DE3435339A1 - Kapazitives hoehen(lagen)messgeraet sowie verfahren und vorrichtung zum eichen eines solchen hoehenmessgeraets - Google Patents
Kapazitives hoehen(lagen)messgeraet sowie verfahren und vorrichtung zum eichen eines solchen hoehenmessgeraetsInfo
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Description
Henkel, Pfenning, Feiler, Hänzel & Meinig
Patentanwälte
Ejropear, Patern Att<x'.e-»E
Zugelassene Verrete· vor et"
E^'cpa'sc^e1". Patenta-n;
Dr ph;· G Henke: München
D'^i -ing J Refining. Bern'»
D: ret na; L Feiier Mjncne^
Dip:-!ng VV. Hanzei. Wjncnen
Dip; -Phys K H Meinig Berim
Dr ing A Butenschon, Benin Uipi.-ing. υ. NOu.iiann, !/tuncnen
Mohisuaße 37
D-8000 München 80
D-8000 München 80
Te: 089/982085-87 Teiex 0529802 hnki α
Teiegramme. ellipsoio
CDC 836-WG
2 6. September 1984/wa
CONTROL DATA CORPORATION, Minneapolis, Minn., V.St.A.
Kapazitives Höhen(lagen)meßgerät sowie
Verfahren und Vorrichtung zum Eichen eines solchen HöhenitveßgerMts
Kapazitives Höhen(lagen)meßgerät sowie
Verfahren und Vorrichtung zum Eichen eines solchen Höhenmeßgeräts
Die Erfindung betrifft ein kapazitives Abstands- oder Höhen(lagen)meßgerät, ein Verfahren zur Bestimmung der
Lage eines Chrom-auf-Glas-Rasters sowie eine Vorrichtung
2um Eichen des kapazitiven Höhen(lagen)meßgeräts.
Es besteht ein großer Bedarf nach höchst genauen Höhenmeßgeräten für eine große Vielfalt von Anwendungen. Ein
derartiger Anwendungsbereich betrifft die Bestimmung der Lage eines Rasters (reticle) in einer Elektronenstrahl-Lithographievorrichtung.
Die Elektronenstrahl-Lithographie wird in zunehmendem Maße für die Belichtung von mit ultrahoher Genauigkeit
ausgeführten Fadennetzen bzw. Rastern bei der Herstellung von sehr hoch integrierten Schaltkreisen eingesetzt.
Eine entsprechende Vorrichtung umfaßt typischerweise ein Elektronenstrahl-Optikgehäuse über einer
Vakuumkammer, in die ein Raster eingesetzt ist. Letzteres ist eine mit einer Chromschicht bedeckte Glasscheibe,
wobei auf der Chromschicht eine Schicht eines Elektronenstrahl-Resistmaterials
angeordnet ist. Das Raster ist auf einer Bühne montiert, mit welcher es unter der
Steuerung eines Steuersystems in X- und Y-Richtung be-
wegbar ist, während der Elektronenstrahl auf der Resistschicht für die Erzeugung des gewünschten Schaltkreismusters
auf dem Raster schreibt bzw. diese belichtet. Das Steuersystem verschiebt nicht nur das Raster zur gewünschten
Χ,Υ-Koordinate für die Bühnenlage zur Belichtung, sondern steuert auch den Strahl-Ablenkwinkel
zwecks Steuerung der Stelle auf dem Raster, auf die der Elektronenstrahl auftrifft.
Eines der verschiedenen ernstlichen Probleme auf diesem Gebiet bestand bisher in der Bestimmung der genauen
Lage des Rasters in bezug auf die Elektronenstrahl-Optik. Die genaue Lage des Rasters muß dabei bestimmt
werden, um den Elektronenstrahl für das genaue Schreiben auf dem Raster einwandfrei abzulenken. Es ist
äußerst wichtig, daß eine etwaige Einrichtung zur Bestimmung der Lage des Rasters Vakuum-kompatibel und
kompakt gebaut ist und berührungsfrei arbeitet.
Zudem werden genaue Verfahren zum Eichen von kapazitiven Abstands- oder Höhen(lagen)meßgeräten benötigt.
Derartige Meßgeräte wurden bisher mittels mechanisch gemessener Abstände oder Entfernungen, z.B. mittels
Mikrometermessungen, geeicht.
Mit der Erfindung wird ein höchst genau arbeitendes kapazitives Höhenmeßgerät geschaffen, das in derzeit
bevorzugter Ausführungsform auf eine Raster-Lagenmeßeinrichtung für ein Elektronenstrahl-Lithographiegerät
angewandt ist.
Die Schaltung des kapazitiven Höhenmeßgeräts enthält
ein Hybridschaltungs-Substrat,, das vier Meßkondensatorkreise
und zwei Bezugskondensatorkreise trägt. Die angetriebenen oder Ansteuer-Platten der vier Meßkonden-
-z-
satoren sind an der Unterseite des Substrats der zu messenden Objektfläche gegenüberstehend angeordnet. Die
Ansteuer-Platten der beiden Bezugskondensatoren sind auf der Oberseite des Substrats unter Kappen angeordnet,
welche gegenüberstehend angeordnete, an Masse liegende Kondensatorplatten in einem Nennabstand von den Ansteuer-Platten
halten. Die Objektoberfläche bildet die an Masse liegende (geerdete) Platte für die vier Meßkondensatoren.
Die Bezugskondensatoren ermöglichen eine Spannungsregelung zur Gewährleistung, daß ein stabiles
Signal die Meßkondensatoren ansteuert. Die Bezugskondensatoren geben zudem auch Nullpunkte für die Messungen
von den vier Meßkondensatoren vor. Diese Nullpunkte sind auf den Nennabstand von den Meßkondensatorsensoren
gesetzt. Die vier Meßkondensatoren liefern Anzeigen oder Meßwerte (readings) bezüglich der Objektoberfläche
zur Bestimmung von deren Lage in bezug auf die Nenn-Nullpunkte. Diese Information kann von einem geeigneten
Steuersystem benutzt werden, um die Objektoberfläche oder Werkzeuge für die Bearbeitung der Oberfläche
nach Maßgabe der Lageninformation in einer für die auszuführende Aufgabe zweckmäßigen Weise zu manipulieren.
In bevorzugter Ausführungsform wird das kapazitive Höhenmeßgerät
als integrierter Teil einer Raster-Lagenmeßeinrichtung für ein Elektronenstrahl-Lithographiegerät
eingesetzt. Dabei wird zunächst der "Normalwinkel" der Ablenkung des Elektronenstrahls in bezug auf eine Eichplatte
geeicht. Sodann werden die vier Meßsensoren oder -fühler des kapazitiven Meßgeräts für die Messung der
Lage der Eichplatte und für die Eingabe dieser Lageninformation in das Elektronenstrahl-Steuersystem benutzt,
um die als "Eichungsebene" für das Raster bezeichnete Ebene festzulegen, in welcher die Eichplatte
liegt. Sodann wird das Raster unter die Elektronenstrahl-Optik bewegt. Von den vier Meßfühlern des kapazitiven
Meßgeräts werden Anzeigen bzw. Meßwerte zur Messung der Lage des Rasters abgenommen. Diese Raster-Lageninformation
wird dann auch dem Steuersystem eingegeben. Letzteres bestimmt eine etwa vorliegende Abweichung
des Rasters von der Eichungsebene und stellt den Ablenkwinkel des Elektronenstrahls nach Maßgabe der
gemessenen Abweichung zweckmäßig ein, um mit sehr hohem Genauigkeitsgrad auf der vorgesehenen Stelle des Rasters
zu schreiben.
Weiterhin ist eine Eichvorrichtung für kapazitive Höhenmeßgeräte
beschrieben, die den bisherigen mechanischen Meßverfahren bei weitem überlegen ist.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es
zeigen:
20
20
Fig. 1A eine schematische Gesamtdarstellung eines
kapazitiven Höhen(lagen)messers oder Abstandsbzw.
Höhenmeßgeräts,
Fig. 1B eine Aufsicht auf die Unterseite eines Hybridschaltungs-Substrats,
Fig. 1C eine Seitenansicht des über der Meß-Objektflache
liegenden Hybridschaltungs-Substrats des kapazitiven Höhenmeßgeräts,
Fig. 2 ein Schaltbild einer Schwingschaltung und
anderer Schaltungen zur Ansteuerung eines Bezugskondensators, einschließlich der Bezugskondensator-Rückkopplungsschleifen
zum Stabili
sieren des Ansteuersignals des Meßgeräts,
-χι Fig. 3 eine Schnitt-Seitenansicht zur Darstellung der
Linearisierung der elektrischen Feldlinien der angetriebenen oder angesteuerten Platte des
Bezugskondensators unter dem Einfluß eines Schutzrings,
Fig. 4 ein vereinfachtes Schaltbild des Meßkondensatorkreises sowie der Meßsignal-Erzeugungsschaltung
für den +X-Sensor oder -Meßfühler, 10
Fig. 5 eine schematische Darstellung der Umgebung des kapazitiven Höhenmeßgeräts bei Anwendung auf
eine Raster-Lagenmeßeinrichtung für ein Elektronenstrahl-Lithographiegerät, 15
Fig. 6 eine schematische Darstellung der Eichung des Elektronenstrahls unter Verwendung einer Eichplatte,
Fig. 7 eine schematische Darstellung der durch das
Steuersystem bewirkten Einstellung des Ablenkwinkels für den Fall, daß sich das Raster
über der Eichungsebene befindet,
Fig. 8 eine Aufsicht auf das Hybridschaltungs-Substrat des kapazitiven Höhenmeßgeräts,
Fig. 9 ein vereinfachtes Schaltbild einer Temperaturregelschaltung
bei der Erfindung,
Fig. 10 eine Seitenansicht einer Eichvorrichtung für
das kapazitive Höhenmeßgerät,
Fig. 11 eine Aufsicht auf die Vorrichtung nach Fig. 10,
35
Fig. 12 eine perspektivische Darstellung eines Inter-
ferometerprisma-Tragelements mit an dessen Vorderseite
befestigtem kapazitiven Höhenmeßgerät,
Fig. 13 ein teilweise schematisch dargestelltes Funktionsblockschaltbild
der Eicheinrichtung,
Fig. 14 ein Funktionsblockschaltbild der elektronischen
Bauteile der Eichvorrichtung und 10
Fig. 15 eine schematische Darstellung einer Prüfanordnung für das kapazitive Höhenmeßgerät.
Eine in Fig. 1a dargestellte Signalquellenschaltung
enthält einen Oszillator 15, der ein sinusförmiges Signal liefert, das zwischen zwei Spannungsregelschaltungen
20 und 24 aufgeteilt wird. Das obere Signal durchläuft einen Phase-1-Transformator 30, während das
untere Signal einen Phase-2-Transformator 32 durchläuft, so daß um 180° zueinander außer Phase liegende
Signale erzeugt werden. Diese beiden Treiber- oder Ansteuersignale werden zu einer Hybridschaltung auf
einem noch zu beschreibenden Substrat geliefert, das über der zu messenden Objektfläche angeordnet ist.
Die Hybridschaltung besteht aus Bezugskondensatorkreisen 40, 42 für Cp f - und C_ - -' sowie Meßkondensatorkreisen
50, 52, 54, 56 für C+x~, c +y~' °-χ~ und
C -Meßkondensatoren. Das Hybridschaltungs-Substrat 110
ist in den Fig. 1B, 1C und 8 dargestellt. Gemäß den
Fig. 1B und 1C sind an der der zu messenden Objektfläche
gegenüberliegenden Unterseite des Substrats nur die +X-, +Y-, -X- und -Y-Sensoren oder -Meßfühler 112,
114, 116 bzw. 118 sowie ihre zugeordneten Schutzringe
120, 122, 124 bzw. 126 angeordnet. Die restliche ünterseite bzw. Bodenfläche ist eine Masse- oder Grundebene.
-Χ
ι Gemäß Fig. 1C sind die beiden Bezugskondensatoren Cn und
Cp f 2 an ^er Oberseite des Substrats 110 angeordnet;
diese Bezugskondensatoren bestehen aus angesteuerten oder angetriebenen (driven) Platten 130 und gegenüberstehend
angeordneten Grund- bzw. Masseplatten 134, die an der Innenfläche der betreffenden Kappe 140 in einem
festen Nenn-Abstand von den · Anstener-Platten 130 angeordnet sind (vgl. Fig. 3). Die Meßkondensatoren
umfassen +X-, +Y-, -X- und -Y-Ansteuer-Sensorplatten
112, 114, 116 bzw. 118 und eine durch die zu messende Objektfläche 145 gebildete geerdete Platte (vgl.
Fig. 1C) . Die Kondensatoren Cf .. und CR - ~ enthalten
Rückkopplungsschleifen 60 bzw. 62 zur Regelung der Spannung des Oszillators zwecks Lieferung eines stabilen
Signals zu den Meßkondensatoren 50-56 (vgl. Fig.1A). Die C_ f .j-|und C- 2~Kreise 40 bzw. 42 tragen auch zur
Aufstellung von Nenn-Nullpunkten für jeden der Meßkondensatoren bei, wie dies später noch näher erläutert
werden wird. Die Ausgangssignale der Meßkondensatorkreise 50 - 56 sind an zugeordnete Meßsignal-Erzeugungsschaltungen
70, 72, 74 bzw. 76 angekoppelt, um dem Steuersystem 80 Signale zu liefern, welche die Lage der
Objektfläche 145 in bezug auf die vier Sensofen oder Meßfühler 112 - 118 angeben.
