DE3546745C2 - Lateraler MOS-Feldeffekttransistor mit Leitfähigkeitsmodulation - Google Patents
Lateraler MOS-Feldeffekttransistor mit LeitfähigkeitsmodulationInfo
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- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
Description
Die Erfindung betrifft einen lateralen MOS-Feldeffekt
transistor (MOSFET) mit Leitfähigkeitsmodulation nach
dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Ein derartiger MOSFET ist z. B. aus EP 0 115 098 A1
bekannt.
Ein MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation weist angren
zend an eine Drainzone eine Substratzone auf, deren
Leitfähigkeitstyp demjenigen der Sourcezone eines nor
malen Leistungs-MOSFETs entgegengesetzt ist. Typische
Beispiele für bisherige MOSFETs mit Leitfähigkeitsmo
dulation sind in US-PS 4 364 073 und in "IEEE Electron
Device Letters", Bd. EDL-4, 1983, S. 452-454, be
schrieben.
Ein solcher MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation bzw.
Ladungsträgerinjektion weist einen parasitären p-n-p-n-
Thyristor auf. Wenn letzter durchgeschaltet wird,
kann der MOSFET auch dann nicht zum Sper
ren gebracht werden, wenn eine über seine Gate- und
Source-Elektrode anliegende Spannung gleich Null ist.
Hierbei wird der MOSFET häufig beschädigt. Der parasitä
re Thyristor wird durchgeschaltet, weil von der p⁺-Typ-
Drainschicht (Substratschicht) in die n⁻-Typ-Drainzone
injizierte Löcher über die p-Typ-Basisschicht in die
Sourceelektrode eintreten. Mit anderen Worten: wenn ein
Löcher-Strom durch die p-Basisschicht fließt und ein
Spannungsabfall über den Widerstand der Basisschicht un
mittelbar unter der Sourceschicht eine Größe von 0,7 V
übersteigt, werden Elektronen von der Sourceschicht in
jiziert, wodurch der parasitäre Thyristor durchgeschal
tet wird. Diese Erscheinung ist in der ersten der bei
den oben angegebenen Veröffentlichungen beschrieben.
Zur Verhinderung einer solchen "Latch-up-Erscheinung"
sind bereits, u. a. in der obengenannten US-PS 4 364 073
verschiedene Gegenmaßnahmen vorgeschlagen worden.
Bei dem aus der bereits erwähnten EP 0 115 098 A1 be
kannten MOSFET liegt eine Injektorzone zwischen einer
unter einer Gateelektrode vorgesehenen Kanalzone und
einer Drainzone. Diese Injektorzone injiziert zur Ver
minderung des Einschaltwiderstandes Ladungsträgern ohne
dadurch die Durchbruchspannung zu vermindern.
Ein Feldeffekttransistor mit lateral veränderlicher
Leitfähigkeit, bei dem die Leitfähigkeit unterhalb
der Gateelektrode in Richtung auf die Drainzone bei
spielsweise zunimmt, ist in der DE 28 52 621 A1 be
schrieben.
Schließlich ist aus der DE-OS 19 20 077 eine Kondensa
torüberladevorrichtung bekannt, bei der innerhalb einer
Drainzone ein entgegengesetzt zu dieser Zone datierter
Bereich vorgesehen ist, um die Kapazität des so ge
bildeten pn-überganges auszunutzen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen late
ralen MOS-Feldeffekttransistor zu schaffen, bei dem bei
einem Betrieb im Sperrbereich die Ausbreitung einer
Verarmungsschicht vermindert ist.
Diese Aufgabe wird bei einem lateralen MOSFET nach dem
Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß
durch die in dessen kennzeichnendem Teil enthaltenen
Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Patentansprüchen 2 bis 4.
Der durch den lateralen MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation
fließende Sättigungsstrom ist stets kleiner
als der Latch-up-Strom, wodurch im Prinzip auch die Ent
stehung einer "Latch-up-Erscheinung" infolge eines pa
rasitären Thyristors verhindert wird.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Er
findung anhand der Zeichnungen näher erläutert, deren bei
de Fig. 1 und 2 jeweils Schnittansichten einer Aus
führungsform der Erfindung zeigen.
Fig. 1 zeigt im Schnitt einen Hauptteil eines lateralen
MOSFETs. Dabei ist eine hochohmige n⁻- Schicht 212 auf
einer p⁺-Schicht 210 ausgebildet. In der Oberfläche der
Schicht 212 sind eine p-Basis-Diffusionsschicht 222 und
eine n⁺-Source-Diffusionsschicht 226 erzeugt.
Eine Gate-Elektrode 220 mit einem Gate-Anschluß G ist
auf einer Gate-Isolierschicht 218 ausgebildet, die auf
einer Kanalzone 228 zwischen den Schichten 226 und 212
geformt ist. Eine Sourceelektrode 230 mit einem Source-
Anschluß S ist die Schichten 226 und 222 kontaktierend
ausgebildet. Darüber hinaus ist bei diesem MOSFET eine
n-Schicht 260 in der Fläche der n⁻-Schicht 212 ausge
bildet, während eine p⁺-Drainschicht 262 in der Schicht
260 geformt ist. Auf der Drainschicht 262 ist eine
Drainelektrode 232 mit einem Drain-Anschluß D ausgebil
det. Die Schicht 260 verhindert die Ausbreitung einer
Verarmungsschicht, die dann erzeugt wird, wenn der
MOSFET mit Leitfähigkeitsmodulation in einem Durch
laßsperrbereich betrieben wird, wodurch die Breite LDS
des Fensters der Schicht 212 verkleinert wird. Die p-
Basis-Diffusionsschicht 222 kann das Fenster der
Schicht 212 vollständig umschließen, wodurch der Sätti
gungsstrom kleiner als der Latch-up-Strom gemacht wird.
