateraler MOS-Feldeffekttransistor mit Leitfähigkeitsmodulation Expired - Lifetime DE3546745C2 (de)

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