DE3443770C2 - - Google Patents

Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einer monolithisch integrierten Schaltung nach der Gattung des Hauptanspruchs.

Es sind verpolungsgeschützte Schaltungen bekannt, die einen Schalt­ transistor verwenden, in dessen Ausgangskreis eine Diode eingesetzt ist. Die Basis des Schalttransistors ist mit einer Steuerschaltung verbunden, die den Transistor öffnet oder sperrt. Die Kollek­ tor-Emitter-Strecke des Schalttransistors und die Diode verbinden die Ausgangsklemmen, die beispielsweise durch die Reihenschaltung einer Glühlampe und einer Batterie miteinander verbunden sind. Wird die Polung der Batterie versehentlich vertauscht, so sperrt die im Ausgangskreis des Schalttransistors befindliche Diode. Würde man diese Diode in einer monolithisch integrierten Schaltung durch eine Kollektor-Basis-Diode realisieren, so könnte mit dieser Diode eine maximale Spannung entsprechend der Kollektor-Basis-Durchbruchs­ spannung gesperrt werden. Für den Fall, daß die Batterie richtig gepolt ist und der Schalttransistor gesperrt ist, läßt sich bei dieser Schaltung mit dem Transistor lediglich eine maximale Spannung entsprechend der Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung sperren, die bekanntlich erheblich niedriger ist als die Kollektor-Basis-Durch­ bruchsspannung. Insbesondere für den Einsatz in Kraftfahrzeugen, wo im Bordnetz hohe Spannungsspitzen auftreten können, sind bisher keine monolithisch integrierten Transistorschaltstufen bekannt, die gegen hohe Stoßspannungen und gegen Verpolung sicher geschützt sind.

Aus der DE-OS 32 30 741 ist eine monolithisch integrierte Schaltung nach der Gattung des Hauptanspruchs bekannt, bei der die Transistor­ schaltstufe als Feldeffekttransistor ausgebildet ist, der von einer ersten Steuerspannung ansteuerbar ist. An die Steuerelektrode des Thyristors ist ein weiterer, ebenfalls als Feldeffekttransistor aus­ gebildeter Transistor angeschlossen, der eine zweite Transistor­ schaltstufe bildet, die von einer zweiten Steuerspannung unabhängig von der ersten Transistorschaltstufe ansteuerbar ist. Die dem Thyristor abgewandten Enden der Schaltstrecken der beiden Tran­ sistorschaltstufen sind hierbei miteinander verbunden. An die Steuerelektrode des Thyristors ist darüber hinaus eine frei wählbare Steuerspannung anlegbar, mit der der Thyristor gezündet werden kann.

Aus der Zeitschrift "Solid-State Electronics", Volume 25, No. 5, 1982, Seite 346, ist darüber hinaus eine Schaltung mit einer Tran­ sistorschaltstufe zum Ein- und Ausschalten eines Verbrauchers be­ kannt, bei der in den Ausgangskreis der Transistorschaltstufe ein Thyristor derart eingesetzt ist, daß der Thyristor anodenseitig mit dem Verbraucher und kathodenseitig mit der Schaltstrecke der Tran­ sistorschaltstufe verbunden ist. Die Transistorschaltstufe besteht hierbei aus einem normalerweise abgeschalteten, mit seiner Drain-Elektrode an die Kathode des Thyristors und mit seiner Source-Elektrode an die Steuerelektrode des Thyristors angeschlos­ senen n-Kanal-Feldeffekttransistor, so daß der Stromfluß durch den Verbraucher durch die an das Gate des Feldeffekttransistors ange­ legte Spannung gesteuert wird.

Aus dem Lehrbuch von Horst Müseler und Thomas Schneider, "Elektronik: Bauelemente und Schaltungen", 2. Auflage, Carl Hanser Verlag, 1981, Seiten 194 und 195, ist es weiterhin bekannt, einen Thyristor aus einem vertikalen npn-Transistor und einem lateralen pnp-Transistor aufzubauen. Der Kollektor des vertikalen npn-Tran­ sistors ist dabei an die Basis des lateralen pnp-Transistors und die Basis des vertikalen npn-Transistors an den Kollektor des lateralen pnp-Tran­ sistors angeschlossen. Der Emitter des vertikalen npn-Transistors bildet die Kathode, der Emitter des lateralen pnp-Transistors die Anode und der Kollektor des lateralen pnp-Transistors die Steuer­ elektrode (Gate) des Thyristors.