Gemäß Fig. 2 kann die p⁺-Schicht 210 nach Fig. 1 durch
eine n⁺-Schicht 264 ersetzt werden.
Wenn die oben beschriebenen MOSFETs so ausgelegt sind,
daß sie der folgenden Gleichung auch bei einer anliegen
den Gate-Spannung von 15 V genügen, kann die Latch-up-
Erscheinung noch besser verhindert werden:
W·SG/(T·l·d)<1,1×108,
mit:
W = Gesamtkanalbreite (µm) in Flächeneinheit von 1 cm2 eines aktiven Bereichs,
SG = Fläche (µm2) eines Abschnitts des hochohmigen Be reichs direkt unter der Gate-Elektrode und in Be rührung mit der Gate-Isolierschicht innerhalb der Flächeneinheit von 1 cm2 des aktiven Bereichs,
T = gesamte Umfangsfläche (µm) der Basisschicht in Be rührung mit der hochohmigen Schicht, d. h. gesamte Umfangsfläche der Fläche SG innerhalb der Flächen einheit von 1 cm2 des aktiven Bereichs,
W = Gesamtkanalbreite (µm) in Flächeneinheit von 1 cm2 eines aktiven Bereichs,
SG = Fläche (µm2) eines Abschnitts des hochohmigen Be reichs direkt unter der Gate-Elektrode und in Be rührung mit der Gate-Isolierschicht innerhalb der Flächeneinheit von 1 cm2 des aktiven Bereichs,
T = gesamte Umfangsfläche (µm) der Basisschicht in Be rührung mit der hochohmigen Schicht, d. h. gesamte Umfangsfläche der Fläche SG innerhalb der Flächen einheit von 1 cm2 des aktiven Bereichs,
l = Kanallänge (µm) und
d = Dicke (µm) der Gate-Isolierschicht.
d = Dicke (µm) der Gate-Isolierschicht.
Bei einer Gate-Spannung von 10 V ist obiger Zahlenwert
von 1,1 × 108 durch 1,46 × 108 zu ersetzen.
Bei beiden obigen MOSFETs kann die hochohmige n⁻-
Schicht als Ausgangssubstrat für die Ausbildung der an
deren Halbleiterschichten benutzt werden.
Claims (4)
1. Lateraler MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET) mit
Leitfähigkeitsmodulation, mit:
- - einer hochohmigen Halbleiterschicht (212) eines ersten Leitfähigkeitstyps,
- - einer Basiszone (222) des zweiten Leitfähigkeits typs, die in der Oberfläche der hochohmigen Halb leiterschicht (212) ausgebildet ist,
- - einer Sourcezone (226) des ersten Leitfähigkeits typs, die in der Basiszone (222) ausgebildet ist,
- - einer Drainzone (262) des zweiten Leitfähigkeits typs, die in der Oberfläche der hochohmigen Halb leiterschicht (212) ausgebildet ist,
- - einer Gate-Isolierschicht (218), die auf einer Kanal zone ausgebildet ist, die in einer Oberfläche der Basiszone (222) zwischen der hochohmigen Halbleiter schicht (212) und der Sourcezone (226) liegt,
- - einer Gate-Elektrode (220), die auf der Gate- Isolierschicht (218) ausgebildet ist,
- - einer Source-Elektrode (230), die in ohmschen Kontakt mit der Sourcezone und der Basiszone (222) steht und
- - einer Drain-Elektrode (232), die in ohmschen Kon takt mit der Drainzone (262) steht, dadurch gekennzeichnet, daß
- - ein Halbleiterbereich (260) des ersten Leitfähig keitstyps in einer Oberfläche der hochohmigen Halbleiterschicht (212) ausgeführt ist und eine größere Fremdstoffkonzentration als die hochohmi ge Halbleiterschicht (212) hat,
- - die Drainzone (262) im Halbleiterbereich (260) ausgebildet ist und darin liegt und
- - die Basiszone (222) ein Fenster der hochohmigen Halbleiterschicht (212) in der Oberfläche umgibt, das in der Oberfläche der hochohmigen Halbleiter schicht (212) liegt.
2. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die hochohmige Halbleiterschicht
(212) über einem Halbleitersubstrat (210) vom ersten
Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist.
3. MOS-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die hochohmige Halbleiterschicht
(212) über einem Halbleitersubstrat (210) vom zwei
ten Leitfähigkeitstyp ist.
4. MOS-Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster aus
wenigstens zwei parallelen Seiten besteht.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11024484A JPS60254658A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 導電変調型mosfet |
JP59204427A JP2585505B2 (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 導電変調型mosfet |
JP24481184A JPS61123184A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 導電変調型mosfet |
DE19853519389 DE3519389A1 (de) | 1984-05-30 | 1985-05-30 | Mosfet mit veraenderlicher leitfaehigkeit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE3546745C2 true DE3546745C2 (de) | 1994-06-30 |
Family
ID=27433369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3546745A Expired - Lifetime DE3546745C2 (de) | 1984-05-30 | 1985-05-30 | Lateraler MOS-Feldeffekttransistor mit Leitfähigkeitsmodulation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3546745C2 (de) |
Citations (4)
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1985
- 1985-05-30 DE DE3546745A patent/DE3546745C2/de not_active Expired - Lifetime
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