Die C. - und C -Kreise 50 bzw. 52 sowie die C v- und
+Λ +X —Λ
C„-Kreise 54 bzw. 56 werden durch um 180° außer Phase
liegende Signale angesteuert, um sicherzustellen, daß kein Gesamtstromfluß über die Objektfläche 145 nach
Masse vorliegt. Dieses Merkmal kann dann von Bedeutung sein, wenn die Objektfläche 145, wie noch näher erläutert
werden wird, ein Raster in einem Elektronenstrahl-Lithographiegerät
ist.
Nach der allgemeinen Beschreibung des kapazitiven Höhen-
-ΦΙ meßgeräts wird nunmehr auf Fig. 2 Bezug genommen, welche
die Signalguellenschaltung 10 und die CR f ^ zugeordnete
Schaltungsanordnung 40 im einzelnen veranschaulicht. Diese Schaltungsanordnung liefert auf
nachstehend erläuterte Weise ein einwandfreies, symmetrisches, sinusförmiges Treiber- oder Ansteuersignal
zu den Meßkondensatoren.
Gemäß Fig. 2 erzeugt ein programmierbarer TTL-Oszillator
150 ein Hochfrequenz-Rechteckwellensignal, das durch einen Abstimmkreis 152 in ein sinusförmiges
Signal umgewandelt wird. Dieses Signal unterliegt einer Einheits-Spannungsverstärkung und einer Stromverstärkung
durch einen Verstärker 154 und wird an einem Knotenpunkt 156 zwischen den beiden symmetrisch
angeordneten, in oberer und unterer Hälfte von Fig.2 dargestellten Schaltungen aufgeteilt. Zur Vereinfachung
der Erläuterung der Schaltungsanordnung ist zunächst nur der obere Teil dieser Anordnung beschrieben. Das
Signal fließt aufwärts über einen Widerstand R.. und
einen Feldeffekttransistor FET 1 nach Masse. Der Feldeffekttransistor
FET 1 bildet zusammen mit dem Widerstand R1 einen Spannungsteiler. Wie noch näher beschrieben
werden wird, variiert der Widerstand des Feldeffekttransistors FET 1 mit seinem Gate-Signal.
Über einen Knotenpunkt 158 wird das Signal einer Spannungsverstärkung in einem Verstärker 160 und einer
weiteren Einheits- bzw. 1:1-Spannungsverstärkung und
Stromverstärkung in einem Verstärker 162 unterworfen.
Das Signal wird dann über eine übertragungsleitung der Primärwicklung eines Aufwärts-Transformators 170
eingespeist, der durch einen zur Sekundärwicklung 174 parallelgeschalteten regelbaren Kondensator 176 auf
die Schwing- bzw. Oszillatorfrequenz abgestimmt ist.
Der Transformator 170 wirkt als Bandpaßfilter, wobei
•9*-
ein eine geringe Verzerrung besitzendes, geometrisch symmetrisches, sinusförmiges Signal auf der Oszillatorfrequenz
erzeugt und über eine übertragungsleitung 180 zu der dem Bezugskondensator CR f - zugeordneten
Hybridschaltung 40 und zu den den Meßkondensatoren C , C+Y zugeordneten Meßkreisen 50 bzw. 52 übertragen
wird. Nachstehend ist zunächst die Schaltung bzw. der Kreis 40 für CR f - beschrieben. Dioden D3 und D4 sowie
der zugeordnete Schutzring 136 sollen zunächst außer acht gelassen werden; das Signal wird dabei an einem
Knotenpunkt 190 aufgeteilt und über Gleichspannung-Sperrkondensatoren
C1 und C2 geleitet. Dioden D- und D2
sind in Halbweg-Gleichrichteranordnung zwischen Kondensatoren C-'und C2 geschaltet. Der Bezugskondensator
Cp ψ - ist zwischen die Dioden D- und D2 geschaltet.
Die Platten des Bezugskondensators CB ^ - sind in
K6X * I
einem festen, dem "Nennabstand" entsprechenden Abstand voneinander getrennt. Dieser Nennabstand entspricht
dem gewünschten Abstand (oder Entfernung) zwischen den Meßfühlerplatten 112 - 118 der Meßkondensatoren und
der Objektfläche 145. Die Ansteuerplatte 130 des Bezugskondensators C_ ^ - ist an der Oberseite des Substrats
Ke ι. 1
110 gehaltert, während die an Masse liegende*bzw. geerdete
Platte 134 an der Innenfläche der Keramik-Kappe 140 befestigt ist, die ihrerseits gemäß Fig. 3 über der
Ansteuerplatte 130 am Substrat 110 angebracht ist.
Gemäß Fig. 2 sind Spulen L- und L2 zwischen C- und D-
bzw. C2 und D2 geschaltet. Filterkondensatoren C3 und
C* sind zwischen die Spulen L- bzw. L2 und Masse geschaltet.
Das Signal von der Spule L- verläßt die Hybridschaltung über ein abgeschirmtes Koaxialkabel 194
und liegt über eine Spule L3 an Masse. Das Signal von der Spule L2 verläßt die Hybridschaltung über ein abgeschirmtes
Koaxialkabel 196 und ist über eine Spule L.
an die invertierende Eingangsklemme eines Gegen-Wirk-
Widerstandsverstärkers 200 angeschaltet. Letzterer umfaßt gemäß Fig. 2 eine an Masse liegende nicht-invertierende
Eingangsklemme und einen Rückkopplungswiderstand
R3.
Wie erwähnt, sind die Dioden D- und D2 in Halbweg-Gleichrichteranordnung
geschaltet, so daß die eine Diode sperrt, während die andere Diode leitet bzw. durchgeschaltet ist, und umgekehrt. Wenn sich das
sinusförmige Eingangssignal von seiner maximalen negativen Größe auf seine maximale positive Größe
erhöht, ist bzw. wird die Diode D. in Durchlaßrichtung
vorgespannt, so daß sie zum Aufladen des Kondensators C0 - , leitet. Wenn andererseits das Signal von seiner
maximalen positiven Größe auf seine maximale negative Größe abfällt, wird bzw. ist die Diode D~ in Durchlaßrichtung
vorgespannt, so daß sie die Ladung des Kondensators Cp f 1 ableitet. Der in der Spule L- durch das
Entladen des Kondensators CR- - erzeugte Strom wird wie
noch deutlicher werden wird - zum Regeln und Stabilisieren des den Meßkondensatoren C,„ und C,v zugeführten
Signals benutzt. Das über die Spule L1 fließende Signal wird nach Masse geleitet, weil für den Zweck der
Spannungsregelung nur der Strom an der Spule L~ überwacht zu werden braucht.
Wenn der Bezugskondensator CR f .. über die Diode D2
entlädt, blockiert der Kondensator C~ den gesamten Gleichstrom und läßt die Wechselspannungskomponente
durch, so daß ein sehr kleiner Gleichstrom über die Spule L2 fließt. Die Spule Lj ist eine sehr große Spule
in der Größenordnung von 470 μΗ zum Sperren der Wechselstrom-
oder -Spannungskomponente des Stroms. Eine etwa verbleibende Wechselspannungskomponente des Stroms wird
durch den Filterkondensator C^ ausgefiltert. Der kleine
-Κι Gleichstrom fließt von der Spule L~ über die Spule L.
und wird durch den Gegen-Wirkwiderstandsverstärker 200 in eine für den Strom über die Spule L~ repräsentative
Spannung umgesetzt. Der über die Spule L2 fließende,
dem genannten Verstärker 200 eingespeiste Strom wird mit der Größe des Widerstands R3 vervielfacht, um die Ausgangsspannung
zu liefern. Letztere wird dann dem Widerstand R. aufgeprägt und liefert einen Strom I_. , der
über einen Knotenpunkt 204 nach rechts fließt. Zur Erzeugung eines gemäß Fig. 2 von links nach rechts in den
Knotenpunkt 204 fließenden Stroms wird dem Widerstand R5
eine Bezugsspannung von +7 V aufgeprägt.
Wie vorher angedeutet, steuert das Gate-Signal zum Feldeffekttransistor FET 1 dessen Drain-Source-Widerstand.
Wenn als Anfangsbedingung vorausgesetzt wird, daß unmittelbar vor der Inbetriebnahme der Schaltungsstrom anliegt, der Oszillator jedoch abgeschaltet ist,
wird die Bezugsspannung von 7 V für den Widerstand R5
angelegt, während eine Null-Spannung am Widerstand R. anliegt. Infolgedessen wird ein maximaler Strom über
den Widerstand R5 an die invertierende Eingangsklemme eines Differentialverstärkers 210 angelegt, der dabei
sein maximales negatives Ausgangssignal von z.B. -15 V liefert, welches den Feldeffekttransistor FET 1 zum
Sperren bringt und einen größtmöglichen Widerstand nach Masse herstellt. Demzufolge sind der Stromfluß und der
Spannungsabfall über den Widerstand R.. am kleinsten,
während die Spannung am Knotenpunkt 158 am größten ist.
Wenn angenommen wird, daß Rr = 35 kXl und VR f .. = 7 V,
so fließt ein Strom IR = 20 μΑ über den Widerstand R5
unmittelbar vor Betriebsbeginn in die invertierende Eingangsklemme .
Unmittelbar nach Betriebsbeginn erzeugt diese maximale
Spannung am Knotenpunkt 156 einen maximalen Stromfluß über die Spule L- und über den Widerstand R4 vom
Knotenpunkt 204 nach rechts. Der Stromfluß über den Widerstand R4 übersteigt anfänglich den 200 μΑ großen
Strom über den Widerstand R5, welcher das Ausgangssignal
des Differentialverstärkers 210 weniger negativ werden und auf z.B. -10 V ansteigen läßt. Dementsprechend
nimmt der Widerstand des Feldeffekttransistors FET 1 proportional ab, wodurch die Spannung am Knotenpunkt
158 und damit der Strom über L2 und R4 entsprechend
verringert werden. Dieser Vorgang wiederholt sich automatisch, bis der vom Knotenpunkt 210 über den
Widerstand R. fließende Strom dem 200 μΑ betragenden Strom über den Widerstand R5 zum Knotenpunkt 210 gleich
ist. An diesem Punkt fließt der Null-Strom zur invertierenden Eingangsklemme.des Differentialverstärkers 210,
und das System sperrt oder verriegelt dementsprechend.
Gemäß obiger Berechnung liegt der Strom IR konstant
bei 200 μΑ. Um den Strom 1« auf 200 μΑ einzustellen,
4
muß im Fall von R4 = 20 kn eine Spannung von VR = 1R R4 - ("200 μΑ) (20 kn) = -4 V über den Widerstand R4 angelegt werden, um das System zu sperren oder zu verriegeln. Demzufolge muß der Ausgang des Gegen-Wirk-Widerstandverstärkers 200 an diesem Punkt -4 V betragen. Wie erwähnt, ist das Ausgangssignal des Verstärkers 200 das Produkt aus dem Widerstand R3 und dem Eingangsstrom 1L . Demzufolge gilt 1L = VmRiR3' und wenn angenommen wird, daß R3 = 50 kxi, so gilt IL = -4 V/50 kjQ = -80 μΑ. Das System stabilisert daher, wenn der über die Spule L2 fließende Strom bei den vorausgesetzten beispielhaften Parametern -80 μΑ beträgt. Es ist zu beachten, daß dieser Strom von -80 μΑ über L~ der Kapazität des Bezugskondensators CR ~ .. mit einem Plattenabstand der Nenngröße entspricht. Der Strom über die
muß im Fall von R4 = 20 kn eine Spannung von VR = 1R R4 - ("200 μΑ) (20 kn) = -4 V über den Widerstand R4 angelegt werden, um das System zu sperren oder zu verriegeln. Demzufolge muß der Ausgang des Gegen-Wirk-Widerstandverstärkers 200 an diesem Punkt -4 V betragen. Wie erwähnt, ist das Ausgangssignal des Verstärkers 200 das Produkt aus dem Widerstand R3 und dem Eingangsstrom 1L . Demzufolge gilt 1L = VmRiR3' und wenn angenommen wird, daß R3 = 50 kxi, so gilt IL = -4 V/50 kjQ = -80 μΑ. Das System stabilisert daher, wenn der über die Spule L2 fließende Strom bei den vorausgesetzten beispielhaften Parametern -80 μΑ beträgt. Es ist zu beachten, daß dieser Strom von -80 μΑ über L~ der Kapazität des Bezugskondensators CR ~ .. mit einem Plattenabstand der Nenngröße entspricht. Der Strom über die
-«τι Spule L2 ist als Bezugskondensatorsignal für CR - 1 bezeichnet.
Der Kreis 40 des Bezugskondensators C^1
ΚΘΙ · I
bewirkt somit zusammen mit der Signalquellenschaltung
die Stabilisierung des Ansteuersignals, das zu den Kreisen 50 und 52 der Meßkondensatoren C+„ bzw. C+Y geliefert
wird. Wenn die Kapazität des Bezugskondensators CR f 1 variiert* variiert die Spannung des Ansteuersignals
entsprechend; der über die Spule L- fließende Strom bleibt jedoch stabil und unverändert.
10
Es ist zu beachten, daß die Gleichspannungsschleife für den Stromfluß über die Spule L2, das Bezugskondensatorsignal
bildend, von Masse über die Elemente C0- Λ , D0,
L2, L., R- zum Ausgang des Gegen-Wirkwiderstandverstärkers
200 verläuft, der eine sehr niedrige Impedanz besitzt und daher als die Schleife abschließende oder
vervollständigende Masse wirkt. Wie später noch deutlicher werden wird, ist der Aufbau dieser Schleife von
Bedeutung.
