DE3436440A1 - Halbleiter-messeinrichtung - Google Patents

Halbleiter-messeinrichtung

Info

Publication number
DE3436440A1
DE3436440A1 DE19843436440 DE3436440A DE3436440A1 DE 3436440 A1 DE3436440 A1 DE 3436440A1 DE 19843436440 DE19843436440 DE 19843436440 DE 3436440 A DE3436440 A DE 3436440A DE 3436440 A1 DE3436440 A1 DE 3436440A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor chip
annular groove
intermediate carrier
measuring device
extension piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19843436440
Other languages
English (en)
Inventor
Karl-Günter Dipl.-Phys. 8024 Deisenhofen Ehrler
Heinz 8014 Neubiberg Hagen
Klemens Dipl.-Ing. Heimer
Burkhard Dipl.-Phys. 1000 Berlin Krisch
Manfred Dipl.-Phys. Dr. 8525 Uttenreuth Poppinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19843436440 priority Critical patent/DE3436440A1/de
Publication of DE3436440A1 publication Critical patent/DE3436440A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/145Housings with stress relieving means
    • G01L19/146Housings with stress relieving means using flexible element between the transducer and the support

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Child & Adolescent Psychology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

  • Halbleiter-Meßeinrichtung
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Meßeinrichtung mit in einem Gehäuse angeordneten Sensor-Chip, insbesondere einem Silizium-Drucksensor, welcher Sensor-Chip über einen Zwischenträger auf der Stirnfläche eines metallischen oder keramischen Ansatzstükkes angeordnet ist. Das Ansatzstück kann ein separater Zylinder, der elektrisch isoliert im Gehäuse eingebracht ist, oder auch als Podest Teil des Gehäuses selbst sein.
  • Halbleiter-Sensoren finden in der Technik zunehmend Eingang als mikroprozessorkompatible Meßeinrichtungen.
  • Sie können beispielsweise als Meßfühler für Temperatur oder mechanische Größen, wie insbesondere des Druckes, des Differenzdruckes sowie des Absolut druckes verwendet werden, wobei vom Sensor ein geeignetes Signal erzeugbar ist, das nach Digitalisierung von einer Rechnereinheit direkt verarbeitet werden kann. Vorteilhaft ist speziell bei Silizium-Sensoren, daß bei der Fertigung die gut beherrschbaren Herstellungstechnologien für integrierte Schaltkreise zur Verfügung stehen.
  • Halbleiter-Sensoren werden aus einem sogenannten Chip mit darauf befindlichen, problemangepaßten Meßfühler gebildet: Beispielsweise sind zur Realisierung eines Drucksensors einer Siliziummembran durch Ionenimplantation Widerstandsbahnen integriert, wobei die druckabhängigen Biegespannungen der Membran zu Widerstandsänderungen nach dem piezoresistiven Effekt führen. Für die praktische Verwendung wird der eigentliche Chip mit einem Zwischenträger in ein Gehäuse eingebaut. Das Gehäuse dient zur Handhabung des Sensors sowie Applikation in den Meßprozeß und muß derart aufgebaut sein, daß es die Einleitung der jeweiligen Meßgröße und die Ausleitung des Signals erlaubt.
  • Beim Einbau von Sensoren in ein Gehäuse besteht das Problem, mechanische Vorspannungen, die durch unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten von Gehäusematerial und Halbleitermaterial zustande kommen, in ihrem Einfluß auf das Meßsignal zu eliminieren. Häufig werden die Sensoren beim Einbau ins Gehäuse mit einem solchen Material verbunden, das für Glaseinschmelzungen geeignet ist.