Aus der US-PS 44 00 711 ist weiterhin eine monolithisch integrierte Schutzschaltung bekannt, in der ein Thyristor, der in der be­ schriebenen Weise aus einem vertikalen npn-Transistor und einem lateralen pnp-Transistor aufgebaut ist, mit einem als Feldeffekt­ transistor ausgebildeten Halbleiterschalter zusammenarbeitet. Die Anode des Thyristors ist dabei an die Source-Elektrode, die Kathode des Thyristors an das Gate und die Steuerelektrode des Thyristors an die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors angeschlossen. Eine gegen möglicherweise auftretende Überspannungen zu schützende Leitung eines Fernsehgeräts ist hierbei an die Anode des Thyristors gelegt, während die Kathode des Thyristors an Masse gelegt ist.

Aufgabe, Lösung und Vorteile der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Schaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bei Ausbildung der Tran­ sistorschaltstufe als npn-Schalttransistor diesen Schalttransistor gegen Überspannungen und gegen Verpolung zu schützen.

Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Durch die Verwendung eines Thyristors anstelle der sonst zum Schutz des npn-Schalttransistors verwendeten Diode lassen sich erheblich höhere Spannungen sperren, die mehr als 140 Volt betragen können. Durch die in den Unteransprüchen 2 bis 9 aufgeführten Merkmale sind vorteilhafte Weiterbildungen und Ver­ besserungen der im Patentanspruch 1 angegebenen Schaltung möglich.

Zeichnung

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 eine bekannte Schaltung mit Verpolungsschutz,

Fig. 2 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung,

Fig. 3 eine Weiterbildung der in Fig. 2 dargestellten Schaltungs­ anordnung,

Fig. 4 eine Ausführung mit einer als Darlington-Schaltung aus­ geführten Transistorschaltstufe und

Fig. 5 eine Variante der in Fig. 4 dargestellten Schaltungsan­ ordnung.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

Die in Fig. 1 dargestellte Schaltung besitzt als Transistorschalt­ stufe einen npn-Transistor T1, dessen Kollektor mit der Kathode einer Diode D1 verbunden ist. Die Anode der Diode D1 ist an eine Ausgangsklemme A angeschlossen. Der Emitter des Transistors T1 ist mit einer zweiten Ausgangsklemme B verbunden, die außerdem über einen Widerstand R1 mit der Basis des Transistors T1 verbunden ist. Der Basisanschluß des Transistors T1 bildet den Steuereingang S, an dem durch Anlegen einer geeigneten Spannung der Transistor T1 ge­ öffnet oder gesperrt werden kann. Zwischen den Anschlußklemmen A, B ist die Serienschaltung aus einem Lastwiderstand R2 und einer Batterie U_B angeschlossen. Würde man beim An­ schließen die Klemmen A und B vertauschen, so daß an der Anschlußklemme A ein negativeres Potential als an der Anschlußklemme B anliegt, würde die Diode D1 sperren. In einer molithisch integrierten Schaltung würde die Diode D1 durch eine Kollektor-Basis-Diode gebildet werden, so daß eine Spannung von ca. 100 V entsprechend der Kollektor-Basis-Durchbruchsspannung gesperrt werden könnte. Ist dagegen die Klemme A wie in der Zeichnung dargestellt positiv gegenüber der Klemme B, so kann der Transistor T1 im abgeschalteten Zustand lediglich eine maximale Spannung entsprechend der Kollektor-Emitter- Durchbruchsspannung sperren, die bekanntlich erheblich niedriger ist als die Kollektor-Basis-Durchbruchs­ spannung, Die Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung liegt etwa bei 40 V.