Vor der Beschreibung der Schaltkreise für die Meßkondensatoren C v und C.„ sind im folgenden die bisher nicht
erläuterten Schutzringkreise der Schaltung zu beschreiben. Der Schutzring ist einfach eine ringförmige Kondensatorplatte
136, die gegenüber der Ansteuerplatte 130 des Bezugskondensators Cf1 isoliert und zwischen
dieser Platte 130 und dem Substrat 110 angeordnet
ist, wie dies in Fig. 3 am deutlichsten dargestellt ist. Der Schutzring 136 ist der geerdeten Platte 134
gegenüberliegend angeordnet und bildet die angesteuerte Kondensatorplatte des Kondensators (C , -). Der
Schutzring 136 umschließt und überlappt die Platte 130 des Bezugskondensators CR f 1. Gemäß Fig. 3 linearisiert
der Schutzring 136 die elektrischen Feldlinien an den Kanten der Ansteuerplatte 130 des Bezugskondensators
CR ψ - zwecks Beseitigung der Randeffekte der
Feldlinien, die andereenfal^s an den Plattenkanten auf-
treten würden. Durch Linearisieren der Feldlinien des
Bezugskondensators Cn ^ 1 egalisiert der Schutzring
diesen Bezugskondensator mit den Meßkondensatoren C+
und Cy auf später noch näher zu erläuternde Weise. 5
Eine andere wesentliche Funktion des Schutzrings 136 .
besteht darin, den Bezugskondensator CR ~ - gegen
Streu- oder Störkapazitäten abzuschirmen, die anderenfalls zwischen der Ansteuerplatte dieses Bezugskondensators
und anderen aufgeladenen oder leitfähigen Flächen in der Nähe vorhanden wären. Wenn sie nicht abgeschirmt
werden, können diese Störkapazitäten sich zu dem vom Bezugskondensator Cf1 fließenden Strom
hinzuaddieren-und damit zu Meßungenauigkeiten führen.
Der Schutzring 136 wird durch Halbweggleichrichter-Dioden
D-, D4 auf dieselbe Weise angesteuert, wie die
Platte 130 durch die Dioden D-, D„ angesteuert wird. Die Dioden D^, D4 entsprechen den Dioden D-, D„ und
erzeugen denselben Spannungsabfall wie letztere, so daß das Potential des Schutzrings 136 jederzeit dem
Potential der Platte 130 angepaßt ist. Durch Aufrechterhaltung
dieser Spannungsanpassung wird ein"Stromfluß
zwischen dem Schutzring 136 und der Ansteuerplatte 130 verhindert, und die Feldlinien an der Kante der Platte
130 werden senkrecht zur geerdeten Platte 134 gehalten. Die Kondensatoren C1 und C2 wirken auch als
Gleichspannungs- oder Gleichstrom-Sperrkondensatoren für den Schutzringkreis.
Das vom Kreis für C_, - 1 erzeugte, stabilisierte Signal
wird auf nachstehend erläuterte Weise für die Ansteuerung der Kreise 50, 52 für C,v bzw. C,v benutzt. Zur
+ Λ + X
Vermeidung einer Wiederholung der Beschreibung ist im folgenden der Kreis 50 auch repräsentativ für den
Kreis 52 beschrieben.
Der Meßkreis 50 für C+x und die Meßsignal-Erzeugungsschaltung
70 sind in Fig. 4 dargestellt. In den folgenden Erläuterungen bleiben wiederum der Schutzring 120
und die zugeordneten Dioden D12 und D13 zunächst unbeachtet.
Wie ein Vergleich von Fig. 2 mit Fig. 4 ergibt, ist der Meßkreis 50 gemäß Fig. 4 dem Bezugskondensatorkreis
40 identisch. Wenn somit das Ansteuersignal von seinem größten negativen Wert auf seinen
größten positiven Wert ansteigt, lädt die Diode D1n
einen Kondensator C,v auf, der aus der an der ünterseite
des Substrats 110 gehalterten Meßfühlerplatte 112 als AnSteuerρlatte und der Objektfläche 145 als
geerdete Platte bzw. Masse-Platte besteht (vgl. Fig.2C). Wenn das Signal von seinem größten positiven Wert auf
seinen größten negativen Wert abfällt, schaltet die Diode ΏΛΛ zur Ableitung von Ladung vom Kondensator C,v
durch. Durch dieses abwechselnde Durchschalten und Sperren der Dioden D10 und D11 wird bewirkt, daß auf
folgende Weise kleine, gleich große und entgegengesetzte Werte besitzende Gleichströme über Spulen L1n
und L11 fließen: Wenn die Diode D1 durchschaltet,
fließt Strom vom Ausgang des Gegen-Wirkwiderstandverstärkers 220, der aufgrund seiner sehr niedrigen
Impedanz effektiv geerdet ist, über die Elemente R12/
L10, L. , D1 n und C v unter Schließung der Schleife
zu Masse zurück. Der Strom über die Elemente L1n, Il10
fließt somit gemäß Fig. 4 von rechts nach links, und er kann als positiv angesehen werden. Wenn die Diode
D11 durchschaltet oder leitet, fließt Strom von Masse
über die Elemente C+x, D11/ L11' L13' R13 un<^ zum
Niedrigimpedanz-Ausgang des Gegen-Wirkwiderstandverstärkers
230 unter Vervollständigung dieser Schleife Der Strom über die Elemente L11/ 1L1 fließt somit
gemäß Fig. 4 von links nach rechts und kann als negativ vorausgesetzt werden. Es ist zu beachten, daß diese
Schleifen zueinander symmetrisch sind, weil jede der Schleifen aus äquivalenten Bauteilen besteht. Die
Stromwerte über die Elemente L10 und L-- sind somit
gleich groß, jedoch von entgegengesetzter Polarität. Die Gleichwertigkeit der Größe rührt auch davon her,
daß das Treiber- oder Ansteuersignal, wie erwähnt, ein geometrisch symmetrisches Sinussignal ist. Diese
kleinen Gleichströme bilden das Meßkondensatorsignal für C^v. Wie vorher angegeben, verläuft die Gleichstromschleife
für das Bezugskondensatorsignal über L2 von Masse über die Elemente CR ^ -, D2, L2, L. und R,
und zurück zum Ausgang des Gegen-Wirkwiderstandverstärkers 200. Außerdem wurde angegeben, daß der über
L2 liegende Strom von 80 μ,Α der Entfernung zwischen
den Platten des Bezugskondensators CRef 1 entsprechend
dem Nennabstand entspricht. Weiterhin ist bekannt, daß die Ansteuerplatte 112 von C+x der Ansteuerplatte
des Elements C_ f - identisch ist und daß sie mit
einem identischen Schutzring 120 zum Linearisieren der Feldlinien am Rand der Platte 112 ausgestattet ist.
Die Wirkung der Linearisierung der Feldlinien an den Rändern der Ansteuerplatten 112 und 130 besteht in
einer Egalisierung der geerdeten Platten 145 und 134 der Kondensatoren C, v bzw. Cn f ^ indem ihre Abmes-
+ Λ Κ6Ι . I
sungen effektiv gleich groß eingestellt werden. Die Ansteuerplatten 112, 130 beider Kondensatoren besitzen
jeweils einen Durchmesser von 6,35 mm. Die geerdete Platte für den Kondensator C+x ist die Objektfläche
145, die effektiv eine unendlich große Platte ist. Die geerdete Platte für den Kondensator CR ~ -ist
die Innenfläche 134 der Platte 140 eines Durchmessers von 12,7 mm. Da jedoch die Feldlinien an den Rändern
oder Kanten der Ansteuerplatten 112, 130 dieser
beiden Kondensatoren lotrecht liegen, beträgt der effektive Durchmesser der beiden geerdeten Platten 145,
134 jeweils 6,35 mm. Aufgrund der Wirkung der Schutzringe 136, 120 ist damit ein Plattenabstand entsprechend
dem Nennabstand C„ dem Bezugskondensator CR~ - elektrisch
gleich. Unter der Voraussetzung, daß die Entfernung zwischen dem Meßfühler 112 und der Objektfläche
145 dem Nennabstand entspricht, ergeben sich somit gleich große und entgegengesetzte Ströme von 80 μΑ
über die Elemente L10 und L11, weil die Gleichstromschleifen
für die Elemente L10 und L11 der Gleichstromschleife
für das Element L_ gleich sind. Wie noch deutlicher werden wird, bildet dieser, durch den C f ..-Kreis
40 und den Signalquellenkreis 10 gesetzte oder vorgegebene Strompegel von 80 μΑ sowie ein noch zu beschreibendes
Bezugssignal den "Null-Punkt" für die Höhe des Meßfühlers 112 über der Objektfläche 145.
Um zu belegen, daß der Strompegel von 80 μΑ dem NuIl-Punkt
für den Meßkondensator C+„ entspricht, sei als
erste Bedingung angenommen, daß die Objektfläche 145 genau im Nennabstand unter dem Meßfühler 112 liegt.
Ist dies der Fall, so beträgt der Strom über' die Spule L10, wie erwähnt, +80 μΑ. Gemäß Fig. 4 fließt
dieser Strom in die Meßsignal-Erzeugungsschaltung Im Fall von R12 = 50 kil beträgt mithin das invertierende
Eingangssignal zum Gegen-Wirkwiderstandsverstärker 220 +80 μΑ, während dessen Ausgangssignal am
Knotenpunkt 235 +4 V beträgt. Es liegt eine feste Bezugsspannung V f 2 von 7 V vor, die einen "Bezugssignal"-Strom
über den Widerstand R1-. (von 43,75 k/l )
in den Knotenpunkt 235 injiziert. Durch diese Bezugsspannung VR f 2 wird über den Widerstand R1_ und im
Fall von R12 = 50 kXl ein Strom von -160 μΑ erzeugt,
der am Knotenpunkt 235 ein Potential von (50 kjQ) (-160 μΑ)
= -8 V induziert. Das Gesamtpotential am Knotenpunkt
beträgt daher 4 V - 8 V = -4 V. Dieses Potential von -4 V liegt am invertierenden Eingang des Differentialverstärkers
240 an. Der gleich große und (potentialmäßig) entgegengesetzte Strom von 80 μΑ über die Spule
L-- wird durch den Gegen-Wirkwiderstandsverstärker in eine Ausgangsspannung von V_R4 = 1L11R^ = (~80 μΑ)
(50 k/J) = -4 V umgewandelt, sofern R-3 = 50 kXl gilt.
Dieses Signal von -4 V wird an den nicht-invertierenden Eingang des Differentialverstärkers 240 angelegt,
welcher das Signal von -4 V am invertierenden Eingang von dem Signal von -4 V an seinem nicht-invertierenden
Eingang zur Ableitung eines Null-Ausgangssignals subtrahiert. Dieses Null-Ausgangssignal entspricht dem
!5 "Null-Punkt" für den +X-Meßfühler insofern, als es dem
Steuersystem 80 anzeigt, daß sich der Meßfühler im Nennabstand über der Objektfläche befindet. Das VR f ~~
Bezugssignal zusammen mit dem Ansteuersignal vom Cp r: --Kreis 40 und vom Signalquellenkreis 10 vereinigen
sich zur Einstellung dieses Null-Punkts. Es ist zu beachten, daß der Gesamtbetrieb der Schaltungsanordnung
darin besteht, das Meßkondensatorsignal vom
C+x~Kreis 50 mit dem von V _ 2 gelieferten Bezugssignal
zu vergleichen. Das an den Knotenpunkt 2 35 angelegte VR f „-Bezugssignal ist für den Nenn-Plattenabstand
repräsentativ. Die Meßsignal-Erzeugungsschaltung 70 vergleicht somit das Meßkondensatorsignal mit
einem Nenn-Plattenabstand-Bezugssignal zur Bestimmung
der Abweichung der Platten des Elements C+x vom Nenn-
QQ abstand. Da vorliegend angenommen wurde, daß die Platten
des Elements CJV im Nennabstand voneinander entfernt
sind, liefert die Schaltung 70 ein Null-Abweichsignal.
gc Nunmehr sei angenommen, daß die Objektfläche 145 in
einem kürzeren Abstand als dem Nennabstand angeordnet
ist, so daß sich die Kapazität des Elements C v erhöht
+ Λ
und ein Strom von +82 μΑ über die Spule L^0 fließt,
während über die Spule L^1 ein Strom von -82 μΑ fließt.
Der Gegen-Wirkwiderstandsverstärker 220 besitzt dabei ein Ausgangssignal entsprechend VTR- = (+82 μΑ)(+50 kli)
= 4,1 V. Am Knotenpunkt 235 beträgt das Potential 4,1 8 = -3,9 V. Am invertierenden Eingang des Differentialverstärkers
240 liegen somit -3,9V an.
Der Gegen-WirkwiderStandsverstärker 230 liefert andererseits
ein Ausgangssignal von -4,1 V, das an der nichtinvertierenden Eingangsklemme des Differentialverstärkers
240 anliegt. Letzterer bestimmt durch Subtraktion die Differenz zwischen -4,1 V und -3,9 V zu -0,2 V und
multipliziert bzw. vervielfacht diese Größe mit einem Gewinn von z.B. 50 zur Lieferung eines Ausgangssignals
2 42 von -10 V. Dieses Ausgangssignal von -10 V wird
durch das Steuersystem zur Anzeige dafür interpretiert, daß sich die Objektfläche in einem bestimmten Abstand
(scaled distance), der kleiner ist als der Nennabstand, dichter am +X-Meßfühler befindet.