  • Bei Drucksensoren für den industriellen Einsatz ist es zwingend notwendig, den Sensor-Chip elektrisch gegenüber dem Gehäuse zu isolieren. Dies erfolgt zweckmäßigerweise dadurch, daß der Sensor-Chip auf einen Zylinder aus einer solchen Legierung aufgebracht wird, die durch Glaseinschmelzung mit dem Gehäuse verbunden werden kann. Für Anwendungen, bei denen die elektrische Isolierung nicht gefordert ist, wird der Sensor häufig mit einem Podest, das Teil der Bodenplatte des Gehäuses ist, verbunden, wobei letztere die durch Glaseinschmelzungen eingebauten Kontaktdurchführungen trägt. Dabei muß berücksichtigt werden, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient von für Glaseinschmelzungen geeigneten Legierungen etwa doppelt so groß wie der Ausdehnungskoeffizient von Silizium ist. Die Verbindung des Sensor-Chips mit dem Zylinder oder dem Podest, im folgenden einheitlich als Ansatzstück bezeichnet, unter Einschluß des Zwischenträgers erfolgt üblicherweise mittels eines Lötprozesses, wobei die Löttemperatur deutlich über der höchsten Betriebstemperatur des Druck- messers liegen muß. Bei Gold-Zinn als Lötmaterial werden etwa Temperaturen von 310°C erreicht.
  • In der Praxis entstehen Schwierigkeiten dadurch, daß sich beim Abkühlen nach dem Löten die metallischen Teile stärker als der Sensor-Chip zusammenziehen, so daß der Chip mit Zwischenträger an der Lötstelle unter Druckspannungen steht und leicht verformt wird. Dadurch steht der Membranbereich unter Zugspannungen, was Einflüsse auf die Kenndaten des Druckmessers hat: Einerseits wird die Membran biegesteifer, so daß die Empfindlichkeit abnimmt. Andererseits können sich die Zugspannungen unterschiedlich auf die verschiedenen Widerstände auswirken und führen deshalb zu einer Nullpunktsspannung. Darüber hinaus verändert sich bei Temperaturänderungen die Zugspannung, so daß die Empfindlichkeit und Nullpunktsspannung eine vorspannungsbedingte Änderung mit der Temperatur erfahren.
  • Da der Einfluß der Vorspannung auf den Sensor-Chip von Herstellungstoleranzen beeinflußt wird, ist er elementspezifisch. Die sich so ergebenden Toleranzen in Nullpunktsspannung, Empfindlichkeit und Temperaturgang von Nullpunktsspannung und Empfindlichkeit machen daher einen Prüf- und Abgleichaufwand bei der Kompensation dieser Störgrößen notwendig.
  • Vom Stand der Technik sind bereits Maßnahmen bekannt, mit denen die Vorspannung des Sensor-Chips verringert werden soll. Beispielsweise wird in der DE-OS 31 28 188 vorgeschlagen, daß der Sensor-Chip mit einem Halter verbunden ist, der aus einem speziellen Legierungsmaterial mit austenitischem Gefüge besteht, das Fe, Co und Ni enthält und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 3,5 x 10-6/K oder weniger über einen Temperaturbereich zwischen 304C und 400"C aufweist, d.h. also einen dem Silizium angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat. Eine solche Speziallegierung ist aber vergleichsweise teuer; außerdem ist die angegebene Legierung nicht für Glaseinschmelzungen geeignet. Um die geforderte elektrische Isolierung des Chips im Gehäuse zu erreichen, wird daher beim Stand der Technik der Zwischenträger aus Glas ausgebildet. Aufgrund der unterschiedlichen Kompressibilitäten von Glas und Silizium führt dieser Aufbau zu hydrostatischen Druckeinflüssen auf das Meßsignal, zu deren Beseitigung aufwendige Konstruktionen notwendig sind, die in der DE-OS 30 47 619 angegeben sind. Da das spezielle Legierungsmaterial nach der DE-OS 31 28 188 einen wesentlich anderen thermischen Ausdehnungskoeffizienten als das Metallgehäuse hat, muß zum Abbau der dadurch verursachten Vorspannungen der Zylinder eine gewisse Länge haben. Dadurch wird aber die Baugröße der gesamten Meßeinrichtung ungünstig beeinflußt.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, bei einer Halbleiter-Meßeinrichtung der eingangs genannten Art die unerwünschten Vorspannungen des Sensor-Chips wesentlich zu reduzieren, ohne daß bestimmte Anforderungen an Konstruktion und/oder Material des Gehäuses gestellt werden. Damit soll gewährleistet werden, daß die gesamte Meßeinrichtung kompakt bleibt und kostenmäßig befriedigend realisiert werden kann.
  • Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Zwischenträger rückseitig eine außerhalb des Ansatzstückes verlaufende Ringnut aufweist.
