DE3502324A1 - Sperrwandler-schaltnetzteil mit einem vor ueberspannungen geschuetzten schalttransistor - Google Patents

Sperrwandler-schaltnetzteil mit einem vor ueberspannungen geschuetzten schalttransistor

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DE3502324A1
DE3502324A1 DE19853502324 DE3502324A DE3502324A1 DE 3502324 A1 DE3502324 A1 DE 3502324A1 DE 19853502324 DE19853502324 DE 19853502324 DE 3502324 A DE3502324 A DE 3502324A DE 3502324 A1 DE3502324 A1 DE 3502324A1
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
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    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
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Description

  • Sperrwandler-Schaltnetzteil mit einem vor Überspannungen
  • geschützten Schalttransistor.
  • Die Erfindung betrifft ein Schaltnetzteil gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine derartige Schaltungsanordnung wird in der älteren, noch nicht veröffentlichten Patentanmeldung P 3442960.5 beschrieben.
  • Am Schalttransistor einer typischen Sperrwandlerschaltung fällt im eingeschwungenen Zustand eine Spannung von maximal 650V ab; es ist dies die Spannung in der Sperrphase.
  • Während des Abschaltens erzeugt dagegen die in den Streuinduktivitäten gespeicherte Energie eine Spannungsspitze, die theoretisch unendlich groß ist und in der Praxis die erwähnte Sperrspannung erheblich übersteigt. Vor diesem Uberschwinger muß man den Schalter schützen, und zwar vor allem dann, wenn es sich um einen MOS-Transistor handelt.
  • Bei diesem Transistortyp steigen nämlich - unter der Voraussetzung vergleiMbarer Chipfläche und damit ähnlich hohen Herstellkosten - Einschaltwiderstand und Durchlaßverluste mit der Spnnnungsfestigkeit.
  • Zur Reduzierung der Abschaltspannungen hat man sich bisher damit beholfen, parallel zum Schalttransistor eine Gruppe zu schalten, die entweder aus einem Kondensator (Patentanmeldung P 3442960.5) oder aus einem RC-Glied mit einer Diode parallel zum Widerstand (ältere, noch nicht veröffentlichte Patentanmeldung P 3405833.8) besteht. Die mit diesen Maßnahmen erzielten Ergebnisse sind allerdings nicht in jedem Fall akzeptabel, und zwar vor allem deshalb, weil man mit dem C-Wert des Kondensators einen Kompromiß zwischen einander widersprechenden Anforderungen finden muß: Mit zunehmender Kapazität nimmt einerseits die Dämpfwirkung auf den Überschwinger zu; andererseits steigen die Transistorverluste im Einschaltmoment, weil der auf die Sperrspannung aufgeladene Kondensator mehr Energie speichert.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für ein Schaltnetzteil der eingangs genannten Art eine Schutzschaltung zu entwickeln, die den Einsatz von Schalttransistoren mit einer relativ geringen Spannungsfestigkeit zuläßt, dabei geringe Einschaltverluste im Transistor verursacht und im übrigen keinen sonderlichen Bauelementeaufwand verlangt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Die vorgeschlagene Schaltungsmaßnahme, die zusammen mit den Streuinduktivitäten des Transformators wie ein asymmetrisch gedämpfter LC-Reihenresonanzkreis wirkt, arbeitet folgendermaßen: Beim Abschalten des Schalttransistors werden ihre beiden Kondensatoren, die zusammen einen durchaus hohen C-Wert haben dürfen, rasch aufgeladen, zumal der Dämpfungswiderstand im Primärkreis durch eine Diode überbrückt wird. Dementsprechend niedrig ist der Spitzenwert der Abschaltspannung. Beim Einschalten entläd sich der primärseitige Kondensator direkt über den parallel liegenden Schalt'transistor. Dieser Vorgang verursacht Transistorverluste. Auch der Entladestrom des sekundärseitigen Kondensators fließt über den Schalter, liefert aber keine nennenswerten Verlustbeiträge: Die Spannung fällt überwiegend an den in Reihe liegenden Streuinduktivitäten und dem Dämpfungswiderstand ab, wobei vor allem der induktive Anteil keine Verluste erzeugt.