Die Schaltungsanordnung vergleicht wiederum das Meßkonden satorsignal von 82 μΑ mit dem für den Nenn-Plattenabstand
repräsentativen VR ^ --Signal. Das Ausgangssignal der
Meßsignal-Erzeugungsschaltung 70 gibt daher die Abweichung des Plattenabstands der Platten des Meßkondensators
C+x vom Nennabstand an.
30
30
Die Schaltung für den (^„-Kondensator entspricht der
eben beschriebenen Schaltung für den Kondensator C v,
und sie arbeitet auf genau dieselbe Weise. Die Schaltung 40 für das Element C_ ^ Λ und die Schaltung 10 zusammen
κει · ι
mit dem VR f --Bezugssignal setzen somit den Nenn-Null-
punkt für den +Y-Meßfühler 114 auf genau dieselbe Weise.
Die beiden anderen Meßkondensatoren C v und C v werden
—Λ — χ
durch die untere Hälfte der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 angesteuert. Gemäß Fig. 2 läuft ein Signal, das
dem vom Knotenpunkt 156 über den Widerstand R1 nach
oben laufenden Signal identisch ist, vom Knotenpunkt nach unten. Dieses Signal steuert eine identische Schaltungsanordnung
an, wobei der einzige Unterschied darin besteht, daß die Sekundärwicklung 184 des Transformators
186 entgegengesetzt zu seiner Primärwicklung 182 gewickelt ist, während die Spulen oder Wicklungen 172,
174 des Transformators 170 beide in derselben Richtung gewickelt sind. Das Ergebnis besteht darin, daß ein
zum Signal, das die Elemente C-,-:-, C^v und C „ an-
Ke ι ι +λ +x
steuert, um 180° außer Phase liegendes, gleich großes und entgegengesetztes Signal die Elemente C f ^' c_y
und C_y ansteuert. Das Element C„ r 9 gewährleistet
ansonsten eine Spannungsregel-Rückkopplung auf dieselbe Weise, wie vorstehend beschrieben, zwecks Erzeugung
eines geometrisch symmetrischen und stabilen, sinusförmigen Treiber- bzw. Ansteuersignals für die Meßschaltungen
54, 56 der Elemente C v, C v. Die Schaltung
—Λ —χ
42 für CD 4T o und die Signalquellenschaltung 10 liefern
Ke x. · c·
gleich große und entgegengesetzte Strompegel von 80 μΑ über die Schaltungen 54, 156 für C v, C .T, wenn die
—Λ —χ
-X- und -Y-Meßfühler 116 bzw. 118 im Nennabstand von
der Objektfläche 145 angeordnet sind, und zwar auf genau dieselbe Weise, wie für die CR f --Schaltung 40 beschrieben.
Durch Ansteuerung der C+x~ und C+ -Schaltungen 50 bzw.
mit einem Signal, das dem die C - und C -Schaltungen
—Λ —χ
54 bzw. 56 ansteuernden signalgrößenmäßig gleich, jedoch
entgegengesetzt ist, wird ein Null betragender Ge-
saintstrom über die Objektfläche 145 durch die Meßfühler
zu jedem vorgegebenen Zeitpunkt nach Masse geleitet. Durch dieses Konstanthalten eines Null-Stromflusses
durch oder über die Objektfläche 145 wird letztere daran gehindert, aufgrund ihrer Impedanz zu
Masse ein Spannungspotential gegenüber Masse zu erzeugen. Hierdurch wird gewährleistet, daß die Objektfläche
145 auf Massepotential bleibt, auch wenn sie eine endliche, von Null verschiedene (nonzero) Impedanz
besitzt. Außerdem wird hierdurch ein geringfügiges Aufladen der Objektfläche 145 aufgrund dielektrischer
Absorption oder anderer Wirkung verhindertn. Wenn die Objektfläche 145 ein Raster in einem Elektronenstrahlsystem
ist, kann die Aufrechterhaltung eines Null-Gesamtstroms zu Masse vorteilhaft sein, wie dies
noch erläutert werden wird. In den Fällen, in denen es nicht nötig ist, einen Null-Gesamtstromfluß vom
Raster nach Masse aufrechtzuerhalten, ist die Verwendung eines Zweiphasensystems nicht erforderlich, weshalb
alle Meßkondensatoren durch ein Hochfrequenzsignal einer einzigen Phase angesteuert werden könnten.
Das erfindungsgemäße kapazitive Höhenmeßgerät soll daher nicht auf das beschriebene Zweiphasensystem beschränkt
sein.
Unabhängig davon, ob ein Zweiphasensystem verwendet wird oder nicht, werden die vier Meßfühlermessungen
nach der Verarbeitung oder Auswertung durch die zugeordnete Meßsignal-Erzeugungsschaltung dem Steuersystem
80 eingegeben, um die Lage der Objektfläche 145 in bezug auf die vier Nenn-Nullpunkte anzugeben. Das Steuersystem
kann daraufhin nach Maßgabe dieser Information entweder die Lage der Objektfläche manipulieren,
d.h. verändern, oder beispielsweise die Lage des für die Bearbeitung auf der Objektfläche verwendeten Werk-
zeugs auf die für die durchzuführende Aufgabe zweckmäßige
Weise einstellen.
Nach der Beschreibung seines allgemeinen Aufbaus ist das erfindungsgemäße kapazitive Höhenmeßgerät im folgenden
als integraler Teil eines Systems oder einer Anordnung zur Bestimmung der Lage eines Rasters 250 in einem
Elektronenstrahl-Lithographiegerät beschrieben. Aus dieser Beschreibung gehen die zahlreichen Vorteile und
besonderen Merkmale des Meßgeräts noch deutlicher hervor.
Fig. 5 veranschaulicht die Umgebung des kapazitiven Höhenmeßgeräts bei Anwendung auf ein Elektronenstrahl-Lithographiegerät.
Gemäß Fig. 5 besteht das Meßgerät aus der auf dem Substrat 110 befindlichen Hybridschaltung
und dem Rest der Schaltungsanordnung, der einfach als "Meßgerät-Elektronik" 254 bezeichnet ist. Das
Hybridschaltungs-Substrat 110 ist an der Unterseite des Elektronenstrahl-Optikgehäuses 258 in einer Lage über
. dem Chrom-auf-Glas-Raster 250 angebracht. Letzteres wird von einer Bühne 260 in einer Vakuumkammer 262 der
Vorrichtung für Bewegung in X- und Y-Richtung unter der Steuerung des Steuersystems 80 getragen. Auf die Chromschicht
268 des Rasters ist eine Schicht 266 eines Elektronenstrahl-Resistmaterials aufgebracht. Der
Elektronenstrahl 270 tritt durch eine zentrale Öffnung 111 im Substrat 110 hindurch und mustert die Resistschicht
266 mit dem gewünschten VLSI-Schaltkreismuster bei der Verschiebung des Rasters 250 in X- oder Y-Richtung.
Neben der Positionierung des Rasters 250 steuert das Steuersystem 80 den Ablenkwinkel des Elektronenstrahls
zur Gewährleistung, daß dieser mit dem für sehr hoch integrierte Schaltkreise erforderlichen Genauigkeits-
grad auf den vorgesehenen Punkt auf dem Raster auftrifft.
Im Hinblick auf die auf dem betreffenden Fachgebiet geforderte hohe Präzision muß der Elektronenstrahl 270
vor dem Schreiben auf dem Raster 250 zunächst bezüglich der vorliegenden ümgebungs™ oder ümweltbedingungen geeicht
werden. Für diesen Zweck wird eine in Fig. 6 dargestellte Eichplatte 280 verwendet, die neben dem
Raster 250 unmittelbar unter dem Elektronenstrahl-Optikgehäuse
258 auf der Bühne 260 aufgespannt ist. Die Eichplatte 280 ist mit einer leitfähigen Schicht
oder Leiterschicht 288 bedeckt, in der ein Raster 284 sehr kleiner tiicht-leitfähiger Punkte 286 ausgebildet
ist. Das Raster 284 besteht aus einer Vielzahl auf gleiche Abstände verteilter und symmetrisch angeordneter,
leitfähiger Punkte 286. Ein Punkt 290 wird durch Verschiebung der Bühne auf vorbestimmte X-, Y-Koordinaten
auf die Mittellinie des Optikgehäuses 258 zentriert. Der Punkt 290 wird als "Ausgangspunkt" bezeichnet.
Bei abgeschalteter Meßschaltung des kapazitiven Meßgeräts wird der Elektronenstrahl 270 eingeschaltet
und durch das Steuersystem sequentiell vom einen nicht-leitfähigen Punkt auf dem Raster zum nächsten
geführt. Das Steuersystem 80 erfaßt jeden aufeinanderfolgenden nicht-leitfähigen Punkt und hält an,
wenn es auf den gewünschten Punkt 294 trifft. Der Ablenkwinkel A, der nötig ist, um den Elektronenstrahl
genau auf den Punkt 294 auftreffen zu lassen, wird durch das Steuersystem registriert. Der Punkt 294 befindet
sich in einem vorgeschriebenen Abstand "d" vom Ausgangspunkt 290, weil die Geometrie des Rasters 284
bekannt ist. Der Elektronenstrahl 270 wird dann abgeschaltet, und die Meßgerät-Schaltung wird aktiviert,
um von den vier Sensoren oder Meßfühlern 112, 114, 116,
118 Eichplatten-Lagenanzeigen abzunehmen. Die zugeordnete
Meßsignal-Erzeugungsschaltung für jeden Meßfühler bestimmt die Lage der Eichplatte 280 in bezug auf den
Nenn-Nullpunkt für den Meßfühler und gibt die betreffende
Information in das Steuersystem 280 ein. Mittels an sich bekannter Mathematik wird anhand der vier Punkte
eine am besten geeignete Ebene berechnet, welche die "Eichungsebene" für das Raster 250 bestimmt.
Sobald die geeichte Ebene oder Eichungsebene bestimmt worden ist, wird die Bühne 260 zur Ausrichtung des
Rasters 250 gemäß Fig. 7 unter dem Elektronenstrahl-Optikgehäuse 258 verfahren. Der unmittelbar mit der
Mittellinie dieses Gehäuses ausgefluchtete Punkt 298 auf dem Raster 250 wird wiederum als Ausgangspunkt bezeichnet.
Der Punkt 300 entsprechend dem genauen Abstand d vom Punkt 298 ist der gewünschte Punkt für
das Schreiben auf dem Raster 250. Das in Fig. 7 in gestrichelten Linien eingezeichnete Raster befindet sich
genau in der Eichungsebene, so daß der Elektronenstrahl 270 mit dem normalen Ablenkwinkel A auf den Punkt 300
auf dem Punktraster auftrifft. Die tatsächliche Lage
des weiterhin als "Raster" bezeichneten Fadenkreuzes oder -netzes gemäß Fig. 7 isi jedoch durch
das ausgezogen eingezeichnete Raster 250 angegeben. In dieser Lage schreibt der Elektronenstrahl 270 bei Anwendung
des normalen Ablenkwinkels A auf dem Punkt 302.
Zur Vermeidung eines solchen Fehlers werden vor dem Schreiben auf dem Raster von den vier Meßfühlern 112 118
Rasterlagenanzeigen abgenommen. Diese Anzeigen werden den zugeordneten Meßsignal-Erzeugungsschaltungen
und sodann dem Steuersystem eingegeben. Die am besten geeignete oder optimale Ebene wird für die vier Punkte
berechnet. Diese Ebene ist als "Rasterebene" bezeichnet.
Das Steuersystem vergleicht die Rasterebene in der Eichungsebene und bestimmt die Abweichung. In diesem
Fall bestimmt das Steuersystem, daß sich das Raster in einem genauen Abstand über der Eichungsebene befindet,
und es stellt den Elektronenstrahl-Ablenkwinkel vom normalen Ablenkwinkel A auf einen genau korrigierten
Ablenkwinkel B ein, um sicherzustellen, daß der Elektronenstrahl auf dem genauen Punkt 300 schreibt,
unabhängig davon, daß sich das Raster 250 über der Eichungsebene befindet. Der Elektronenstrahl beschreibt
oder mustert sodann das in dieser Bühnenstellung befindliche Segment der Schaltung, und das Raster wird
zur nächsten Bühnenposition verschoben. Die Rasterlagenanzeigen werden erneut abgenommen und verarbeitet,
um die Abweichung der Rasterebene von der Eichungsebene zu bestimmen, wobei zum Kompensieren einer etwaigen
Abweichung entsprechende Einstellungen des Elektronenstrahl-Ablenkwinkels vorgenommen werden.
Dieser Vorgang wird in jeder Bühnenstellung wiederholt, bis äas Raster vollständig gemustert ist oder eine
Änderung der Umgebungsbedingungen eine neue Eichung des Elektronenstrahls rechtfertigt.
Fig. 8 veranschaulicht die Oberseite des Hybridschaltungs-Substrats
110. Wie vorher erwähnt, ist die gesamte Hybridschaltungsanordnung, mit Ausnahme der
Meßfühlerplatten 112 - 118 und der zugeordneten Schutzringe 120 - 126, auf der Oberseite des Substrats angeordnet.
Genauer gesagt: die Bezugskreise 40 und 42 sowie identische Meßkondensatorkreise 50 - 56 sind auf
der Oberseite des Substrats vorgesehen. Jeder dieser Kreise besteht aus vier Kondensatoren, vier PIN-Dioden
und zwei Spulen, jeweils in Form getrennter Bauteile, die durch auf das Substrat aufgebrachte Signalleitungen
miteinander verbunden sind. Die vier Kreise 50 - 56
leiten über die Meßfühler 112 - 118 und die zugeordneten
Schutzringe 120 - 128. Die beiden Kreise 40 und 42 sind
unmittelbar an ihre jeweiligen Ansteuerplatten 130 und
Schutzringe 136 auf der Oberseite des Substrats 110 an-
geschaltet.