Um die Grenzwerte der genannten Sperrspannungen erheblich zu erhöhen, wird entsprechend der in Fig. 2 dargestellten Schaltungsanordnung anstelle der Diode D1 ein symme­ trischer Thyristor T verwendet, der aus einem npn- Transistor T20 und einem lateralen pnp-Transistor T21 besteht. Dabei ist der Emitter des npn-Transistors T20 mit dem Kollektor des Schalttransistors T1 verbunden, während der Emitter des pnp-Transistors T21 mit der An­ schlußklemme A verbunden ist. Die Basis des Transistors T20 ist mit dem Kollektor des Transistors T21 verbunden und bildet die mit einer Steuerklemme C verbundene Steuerelektrode. Der Kollektor des Transistors T20 ist mit der Basis des Transistors T21 verbunden.

Dieses Ersatzschaltbild für den Thyristor T entspricht direkt der Ausführung eines Thyristors in monolithisch integrierter Technik. Wichtig ist dabei, daß der Transistor T21 symmetrisch ausgeführt ist. Dies bedeutet, daß sein Emitter-Basis-pn-Übergang in etwa eine gleich hohe Spannung sperrt wie sein Kollektor-Basis-Übergang. Emitter und Kollektor des Transistors T21 sind deshalb durch die Basis-Diffusion des Transistors T20 gebildet.

Die Steuerschaltung ST, die mit dem Steuereingang S ver­ bunden ist, stellt eine an sich bekannte Schaltungsan­ ordnung zur Ansteuerung eines Schalttransistors dar, weshalb diese Schaltung nicht näher erläutert wird.

Die in Fig. 3 dargestellte Schaltungsanordnung ist gegen­ über der von Fig. 2 durch Schaltmittel ergänzt, die im wesentlichen über die Steuerklemme C die Steuerelektrode des Thyristors T ansteuern. Außerdem ist ein zusätzlicher Transistor T31 vorgesehen, der beim Auftreten von aus­ gangsseitigen Überspannungen öffnet und damit den Transistor T1 sperrt. Bei Auftreten hoher Ausgangs­ spannungen öffnet nämlich die Diode D30, so daß am Widerstand R35 eine positive Spannung ansteht, die den Transistor T31 über den Widerstand R31 öffnet. Die weiteren Schaltelemente der in Fig. 3 dargestellten Schaltung werden anhand von Fig. 4 erläutert.

Die in Fig. 4 dargestellte Schaltungsanordnung stellt die bevorzugte Ausführungsform dar. Mit dieser Schaltung können Stoßspannungen beider Polaritäten von über 140 V störungsfrei gesperrt werden. Als Schaltstufe wird hier eine Darlington-Schaltung zweier Transistoren T10 und T11 verwendet. Die Basis von dem Transistor T10 ist an die Steuerschaltung ST angeschlossen. Der Basis-Emitter- Widerstand R1 von Fig. 1 und Fig. 2 ist hier durch zwei Transistoren T31 und T32 ersetzt. Im normalen Arbeits­ spannungsbereich der Schaltung sind diese beiden Transis­ toren T31, T32 stromlos, so daß ein kleiner Strom der Steuerschaltung ST genügt, um die Transistoren T10 und T11 in Sättigung zu schalten. Zwischen dem gemeinsamen Kollek­ tor dieser Darlington-Schaltung und der Anschlußklemme A liegt der aus den beiden Transistoren T20 und T21 be­ stehende Thyristor, dessen Steuerelektrode über einen Widerstand R21 mit der Anschlußklemme A verbunden ist. An die Anschlußklemme A ist über einen Lastwiderstand R2, der beispielsweise eine Glühlampe repräsentiert, der Pluspol einer Spannungsquelle U_B angeschlossen. Deren Minuspol ist mit der zweiten Anschlußklemme B verbunden.

Die weiteren Schaltmittel sind dazu erforderlich, um den Strom durch die Schaltung bei Überspannung zu unterbrechen und die Anordnung zwischen den Klemmen A und B in einen "hochsperrenden" Zustand zu versetzen. Hierzu ist die Steuerklemme C über einen Widerstand R30, eine Z-Diode D30 und eine weitere Z-Diode D31 mit der Klemme B ver­ bunden. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R30 und der Z-Diode D30 liegt an der Basis eines weiteren pnp-Transistors T30, dessen Emitter mit der Steuerklemme C und dessen Kollektor mit dem Emitter des Transistors T20 verbunden ist. Der Verbindungspunkt der beiden Z-Dioden D30 und D31 liegt einerseits über einen Widerstand R31 an der Basis des Transistors T31, andererseits über einen weiteren Widerstand R32 an der Basis eines Transistors T32, dessen Basis gleichzeitig noch über einen Widerstand R33 mit der Anschlußklemme B verbunden ist. Der Kollektor des Transistors T32 ist mit dem Emitter des Transistors T10 und sein Emitter mit der Anschlußklemme B verbunden. Außerdem ist noch zwischen Basis und Emitter des Transis­ tors T21 ein Widerstand R34 geschaltet, damit der Thyri­ stor T20, T21 nicht durch aus der Basis von dem Transis­ tor T21 herausfließende Ströme gezündet wird. Diese Ströme könnten durch parasitäre Kapazitäten bei Spannungs­ fronten hoher Änderungsgeschwindigkeit entstehen.

Im normalen Arbeits-Spannungsbereich der Spannungsquelle U_B funktioniert die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 4 wie folgt: Es wird zunächst angenommen, daß die Steuerschaltung ST keinen Strom in die Basis des Transistors T10 liefert, so daß dieser Transistor T10 und der Transistor T11 stromlos bleiben. Dadurch bleibt die gesamte Schaltung stromlos, so daß durch den Lastwiderstand R2 kein Strom fließt. Eine eventuell als Lastwiderstand eingesetzte Glühlampe bleibt somit dunkel, Liefert die Steuerschaltung ST dagegen einen hinreichend großen Strom in die Basis der Darlington- Schaltung T10, T11, so geht diese in Sättigung. Vom Plus­ pol der Batterie fließt zunächst Strom über die Wider­ stände R2, R21 auf die Steuerklemme C des durch die beiden Transistoren T20 und T21 gebildeten Thyristors. Der Tran­ sistor T20 öffnet und der Thyristor zündet. Es fließt der reguläre Betriebsstrom durch den Lastwiderstand R2, so daß die als Lastwiderstand verwendete Glühlampe leuchtet. Wird nun der Eingangsstrom der Darlington-Schaltung T10, T11 von der Steuerschaltung ST ausgeschaltet, so wird die Darlington-Schaltung wieder stromlos und die Glühlampe erlischt.

Bei auftretender Überspannung läuft die Abschaltung in der Schaltungsanordnung von Fig. 4 wie folgt ab: Im Normalfall ist die Anschlußklemme A positiver als die Anschlußklemme B. Steigt die Batteriespannung U_B über den normalen Betriebsspannungsbereich hinaus an, so steigt auch der Betriebsstrom durch den Lastwiderstand R2 an, so daß die Darlington-Schaltung T10, T11 aus der Sättigung herauskommt. Von jetzt ab steigt die Spannung zwischen dem Kollektor des Transistors T10 und der Anschlußklemme B mit der Betriebsspannung weiter an. Erreicht der Kollektor ein Potential, welches der Durchbruchsspannung der Z-Diode D30 entspricht, so fließt von der Anschlußklemme A über die Widerstände R21, R30 und die Z-Diode 30 und den Wider­ stand R31 und über die Basis-Emitterstrecke des Transis­ tors T31 Strom zur Klemme B. Der Transistor T31 wird leit­ fähig, geht in Sättigung und entzieht somit dem Transis­ tor T10 seinen Ansteuerstrom. Die Darlington-Schaltung T10, T11 und der Thyristor T werden stromlos. Steigt nun die Spannung weiter an, fließt auch über die Basis des Transistors T32 Ansteuerstrom zum Emitter, so daß auch der Transistor T32 in Sättigung geht und die Basis des Tran­ sistors T11 niederohmig mit seinem Emitter verbindet. Der pnp-Transistor T30 wird ebenfalls leitfähig und verbindet die Steuerelektrode des Thyristors T niederohmig mit dem Emitter des Transistors T20. Damit ist bei allen hochver­ stärkenden Transistoren T10, T11, T20 die Basis extrem niederohmig mit ihrem Emitter verbunden. Diese Transis­ toren erreichen die maximal mögliche Sperrspannung. Bei dem Lateral-Transistor T21 sind Basis und Emitter über den Widerstand R34 verbunden. Anstelle des Widerstandes R34 kann auch ein weiterer Lateral-Transistor eingesetzt werden, dessen Basis dann über einen Widerstand mit einem geeigneten Teilerpunkt der Widerstandskette R21, R30 zu verbinden ist.

Die an der Darlington-Schaltung T10, T11 maximal mögliche Kollektor-Emitter-Spannung wird auf einen Wert begrenzt, der durch die Summe der Durchbruchsspannungen der Z-Dioden D30 und D31 gegeben ist. Wird diese Schaltungsanordnung als monolithisch integrierte Schaltung realisiert, so kann die Durchbruchsspannung der Z-Diode D30 ungefähr gleich der Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung der Dar­ lington-Schaltung T10, T11 oder darunter gewählt werden. Für die Durchbruchsspannung der Z-Diode D31 gilt, daß die Summe der Durchbruchsspannungen beider Z-Dioden D30, D31 stets sicher unter der Kollektor-Basis-Durchbruchsspannung der Darlington-Schaltung T10, T11 liegen muß.

Mit der in Fig. 4 dargestellten Schaltung lassen sich somit Überspannungen bis in die Gegend des doppelten Wertes der Kollektor-Basis-Durchbruchsspannung eines Transistors beherrschen. Je nach den Anforderungen an Sperrfestigkeit und Änderungsgeschwindigkeit der Spannungsfront kann diese Schaltung vereinfacht werden. So können der Transistor T32, die Widerstände R32 und R33 durch einen einfachen Widerstand zwischen Basis und Emitter des Transistors T11 ersetzt werden.

Im Verpolungsfall - falsche Polarität an den Anschluß­ klemmen A, B - arbeitet die Schaltung gemäß Fig. 4 wie folgt: Die Anschlußklemme A ist negativ gegenüber der Anschluß­ klemme B, so daß die Z-Dioden D31, D30 in Flußrichtung ge­ schaltet sind. Es liegt damit praktisch die volle Spannung an dem aus den Widerständen R30, R21 bestehenden Spannungs­ teiler, die sich entsprechend dem Teilerverhältnis auf den Lateraltransistor T30 und den Widerstand R21 aufteilt. Der Widerstand R34 bewirkt einen zusätzlichen Strom zum Sub­ strat, der jedoch hinreichend klein gehalten werden kann. Die Anordnung sperrt auch im Verpolungsfalle eine ähnlich hohe Spannung wie bei richtiger Polung, da die Emitter- Basisdiode des Transistors T21 erheblich über die Kollek­ tor Basis-Durchbruchsspannung eines npn-Transistors be­ lastbar ist. Im Schaltungsaufbau (Layout) ist die Wanne der Widerstände R21 und R30 potentialfrei anzuordnen. Diese Forderung läßt sich jedoch durch eine Diode zwischen der Anschlußklemme A und dem Widerstand R21 vermeiden.

Vorteilhafterweise wird die Steuerschaltung ST so ausge­ legt, daß sie den über die Transistoren T10, T11 fließen­ den Strom auf einen Wert begrenzt, der zum Betrieb des Lastwiderstandes R2 ausreicht.

Durch die in Fig. 4 dargestellte Schaltungsanordnung lassen sich die in einem ungeschützten Bordnetz eines Kraftfahrzeugs vorkommenden maximalen Stoßspannungen von ca. 150 V mit einer kostengünstigen monolithischen Tech­ nologie beherrschen.

Bei dem in Fig. 5 dargestellten Schaltungsausschnitt ist anstelle des in Fig. 4 verwendeten Widerstandes R33 ein parallel zur Z-Diode D31 geschalteter Widerstand R35 ver­ wendet. Bei dieser Ausführungsform schalten bei ent­ sprechendem Spannungsanstieg die Transistoren T31 und T32 gleichzeitig ab.