  • Durch die Ringnut lassen sich die bisher auftretenden Vorspannungen des Sensor-Chips beim Einbringen in das Gehäuse beseitigen. Besonders vorteilhaft ist, daß eine solche Ringnut ohne großen Aufwand durch Ätzen oder durch Elektroerosion erzeugt werden kann. Weitere konstruktive Änderungen am Gehäuseaufbau sind nicht notwendig.
  • In Weiterbildung der Erfindung läßt sich eine weitere Verbesserung dadurch erzielen, daß auf der dem Sensor-Chip zugewandten Seite des Zwischenträgers zusätzlich eine flache Ausnehmung eingebracht ist. Diese Ausnehmung ist der Membran angepaßt und verläuft bei kreisförmiger Membran entsprechend konzentrisch. Die zusätzliche Ausnehmung ist insbesondere dann wichtig, wenn die Meßmembran des Sensor-Chips kleiner ist als die Stirn fläche des Ansatzstückes oder wenn der Sensor-Chip eine ringförmige Meßmembran aufweist. Dabei ist in jedem Fall der Durchmesser der Ausnehmung größer als der Außendurchmesser der Ringnut, so daß sich im Zwischenträger Materialverringerungen ergeben. Es soll aber gewährleistet sein, daß der Zwischenträger im Bereich von Ringnut und Ausnehmung eine Restdicke von 1/3 bis 2/3, vorzugsweise 1/2, seiner ursprünglichen Dicke hat.
  • Die Erfindung läßt sich vorteilhaft bei industriell einsetzbaren Meßeinrichtungen, bei denen die Meßzelle gegenüber dem Gehäuse unbedingt elektrisch isoliert sein muß, anwenden. Aber auch bei Meßeinrichtungen ohne Isolierung der Meßzelle ergeben sich bei geringem Aufwand entsprechende Vorteile.
  • Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Figurenbeschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung, wobei auch auf die optimale Dimensionierung von Ringnut und Ausnehmung eingegangen wird.
  • Es zeigen jeweils in grobschematischer Schnittdarstellung Figur 1 eine gesamte Meßeinrichtung mit Gehäuse sowie die Figuren 2 bis 4 drei bezüglich Meßmembran, Zwischenträger und/oder Ansatzstücke unterschiedlich ausgebildete Meßzellen, die den herkömmlichen Teil der Anordnung nach Figur 1 ersetzen können.
  • Die Figuren sind nicht streng maßstäblich zueinander gezeichnet. Identische Teile sind in den Figuren durchweg mit gleichen Bezugszeichen versehen.
  • In Figur 1 ist in ein metallisches Gehäuse 1 ein Zylinder 2 eingebracht. Das Gehäuse 1 und der Zylinder 2 bestehen aus Legierungen, die für Glaseinschmelzungen geeignet sind. Die Legierungen vom Gehäuse 1 und Zylinder 2 können unterschiedlich sein. Der Zylinder 2 ist durch die angedeutete Glaseinschmelzung 3 in das Gehäuse 1 dicht eingebracht. Auf dem Zylinder 2 befindet sich die eigentliche Meßzelle 5, die aus einem Sensor-Chip 6 und einem Zwischenträger 7 besteht. Der Sensor-Chip 6 ist durch Abfolge mehrerer halbleitertechnologischer Verfahrensschritte zu einem Meßfühler ausgebildet: Beispielsweise weist er eine dünne Membran mit darin ionenimplantierten Widerstandsstrecken auf, die aufgrund der Membraneigenschaften druckempfindlich sind. Durch Schaltung mehrerer solcher Widerstandsstrecken nach Art einer Wheatstone'schen Brücke läßt sich bei Druckbeaufschlagung ein elektrisches Signal gewinnen.
  • Der Zwischenträger 7 besteht ebenfalls aus Silizium, so daß er die gleichen mechanischen Eigenschaften wie der Chip 6 hat. Zylinder 2 und Zwischenträger 7 sind hohlzylindrisch ausgebildet, so daß der Sensor-Chip 6 beid- seitig durch ein Druckmedium beaufschlagt werden kann.
  • Es sind jedoch auch geschlossene Systeme möglich, mit denen ein Absolutdruck gegen Vakuum meßbar ist.