Die Hybridschaltungsanordnung auf der Oberseite des Substrats umfaßt außerdem gemäß Fig. 8 Widerstandsheizstreifen
310, die im Siebdruck auf das Substrat aufgebracht sein können. Diese Streifen 310 bilden
gemeinsam den im vereinfachten Schaltbild von Fig. 9 für die Substrat-Temperaturregelschaltung gemäß der
Erfindung dargestellten Widerstand R s+.rins" Di-e Aufgabe
dieser Widerstandsstreifen besteht darin, das Substrat auf eine Temperatur um einige Grade über der
Raumtemperatur zu erwärmen und dabei ständig eine Regelung der Temperatur der Hybridschaltungsbauteile
zu gewährleisten. Gemäß Fig. 9 wird ein Rheostat 312 zur Einstellung der Soll-Temperatur des Substrats
benutzt. Diese Temperatureinstellung wird als entsprechende
Spannung von z.B. 5 V an der invertierenden Klemme des Differentialverstärkers 314 eingegeben.
Ein auf 1 μΑ/°Κ geeichter Substrat-Temperaturfühler
gibt einen der Substrattemperatur proportionalen Strom ab. Dieses Stromsignal wird an die nicht-invertierende
Eingangsklemme eines Gegen-Wirkwiderstandsverstärkers 318 angelegt, dessen invertierender Eingang mit einem
Versatzsignal VR f , zur Umwandlung des Ausgangssignals
des Verstärkers 318 in 0C beschickt wird» Das Verstärkerausgangssignal
wird dem nicht-invertierenden Eingang des Differentialverstärkers 314 aufgeprägt
und in diesem mit der Rheostateinstellung verglichen. Wenn die beiden Eingangssignale gleich sind, liefert
die Ausgangsspannung des Verstärkers den erforderlichen Spannungsabfall über die Widerstandsheizelemente R . ,
Suilp
um das Substrat auf der vorliegenden Temperatur zu halten. Wenn die Substrattemperatur unter den gewünschten
Temperaturwert abfällt, verringert sich die Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 314 unter
Vergrößerung des Spannungsabfalls über die Widerstandsstreifen , um damit die Substrattemperatur zu erhöhen.
Wenn das Substrat andererseits zu warm wird, wird der Spannungsabfall über die Widerstandsstreifen zum
Abkühlen des Substrats verkleinert. Zur Verhinderung von Temperaturgefällen sind die Widerstandsstreifen
310 gleichmäßig um das Substrat 110 herum verteilt.
Durch Regelung der Substrattemperatur auf diese Weise werden die identischen Bauteile der Bezugs- und Meßkondensatorkreise
auf gleicher Betriebstemperatur gehalten, so daß die Meßgenauigkeit des Meßgeräts vor
Temperaturdrifts geschützt ist. Da sich außerdem sowohl die Bezugs- als auch die Meßkondensatoren in derselben
"MeßUmgebung" befinden, ist das Dielektrikum zwischen
clen Platten aller dieser Kondensatoren denselben Umgebung
sänderungen oder -Schwankungen, wie Änderungen von Temperatur und Luftfeuchtigkeit, unterworfen. Wenn
somit in der Vakuumkammer Ümgebungsänderungen oder
-Schwankungen auftreten, die zu einer Änderung der Kapazität der Bezugs- und Meßkondensatoren führen,
werden diese Änderungen automatisch durch die Bezugskondensatorkreise berücksichtigt, welche den Stromfluß
über die Bezugs- und Meßkondensatorkreise unabhängig
von ümgebungsänderungen auf einer stabilen Größe halten.
Da die Umgebungseinflüsse weitgehend unterdrückt sind,
variiert der Stromfluß über die Meßkondensatoren lediglich in Abhängigkeit vom Plattenabstand. Ein anderer
bedeutsamer Vorteil der beschriebenen Hybridschaltungs-
ausführungsform besteht darin, daß die Bezugs- und Meßkondensatorkreise
nicht nur identisch und damit gleichen Umgebungseinflüssen unterworfen sind, sondern auch während
ihrer gesamten Betriebslebensdauer in derselben Umgebung angeordnet sind. Die Schaltungsbauteile altern
demzufolge im selben Grad und auf gleiche Weise, und dieser Umstand trägt weiterhin zur langfristigen Meßgenauigkeit
des Meßgeräts bei.
Ein weiteres wichtiges Merkmal der Erfindung liegt darin, daß die in den Bezugs- und Meßkondensatorkreisen
verwendeten vier Dioden PIN-Dioden extrem niedriger Kapazität sind. Diese Dioden wirken in ihrem Gegenvorspannungszustand
als äußerst kleine Kondensatoren und tragen somit nicht zum Stromfluß über die Meß- und Bezugskondensatoren bei. Darüber hinaus bleibt
die Kapazität dieser Dioden auch bei großen Tempraturabweichungen sehr klein.
Nach der Beschreibung der derzeit bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist im folgenden die Art und
Weise beschrieben, auf welche die Ausgangssignale der vier Sensoren oder Meßfühler zum Plattenabstfand in Beziehung
gebracht werden.
Die Fig. 10 und 11 veranschaulichen eine Eichvorrichtung
500, auf welcher die Meßfühler kalibriert bzw. geeicht werden. Die Vorrichtung 500 umfaßt einen Sockel
502 und drei einstellbare Stützfüße 504, die beispielsweise mittels einer Schraubverbindung verstellbar sind.
Der Sockel 205 trägt einen Lasertisch 506, der seinerseits eine Lasereinheit 508 trägt. Ein vom Sockel 502
getragenes, lotrecht hochragendes Element 510 trägt
einen Laserempfänger 512, der seinerseits am Element 510 z.B. mittels Schrauben 514 befestigt ist. Ein vom
Sockel 502 getragener Tragblock 516 haltert ein Interferometer
prisma-Tragelement 520/ das am besten in
Fig. 12 veranschaulicht ist und einen Interferometerwürfel oder ein-Prisma 522 hinter einer lotrechten
Wand haltert. Die Wand 524 ist mit einer großen öffnung 526 versehen, durch die auf noch zu beschreibende Weise
der Laserstrahl projiziert wird. Von der Stirnseite der Wand 524 gehen, wie dargestellt, vier mit Innengewinde
versehene Zapfen 528 ab. Das Substrat 110 für das kapazitive Meßgerät ist mittels Schrauben 530 mit
den Zapfen 528 verschraubt. Jede Schraube ist dabei in einer genauestens gefertigten Scheibe 532 versenkt.
Aufgrund der Anbringung des Substrats 110 auf diese Weise kann vorausgesetzt werden, daß die Substrat-Oberfläche
113 in einer praktisch senkrecht zum Strahlengang des Laserstrahls liegenden Ebene liegt. Hierbei
fluchtet die zentrale Öffnung 111 des Substrats
mit der öffnung 526 der Wand 524, so daß sie ebenfalls den Laserstrahl hindurchtreten läßt. Es ist darauf
hinzuweisen, daß der vorstehend beschriebene Teil der Eichvorrichtung, umfassend die Lasereinheit 508, den
Laserempfänger 512 und das Interferometerprisma 522,
zusammen mit der noch zu beschreibenden Laser-Elektronik als Ganzes (von der Fa. Hewlett-Packard) als Laser-Interferometer
(Modell Nr. HP55O1A) einer Auflösung von 5 nm im Handel erhältlich ist. Die beschriebenen
Bauteile bilden gemeinsam die Laser-Interferometeranordnung, mit welcher Entfernungen oder Abstände auf
noch zu beschreibende Weise genauestens meßbar sind.
Alle Bauteile der Laser-Anordnung sind an der Vorrichtung 500 starr befestigt. Der im folgenden zu beschreibende
Abschnitt der Eichvorrichtung 500 umfaßt eine Anordnung, mit welcher ein Spiegel oder Blindraster
gg durch Bewegung relativ zur Laser-Anordnung positionierbar
ist.
NACHQEREICHT
Ein Tragtisch 540 trägt ein Luftlager 542 zur Lagerung einer längster lauf enden Achse 544 für geradlinige Bewegung
mit sehr geringer Reibung. Arn Ende 546 der Achse 544 ist ein Spiegel-Tragelement 548 starr gehaltert,
das seinerseits einen lotrecht angeordneten Spiegel 550 in unmittelbarer Gegenüberstellung zu den
Meßfühlern 112, 114, 116, 118 des Substrats 110 für das kapazitive Höhenmeßgerät trägt. Die Spiegelfläche
ist elektrisch leitfähig, so daß sie auf noch zu beschreibende Weise als die eine Platte eines Meßkondensators
wirkt. Die Achse 544 trägt an der vom Spiegel 550 abgewandten Seite des Luftlagers 542 einen Treiber-
oder Antriebs-Magneten 552, der durch eine die Achse 544 umgebende und starr vom Tisch 540 getragene
Schwingspule geradlinig antreibbar, d.h. verschiebbar ist. Am Ende 558 der Achse 544 ist ein Geschwindigkeitsdämpf-Magnet
556 befestigt. Eine Geschwindigkeitsmeßspule 560 umschließt die Achse 544 in der
Nähe des Magneten 556 und wird durch den Tisch 540 in starrer Lage getragen. Die Antriebs- oder Schwingspule
554 wird j auf noch zu beschreibende Weise erregt, um den Spiegel 550 gegenüber den Meßfühlern 112 - 118
in die gewünschte Stellung zu führen. Der Geschwindigkeitsdämpf-Magnet
556 bewegt sich zusammen mit der Achse 544 und erzeugt bei seiner Bewegung eine Spannung
über die Geschwindigkeitsmeßspule 560. Diese Spannung wird auf ebenfalls noch zu beschreibende Weise
als Geschwindigkeitsdämpfsignal benutzt.
Zur Gewährleistung einer Schwingungsentkopplung der Eichvorrichtung 500 können die Stützfüße 504 auf
einem massiven Granitblock 562 ruhen, der seinerseits auf Luftkissen 564 gelagert sein kann. Zusätzlich kann
die gesamte Eichvorrichtung in ein temperaturgeregeltes Gehäuse 566 eingebaut sein.
Im folgenden ist die Arbeitsweise der Eichvorrichtung anhand des teilweise schematischen Punktions-Blockschaltbilds
gemäß Fig. 13 beschrieben.
. 5 Die - wie erwähnt - als handelsübliche Einheit erhältliche
Laser-Interferometeranordnung mit den Bauteilen 508, 522, 512 und 570 wird zur Bestimmung des Abstands
zwischen den Meßfühlern 112 - 118 und der Oberfläche des
Spiegels 550 benutzt. Erfindungsgemäß wird die Interferometeranordnung
deshalb benutzt, weil sie den besten verfügbaren "Maßstab" zur Bestimmung des Abstands zwischen
den Meßfühlern 112 - 118 und dem Spiegel 550 darstellt.
Der von der Lasereinheit 508 erzeugte Laserstrahl fällt durch den Interferometerwürfel bzw. das -prisma 522
hindurch und wird durch den Spiegel 550 zum Laserempfänger 512 zurückreflektiert. Der Laserempfänger
zeigt der Laserelektronik 570 die Lage des Spiegels an. Der Laserelektronik 570 wird auf noch zu beschreibende
Weise die gewünschte oder Soll-Stellung des Spiegels gemeldet, und sie benutzt das Eingangssignal
vom Laserempfänger 512 zur Bestimmung der Abstandsdifferenz
zwischen der Ist-Stellung und der SoIl-Stellung des Spiegels 550. Die Laserelektroik 570 gibt
sodann diese Abstandsifferenz als Fehlersignal aus. Die Benutzung dieses Fehlersignals durch die erfindungsgemäße
Vorrichtung zur Steuerung oder Einstellung der Lage des Spiegels 550 wird nachstehend noch
näher erläutert werden.
Um bei der Anordnung gemäß Fig. 13 mit dem Eichvorgang
zu beginnen, läßt ein Mikroprozessor 574 die Elektronik 576 der Eichvorrichtung die Antriebs- oder Schwingspule
554 erregen, um den Spiegel 550 in Anlage an die
vier präzise gearbeiteten Scheiben 532, die auf beschrie bene Weise am Substrat 110 befestigt sind, zu verfahren.