Claims (9)

1. Monolithisch integrierte Schaltung mit einer Transistorschalt­ stufe zum Ein- und Ausschalten eines Verbrauchers (R2), bei der in den Ausgangskreis der Transistorschaltstufe ein Thyristor (T) derart eingesetzt ist, daß der Thyristor (T) anodenseitig mit dem Ver­ braucher (R2) und kathodenseitig mit der Schaltstrecke der Tran­ sistorschaltstufe verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die aus einem npn-Schalttransistor (T1) bestehende Transistorschaltstufe mit ihrem Kollektor mit der Kathode des Thyristors (T) verbunden ist, daß die Steuerelektrode (C) des Thyristors (T) mit dem Emitter eines pnp-Transistors (T30) verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des npn-Schalttransistors (T1) und dessen Basis über wenigstens eine Z-Diode (D30, D31) mit dem Emitter des npn-Schalt­ transistors (T1) und über einen ersten Widerstand (R30) mit der Steuerelektrode (C) des Thyristors (T) verbunden ist, und daß die Steuerelektrode (C) des Thyristors (T) über einen zweiten Widerstand (R21) mit dessen Anode (A) verbunden ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des pnp-Transistors (T30) über zwei in Serie geschaltete Z-Dioden (D30, D31) mit dem Emitter des npn-Schalttransistors (T1) verbunden ist, daß am Verbindungspunkt zwischen den beiden Z-Dioden (D30, D31) ein Basis-Vorwiderstand (R31) angeschlossen ist, der mit der Basis eines npn-Hilfstransistors (T31) verbunden ist, daß der Kollektor des npn-Hilfstransistors (T31) mit der Basis des npn-Schalttran­ sistors (T1) und der Emitter des npn-Hilfstransistors (T31) mit dem Emitter des npn-Schalttransistors (T1) verbunden ist.

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Verbindungspunkt der beiden Z-Dioden (D30, D31) und den Emitter des npn-Schalttransistors (T1) ein Widerstand (R35) gelegt ist.

4. Schaltung nach Anspruch 1, bei der der npn-Schalttransistor (T1) aus einem Treibertransistor (T10) und einem Leistungstransistor (T11) besteht, die in Darlington-Schaltung miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des pnp-Transistors (T30) über zwei in Serie geschaltete Z-Dioden (D30, D31) mit dem Emitter des Leistungstransistors (T11) verbunden ist, daß am Ver­ bindungspunkt zwischen den beiden Z-Dioden (D30, D31) zwei Basis-Vorwiderstände (R31, R32) angeschlossen sind, die jeweils mit der Basis eines zugehörigen npn-Hilfstransistors (T31, T32) ver­ bunden sind, daß die Kollektoren dieser beiden npn-Hilfstransistoren (T31, T32) jeweils mit der Basis eines der beiden in Darling­ ton-Schaltung miteinander verbundenen Transistoren (T10, T11) ver­ bunden sind und daß die Emitter der beiden npn-Hilfstransistoren (T31, T32) mit dem Emitter des Leistungstransistors (T11) verbunden sind.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis eines der beiden npn-Hilfstransistoren (T31, T32) mit dem Emitter des Leistungstransistors (T11) über einen Widerstand (R33) verbunden ist.

6. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Verbindungspunkt der beiden Z-Dioden (D30, D31) und den Emitter des Leistungstransistors (T11) ein Widerstand (R35) gelegt ist.

7. Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor (T) aus einem vertikalen npn-Transistor (T20) und einem lateralen pnp-Transistor (T21) be­ steht, wobei der Kollektor des vertikalen npn-Transistors (T20) an die Basis des lateralen pnp-Transistors (T21) und die Basis des vertikalen npn-Transistors (T20) an den Kollektor des lateralen pnp-Transistors (T21) angeschlossen ist und der Emitter des verti­ kalen npn-Transistors (T20) die Kathode, der Emitter des lateralen pnp-Transistors (T21) die Anode (A) und der Kollektor des lateralen pnp-Transistors (T21) die Steuerelektrode (C) des Thyristors (T) bildet.

8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der laterale pnp-Transistor (T21), der Bestandteil des Thyristors (T) ist, symmetrisch ausgeführt ist.

9. Schaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Basis und den Emitter des lateralen pnp-Transistors (T21), der Bestandteil des Thyristors (T) ist, ein Widerstand (R34) geschaltet ist.