  • Weiterhin ist in Figur 1 eine ebenfalls durch Glaseinschmelzung isoliert eingebrachte Durchführung 8 vorhanden, von der eine elektrische Leitung 9 als Signalanschluß zum Sensor-Chip 6 führt. Weitere vorhandene Anschlüsse sind nicht dargestellt.
  • In Figur 2 ist ein Sensor-Chip mit 10 bezeichnet.
  • Ersichtlich ist der Membranbereich 11, der beispielsweise bei rotationssymmetrischem Aufbau der Anordnung entsprechend kreisförmig ist. Der Sensor-Chip 10 ist auf einem Zwischenträger 15 angeordnet, der die Dicke d hat, die etwa der Dicke des Sensor-Chips entspricht.
  • Auf der Rückseite des Zwischenträgers ist um den Zylinder 2 herumlaufend eine Ringnut 16 eingebracht, deren Tiefe etwa der halben Dicke d des Zwischenträgers 15 entspricht. Es ergibt sich zwangsläufig, daß der innere Durchmesser D2 der Ringnut 16 größer als der Durchmesser D1 des Zylinders 2 ist. Der äußere Durchmesser der Ringnut 16 ist mit D3 bezeichnet.
  • Die durch den Lötprozeß erzeugten mechanischen Materialspannungen werden durch die Ringnut 16 aufgenommen.
  • Das bisher unvermeidliche, unerwünschte Verbiegen von Zwischenträger 15 und Sensor-Chip 10 ist damit weitgehend ausgeschlossen. Vorspannungen in der Druckmembran 11 sind damit weitgehend eliminiert.
  • Die beschriebene Ringnut 16 läßt sich bei der Fertigung in einfacher Weise durch Ätzen oder Elektroerosion einbringen. Bei üblicher Dimensionierung des Sensor-Chips 10 und Zwischenträgers 15 hat sich eine Breite der Ringnut von 200 bis 300 um als geeignet erwiesen; es sind auch größere Abmessungen möglich, wobei die Breite nicht mehr als 500 um betragen sollte, um den Zwischenträger 15 nicht unnötig zu schwächen.
  • In Figur 3 ist eine Meßzelle dargestellt, bei der ein Sensor-Chip 20 speziell mit einer Ringmembran 21 ausgebildet ist. Im mittleren Bereich befindet sich daher eine Verdickung 22. Der Zylinder 2 entspricht den anderen Ausführungsbeispielen. Im Zwischenträger 25 ist eine Figur 2 entsprechende Ringnut 26 eingebracht.
  • Oberhalb der Ringnut 26 ist an der dem Sensor-Chip 20 zugewandten Seite des Zwischenträgers 25 eine flache, kreisförmige und konzentrische Ausnehmung 28 vorhanden.
  • Der Außendurchmesser D4 der Ausnehmung 28 ist dabei größer als der Außendurchmesser D3 der Ringnut 26.
  • In Figur 4 ist eine Meßzelle mit Sensor-Chip 30 und Meßmembran 31 dargestellt, bei welcher der Membranbereich besonders kompakt ist. Gleichzeitig soll diese Ausführungsform auch bei solchen Meßeinrichtungen anwendbar sein, bei denen eine aufwendige elektrische Isolierung der Meßzelle gegenüber dem Gehäuse nicht notwendig ist. Das Ansatzstück 23 ist dabei Teil des Gehäuses 32 und hat den Durchmesser D1 und wird durch Drücken des Gehäusebodens erzeugt. Beim Ansatzstück 32 mit vorgegebener Große der Stirnfläche kann die Meßmembran 31 in ihrem Durchmesser D5 kleiner als der Außendurchmesser D1 des Ansatzstückes 33 sein. Demzufolge liegt die in den Zwischenträger 35 eingebrachte Ringnut 36 außerhalb des eigentlichen Membranbereiches.
  • Es ist daher ebenfalls im Zwischenträger 35 auf der dem Sensor-Chip 30 zugewandten Seite eine flache Ausnehmung 38 eingebracht. Der Durchmesser D4 der Ausnehmung 38 ist wiederum größer als der Außendurchmesser D3 der Ringnut 35 und größer als der Durchmesser D5.
  • Die Ringnut kann wieder die gleiche Tiefe wie bei den anderen Ausführungsbeispielen haben. Als Tiefe für die Ausnehmung 38 hat sich etwa 50 um als geeignet erwiesen. Bei der konstruktiven Ausbildung ist darauf zu achten, daß trotz der Materialaussparungen eine genügende Stabilität des Zwischenträgers 35 gegeben bleibt.