Die Dicke der Scheiben 532 ist sehr genau so festgelegt, daß sich der Spiegel 550 in einem Abstand von 0,508 mm
von den Meßfühlern 112 - 118 befindet. Der Mikroprozessor 574 teilt nunmehr der Laserelektronik 570 mit, daß
der Spiegel um weitere 1,016 mm von den Meßfühlern 112 118
wegbewegt werden soll. Der Laserempfänger 512 meldet der Laserelektronik 570 die augenblickliche Stellung
des Spiegels, und die Elektronik 570 erzeugt ein für die Entfernung zwischen der Ist-Stellung und der
Soll-Stellung des Spiegels 550 repräsentatives Fehlersignal. Dieses Fehlersignal wird der EichVorrichtung-Elektronik
576 eingegeben, die in Abhängigkeit davon die Antriebs- oder Schwingspule 554 erregt, um den
Spiegel 550 in die Soll-Stellung zurückzuführen. Während sich der Spiegel von den Meßfühlern 112 - 118
wegbewegt, überwacht der Laserempfänger 512 ständig die Lage oder Stellung des Spiegels, wobei sich das
von der Laserelektronik 570 erzeugte Fehlersignal bei der zunehmenden Annäherung des Spiegels 550 an die Soll-Stellung
entsprechend fortlaufend verkleinert. Bei der Bewegung des Spiegels verschiebt sich der Geschwindigkeitsdämpf-Magnet
556 relativ zur Geschwindigkeitsmeßspule 560, so daß über diese eine der Geschwindigkeit
des Magneten 556 proportionale Spannung erzeugt wird. Dieses Geschwindigkeitssignal wird der Elektronik
576 für die Eichvorrichtung als Geschwindigkeitsdämpfsignal eingespeist, um auf noch zu beschreibende Weise
ein Pendeln des Spiegels um die Soll-Stellung herum
zu verhindern. Sobald der Spiegel die Soll-Stellung erreicht, gibt die Laserelektronik 570 ein "Null-Fehlersignal"
ab, und die Eichvorrichtung 576 steuert die Antriebsspule 554 zum Anhalten des Spiegels 550 in der
ge Soll-Stellung an. Zu diesem Zeitpunkt meldet die Laser-
elektronik 570 dem Mikroprozessor 574, daß der Spiegel
550 die Soll-Stellung erreicht hat, die in dieser Anfangsphase 1,524 nun von den Meßfühlern 112 - 118 entfernt
ist. Der Mikroprozessor 574 nimmt nunmehr die Spannungsanzeigen oder -werte von den vier Meßfühlern
112 - 118 ab und speichert diese Information für jeden Meßfühler für diesen Initialisierungspunkt von 1,524 mm.
Der Mikroprozessor 574 weist sodann die Laserelektronik 570 an, den Spiegel zu einem ersten Abtastpunkt zu verschieben,
der beispielsweise 0,127 mm vom Initialisierungspunkt entfernt liegt. Die Laserelektronik 570
erzeugt wiederum ein für den Abstand von 0,127 mm zwischen der Ist-Stellung des Spiegels und der neuen Soll-Stellung
repräsentatives Fehlersignal, das wiederum von der Elektronik 576 zum Verfahren des Spiegels 550 in
die neue Soll-Stellung benutzt wird. Wenn diese Stellung erreicht ist, liefert die Laserelektronik 570
wiederum ein Null-Fehlersignal, und in Abhängigkeit davon hält die Elektronik der Eichvorrichtung den
Spiegel 550 an, während der Mikroprozessor 574 wiederum die vier Meßfühler 112 - 118 abgreift. Der Spannungswert jedes Meßfühlers 112 - 118 für diese neue Stellung
wird durch den Mikroprozessor 574 gespeichert. Der Spiegel wird hierauf nach Maßgabe des Steuerprogramms
des Mikroprozessors 574 auf dieselbe Weise zum nächsten Abtastpunkt bewegt, an welchem die Meßfühler erneut
abgegriffen werden. Auf die beschriebene Weise können ersichtlicherweise Meßfühler(anzeige)werte für jede
beliebige Zahl von Abtastpunkten gewonnen werden. Der Mikroprozessor 574 speichert diese Informationen in
Form einer Tabelle unter Auflistung der Spannungswerte jedes Meßfühlers an jedem Abtastpunkt. Auf diese Weise
können die Meßfühler über einen Bereich von Platten-(trenn)abständen
geeicht werden.
Im folgenden ist nunmehr die Eichelektronik 576 anhand von Fig. 14 näher erläutert.
Gemäß Fig. 14 wird das Fehlersignal in Form eines 12-Bit-Digitalworts unmittelbar von der Laserelektronik
570 zu einem Digital-Analog- bzw. D/A-Wandler 580 geliefert.
Das vom D/A-Wandler 580 erzeugte Analogsignal wird hierauf durch einen Verstärker 582 auf eine
0-10 V-Skala aufgetragen (scaled), bevor es einer Polaritätsbestimmungsschaltung 584 zugeführt wird.
Die Laserelektronik 570 liefert außerdem ein "Richtungs-"
oder "Richt-Bit", das auf dargestellte Weise der Polaritätsbestimmungsschaltung 584 zugeführt wird
und das die Polarität des Fehlersignals angibt. Dieses Richt-Bit zeigt, genauer gesagt, an, an welcher Seite
der Soll-Stellung sich der Spiegel 550 augenblicklich befindet, so daß der Spiegel 550 in der richtigen Richtung
verfahren werden kann. Das Richt-Bit wird durch die Polaritätsbestimmungsschaltung 584 verarbeitet, um
dem Fehlersignal die richtige Polarität zuzuweisen, bevor es in einen Verstärker 586 eingespeist wird. Der
Verstärker 586 skaliert sodann das Fehlersignal zwischen 0 und +10 V, wenn die Polarität positiv ist/ oder zwischen
0 und -10 V im Fall einer negativen Polarität. Das Fehlersignal wird danach einem Lagengewinn-Verstärker
588 eingespeist. Der Lagengewinn (position gain) ist mittels einer entsprechenden Einstellschaltung 590 einstellbar,
die beispielsweise ein in der Rückkopplungsschleife des Verstärkers 588 angeordnetes Potentiometer
sein kann. Eine zusätzliche Dämpfung wird durch die Geschwindigkeitsmeßspule 560 gewährleistet. Das von
letzterer erzeugte Signal wird einem Geschwindigkeitsgewinn-Verstärker 5 92 eingespeist. Eine Geschwindigkeitsgewinn-Einstellschaltung
594 dient zur Ermöglichung der Einstellung der Gewinn- oder Verstärkungscharakteristik
des Verstärkers 592, und sie kann ebenfalls aus einem in der Rückkopplungsschleife des Verstärkers 592 angeordneten
Potentiometer bestehen. Die Einstellschaltungen 590 und 594 werden gemeinsam justiert, um die
Schaltungsanordnung zu stabilisieren und ein Schwingen oder Pendeln des Spiegels 550 um die Soll-Stellung
herum zu verhindern. Die Signale von den Verstärkern 588 und 592 werden vor der endgültigen Filterung in
einem Rauschfilter 595 summiert und sodann abschließend durch einen Leistungsverstärker 596 verstärkt, um
den erforderlichen Leistungspegel für die Ansteuerung der Antriebs- oder Schwingspule 554 zu erhalten.
Die gesamte Eichvorrichtung 500 ist in einer temperaturgeregelten
Umgebung angeordnet, die ebenfalls unter der Steuerung des Mikroprozessors 574 stehen kann. Ebenso
kann auch die Temperaturregelschaltung gemäß Fig. 9 für das Substrat des Höhenmeßgeräts unter der Steuerung des
Mikroprozessors 574 stehen. Letzterer hält im allgemeinen die Umgebungstemperatur um einige Grade unter der Substrattemperatur,
so daß Temperaturgefälle im Substrat vermieden werden. Umgebungs- und Substrattempeeratur
können durch den Mikroprozessor 574 nach Maßgabe seines Steuerprogramms variiert werden, um Sätze von Eichdaten
für verschiedene Temperaturen zu liefern. Wenn das kapazitive Meßgerät später in z.B. einem Elektronenstrahlgerät
verwendet wird, kann der zweckmäßige Satz von Eichdaten für die Temperatur, bei welcher das Gerät eingesetzt
wird, herangezogen werden.
Ein wesentliches Merkmal der Erfindung besteht darin, daß ein bestimmtes kapazitives Höhenmeßgerät, nachdem es
eine bestimmte Zeit in Betrieb gewesen ist, in der Eichvorrichtung 500 nachgeeicht werden kann. Zu diesem Zweck
wird das Substrat einfach in die Vorrichtung 500 einge-
setzt und den vorstehend beschriebenen Eichvorgängen unterworfen. Die Ergebnisse des Eichvorgangs zeigen
an, ob sich die Meßfühler-Meßwerte im Zeitverlauf geändert haben oder nicht.
5
5
Es ist darauf hinzuweisen, daß der beschriebene Initialisierungspunkt
nicht genau 1,524 mm von den Meßfühlern entfernt zu liegen braucht, sondern vielmehr
nominell in diesem Abstand von den Meßfühlern 112 liegt. Der Hauptgrund hierfür ist folgender: Obgleich
die Zwischen-Scheiben 532 auf eine End- oder Soll-Dicke von 0,508 mm gefertigt sind, ist in der Praxis eine
gewisse Toleranz in diesem Maß von 0,508 mm als Folge der mechanischen Fertigung zu erwarten. Wenn daher der
Spiegel zunächst in Anlage gegen die Scheiben 532 gebracht wird, kann er sich genau im Abstand von 0,508 mm
von den Meßfühlern 112 - 118 befinden oder auch nicht.
Wenn der Spiegel anschließend durch den Mikroprozessor 574 um 1,016 mm zurückgesetzt wird, befindet sich der
Initialisierungspunkt nur in einem Nennabstand, aber nicht notwendigerweise in einem genauen Abstand von
1,524 mm von den Meßfühlern. Da der Spiegel jedoch in Schritten von 0,127 mm bewegt wird, betragen Qie Teiloder
Schrittabstände entsprechend der Genauigkeit der Laser-Interferometeranordnung, die eine wesentlich höhere
Genauigkeit bietet als jedes mechanische Meßverfahren, jeweils genau 0,127 mm. Auch wenn der Initialisierungspunkt nicht genau 1,524 mm von den Meßfühlern entfernt
ist, ist demzufolge bekannt, daß aufgrund der Eigengenauigkeit des Laser-Interferometers die folgenden Prüfpunkte
auf genaue Abstände von 0,127 mm voneinander verteilt sind. Weiterhin sind im vorliegenden Fall diese
"Differenzmeßwerte11 zwischen den verschiedenen Punkten
am bedeutsamsten. Dies gilt insbesondere für den vorliegend vorausgesetzten Anwendungsfall, bei dem das
kapazitive Meßgerät beispielsweise für die Messung der Differenz zwischen der Entfernung zur Bezugsebene und
der Entfernung zum Raster benutzt wird. Diese Entfernungs- oder Abstandsdifferenzen können mit der erfindungsgemäßen
Vorrichtung sehr genau gemessen werden, so daß dementsprechend Feineinstellungen am Elektronenstrahlgerät
zum Korrigieren der Ist-Stellung des Rasters vorgenommen werden können.
Im folgenden ist anhand von Fig. 15 eine andere Möglichkeit beschrieben, nach welcher die Ausgangssignale
der vier Meßfühler zum Plattenabstand in Beziehung gesetzt werden können.
Gemäß Fig. 15 wird das Substrat 110 des kapazitiven
Meßgeräts in Gegenüberstellung zu einem Blind-Raster 334 starr in einer Prüfvorrichtung 330 eingespannt.
Letztere umfaßt auch ein Laser-Interferometer 338,
das einen Laserstrahl durch eine öffnung 111 im Substrat
110 auf das Raster 250 wirft, welches den Laserstrahl zur Lasereinheit zurückreflektiert. Das
Raster wird von einem nicht dargestellten Element getragen, das seinerseits in einem nicht dargestellten
Luftlager zur Ermöglichung einer reibungsarmen geradlinigen Bewegung gegenüber dem Substrat 110 gelagert
ist. Das Raster-Tragelement ist mittels eines Raster-Positioniermechanismus 342 geradlinig verschiebbar.
Die Vorrichtung 330 ist in einem temperaturgeregelten Gehäuse auf einem schwingungsdämpfenden, auf Luftkissen
ruhenden Granitblock untergebracht. Die Vorrichtungstemperatur kann mittels einer Temperatur-Regelelektronik
346 sowie eines Ofens 350 und eines Thermometers 354 der Vorrichtung geregelt werden.
Beim Prüfvorgang weist der Mikroprozessor 360 die
Laserelektronik 364 an, das Raster in einen vorbestimmten Abstand zu den Meßfühlern des Substrats 110 zu verbringen.
Die Laserelektronik 364 schaltet den Befehl zur PrüfVorrichtung-Elektronik 368 durch, die daraufhin
den Raster-Positioniermechanismus 342 zum Verschieben des Rasters 334 in der vorgeschriebenen Richtung aktiviert.
Während sich das Raster 334 in Richtung auf das Substrat 110 bewegt, überwachen das Laser-Interferometer
338 und die Laserelektronik 364 diese Bewegung, wobei die Elektronik 364 die Elektronik 368 der Prüfvorrichtung
anweist, die Bewegung des Rasters 334 zu beenden, sobald der vorgeschriebene Abstand zwischen Raster 3
und Substrat 110 erreicht ist. Der Geschwindigkeitsfühler
372 dämpft die Bewegung des Rasters 334 zwecks Verhinderung seines Pendeins um den Soll-Punkt herum.
Der Mikroprozessor 360 greift sodann die Substrat-Meßfühler über die Elektronik 376 des kapazitiven Meßgeräts
ab. Die Temperatur der Elektronik 376 ist mittels des Ofens 380, des Thermostaten 384 und der
Temperaturregel-Elektronik 346 regelbar. Da dem Mikroprozessor 360 der Abstand zwischen den Substrat-Meßfühlern
und dem Raster bekannt ist, weil das Laser-Interferometer diesen Abstand gemessen hat, kann er
das Ausgangssignal der Meßfühler zu diesem Abstand in Beziehung setzen. Der Mikroprozessor 360 nimmt die
Meßfühler-Meßwerte für verschiedene Abstände und Temperaturen ab und speichert die so gewonnenen Daten.