  • Insofern wird der Transistor in der Einschaltphase nur mäßig belastet. Dabei bleibt - aufgrund des Dämpfungswiderstandes - der Einschaltstrom im Primärkreis unter einem Wert, der den Transformator in die Sättigung treiben könnte. Alle diese Eigenschaften lassen sich mit relativ wenigen, preiswerten Bauelementen realisieren; so kann der hochspannungsfeste Kondensator auf der Primärseite einen C-Wert <1nF haben und läßt sich auf der Sekundärseite ein MET-Kondensator mit relativ geringer Spannungsfestigkeit verwenden.
  • Messungen haben gezeigt, daß man dann, wenn man eine herkömmliche Schutzschaltung in der hier vorgeschlagenen Weise umgestaltet, die Abschaltspannung um weit mehr als 100V senken kann, ohne höhere Einschaltverluste in Kauf nehmen zu müssen. Diese bemerkenswerten Resultate ermöglichen es, ein Netzteil auch dann mit einem MOS-Sialttransistor zu bestücken, wenn es für einen erweiterten Netzspannungsbereich vorgesehen ist.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand zusätzlicher Ansprüche.
  • Der Lösungsvorschlag soll nun anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung näher erläutert werden.
  • Die Figur zeigt die Schaltung eines freischwingenden Sperrwandler-Schaltnetzteils, das eine Videokamera versorgen soll und für Netz spannungen zwischen 90V und 265V ausgelegt ist. ,Die Schaltungsanordnung enthält einen Transformator Tr, der die Last galvanisch vom Netz trennt, einen Schalttransistor T1 und eine integrierte Schaltung IS zur Steuerung, Regelung und Uberwachung des Schalters.
  • Die gesamte Schaltung wird an Klemmen Kl1 und Kl 2 an eine (nicht dargestellte) Netzspannungsquelle angeschlossen. Die Eingangsspannung wird über ein Entstörfilter (Querkondensator C1, Längsdrosseln L1 und L2) geschickt, in einer Gleichrichter-Brückenschaltung G1 gleichgerichtet, in einem Elektrolytkondensator C2 geglättet und an eine primärseitige Wicklung W1 des Transformators geführt. In diesem Kreis sind der positive Ausgang von G1 über eine Sicherung S mit dem einen Wick- lungsende von W1 (Stift 2) und der negative, geerdete Ausgang von G1 über die Source-Drain-Strecke des Schalttransistors mit dem anderen Wicklungsende (Stift 1) der Primärwicklung verbunden. Die Source-Elektrode von T1 liegt außerdem an einem IS-Anschluß (Masseanschluß A6); die Gate-Elektrode des Schalters kontaktiert über einen Koppelkondensator C3 einen weiteren Anschluß (Gleichspannungsausgang A ) und ist außerdem über einen Widerstand R1 und eine dazu parallele Diode G2 mit A6 verbunden. Anschluß 7 steht außerdem über einen Widerstand R2 und eine nachgeschaltete Drossel L3 mit einem weiteren IS-Anschluß (Impulsausgang A8 zur Transistoransteuerung) in Verbindung.
  • An einem weiteren Eingang (Pin 2) empfängt die integrierte Schaltung - über zwei Serienwiderstände R3, R4 -ein Wechselspannungssignal, das einem Wicklungsende 5 einer Rückkoppelspule W2 entnommen wird. Das andere Ende dieser Wicklung (Stift 6) kontaktiert den Masseanschluß A6 sowie über ein RC-Glied (R5C5) den Referenzspannungsausgang der integrierten Schaltung (A1). Quer zu C5 liegt ein weiteres RC-Glied ( C6), dessen Mittenpunkt über einen Widerstand R6 auf einen weiteren IS-Eingang A3 geführt ist, A3, an dem der Ansteuerbaustein Signale für seinen Regelverstärker, die Überlastidentifikation und den Standby-Betrieb erhält, ist über einen Kondensator C7 mit A2 gekoppelt. Um Störschwingungen des Schalttransistors von A2 fernzuhalten, liegt quer zur Wicklung W2, und zwar mit einem Abgriff zwischen R3 und R4 ein LC-Serienschwingkreis (C4 L4).
  • Ein weiterer IS-Anschluß (Kollektorstrombildner A4) kontaktiert über einen Widerstand R8 das Ende 2 der Primärwicklung W1 und über einen Kondensator C13 den Masseanschluß A6. A6 ist außerdem über einen Spannungsteiler (Rg R1o) mit Stift 2 verbunden; der Mittenpunkt dieser Widerstandskette führt auf einen IS-Eingang A5, der den Anschluß A8 bei Unterschreiten eines bestimmten Spannungswertes sperrt.
  • Uber eine dritte Transformatorwicklung (Versorgungswicklung W3) auf der Netzseite wird die integrierte Schaltung mit Energie versorgt. Das eine Wicklungsende (Punkt 4) liegt am Masseanschluß A6, und das andere, mit dem Bezugßzeichen 3 versehene Ende von W3 ist über eine Diode G3 und einen Pufferkondensator C17 auf den Versorgungseingang Ag der integrierten Schaltung geführt. W3 ist so gewählt, daß sie eine der Ausgangsspannung folgende Gleichspannung liefert. Diese Spannung ist im gesamten Eingangsspannungsbereich nahezu konstant, baut sich jedoch nach dem Einschalten des Geräts nur relativ langsam auf.
  • Um die Anlaufphase abzukürzen, ist Ag einerseits über einen Halbleiter PTC und einen Widerstand R11 auf einen der beiden G1-Eingänge geführt und über einen Transistor T2 und eine Diode G6 mit dem Stift 5 der Rückkoppelspule verbunden. Der Kaltleiter läd in der Anlaufphase C17 auf die Versorgungsspannung auf; unterstützend schaltet T2 eine gleichgerichtete, aus der ungeregelten Phase der Spule W3 gewonnene Spannung an Ag. Nach dem Hochlaufen des Netzteils schaltet sich T2, dessen Basis über eine Zenerdiode Z und ein dazu paralleles RC-Glied (R12C8) an A6 gelegt ist und dessen Kollektor auf dem Potential des Mittenpunktes des RC-Gliedes gehalten wird, wieder ab.
  • Lastseitig enthält der Transformator Tr eine Sekundärwicklung W4. Ein Ende (Stift 8) dieser Wicklung ist geerdet und außerdem über einen Kondensator C9 mit A6 verbunden. Das andere Wicklungsende (Stift 9) führt über eine Diode G4, drei quergeschaltete Ladekondensatoren C10, C11 und C12 sowie eine zwischen C11 und C12 eingefügte Drossel L5 auf eine Ausgangsklemme Kl3, der eine geregelte Gleichspannung von 9V entnommen werden kann.
  • Die Regelung der Ausgangsspannung erfolgt über einen Optokoppler OK, dessen Empfängertransistor einerseits mit A6 verbunden ist und andererseits auf den Verbindungspunkt zwischen C6 und R6 führt. Die Sendediode von OK kontaktiert einerseits das klemmenseitige Ende von L5 und andererseits - über einen Serienwiderstand R18 und eine als Regelverstärker V fungierende Zenerdiode - das geerdete Wicklungsende 8. Der Regelverstärker empfängt über eine WiderstandSkette R13R14, die ebenfalls an den L5-Ausgang angeschlossen ist, seine Regelgröße. Der Regelpunkt läßt sich dabei über ein Potentiometer (R15, R16, R17), das zwischen dem L5-Ausgang und Masse liegt, einstellen. Das Potentiometer ist zwischen R15 und R16 direkt mit dem Regeleingang von V und über einen Kondensator C14 mit dem Mittenpunkt von R13R14 sowie dem Regelverstärkerausgang verbunden.
  • Um den Schalttransistor vor Uberspannungen zu schützen und die Verluste im Einschaltmoment relativ gering zu halten, ist eine Schutzschaltung aus zwei Rückschlagkondensatoren C15, C16, einem Dämpfungswiderstand R19 und einer Diode G5 vorgesehen. C15 liegt parallel zur Source-Drain-Strecke von T1, während C16 parallel zu W4 geschaltet ist. R19 befindet sich zwischen T1 und Stift 1 der ersten Primärwicklung und wird durch G5 überbrückt.
  • Die Schutzschaltung dämpft die Uberschwinger bei höheren Eingangsspannungen stärker als bei niedrigen, mit dem Effekt, daß der Absolutwert der Abschaltspannung nur relativ wenig von der Netzspannung abhängt. Der genaue Verlauf dieser Kurve wird maßgeblich davon beeinflußt, bei welcher Netzspannung der vor allem von den Streuindukti- vitäten und dem sekundärseitigen Rückschlagkondensator gebildete LC-Reihenschwingkreis in Resonanz gerät. Insofern läßt sich in vielen Fällen die Uberschwingercharakteristik durch Abstimmung der Resonanzfrequenz noch weiter verbessern; in der Regel sollte der Schwingkreis bei einem Spannungswert in der'oberen Hälfte des möglichen Spannungsbereiches in Resonanz sein.
  • Für weitere Schaltungseinzelheiten wird auf die beiden zitierten Patentanmeldungen verwiesen. Die Steuereinheit wird darüber hinaus in dem Siemens-Datenbuch "Integrierte Schaltungen für industrielle Anwendungen, Ausgabe 1985/86, detaillierter beschrieben.
  • Die Bauelemente der geschilderten Schaltung sind folgendermaßen dimensioniert: R1 1,5 kQ cl 0,33rF R2 2,2 # C2 100 F/385V R3 680 # c3 100 F/16V R4 10 Q c4 5,6 nF R5 470 # c5 220rF/6,3V 'R6 1 kQ C6 0,47F R7 220 # C7 100 pF R8 240 kQ c8 1 1 Rg 270 k# C9 3,3 nF R10 6,8 kQ c1o 470rF/16V R11 2,7 k# 1000 µF/25V R12 5,1 kQ C12 1000 µF/25V R13 3,3 k# C13 5,6 nF R14 680 # C14 0,1 R15 470 # C15 390 pF R16 1 kQ C16 88 nF R17 1,2 kQ C17 100 fF/25V R18 3,3 kQ L1 39 mH G1 4 x1 N4007 PCT J29 L2 39 mH G2 1 N4007 S 1,25A L3 0,6µH G3 0,6µH G3 3Y 360 T1 BUZ BOA L4 22 rH G4 BYW 29 - 150 T2 BC 639 L5 140 µH G5 BYW 32 OK CNY 17 F 1 V TL 431 G6 BY 360 Z BZX 83/C9 V1 3 Patentansprüche 1 Figur

Claims (3)

  1. Patentansprüche g Schaltnetzteil mit einem Sperrwandler, enthaltend 1) einen Transformator (Tr) mit mindestens einer primärseitigen und mindestens einer sekundärseitigen Wicklung (Primärwicklung W1 bzw. Sekundärwicklung w4), 2) einen insbesondere als Feldeffekttransistor ausgefUhrten Schalttransistor (T1), der im Kreis einer Eingangsspannungsquelle in Reihe mit der Primärwicklung (w1) liegt, 3) eine integrierbare Schaltung (IS), die den Schalttransistor (T1) ansteuert, 4) einen im Kreis einer Last in Reihe zur Sekundärwicklung (w4) liegenden ersten Gleichrichter (G4) und 5) eine Schaltung (Schutzschaltung), die die beim Abschalten des Schalttransistors (T1) auftretenden Spannungsspitzen reduziert, mit 5a) einem Kondensator (erster RückschlagkondensatorC15) parallel zum Schalttransistor (T1), b) einem ohmschen Widerstand (Dämpfungswiderstand R19) in Reihe zum Rückschlagkondensator (C15) und c) einem zweiten Gleichrichter (G5) in Reihe zum ersten Rückschlagkondensator (C15) sowie parallel zum Dämpfungswiderstand (R19); d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß 5d) die Schutzschaltung einen weiteren Kondensator (zweiter Rückschlagkondensator C16) umfaßt, der im Lastkreis quer zur Sekundärwicklung (W4) liegt und dabei zwischen die Sekundärwicklung (W4) und den ersten Gleichrichter (G4) geführt ist, und daß e) das aus dem Dämpfungswiderstand (R19) und dem zweiten Gleichrichter (G5) gebildete Glied zwischen der Primärwicklung (w1) und dem Schalttransistor (T1) eingefügt ist.
  2. 2. Schaltnetzteil für einen Eingangsspannungsbereich zwischen U1 und U2 (U1sU2), nach Anspruch 1, d a d u r ch g e k e n n z e i c h n e t, daß der im wesentlichen aus den Streuinduktivitäten des Transformators (Tr) und dem zweiten Rückschlagkondensator (C16) gebildete LC-Resonanzkreis bei einem Eingangsspannungswert U3 in Resonanz schwingt, der zwischen (U1 + U2)/2 und U2 liegt.
  3. 3. Schaltnetzteil für einn Eingangsspannungsbereich zwischen U1 und U2 (U1<U2), nach Anspruch 1 oder 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß U1 und U2 Werte von höchstens 90V bzw. mindestens 265V haben.
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