  • Da bei Figur 3 und Figur 4 die jeweilige Ringnut und Ausnehmung im Zwischenträger 25 bzw. 35 übereinander verlaufen, sollen deren Tiefen hl und h2 so abgestimmt sein, daß die Restdicke des Zwischenträgers bei etwa 1/3 bis 2/3 der Normaldicke d verbleibt. Bei einer Dicke d=400 um ist beispielsweise ein Wert hl=150 pm für die Tiefe der Ringnut und ein Wert h2=50 pm für die Tiefe der Ausnehmung geeignet.
  • Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde durchweg von rotationssymmetrisch aufgebauten Meßzellen mit kreisförmigen Membranen ausgegangen. Sensor-Chip Meßmembran, Ringnut und/oder Ausnehmung können jedoch auch andere Formen, beispielsweise eine rechteckige, aufweisen, was am prinzipiellen Aufbau der erfindungsgemäßen Meßeinrichtung nichts ändert.
  • Für weitere Meßzwecke sind entsprechend problemangepaßte Sensor-Chips aufbaubar: Beispielsweise können mechanische Größen, wie Kraft, Beschleunigung, Geschwindigkeit, Durchfluß oder auch die Temperatur mit derartigen Meßeinrichtungen gemessen werden. Gegebenenfalls können andere Halbleitermaterialien für die Herstellung des Sensor-Chips verwendet werden.
  • 9 Patentansprüche 4 Figuren Leerseite

Claims (9)

  1. Patentansprüche 1. Halbleiter-Meßeinrichtung mit in einem Gehäuse angeordneten Sensor-Chip, insbesondere einem Silizium-Drucksensor, welcher Sensor-Chip über einen Zwischenträger auf der Stirnfläche eines metallischen oder keramischen Ansatzstückes angeordnet ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Zwischenträger (15, 25, 35) rückseitig eine außerhalb des Ansatzstückes (2, 32) verlaufende Ringnut (16, 26, 36) aufweist.
  2. 2. Meßeinrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Ringnut (16, 26, 36) eine Tiefe von 1/4 bis 1/2 der Dicke (d) des Zwischenträgers (15, 25, 35) hat.
  3. 3. Meßeinrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Ringnut (16, 26, 36) eine Breite (D3 - D2) von 1/2 bis 3/2 der Dicke (d) des Zwischenträgers (15, 25, 35) hat.
  4. 4. Meßeinrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Zwischenträger (25, 35) zusätzlich auf seiner dem Sensor-Chip (20, 30) zugewandten Seite eine Ausnehmung (28, 38) aufweist.
  5. 5. Meßeinrichtung nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Durchmesser (D4) der Ausnehmung (28, 38) größer als der Außendurchmesser (D2) der Ringnut (26, 36) ist.
  6. 6. Meßeinrichtung nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Zwischenträger (25, 35) im Bereich von Ringnut (26, 36) und Ausnehmung (28, 38) eine Restdicke von 1/3 bis 2/3, vorzugsweise 1/2, seiner ursprünglichen Dicke (d) hat.
  7. 7. Meßeinrichtung nach Anspruch 1, wobei als Sensor-Chip ein Silizium-Drucksensor verwendet ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Zwischenträger (15, 25, 35) aus Silizium besteht und etwa die gleiche Dicke (d) wie der Sensor-Chip (10, 20, 30), vorzugsweise zwischen 200 und 500 um, hat.
  8. 8. Meßeinrichtung nach Anspruch 3 und 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Ringnut (16, 26, 36) eine Breite (D3 - D2) kleiner als 500 um, vorzugsweise zwischen 200 und 300 um, hat.
  9. 9. Meßeinrichtung nach Anspruch 6 und 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Ausnehmung (28, 38) eine Tiefe zwischen 20 und 70 pm hat.