Ersichtlicherweise können verschiedene Raster-Positioniermechanismen
verwendet werden. Beispielsweise können zwei Schwingspulen/Magnetanordnungen koaxial
auf der Mittellinie der bewegbaren Teile montiert werden. Die Magnete können dabei an dem sich auf dem
Luftlager bewegenden Gleitstück angebracht sein, während die Schwingspulen lagenfest angeordnet sind. Ein
Satz aus einer Spule und einem Magneten kann für die Geschwindigkeitsmeßfühler-Dämpfung, ein anderer Satz
für die Bewegung des Rasters eingesetzt werden.
Die von den Meßfühlern gesammelten Daten können auf eine Kurve oder Kennlinie aufgetragen werden, die sich
nach folgender Gleichung bestimmt:
3 2
Z(v) = k/v-v + Zo + Av +Bv +Cv. o
Darin bedeuten: Z(v) = Plattenabstand, mit Z = eine Punktion der Meßgerät-Ausgangsspannung ν für den Meßfühler^
und K, ν , Zo, A, B und C = Konstanten, die durch den Mikroprozessor für das jeweilige, der Prüfung
unterworfene kapazitive Meßgerät bestimmt werden können.
Der Teil Z(v) = k/v-v + Zo der obigen Gleichung kann von Maxwellschen Gleichungen abgeleitet werden, um
die theoretische Funktion anzugeben. Das Polynom
3 2
Av + Bv + C wurde erfindungsgemäß als zur Verringerung
von Fehlern aufgrund des Rausch- oder Störsignalpegels
nötig empirisch ermittelt.
Der Mikroprozessor prüft somit das kapazitive Meßgerät und berechnet die speziellen Größen oder Werte
der Konstanten für das geprüfte Meßgerät zwecks Aufstellung einer Formel, welche die Meßgerät-Ausgangsspannung
zum Plattenabstand in Beziehung setzt. Diese Formel kann durch das Steuersystem des Elektronenstrahl-Lithographiegeräts
zur Berechnung der Eichplattenpunkte benutzt werden, die nötig sind, um die Eichungsebene
und die für die Festlegung der Rasterebene erforderlichen Raster-Positionspunkte zu definieren.
Wenn diese Ebenen definiert worden sind, kann das Steuersystem die Abweichung des Rasters von der Eich-
ebene bestimmen und den Ablenkwinkel des Elektronenstrahls entsprechend einstellen.
Selbstverständlich ist die Erfindung verschiedenen weiteren Änderungen und Abwandlungen zugänglich. Insbesondere
kann die beschriebene Eichvorrichtung zum Eichen von kapazitiven Höhenmeßgeräten auch für andere kapazitive
Höhenmeßgeräte als das speziell beschriebene benutzt werden. 10
S3
Leerseite
Claims (26)
1. Kapazitives Höhenmeßgerät zur Bestimmung der Lage
einer Objekt(ober)fläche, gekennzeichnet durch ein der Objektfläche (145) benachbart angeordnetes
Substrat (110),
einen auf dem Substrat (110) angeordneten Bezugskondensatorkreis
(40, 42) mit einem Bezugskondensator, der in einem Nennabstand voneinander angeordnete
Kondensator-Platten aufweist und eine (bestimmte) Kapazität besitzt, wobei der Bezugskondensatorkreis
ein für die Kapazität des Bezugskondensators repräsentatives Signal erzeugt,
einen auf dem "Substrat (110) angeordneten Meßkondensatorkreis (50,. 52, 54, 56) mit einer vom Substrat in Gegenüberstellung zur Objektfläche (145) getragenen Meßfühlerplatte (112, 114, 116, 118) , die zusammen mit der Objektfläche einen Meßkondensator bildet, dessen Kapazität sich mit variierendem Abstand zwischen Meßfühlerplatte und Objektfläche ändert, wobei der Meßkondensatorkrexs ein für die Kapazität des Meßkondensators repräsentatives Meßkondensatorsignal erzeugt und durch ein Treiber- oder Ansteuersignal ansteuerbar ist, das durch das Bezugskondensatorsignal gesteuert wird, und eine Einrichtung zum Vergleichen des Meßkondensatorsignals mit einem Bezugssignal nebst Mitteln zum Erzeugen eines für den Vergleich repräsentativen Meßsignals, das eine Abweichung des Plattenabstands der Platten des Meßkondensators vom Nennabstand angibt.
einen auf dem "Substrat (110) angeordneten Meßkondensatorkreis (50,. 52, 54, 56) mit einer vom Substrat in Gegenüberstellung zur Objektfläche (145) getragenen Meßfühlerplatte (112, 114, 116, 118) , die zusammen mit der Objektfläche einen Meßkondensator bildet, dessen Kapazität sich mit variierendem Abstand zwischen Meßfühlerplatte und Objektfläche ändert, wobei der Meßkondensatorkrexs ein für die Kapazität des Meßkondensators repräsentatives Meßkondensatorsignal erzeugt und durch ein Treiber- oder Ansteuersignal ansteuerbar ist, das durch das Bezugskondensatorsignal gesteuert wird, und eine Einrichtung zum Vergleichen des Meßkondensatorsignals mit einem Bezugssignal nebst Mitteln zum Erzeugen eines für den Vergleich repräsentativen Meßsignals, das eine Abweichung des Plattenabstands der Platten des Meßkondensators vom Nennabstand angibt.
2. Meßgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bezugs- und Meßkondensatorplatten durch ein
Dielektrikum voneinander getrennt sind, das durch die Meßumgebung, in welcher das Substrat angeordnet
ist, gebildet ist, wobei sich das Dielektrikum des Bezugskondensators bei einer Änderung der Meßumgebung
auf dieselbe Weise ändert wie das Dielektrikum des Meßkondensators.
3. Meßgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Bezugskondensatorkreis durch ein Ansteuersignal
ansteuerbar ist, das von einer Signalquellenschaltung geliefert wird.
4. Meßgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannungsregeleinrichtung zur Aufrechterhaltung
eines stabilen Pegels des Ansteuersignals vorgesehen ist, daß die Spannungsregeleinrichtung
eine zwischen Bezugskondensatorkreis und Signalquellenschaltung geschaltete Rückkopplungsschleife
aufweist, daß das Bezugskondensatorsignal das Ansteuersignal zur Gewährleistung eines konstanten
Stromflusses über den Bezugskondensator steuert und daß der Stromfluß über den Meßkondensator gegenüber
Temperatur- und Luftfeuchtigkeitsänderungen in der Meßumgebung isoliert ist und sich nur mit dem Plattenabstand
ändert.
5. Meßgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Bezugskondensator eine auf dem Substrat angeordnete, angetriebene oder angesteuerte Platte
und eine im Nennabstand vom Substrat angeordnete, geerdete Platte umfaßt.
6. Meßgerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
"j"
. daß ein erster Schutzring zwischen der Ansteuerplatte des Bezugskondensators und dem Substrat und
ein zweiter Schutzring zwischen der Meßfühlerplatte des Meßkondensators und dem Substrat angeordnet
sind, daß der erste Schutzring durch das Ansteuersignal ansteuerbar ist, daß der erste Schutzring
und die geerdete Platte des Bezugskondensators einen ersten Schutzrxngkondensator bilden, daß der
zweite Schutzring durch das Ansteuersignal ansteuerbar
ist und daß der zweite Schutzring und die Objektfläche einen zweiten Schutzringkondensator bilden.
7. Meßgerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der er'ste Schutzring auf demselben Spannungspotential
wie die Ansteuerplatte des Bezugskondensators und der zweite Schutzring auf demselben Spannungspotential wie die Meßfühlerplatte des Meßkondensators
gehalten sind.
8. Meßgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere durch das Ansteuersignal ansteuerbare
Meßfühlerplatten am Boden bzw. an der Unterseite des Substrats in Gegenüberstellung zur Ob'jektflache
angeordnet sind, daß die Meßfühlerplatten und die Objektfläche mehrere Meßkondensatoren umfassen, die
jeweils einen zugeordneten Meßkondensatorkreis zur Erzeugung eines Meßkondensatorsignals für jeden Meßkondensator
aufweisen, daß die Vergleichseinrichtung jedes Meßkondensatorsignal mit dem Bezugssignal
vergleicht, um ein Meßsignal für jeden Meßkondensator zu erzeugen, und daß das Meßsignal die
Abweichung des Plattenabstands jedes Meßkondensators vom Nennabstand wiedergibt.
9. Meßgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß ein durch das AnSteuersignal ansteuerbarer
Schutzring zwischen jedem Meßfühler und der Unterseite des Substrats angeordnet ist, daß der nicht
mit den Schutzringen bedeckte Abschnitt der ünterseite des Substrats durch eine Masseebene gebildet
ist, daß ein durch das Ansteuersignal ansteuerbarer Schutzring zwischen der Ansteuerplatte des
Bezugskondensators und der Oberseite des Substrats angeordnet ist, daß der Bezugskondensatorkreis auf
der Oberseite des Substrats montiert ist, daß die Meßkondensatorkreise, mit Ausnahme der Meßkondensatoren
und der zugeordneten Schutzringe, an der Oberseite des Substrats vorgesehen sind und daß das
Ansteuersignal zu den Meßkondensatorkreisen und von diesen über das Substrat zu den Meßfühlern und
Schutzringen der Meßkondensatoren zuführbar ist
10. Meßgerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung zum Erwärmen oder Beheizen des
Substrats, um dieses auf einer gewählten Temperatur über der Umgebungstemperatur der Meßumgebung zu
halten, vorgesehen ist.
ti
11. Meßgerät nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung einen oder mehrere, auf das
Substrat aufgebrachte Widerstandsheizstreifen und eine mit diesen verbundene Temperaturregelschaltung
umfaßt, die eine Einrichtung zum Messen der Temperatur des Substrats und zum Ändern eines
Spannungsabfalls über die Widerstands(heiz)streifen zwecks Aufrechterhaltung der Substrattemperatur
auf dem gewählten Wert aufweist.
12. Meßgerät nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat zwei Meßfühlerplatten angeord-
-δ-Ι net sind, die zusammen mit der "Objektfläche erste
und zweite Meßkondensatoren bilden, daß je einer der Meßkondensatorkreise jedem der ersten und zweiten
Meßkondensatoren zugeordnet ist, daß die Signalquellenschaltung eine Einrichtung zur Erzeugung
gleich großer und entgegengesetzter, um 180° zueinander außer Phase liegender erster und zweiter
Ansteuersignale aus dem Ansteuersignal aufweist
und daß das erste Ansteuersignal den ersten Kondensator und das zweite Ansteuersignal den zweiten
Kondensator ansteuert.
13. Meßgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Objektfläche ein Chrom-auf-Glas-Raster
(reticle) eines Elektronenstrahl-Lithographiegeräts mit einer von einem Elektronenstrahl-Optikgehäuse
umschlossenen Elektronenstrahlquelle ist und daß das Substrat an der Unterseite des Elektronenstrahl-Optikgehäuses
befestigt ist und eine zentral angeordnete, einen Durchtritt des Elektronenstrahls
zulassende öffnung aufweist.
14. Meßgerät nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl einen Ablenkwinkel gegenüber
der Mittellinie des Optikgehäuses aufweist, daß eine Einrichtung zum Steuern des Ablenkwinkels
des Elektronenstrahls und eine Einrichtung zur Bestimmung einer geeichten oder Eichungsebene
(calibrated plane) für das Raster und eines Normal-Ablenkwinkels für den Elektronenstrahl vorgesehen
sind, wobei dann, wenn das Raster in der Eichungsebene liegt, der Elektronenstrahl unter seinem
Normal-Ablenkwinkel auf einen gewünschten oder Soll-Punkt auf dem Raster auftrifft, und daß weiterhin
eine Einrichtung zur Bestimmung der Lage des
Rasters gegenüber der Eichungsebene, eine Einrichtung zur Bestimmung der Abweichung des Rasters von der
Eichungsebene und eine Einrichtung zur Änderung des Ablenkwinkels nach Maßgabe der Abweichung zwecks
Gewährleistung, daß der Elektronenstrahl auf den Soll-Punkt auf dem Raster auftrifft, vorgesehen
sind.
15. Verfahren zur Erfassung oder Bestimmung der Lage
eines Chrom-auf-Glas-Rasters (reticle) in einem Elektronenstrahl-Lithographiegerät mit einer
Elektronenstrahlquelle in einem Elektronenstrahl-Optikgehäuse sowie weiterhin mit einem Steuersystem
zum Steuern des Ablenkwinkels des Elektronenstrahls und einem an der Unterseite des Elektronenstrahl-Optikgehäuses
angebrachten Schaltungs-Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß
unter dem Elektronenstrahl-Optikgehäuse eine Eichplatte mit einer oberseitigen leitfähigen Schicht
und einem Gitter (Raster) aus beabstandeten, nichtleitfähigen Punkten einer bekannten Geometrie auf
der leitfähigen Schicht positioniert wird, wobei einer der nicht-leitfähigen Punkte einen Ausgangspunkt
(des Gitters oder Rasters) bildet, der mit der Mittellinie des Optikgehäuses fluchtet,
daß derAblenkwinkel variiert wird, um den Elektronenstrahl vom einen der nicht-leitfähigen Punkte des
Gitters zum nächsten abzulenken, bis er auf einen gewünschten oder Soll-Punkt auftrifft, der in einem
bestimmten Abstand vom Ausgangspunkt angeordnet ist, wobei der Ablenkwinkel des Elektronenstrahls zur
Mittellinie des Optikgehäuses, wenn der Elektronenstrahl auf den Soll-Punkt auftrifft, einen Normal-Ablenkwinkel
bildet,
daß der Abstand zwischen mindestens drei an der
daß der Abstand zwischen mindestens drei an der
Unterseite des Substrats angebrachten Meßfühlerplatten und der Eichplatte gemessen wird, wobei jede
Meßfühlerplatte mit einem zugeordneten Meßkondensatorkreis
gekoppelt ist und jeweils die angesteuerte (driven) oder Ansteuerplatte eines Meßkondensators
umfaßt, die Eichplatte die geerdete Platte jedes Meßkondensators umfaßt und jeder Meßkondensatorkreis
ein für den Abstand zwischen jeder Meßfühlerplatte und der Eichplatte repräsentatives Meßkondensatorsignal
erzeugt,
daß jedes Meßkondensatorsignal zu einer die Lage der Eichplatte in bezug auf die Meßfühler bestimmenden
Information verarbeitet wird, wobei die Lage der Eichplatte eine geeichte Lage oder Eichungslage für
das Raster beinhaltet,
daß das Raster unter dem Elektronenstrahl-Optikgehäuse positioniert und ein Ausgangspunkt auf dem
Raster mit der Mittellinie des Optikgehäuses ausgefluchtet werden,
daß der Abstand zwischen jedem Meßfühler und dem Raster gemessen wird, wobei jeder Meßfühler die'
Ansteuerplatte eines Meßkondensators und das Raster die geerdete Platte der Meßkondensatoren' umfassen
und jeder Meßkondensator ein für den Abstand zwisehen jeder Meßfühlerplatte und dem Raster repräsentatives
Signal erzeugt,
daß jedes Meßkondensatorsignal zu einer die Lage
des Rasters gegenüber den Meßfühlern definierenden Information verarbeitet wird, wobei diese Lage eine
Rasterlage beinhaltet,
daß die Rasterlage mit der geeichten Lage verglichen wird, um die Abweichung des Rasters von der
geeichten Lage zu bestimmen, und daß der Ablenkwinkel des Elektronenstrahls nach Maßgäbe
dieser Abweichungs-Information vom Normal-
— ΑΙ Ablenkwinkel auf einen korrigierten Ablenkwinkel eingestellt
wird, so daß der Elektronenstrahl im bestimmten Abstand vom Ausgangspunkt auf dem Raster
ausgelenkt ist und auf den Soll-Punkt auf dem Raster auftrifft.
16. Vorrichtung zum Eichen eines kapazitiven HÖhenmeßgeräts
mit einem kapazitiven Meßfühler oder Sensor,
gekennzeichnet durch
einen Sockel,
einen Sockel,
eine von letzterem getragene Laser-Interferometeranordnung,
einen der Laseranordnung gegenüberstehend bewegbar am Sockel gelagerten, elektrisch leitenden Spiegel, eine Einrichtung zur Halterung des kapazitiven Meßgeräts mit dem dem Spiegel gegenüberstehend angeordneten Meßfühler und
eine Einrichtung zum Bewegen des Spiegels relativ zum (zur) Laser-Interferometer(anordnung) und zum Positionieren des Spiegels in einer gewünschten oder Soll-Lage vom Meßfühler, so daß dieser mit dem Spiegel einen Kondensator bildet, wobei die Laser-Interferometeranordnung zur Ber-timmung des Abstands zwischen dem Meßfühler und dem Spiegel benutzt wird, und weiterhin mit einer Einrichtung zum Gewinnen eines elektrischen Meßwerts oder einer Anzeige (reading) vom Kondensator aus Meßfühler und Spiegel, wenn letzterer in der Soll-Lage positioniert ist.
einen der Laseranordnung gegenüberstehend bewegbar am Sockel gelagerten, elektrisch leitenden Spiegel, eine Einrichtung zur Halterung des kapazitiven Meßgeräts mit dem dem Spiegel gegenüberstehend angeordneten Meßfühler und
eine Einrichtung zum Bewegen des Spiegels relativ zum (zur) Laser-Interferometer(anordnung) und zum Positionieren des Spiegels in einer gewünschten oder Soll-Lage vom Meßfühler, so daß dieser mit dem Spiegel einen Kondensator bildet, wobei die Laser-Interferometeranordnung zur Ber-timmung des Abstands zwischen dem Meßfühler und dem Spiegel benutzt wird, und weiterhin mit einer Einrichtung zum Gewinnen eines elektrischen Meßwerts oder einer Anzeige (reading) vom Kondensator aus Meßfühler und Spiegel, wenn letzterer in der Soll-Lage positioniert ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß ein Rechner-Steuersystem vorgesehen ist,
daß die Laser-Interferometeranordnung eine elektronische Laser-Schaltung aufweist, daß das Rechner-
Steuersystem der Laser-Schaltung eine Soll-Stellung oder -Lage für den Spiegel angibt und daß die
Laser-Schaltung in Abhängigkeit davon ein Fehlersignal erzeugt, das für die Abstandsdifferenz zwisehen
der Ist-Stellung des Spiegels und seiner Soll-Stellung repräsentativ ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch
eine elektronische Eichvorrichtungs-Schaltung zur Steuerung der Bewegungseinrichtung nach Maßgabe
des von der Laser-Schaltung gelieferten Fehlersignals zum Bewegen des Spiegels in die Soll-Stellung.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser-Interferometeranordnung weiterhin
eine Lasereinheit, einen Interferometer-Würfel bzw. ein -Prisma sowie einen Laserempfänger
aufweist, wobei die Lasereinheit über das Interferometer-Prisma zum Spiegel einen Laserstrahl
emittiert, der vom Spiegel zum Laserempfänger zurückreflektiert wird, daß die Lasereinheit
durch die elektronische Laser-Schaltung steuerbar ist, daß der Laserempfänger ein den Abstand zum
Spiegel angebendes Eingangssignal zur Laser-Schaltung liefert und daß letztere das Abstands-Eingangssignal
zur Erzeugung des Fehlersignals heranzieht.
20. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung zum Messen der Geschwindigkeit des Spiegels vorgesehen ist, die ein
Eingangssignal zur elektronischen Eichvorrichtungs-Schaltung liefert, die ihrerseits das Spiegelgeschwindigkeits-Eingangssignal
zur Hervorbringung
-ΙΟΙ einer Dämpfung der Spiegelbewegung durch die Bewegungseinrichtung
verarbeitet.
21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet,
daß die elektronische Schaltung der Eichvorrichtung weiterhin eine Lagen- bzw. Stellungsgewinnoder
-verstärkungs- und eine Geschwindigkeitsgewinn- oder -verstärkungs-Schaltung aufweist.
22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangssignal der Stellungsgewinn-Schaltung
mit dem Ausgangssignal der Geschwindigkeitsgewinn-Schaltung zur Dämpfung der Spiegelbewegung
zwecks Verhinderung eines Pendeins des Spiegels um den Soll-Punkt herum kombinierbar ist.
23. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Fehlersignal eine Anzeige für seine
Polarität enthält und daß die Eichvorrichtungs-Schaltung eine Einrichtung zur Verarbeitung der
Polaritätsanzeige aufweist, um dem Fehlersignal die richtige Polarität aufzuprägen, bevor das
Fehlersignal an die Bewegungseinrichtung angelegt wird, und damit sicherzustellen, daß letztere den
Spiegel in die Soll-Stellung bewegt.
24. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Bewegungseinrichtung eine in einem
Luftlager gelagerte Achse, an deren einem Ende der Spiegel montiert ist, aufweist und Mittel zum
Bewegen oder Verschieben von Achse und Spiegel nach Maßgabe des Fehlersignals enthält.
25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß an der Achse ein Antriebsmagnet starr be-
festigt ist und eine lagenfeste Antriebsspule die Achse in der Nähe des Antriebsmagneten umschließt
und daß die Eichvorrichtungs-Schaltung das Fehlersignal zwecks Lieferung eines Antriebssignals der
richtigen Polarität zur Antriebsspule verarbeitet, um den Antriebsmagneten entweder abzustoßen oder
anzuziehen und damit den Spiegel in die Soll-Stellung zu treiben.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet,
daß weiterhin ein Geschwindigkeitsdämpfmagnet starr an der Achse befestigt ist und eine lagenfeste
Geschwindigkeitsmeßspule die Achse in der Nähe des Geschwindigkeitsdämpfmagneten umschließt,
daß bei der Bewegung des Geschwindigkeitsdämpfmagneten relativ zur Geschwindigkeitsmeßspule über
letztere eine Spannung erzeugbar ist, die ein Geschwindigkeitsdämpf-Signal
darstellt, das der elektronischen Schaltung der Eichvorrichtung einspeisbar
ist, und daß diese Schaltung das Geschwindigkeitsdämpf-Signal zum Dämpfen der Spiegelbewegung
zwecks Verhinderung eines Pendeins des Spiegels um die Soll-Stellung herum verarbeitet.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4851831A (en) * | 1981-05-13 | 1989-07-25 | Drexelbrook Engineering Co. | Two-wire level measuring instrument |
US5049878A (en) * | 1981-05-13 | 1991-09-17 | Drexelbrook Engineering Company | Two-wire compensated level measuring instrument |
US4539835A (en) * | 1983-10-28 | 1985-09-10 | Control Data Corporation | Calibration apparatus for capacitance height gauges |
DE3608884A1 (de) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Mitec Moderne Ind Gmbh | Messanordnung |
US4790642A (en) * | 1986-12-01 | 1988-12-13 | Gca Corporation/Tropel Division | Integrated metrology for microlithographic objective reducing lens |
US4841224A (en) * | 1987-11-10 | 1989-06-20 | Washington Technology Center | Gap width probe and method |
FR2640373B1 (fr) * | 1988-12-09 | 1992-12-11 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Chaines de mesure dimensionnelle capacitive a sortie lineaire |
GB9021447D0 (en) * | 1990-10-03 | 1990-11-14 | Renishaw Plc | Capacitance probes |
JP3175261B2 (ja) * | 1992-02-05 | 2001-06-11 | 株式会社日立製作所 | 電磁流量計 |
SI9600141B (sl) * | 1996-04-30 | 2002-12-31 | Fakulteta Za Elektroniko | Integriran kapacitivni merilnik nanometrijskih razdalj |
DE502006006465D1 (de) * | 2006-11-17 | 2010-04-29 | Amo Automatisierung Messtechni | Positionsmesseinrichtung |
US8513959B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-08-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Integrated sensor system |
US20170266744A1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-09-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Wire electric discharge machine, control method of control device of wire electric discharge machine, and positioning method |
JP2019005323A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 身長測定装置、ヘルスケア機器および回転ゲート |
US10871409B2 (en) * | 2017-12-15 | 2020-12-22 | G.E. Avio S.r.l. | SMD-coil-based torque-sensor for tangential field measurement |
FR3084473B1 (fr) * | 2018-07-24 | 2021-06-18 | Cgg Services Sas | Procede et dispositif de surveillance du sous-sol terrestre sous une zone cible |
US11493407B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-11-08 | Ge Avio S.R.L. | Torque measurement system |
US10809048B2 (en) * | 2019-01-08 | 2020-10-20 | Formfactor Beaverton, Inc. | Probe systems and methods for calibrating capacitive height sensing measurements |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1032215A (en) * | 1962-10-08 | 1966-06-08 | Ass Elect Ind | Improvements relating to capacitive clearance measurements |
US3409774A (en) * | 1966-05-25 | 1968-11-05 | United States Steel Corp | Method of determining the thickness of a coating on a metal base and method of calibrating the thickness gauge |
US3523735A (en) * | 1966-10-07 | 1970-08-11 | Gen Dynamics Corp | Interferometer system for distance measurement |
US3533286A (en) * | 1969-01-28 | 1970-10-13 | Trans Sonics Inc | Tank quantity gage |
US3706919A (en) * | 1970-08-17 | 1972-12-19 | Ade Corp | Capacitive gauge |
US3805150A (en) * | 1970-08-17 | 1974-04-16 | Ade Corp | Environment immune high precision capacitive gauging system |
US3986109A (en) * | 1975-01-29 | 1976-10-12 | Ade Corporation | Self-calibrating dimension gauge |
GB1577135A (en) * | 1977-03-08 | 1980-10-22 | Rca Corp | Capacitance distance sensor |
US4190797A (en) * | 1978-03-31 | 1980-02-26 | Gould Inc. | Capacitive gauging system utilizing a low internal capacitance, high impedance amplifier means |
GB2034051A (en) * | 1978-10-12 | 1980-05-29 | Smiths Industries Ltd | Fluid Gauging System |
NL7905562A (nl) * | 1979-07-17 | 1981-01-20 | Heerens Willem Christiaan | Capacitieve meter. |
JPS5651826A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-09 | Hitachi Ltd | Image drawing apparatus by electron beam |
JPS5664434A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-01 | Hitachi Ltd | Electron beam drawing apparatus |
JPS56125831A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Hitachi Ltd | Z-sensor in electron beam patterning device |
GB2094004B (en) * | 1980-08-23 | 1984-05-02 | Smiths Industries Ltd | Fluid-gauging systems |
US4461569A (en) * | 1982-01-07 | 1984-07-24 | The Electron Machine Corporation | Concentricity gage |
US4538069A (en) * | 1983-10-28 | 1985-08-27 | Control Data Corporation | Capacitance height gage applied in reticle position detection system for electron beam lithography apparatus |
US4539835A (en) * | 1983-10-28 | 1985-09-10 | Control Data Corporation | Calibration apparatus for capacitance height gauges |
-
1984
- 1984-03-14 US US06/589,902 patent/US4539835A/en not_active Expired - Fee Related
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