DE3534861C2 - Halbleiterschalter aus zwei mit ihren Source-Drain-Strecken antiseriell geschalteten MOS-Schalttransistoren - Google Patents
Halbleiterschalter aus zwei mit ihren Source-Drain-Strecken antiseriell geschalteten MOS-SchalttransistorenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterschalter gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Halbleiterschalter aus zwei mit ihren Source-Drain-Strec
ken antiseriell geschalteten MOS-Schalttransistoren
sind z. B. aus der DE-PS 12 83 891 bekannt.
In Fällen des genannten Einsatzes von Schaltern wird bis
herigen Lösungen, die hierzu relaisbetätigte Kontakte vorsahen, Halbleiterschaltern der Vorzug gegeben. Es spielt
in diesem Zusammenhang der große Platzbedarf von relais
betätigten Schaltern eine Rolle, der im Widerspruch zu
der platzsparenden Konzeption von elektronischen Schnitt
stellenschaltungen (SLIC) steht.
Halbleiterschalter in Form von Thyristoren oder anderen
Halbleiterelementen, bei denen in den Adern ein pn-Übergang
liegt, sind wegen der Störungen, die durch die pn-Schwellen
spannungen bei Stromunkehr in der Leitung verursacht wer
den, nur bedingt einsatzfähig.
Als in diesem Zusammenhang am günstigsten haben sich Halb
leiterschalter bewährt, die aus MOS-Schalttransistoren auf
gebaut sind. Bekannte Halbleiterschalter dieser Art, be
stehen zum Unschädlichmachen bei solchen Transistoren vor
handener parasitärer Sperrschichten, wie oben angegeben, aus
zwei antiseriell geschalteten MOS Transistoren.
Die Transistoren der bekannten Halbleiterschalter dieser
Art werden entweder durch Licht oder durch ein Hochfreqenzsignal
gesteuert. Die lichtgesteuerten Ausführungsformen
haben den Nachteil, daß ihre Lebensdauer für bestimmte Einsatzfälle
und insbesondere für den Einsatz im Zusammenhang
mit SLIC-Schaltungen nicht ausreichend groß ist. Die HF-
Steuerung solcher Halbleiterschalter ist zum einen dadurch
ungünstig, daß HF-Signale auf die zu schaltenden Leitungen
gelangen, zum anderen sind sie störanfällig gegen hochfre
quente Störschwingungen, wie sie beispielsweise durch Blitzeinwirkung
zustande kommen können.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, einen Halbleiterschalter
der eingangs genannten Art so zu verbessern,
daß diese nachteiligen Effekte nicht auftreten.
Erfindungsgemäß wird dies erreicht durch einen weiteren
MOS-Transistor, der mit seiner Source-Drain-Strecke den
Steuerstrecken der MOS-Schalttransistoren parallel geschaltet
ist, sowie durch einen diese Steuerstrecken überbrückenden
ersten Widerstand und einen hierzu in Reihe
liegenden, die Steuerstrecke des weiteren MOS-Transistors
überbrückenden zweiten Wiederstand, die im Falle einer Schalterbetätigung
von einer Stromquelle beaufschlagt werden, wobei
der weitere MOS-Transistor in den Sperrzustand und die
MOS-Schalttransistoren in den Leitzustand gesteuert werden.
Der grundsätzliche schaltungsmäßige Unterschied des erfindungsgemäßen
Halbleiterschalters gegenüber den erläuterten
bekannten, MOS-Transistoren umfassenden Schaltern besteht
im Wegfall der galvanischen Trennung zwischen Hauptstromkreis
und Steuerkreis und damit der Verwendung eines
Steuersignals, daß keine der erwähnten nachteiligen Eigenschaften
der bekannten Schaltungen mit sich bringt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung sind die
beiden Schalttransistoren n-Kanal-Transistoren und der weitere
Transistor ein p-Kanal-Transitor, dessen Source-Elektrode
an die beiden miteinander verbundenen Hauptelektroden
der Schalttransistoren und dessen Drain-Elektrode an die miteinander
verbundenen Gateelektroden der Schalttransistoren
angeschlossen ist.
Nachstehend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild zur Veranschaulichung eines
bevorzugten Einsatzfalles für den erfindungsgemäßen
Halbleiterschalter,
Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Halbleiterschalters.
In Fig. 1 ist eine elektronische Schnittstellenschaltung SLIC
einer Teilnehmeranschlußschaltung angedeutet, über die eine
Teilnehmeranschlußleitung TL mit den Adern a und b an eine
nicht dargestellte Vermittlungsstelle angeschlossen ist.
Mit Hilfe von Schaltern 1 und 2 können die Adern
a und b der Teilnehmeranschlußleitung TL an die Eingänge
der Schnittstellenschaltung SLIC angelegt bzw. von diesen
abgetrennt werden. Über weitere Schalter 3, 4, 5,
unf 6 ist diesseits und jenseits der Schaltstrecken
der Schalter 1 und 2 eine Ankopplung, an die Teilnehmerleitungsadern
bzw. an die Eingänge der Schnittstellenschaltung möglich.
Eine besondere Bedeutung haben diese Schalter, die in ver
schiedenen Kombinationen betätigbar sind, beim Testzugriff
zur Teilnehmeranschlußleitung, zum daran angeschlossenen
Endgerät und zu der Schnittstellenschaltung.
Wie die Fig. 2 zeigt, besteht der erfindungsgemäße Halb
leiterschalter aus zwei MOS Schalttransistoren T1 und T2
des n-Kanal-Typs die antiseriell geschaltet sind, wozu
die SOURCE-Elektrode S des Transistors T1 mit der SOURCE-
Elektrode des Transistors T2 verbunden ist, und DRAIN-
Elektroden dieser Transistoren an die zu verbindenden bzw.
zu trennenden Schaltungsteile angeschlossen sind. Die
GATE-Elektroden der beiden Transitoren T1 und T2 sind
miteinander verbunden.
Weiterer Bestandteil des erfindungsgemäßen Halbleiterschalters
gem. Fig. 2 ist ein weiterer MOS-Transistor T3, bei dem es
sich hier um einen p-Kanal-Typs handelt, und der mit seiner
SOURCE-DRAIN-Strecke den Steuerstrecken der Transistoren T1
und T2 parallel geschaltet ist, indem seine SOURCE-Elektro
de S an die SOURCE-Elektroden S der Transistoren T1 und T2
und seine DRAIN-Elektrode D an die miteinander verbundenen
GATE-Elektroden der Transistoren T1 und T2 angeschlossen
ist.
Die Schaltung umfaßt ferner einen ersten Widerstand R2,
der den Steuerstrecken der Transistoren T1 und T2 parallel
geschaltet ist, sowie einen zweiten Widerstand R1, der der
Steuerstrecke des weiteren Transistors T3 parallel geschal
tet ist und zum Widerstand R2 in Reihe liegt.
Der Ansteuerstrom für den dargestellten Halbleiterschalter
wird von einer Stromquelle IQ geliefert, die in nicht dar
gestellter Weise aus- und eingeschaltet werden kann. Im
Falle des in Fig. 1 geschilderten Einsatzes des erfindungs
gemäßen Schalters muß die Spannung, von der aus diese
Stromquelle versorgt wird, etwa 15 V über der höchsten auf
den Leitungsadern a und b auftretenden Spannung sein.
Im geöffneten Zustand sind beim erfindungsgemäßen Halbleiterschalter
die Transistoren T1 und T2 gesperrt, der
weitere Transistor T3 ist leitend.
Wird nun die Stromquelle IQ so angesteuert, daß sie einen
Steuerstrom liefert, dann bewirkt der durch diesen Steuerstrom
hervorgerufene Spannungsabfall über dem Widerstand
R1 eine Aussteuerung des Transistors T3 in den Sperrzustand.
Der weiterhin aufrechterhaltene Steuerstrom durchfließt daraufhin auch den dem Widerstand R1 in Reihe geschalteten
Widerstand R2 und ruft dabei eine Steuerspannung
für die Transistoren T1 und T2 hervor, die diese beiden
Transistoren in den Leitfähigkeitszustand bringt. Der
Halbleiterschalter ist damit geschlossen.
Zum Abschalten wird der Stromzufluß des durch die Stromquelle
IQ gelieferten Steuerstroms unterbrochen, woraufhin zuerst
der Transistor T3, der eine kleinere Gate-Source-Kapazität
aufweist als die Transistoren T1 und T2, leitend
wird und damit die Steuerstrecken der Transistoren T1 und
T2 kurzschließt, die daraufhin in den Steuerzustand übergehen.
Der weitere Transistor T3 verhindert auch, daß der Halbleiterschalter
durch an die Steuereingänge der Transistoren
T1 und T2 gelangende hochfrequente Störsignale in den Einzustand
gesteuert wird.
Claims (2)
1. Halbleiterschalter mit zwei mit ihren SOURCE-DRAIN-
Strecken antiseriell geschalteten MOS-Schalttransisitoren,
insbesondere zum Anschalten der Adern von
Teilnehmeranschlußleitungen an die Eingänge elektronischer
Schnittstellenschaltkreise und zum Abtrennen der Adern
von diesen Eingängen,
gekennzeichnet durch
einen weiteren MOS-Transistor (T3), der mit seiner SOURCE-
DRAIN-Strecke der Steuerstrecken der MOS-Schalttransisto
ren (T1, T2) parallel geschaltet ist, sowie durch einen
diese Steuerstrecken überbrückenden ersten Widerstand
(R2) und einen hierzu in Reihe liegenden, die Steuerstrecke
des weiteren MOS-Transistors (T3) überbrückenden zweiten
Widerstand (R1), die im Falle einer Schalterbetätigung von
einer Stromquelle (IQ) beaufschlagt werden, wobei der
weitere MOS-Transistor (T3) in den Sperrzustand und die
MOS-Schalttransistoren (T1 und T2) in den Leitzustand
gesteuert werden.
2. Halbleiterschalter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die beiden MOS-Schalttransistoren (T1, T2) n-Kanal-Tran
sistoren sind, und daß der weitere MOS-Transistor (T3)
ein p-Kanal-Transistor ist, dessen Source-Elektrode an die
beiden miteinander verbundenen Hauptelektroden der MOS-
Schalttransistoren und dessen DRAIN-Elektrode an die mit
einander verbundenen GATE-Elektroden der MOS-Schalttran
sistoren (T1, T2) angeschlossen ist.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6052437A (en) * | 1996-09-27 | 2000-04-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Subscriber terminal circuit for connecting an analog subscriber line to a digital switching center |
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