DE19843436440 1984-10-04 1984-10-04 Halbleiter-messeinrichtung Withdrawn DE3436440A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843436440 DE3436440A1 (de) 1984-10-04 1984-10-04 Halbleiter-messeinrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843436440 DE3436440A1 (de) 1984-10-04 1984-10-04 Halbleiter-messeinrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3436440A1 true DE3436440A1 (de) 1986-04-10

Family

ID=6247100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19843436440 Withdrawn DE3436440A1 (de) 1984-10-04 1984-10-04 Halbleiter-messeinrichtung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3436440A1 (de)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0311613A1 (de) * 1986-06-23 1989-04-19 Rosemount Inc Spannungsfreie nicht elastische montage eines druckübertragers.
DE3840941A1 (de) * 1987-12-07 1989-06-15 Vaisala Oy Druckwandler
WO1991005231A1 (de) * 1989-09-29 1991-04-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur messung mechanischer kräfte und kraftwirkungen
EP0427261A2 (de) * 1989-11-10 1991-05-15 Texas Instruments Deutschland Gmbh Halbleiter-Druck-Messfühler verbunden mit einem Trägerelement
US5070735A (en) * 1989-05-30 1991-12-10 Siemens Aktiengesellschaft Pressure sensor
US5661244A (en) * 1994-10-05 1997-08-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pressure sensor
US6044711A (en) * 1997-01-10 2000-04-04 Psi-Tronix, Inc. Force sensing apparatus
DE19848256C2 (de) * 1998-02-06 2002-08-08 Mitsubishi Electric Corp Halbleiter-Druckmeßvorrichtung
DE19939118C2 (de) * 1998-10-16 2002-10-17 Mitsubishi Electric Corp Drucksensor
WO2004001358A1 (de) * 2002-06-22 2003-12-31 Robert Bosch Gmbh Hochdruck-sensor mit silizium-membran und lotschicht
JP2005221351A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Yokogawa Electric Corp 圧力センサ及び圧力センサの製造方法
WO2009060069A2 (de) * 2007-11-09 2009-05-14 Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg Druck-messeinrichtung
DE102009046692A1 (de) 2009-11-13 2011-05-19 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druck-Messeinrichtung
DE102014119396A1 (de) 2014-12-22 2016-06-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmesseinrichtung
DE102015116059A1 (de) 2015-09-23 2017-03-23 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
DE102015117736A1 (de) 2015-10-19 2017-04-20 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
DE102016107856A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmesseinrichtung
WO2018033348A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Füllkörper zur reduktion eines volumens einer druckmesskammer
DE102017127704A1 (de) * 2017-11-23 2019-05-23 Endress+Hauser SE+Co. KG Druckmesseinrichtung

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0311613A4 (de) * 1986-06-23 1989-04-27 Rosemount Inc Spannungsfreie nicht elastische montage eines druckübertragers.
EP0311613A1 (de) * 1986-06-23 1989-04-19 Rosemount Inc Spannungsfreie nicht elastische montage eines druckübertragers.
DE3840941A1 (de) * 1987-12-07 1989-06-15 Vaisala Oy Druckwandler
US5070735A (en) * 1989-05-30 1991-12-10 Siemens Aktiengesellschaft Pressure sensor
WO1991005231A1 (de) * 1989-09-29 1991-04-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur messung mechanischer kräfte und kraftwirkungen
EP0427261A3 (en) * 1989-11-10 1991-09-18 Texas Instruments Deutschland Gmbh Semiconductor pressure sensor connected to a support element
DE3937522A1 (de) * 1989-11-10 1991-05-16 Texas Instruments Deutschland Mit einem traegerelement verbundener halbleiter-drucksensor
EP0427261A2 (de) * 1989-11-10 1991-05-15 Texas Instruments Deutschland Gmbh Halbleiter-Druck-Messfühler verbunden mit einem Trägerelement
US5661244A (en) * 1994-10-05 1997-08-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pressure sensor
US6044711A (en) * 1997-01-10 2000-04-04 Psi-Tronix, Inc. Force sensing apparatus
DE19848256C2 (de) * 1998-02-06 2002-08-08 Mitsubishi Electric Corp Halbleiter-Druckmeßvorrichtung
DE19939118C2 (de) * 1998-10-16 2002-10-17 Mitsubishi Electric Corp Drucksensor
