DE3445775C2 - Kapazitiver Halbleiterdruckaufnehmer - Google Patents

Kapazitiver Halbleiterdruckaufnehmer

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    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI75426C (fi) * 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
DE3635462A1 (de) * 1985-10-21 1987-04-23 Sharp Kk Feldeffekt-drucksensor
JPS62156879A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Nec Corp 半導体圧力検知装置の製造方法
JPH0750789B2 (ja) * 1986-07-18 1995-05-31 日産自動車株式会社 半導体圧力変換装置の製造方法
JP2811768B2 (ja) * 1989-07-17 1998-10-15 株式会社デンソー 半導体式加速度センサおよびその製造方法
JP2822486B2 (ja) * 1989-09-27 1998-11-11 株式会社デンソー 感歪センサおよびその製造方法
JP2517467B2 (ja) * 1990-10-05 1996-07-24 山武ハネウエル株式会社 静電容量式圧力センサ
FI115487B (fi) 2004-05-03 2005-05-13 Vti Technologies Oy Menetelmä kapasitiivisen paineanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen paineanturi
JP4930258B2 (ja) * 2007-08-06 2012-05-16 トヨタ車体株式会社 スライドドア装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55115370A (en) * 1979-02-27 1980-09-05 Fujitsu Ltd Electrostatic type converter
US4332000A (en) * 1980-10-03 1982-05-25 International Business Machines Corporation Capacitive pressure transducer

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