US7152483B2 (en) 2002-06-22 2006-12-26 Robert Bosch Gmbh High pressure sensor comprising silicon membrane and solder layer
WO2004001358A1 (de) * 2002-06-22 2003-12-31 Robert Bosch Gmbh Hochdruck-sensor mit silizium-membran und lotschicht
DE102005004793B4 (de) * 2004-02-05 2011-02-10 Yokogawa Electric Corporation Drucksensor und Verfahren zum Herstellen eines Drucksensors
JP2005221351A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Yokogawa Electric Corp 圧力センサ及び圧力センサの製造方法
DE102007053859A1 (de) 2007-11-09 2009-05-14 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druck-Messeinrichtung
WO2009060069A3 (de) * 2007-11-09 2010-10-28 Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg Druck-messeinrichtung
US8304844B2 (en) 2007-11-09 2012-11-06 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Pressure measuring device
WO2009060069A2 (de) * 2007-11-09 2009-05-14 Endress+Hauser Gmbh+Co.Kg Druck-messeinrichtung
DE102009046692A1 (de) 2009-11-13 2011-05-19 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druck-Messeinrichtung
US10768069B2 (en) 2014-12-22 2020-09-08 Endress+Hauser Se+Co.Kg Pressure measuring device for protection of pressure sensor from thermomechanical stress
DE102014119396A1 (de) 2014-12-22 2016-06-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmesseinrichtung
WO2016102120A1 (de) 2014-12-22 2016-06-30 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
DE102015116059A1 (de) 2015-09-23 2017-03-23 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
WO2017050582A1 (de) 2015-09-23 2017-03-30 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
DE102015117736A1 (de) 2015-10-19 2017-04-20 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
WO2017067707A1 (de) 2015-10-19 2017-04-27 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Druckmesseinrichtung
DE102016107856A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmesseinrichtung
WO2018033348A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Füllkörper zur reduktion eines volumens einer druckmesskammer
DE102016115197A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Füllkörper zur Reduktion eines Volumens einer Druckmesskammer
CN109642844A (zh) * 2016-08-16 2019-04-16 恩德莱斯和豪瑟尔欧洲两合公司 用于减少压力测量室的容积的填充体
US10969287B2 (en) 2016-08-16 2021-04-06 Endress+Hauser SE+Co. KG Filling body for reducing a volume of a pressure measurement chamber
CN109642844B (zh) * 2016-08-16 2021-09-28 恩德莱斯和豪瑟尔欧洲两合公司 用于减少压力测量室的容积的填充体
DE102017127704A1 (de) * 2017-11-23 2019-05-23 Endress+Hauser SE+Co. KG Druckmesseinrichtung
US11226249B2 (en) 2017-11-23 2022-01-18 Endress+Hauser SE+Co. KG Pressure measuring device having a footprint of a first joint area of a support body

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3436440A1 (de) Halbleiter-messeinrichtung
DE69807876T2 (de) Kapazitiver druckwandler mit verbessertem elektrodenträger
DE2237535C2 (de) Druckwandler
DE69210041T2 (de) Entwurf von piezoresistivem drucksensor aus silizium
DE68916384T2 (de) Druckwandler, anwendbar in Ölbohrungen.
DE2926154C2 (de) Drucksensor mit einer Halbleitermembran
DE3741941C2 (de)
DE3047276C2 (de) Differenzdruckmesser
DE3814109C2 (de) Kondensatoranordnung zur Verwendung in Druckfühlern
DE10153319B4 (de) Mikrosensor
DE2820478A1 (de) Kapazitiver druckfuehlerwandler und verfahren zu seiner herstellung
DE3003449A1 (de) Drucksensor
DE2709834A1 (de) Kapazitiver druckfuehler
DE3635462A1 (de) Feldeffekt-drucksensor
DE19743749A1 (de) Halbleiterdrucksensor
DE3505926A1 (de) Kapazitiver druckmesser fuer absolutdruck
EP2904363B1 (de) Drucksensor mit deckschicht
DE2848856A1 (de) Kapazitiver druckwandler
DE3026785C2 (de)
EP1876434A2 (de) Vorrichtung zum Messen von Kräften, insbesondere Drucksensor, und zugehöriges Herstellverfahren
EP0995979B1 (de) Druckaufnehmer
DE4133008C2 (de) Kapazitive Drucksensoren und Herstellungsverfahren hierzu
DE69714204T2 (de) Druckmessgerät
DE3814110A1 (de) Kapazitiver druckgeber
DE2617731A1 (de) Druckmesswandler

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee