DE3411475C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektrofotografisches Aufzeichnungs
material gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1,
das gegenüber elektromagnetischen Wellen wie Ultraviolett
strahlen, sichtbarem Licht, Infrarotstrahlen, Röntgenstrahlen
und γ-Strahlen empfindlich ist.
Fotoleiter, aus denen fotoleitfähige Schichten für elektro
fotografische Aufzeichnungsmaterialien wie z. B. Bilderzeugungs
materialien, Festkörper-Bildaufnahme- bzw. Bildabtast
vorrichtungen oder Manuskript-Lesevorrichtungen gebildet
werden, müssen eine hohe Empfindlichkeit, ein hohes S/N-Verhältnis
[Fotostrom (I p )/Dunkelstrom (I d )], Spektraleigen
schaften, die an die elektromagnetischen Wellen, mit denen
bestrahlt werden soll, angepaßt sind, ein schnelles Ansprechen
auf elektromagnetische Wellen bzw. eine gute fotoelektrische
Empfindlichkeit und einen gewünschten Wert des Dunkel
widerstandes haben und dürfen während der Anwendung nicht
gesundheitsschädlich sein. Außerdem ist es bei einer Festkörper-
Bildabtastvorrichtung auch notwendig, daß Restbilder inner
halb einer festgelegten Zeit leicht beseitigt werden können.
Im Fall eines Bilderzeugungsmaterials, das in eine für
die Anwendung in Büros vorgesehene elektrofotografische Vorrichtung
eingebaut werden soll, ist es besonders wichtig,
daß das Bilderzeugungsmaterial nicht gesundheitsschädlich
ist.
Von dem vorstehend erwähnten Gesichtspunkt aus hat
amorphes Silicium (nachstehend als a-Si bezeichnet)
in neuerer Zeit als Fotoleiter Beachtung
gefunden. Beispielsweise sind aus der DE-A 27 46 967
und der DE-A 28 55 718 Anwendungen von a-Si in
Bilderzeugungsmaterialien bekannt,
und aus der DE-A 29 33 411 ist eine Anwendung
von a-Si in einer Lesevorrichtung
mit fotoelektrischer Wandlung bekannt.
Unter den gegenwärtigen Umständen sind jedoch bei den
bekannten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
mit aus a-Si gebildeten fotoleitfähigen Schichten
hinsichtlich der Ausgewogenheit der Gesamteigenschaften,
wozu elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigen
schaften wie der Dunkelwiderstandswert, die Fotoempfind
lichkeit und das Ansprechen auf elektromagnetische Wellen sowie
Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungsbedingungen
während der Anwendung wie die Feuchtigkeitsbeständigkeit
und des weiteren die Beständigkeit mit dem Verlauf
der Zeit gehören, weitere Verbesserungen erforderlich.
Beispielsweise wird bei der Anwendung des vorstehend erwähnten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials als Bild
erzeugungsmaterial oft beobachtet, daß ein Restpotential verbleibt,
wenn gleichzeitig Verbesserungen hinsichtlich der
Erzielung einer höheren Fotoempfindlichkeit und eines höheren
Dunkelwiderstandes angestrebt werden. Wenn ein solches
elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial über eine lange
Zeit wiederholt verwendet wird, werden verschiedene Schwierig
keiten, z. B. eine Anhäufung von Ermüdungserscheinungen
durch wiederholte Anwendungen oder die sogenannte Geister
bild-Erscheinung unter Erzeugung von Restbildern, hervor
gerufen.
Bei Versuchen, die die Erfinder durchgeführt haben, wurde
zwar festgestellt, daß a-Si als Material für die Bildung
der fotoleitfähigen Schicht eines elektrofotografischen Bild
erzeugungsmaterials im Vergleich mit bekannten anorganischen
Fotoleitern wie z. B. Se, CdS oder ZnO oder mit bekannten
organischen Fotoleitern wie z. B. Polyvinylcarbazol oder Trini
trofluorenon eine Anzahl von Vorteilen aufweist, jedoch wurde
auch festgestellt, daß bei a-Si noch Probleme gelöst werden
müssen. Wenn die fotoleitfähige Schicht eines Bilderzeugungs
materials, die aus einer a-Si-Monoschicht gebildet ist,
der Eigenschaften gegeben worden sind, die sie für die An
wendung in einer bekannten Solarzelle geeignet machen, einer
Ladungsbehandlung zur Erzeugung elektrostatischer Ladungs
bilder unterzogen wird, ist die Dunkelabschwächung bzw. der
Dunkelabfall auffällig schnell, weshalb es schwierig ist,
ein übliches elektrofotografisches Verfahren anzuwenden. Außerdem
ist diese Neigung unter einer feuchten Atmosphäre
noch stärker ausgeprägt, und zwar in manchen Fällen in einem
solchen Ausmaß, daß vor der Entwicklung überhaupt keine
Ladung aufrechterhalten wird.
a-Si-Materialien können ferner Wasserstoffatome
oder Halogenatome wie Fluoratome
oder Chloratome zur Verbesserung ihrer elektrischen
und Fotoleitfähigkeitseigenschaften, Atome
wie Bor- oder Phosphoratome zur Steuerung des Typs
der elektrischen Leitung sowie andere Atome zur Verbesserung
anderer Eigenschaften enthalten. In Abhängigkeit
von der Art und Weise, in der diese
Atomarten enthalten sind, können manchmal Probleme
bezüglich der elektrischen oder Fotoleitfähigkeitseigen
schaften der gebildeten fotoleitfähigen Schicht verursacht werden.
Besonders an der Grenzfläche zwischen aneinander
angrenzenden Schichten besteht die Neigung, daß beim
Fertigungsverfahren in Abhängigkeit von der Konzentration
und der Verteilungsweise der enthaltenen Atome freie
Bindungen erzeugt werden, und es besteht auch die Neigung
daß in Energiebändern komplizierte Krümmungen auftreten.
Aus diesem Grund werden die Probleme des Verhaltens
der Ladungen oder der Stabilität der Struktur sehr
wichtig, und eine Steuerung dieses Teils bzw. Abschnitts
ist nicht selten ein Schlüssel für die Erzielung
eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials, das
seine Funktion in der gewünschten Weise erfüllt.
Ferner werden in vielen Fällen verschiedene Probleme
hervorgerufen, wenn ein elektrofotografisches Aufzeichnungs
material mit einer fotoleitfähigen Schicht aus a-Si nach
einem allgemein bekannten Verfahren hergestellt wird.
Beispielsweise kann wegen der ungenügenden Lebensdauer der
Ladungsträger, die durch Belichtung der gebildeten
fotoleitfähigen Schicht überall in dieser Schicht erzeugt
werden, keine ausreichende Bilddichte erhalten werden, oder es
besteht die Neigung, daß das Bild unklar bzw. unscharf ist,
weil überschüssige Ladungsträger, die in der Nähe der
fotoleitfähigen Schicht erzeugt werden, in seitlicher
Richtung fließen. Ferner führt es zu einem Problem,
wenn die Injektion von Ladungen von der Seite des
Trägers nicht in ausreichendem Maße verhindert wird.
Aus der DE-OS 32 01 146 und der DE-OS 32 01 081 sind elektro
fotografische Aufzeichnungsmaterialien bekannt, die auf einem
Träger eine fotoleitfähige Schicht aufweisen. Die foto
leitfähige Schicht dieser bekannten Aufzeichnungsmaterialien
besteht aus einem amorphen Material mit einer Matrix von Silicium
atomen, wobei die fotoleitfähige Schicht ferner gemäß
DE-OS 32 01 146 Kohlenstoffatome bzw. gemäß DE-OS 32 01 081
Stickstoffatome mit einem derartigen Konzentrationsprofil in
Richtung der Schichtdicke enthält, daß die Konzentration der
Kohlenstoffatome bzw. der Stickstoffatome in Richtung auf
die Seite der freien Oberfläche der fotoleitfähigen Schicht
und/oder in Richtung auf die Seite des Trägers ansteigt. Die
fotoleitfähige Schicht der bekannten Aufzeichnungsmaterialien
kann ferner Atome der Gruppe III des Periodensystems in
einer konstanten Konzentration enthalten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrofoto
grafisches Aufzeichnungsmaterial der im Oberbegriff von Patent
anspruch 1 angegebenen Art bereitzustellen, bei dem zur
Verbesserung der Fotoempfindlichkeit verhindert wird, daß in
die fotoleitfähige Schicht während der Aufladung von der Seite
des Trägers her eine Injektion von Ladungsträgern erfolgt.
Diese Aufgabe wird durch ein elektrofotografisches Aufzeichnungs
material mit den im kennzeichnenden Teil von Patentanspruch 1
bzw. Patentanspruch 7 angegebenen Merkmalen gelöst.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nach
stehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher
erläutert.
Fig. 1, Fig. 3, und Fig. 4 zeigen jeweils eine schematische
Schnittansicht, die zur Erläuterung des Schichtaufbaus
des erfindungsgemäßen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials dient.
Fig. 2A bis 2I bzw. 4A bis 5T zeigen jeweils eine schematische
Darstellung der Konzentrationsprofile der Stickstoffatome
und der Atome der Gruppe III des Periodensystems in Richtung der
Schichtdicke in dem ersten und zweiten Schichtbereich bzw. in der
ersten Schicht des erfindungsgemäßen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials.
Fig. 6 zeigt eine Vorrichtung für die Herstellung des
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials nach dem Glimm
entladungs-Dissoziationsverfahren.
Fig. 7 bis 18 sind jeweils Darstellungen, die das Analysen
ergebnis der Konzentrationsprofile der Boratome
und der Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke der fotoleitfähigen
Schicht in Beispielen der Erfindung zeigen.
Fig. 1 und Fig. 2A bis 2I zeigen jeweils einen schematischen
Schnitt, der zur Erläuterung des Schichtaufbaus
einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials dient.
Das in Fig. 1 gezeigte elektrofotografische Aufzeichnungs
material 100 besteht aus einer fotoleitfähigen
Schicht 102, die im wesentlichen
aus a-Si(H,X) zusammengesetzt ist und auf einem Träger
101 ausgebildet ist, wobei
die fotoleitfähige Schicht 102 von der Seite
des vorstehend erwähnten Trägers 101
aus gesehen in einen ersten
Schichtbereich 103 und einen
zweiten Schichtbereich 104 aufgeteilt ist.
Die in der fotoleitfähigen Schicht enthaltenen Atome
der Gruppe III des Periodensystems haben
in der zu der Oberfläche des Trägers parallelen
Richtung eine konstante Konzentration, während das Konzentrations
profil der Atome der Gruppe III in Richtung der Schicht
dicke ungleichmäßig gestaltet ist, wie es in Fig. 2A
bis 2I gezeigt wird. (Die Ordinatenachse gibt den Abstand
der jeweiligen Lage von der Oberfläche des Trägers an, während
die Abszissenachse das Konzentrationsprofil in Richtung der
Schichtdicke angibt, das durch die Konzentration
der Atome der Gruppe III des
Periodensystems, die durch Boratome vertreten werden,
ausgedrückt wird). Der erste Schichtbereich 103 besteht
gemäß einer bevorzugten Ausführungsform aus einem
Schichtbereich A, der sich an der Seite, die dem Träger
101 zugewandt ist, befindet und die Atome der Gruppe
III des Periodensystems in einer relativ höheren Konzentration
enthält, und einem Schichtbereich B, der sich
an der Seite, die dem zweiten Schichtbereich 104 zugewandt
ist, befindet und die Atome der Gruppe III in einer
niedrigeren Konzentration enthält. Sowohl in dem Schicht
bereich A als auch in dem Schichtbereich B kann das
Konzentrationsprofil der Atome der Gruppe III in Richtung der Schichtdicke
entweder gleichmäßig oder ungleichmäßig sein. Alternativ kann die
Konzentration der Atome der Gruppe III in beiden dieser
Schichtbereiche so verteilt sein, daß sie in Richtung
auf den zweiten Schichtbereich 104 abnimmt.
Der Schichtbereich A kann eine Dicke haben, die geeigneter
weise 2,0 nm bis 20 µm, vorzugsweise 3,0 nm bis
15µm und insbesondere 4,0 nm bis 10 µm beträgt. Die
Konzentration der Atome der Gruppe III des Periodensystems
innerhalb des Schichtbereichs A kann geeigneterweise
30 bis 5×10⁴ Atom-ppm, vorzugsweise 50 bis 5×10⁴
Atom-ppm und insbesondere 100 bis 5×10³ Atom-ppm
betragen. Wenn die Atome der Gruppe III des Perioden
systems innerhalb des Schichtbereichs A in der Weise
enthalten sind, daß sie in der Richtung der Schichtdicke
ein ungleichmäßiges Konzentrationsprofil annehmen, sollte
der Höchstwert der Konzentration der Atome der Gruppe III
in dem Schichtbereich A geeigneterweise 80 bis 1×10⁵
Atom-ppm, vorzugsweise 100 bis 5×10⁵ Atom-ppm und
insbesondere 150 bis 1×10⁵ Atom-ppm betragen.
Der Schichtbereich B sollte eine Dicke haben, die geeigneter
weise 1 bis 100 µm, vorzugsweise 1 bis 80 µm und
insbesondere 2 bis 50 µm beträgt. Die Atome der Gruppe
III des Periodensystems, die in dem Schichtbereich
B enthalten sind, haben geeigneterweise sowohl
in der zu der Trägeroberfläche parallelen Richtung
als auch in Richtung der Schichtdicke eine
im wesentlichen konstante Konzentration.
Die Konzentration der in dem Schichtbereich B
enthaltenen Atome der Gruppe III sollte geeigneter
weise niedriger sein als die Konzentration der
Atome der Gruppe III in dem Schichtbereich A. Ferner
sollten die Atome der Gruppe III in dem Schichtbereich B in einer
Konzentration enthalten sein, die niedriger ist als die Konzentration
der Atome der Gruppe III in dem zweiten Schichtbereich
104 und geeigneterweise 0,01 bis 1×10³ Atom-ppm,
vorzugsweise 0,5 bis 3×10² Atom-ppm und insbesondere
1 bis 100 Atom-ppm beträgt.
Die in dem zweiten Schichtbereich 104 enthaltenen Atome der
Gruppe III des Periodensystems haben in der zu der
Trägeroberfläche parallelen Richtung eine
im wesentlichen konstante Konzentration.
Die Dicke des zweiten Schichtbereichs 104
kann geeigneterweise 2,0 nm bis 15 µm,
vorzugsweise 3,0 nm bis 10 µm und insbesondere
4,0 nm bis 5 µm betragen. Die Konzentration der Atome
der Gruppe III des Periodensystems in dem zweiten
Schichtbereich 104 sollte geeigneterweise 0,01 bis
1×10⁴ Atom-ppm, vorzugsweise 0,5 bis 5×10³ Atom-
ppm und insbesondere 1 bis 1×10³ Atom-ppm betragen.
Andererseits haben die in dem zweiten Schichtbereich 104
enthaltenen Stickstoffatome in der zu der Trägeroberfläche
parallelen Richtung eine im wesentlichen
konstante Konzentration, jedoch kann
ihr Konzentrationsprofil in Richtung der Schichtdicke
entweder gleichmäßig sein oder derart sein, daß
die Konzentration der Stickstoffatome in Richtung auf die
freie Oberfläche der fotoleitfähigen Schicht ansteigt.
Der Anstieg der Konzentration der Stickstoffatome in Richtung
auf die freie Oberfläche kann entweder kontinuierlich
sein oder stufenweise verlaufen, wie es in Fig. 2A
bis 2I gezeigt wird (wobei der Konzentrationsmaßstab
an der Abszissenachse nicht der gleiche ist wie im
Fall der Boratome). Der Abschnitt in der Nähe der Seite
der freien Oberfläche, indem der Höchstwert der Konzentration
der Stickstoffatome vorliegt, kann in Richtung der
Schichtdicke eine bestimmte Länge haben, wie
es typischerweise in Fig. 2C gezeigt wird, oder er
kann alternativ nur in Form eines Punktes vorliegen,
wie es in Fig. 2A gezeigt wird. Wenn Stickstoffatome
in dem zweiten Schichtbereich 104 in einer ungleichmäßigen
Verteilung enthalten sind, sollte die Konzentration
der Stickstoffatome in dem zweiten
Schichtbereich 104 in dem Abschnitt, in dem sie
den Höchstwert hat, nämlich an der Seite
der freien Oberfläche der fotoleitfähigen Schicht
104, geeigneterweise 0,1 bis 57 Atom-%, vorzugsweise
1 bis 57 Atom-% und insbesondere 5 bis 57 Atom-% betragen,
während die Konzentration der Stickstoffatome
in dem Abschnitt, in dem sie den Mindestwert hat,
nämlich in dem Grenzbereich, der mit dem ersten Schichtbereich
103 in Berührung ist, oder in der Nähe dieser Grenze,
geeigneterweise 0 bis 35 Atom-%, vorzugsweise 0 bis
30 Atom-% und insbesondere 0 bis 25 Atom-% beträgt.
Es kann angenommen werden, daß das erfindungsgemäße
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial, dessen
fotoleitfähige Schicht so ausgebildet ist, daß die Konzen
trationen der Stickstoffatome und der Atome der Gruppe
III des Periodensystems in Richtung der Schichtdicke
in der vorstehend beschriebenen Weise verteilt sind,
deshalb sichtbare Bilder mit hoher Qualität, die eine
besonders hohe Bilddichte haben, selbst im Fall eines
hohen Belichtungswertes,
frei von einem Bildfließen sind und einen klaren Halbton
und eine hohe Auflösung haben, deshalb erzeugen kann,
weil ein sehr gutes Ladungsaufnahme
vermögen erzielt wird, das auf die Wirkung einer
Erhöhung des Widerstandes der fotoleitfähigen Schicht
durch die enthaltenen Stickstoffatome zurückzuführen
ist, weil eine Erweiterung der Lücke des Energiebandes
in dem Oberflächenabschnitt der fotoleitfähigen Schicht
oder in der Nähe der Oberfläche, wo die Konzentration
der Stickstoffatome hoch ist, erzielt wird, weil eine
Ladungsinjektion von der Seite des Trägers her dadurch verhindert
wird, daß die Atome der Gruppe III in dem ersten Schicht
bereich an der Seite des Trägers in höherer Konzentration
eingebaut sind und weil der Widerstand der fotoleitfähigen
Schicht erhöht ist. Im einzelnen bewegen sich,
wenn an dem oberen Schichtbereich die fotoleitfähige
Schicht eine Schicht-Grenzfläche vorhanden ist,
Ladungsträger, die hierin in übermäßiger Weise erzeugt
werden, beim Anlegen eines elektrischen Feldes überall
hin und löschen Ladungen im dunklen Bereich, wodurch ein
Bildfließen aufzutreten scheint. Im Gegensatz dazu
wird die Aktivierungsenergie für die Erzeugung von
Ladungsträgern aufgrund der vorstehend beschriebenen
erweiterten Bandlücke in der fotoleitfähigen Schicht des
erfindungsgemäßen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
selbst in dem Fall größer, wenn
in dem Energieband an der Schichtgrenzfläche eine komplizierte
Krümmung auftritt, was dazu führt, daß eine
Erzeugung von Ladungsträgern nicht leicht eintritt.
Der Grund dafür, daß die Atome der Gruppe III des Perioden
systems in dem Schichtbereich B des ersten Schichtbereichs
in einer niedrigen Konzentration enthalten sind, besteht
darin, daß durch eine Erhöhung des Widerstandes
des Schichtbereichs B eine Erhöhung des Ladungsaufnahme
vermögens erwartet werden kann, wodurch eine höhere
Bilddichte erwartet werden kann und ferner durch Erhöhung
der Beweglichkeit der Ladungen eine höhere Empfindlichkeit
erwartet werden kann. Die Atome der Gruppe III
des Periodensystems sind in dem zweiten Schichtbereich enthal
ten, um die erhöhte Menge der als Donator wirkenden Stickstoff
atome, die durch die Erhöhung der Konzentration
der Stickstoffatome in dem zweiten Schichtbereich eintritt,
zu kompensieren. Ferner kann, obwohl dies nicht bestätigt
wurde, dadurch, daß überall in der fotoleitfähigen Schicht,
wenn auch mit verschiedenen zugegebenen Konzentrationen,
Atome der Gruppe III eingebaut werden, eine Integrität
der fotoleitfähigen Schicht erwartet werden, und
es wird angenommen, daß dies auch auf eine Verhinderung
des Bildfließens wirksam einwirkt.
Beispiele für die Halogenatome (X), die in der
fotoleitfähigen Schicht enthalten sein können,
sind Fluor-, Chlor-, Brom- und Jodatome,
wobei Chloratome und vor allem Fluoratome besonders
bevorzugt werden.
Beispiele für die Atome der Gruppe III des Periodensystems, die
in der fotoleitfähigen Schicht 102 enthalten sind,
sind Bor-, Aluminium-, Gallium-, Indium- und Thallium
atome, wobei Boratome besonders bevorzugt werden.
Der Träger des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials kann entweder
elektrisch leitend oder isolierend sein. Als Beispiele
für elektrisch leitende Materialien können Metalle
wie z. B. NiCr, nichtrostender Stahl, Al, Cr,
Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt und Pd oder Legierungen davon
erwähnt werden.
Als isolierende Träger können üblicherweise Folien
oder Platten aus Kunstharzen, wozu Polyester, Polyethylen,
Polycarbonat, Celluloseacetat, Polypropylen, Poly
vinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol und
Polyamid gehören, Gläser, keramische Stoffe, Papiere
und andere Materialien eingesetzt werden. Diese isolierenden
Träger sollten vorzugsweise auf mindestens
einer ihrer Oberflächen einer Behandlung unterzogen
werden, durch die sie elektrisch leitend gemacht werden,
und andere Schichten werden geeigneterweise auf der
Seite des Trägers vorgesehen, die durch eine solche
Behandlung elektrisch leitend gemacht worden ist.
Ein Glas kann beispielsweise elektrisch leitend gemacht
werden, indem auf dem Glas eine dünne Schicht aus NiCr,
Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, In₂O₃, SnO₂
oder ITO (In₂O₃ + SnO₂) gebildet wird. Alternativ kann
eine Kunstharzfolie wie eine Polyesterfolie auf ihrer
Oberfläche durch Vakuumaufdampfung, Elektronenstrahl
abscheidung oder Zerstäuben eines Metalls wie z. B.
NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V,
Ti oder Pt oder durch Laminierbehandlung mit einem solchen
Metall elektrisch leitend gemacht werden.
Der Träger kann in irgendeiner Form ausgebildet werden,
beispielsweise in Form von Zylindern, Bändern, Platten
oder anderen Formen, und seine Form kann in gewünschter
Weise festgelegt werden. Wenn das elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial 100 in Fig. 1 beispielsweise als
elektrofotografisches Bilderzeugungsmaterial
eingesetzt werden soll, kann es für die Verwendung
in einem kontinuierlichen, mit hoher Geschwindigkeit
durchgeführten Kopierverfahren geeigneterweise in Form
eines endlosen Bandes oder eines Zylinders gestaltet
werden. Der Träger kann eine Dicke haben, die in
geeigneter Weise so festgelegt wird, daß ein gewünschtes
elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial gebildet werden
kann. Wenn das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
flexibel sein muß, wird der Träger mit der Einschränkung,
daß er seine Funktion als Träger ausüben können muß,
so dünn wie möglich ausgebildet. In einem solchen Fall
hat der Träger jedoch im allgemeinen unter Berücksichtigung
seiner Herstellung und Handhabung sowie seiner
mechanischen Festigkeit eine Dicke von vorzugsweise
10 µm oder eine größere Dicke.
Die Bildung einer aus a-Si(H,X) bestehenden, fotoleitfähigen
Schicht kann nach einem Vakuumbedampfungsverfahren
unter Anwendung der Entladungserscheinung,
beispielsweise nach dem Glimmentladungsverfahren,
dem Zerstäubungsverfahren oder dem Ionenbedampfungs
verfahren, durchgeführt werden.
Für die Bildung der aus a-Si(H,X) bestehenden
fotoleitfähigen Schicht nach dem Glimmentladungsverfahren
besteht das grundlegende Verfahren beispielsweise darin,
daß ein gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau
von Siliciumatomen zusammen mit einem
gasförmigen Ausgangsmaterial für den Einbau
von Wasserstoffatomen und/oder Halogenatomen
(X) und auch ein gasförmiges Ausgangsmaterial
für den Einbau von Stickstoffatomen
und ein gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau
der Atome der Gruppe III des Periodensystems in Abhängigkeit
von der Zusammensetzung der am Aufbau des zu bildenden
Schichtbereichs beteiligten Atome zusammen mit
einem Inertgas wie z. B. Ar oder He, falls dies erwünscht
ist, in eine Abscheidungskammer eingeleitet werden,
die im Inneren auf einen verminderten Druck gebracht
werden kann, und daß eine Plasmaatmosphäre aus diesen
Gasen erzeugt wird, indem in der Abscheidungskammer
eine Glimmentladung angeregt wird, wodurch auf der
Oberfläche eines Trägers, der in eine festgelegte
Lage gebracht worden ist, eine aus a-Si(H, X) bestehende
fotoleitfähige Schicht gebildet wird.
Alternativ können für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht
nach dem Zerstäubungsverfahren in eine für die Zerstäubung verwendete
Abscheidungskammer ein gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau von Wasser
stoffatomen und/oder Halogenatomen und auch
ein gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau
von Stickstoffatomen und ein gasförmiges Ausgangs
material für den Einbau der Atome der Gruppe III
des Periodensystems in Abhängigkeit von der Zusammensetzung
der am Aufbau des zu bildenden Schichtbereichs
beteiligten Atome eingeleitet werden, wenn ein aus
Si bestehendes Target in einer Atmosphäre aus einem
Inertgas wie z. B. Ar oder He oder aus einer Gasmischung
auf Basis dieser Gase zerstäubt wird.
Beispiele für wirksame gasförmige Ausgangsmaterialien für den Einbau von
Siliciumatomen sind gasförmige oder vergasbare
Siliciumhydride (Silane) wie z. B. SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈
und Si₄H₁₀. SiH₄ und Si₂H₆ werden im Hinblick
auf ihre einfache Handhabung während der Schichtbildung
und auf den Wirkungsgrad bezüglich des Einbaus von
Siliciumatomen besonders bevorzugt.
Zum Einbau von Wasserstoffatomen
in die fotoleitfähige Schicht wird im allgemeinen ein
Gas, das hauptsächlich aus H₂ oder einem Siliciumhydrid
wie z. B. SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀, wie sie vorstehend
erwähnt wurden, besteht, in eine Abscheidungskammer
eingeleitet, und in der Abscheidungskammer wird eine
Entladung angeregt.
Als Beispiele für wirksame gasförmige Ausgangsmaterialien für den
Einbau von Halogenatomen können eine
Vielzahl von Halogenverbindungen, z. B.
vorzugsweise Halogengase, Halogenide, Inter
halogenverbindungen oder gasförmige oder vergasbare
Halogenverbindungen wie z. B. mit Halogenen substituierte
Silanderivate erwähnt werden. Ferner können auch gasförmige
oder vergasbare, Halogenatome enthaltende Silicium
verbindungen, die aus Silicium- und Halogenatomen
gebildet sind, als wirksame
Ausgangsmaterialien für den Einbau von
Halogenatomen erwähnt werden.
Als typische Beispiele für Halogenverbindungen, die
vorzugsweise eingesetzt werden, können
Halogengase, wie z. B. Fluor, Chlor, Brom oder Jod und
Interhalogenverbindungen wie z. B. BrF, ClF, ClF₃,
BrF₅, BrF₃, JF₃, JF₇, JCl und JBr erwähnt werden.
Als Halogenatome enthaltende Siliciumverbindungen,
d. h. als mit Halogenen substituierte
Silanderivate, können vorzugsweise Siliciumhalogenide
wie z. B. SiF₄, Si₂F₆, SiCl₄ und SiBr₄ eingesetzt werden.
Wenn in die fotoleitfähige Schicht Halogenatome eingebaut
werden, können als gasförmiges Ausgangsmaterial
die vorstehend erwähnten Halogenverbindungen oder halogen
haltigen Siliciumverbindungen eingesetzt werden.
Ferner ist es auch möglich, als wirksame Ausgangsmaterialien
für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht
gasförmige oder vergasbare Halogenide, die Wasserstoff
atome enthalten, wozu Halogenwasserstoffe wie z. B. HF, HCl,
HBr und HJ und halogensubstituierte Siliciumhydride
wie z. B. SiH₂F₂, SiH₂J₂, SiH₂Cl₂, SiHCl₃, SiH₂Br₂
und SiHBr₃ gehören, einzusetzen.
Diese Halogenide, die Wasserstoffatome enthalten, können
während der Bildung der fotoleitfähigen Schicht gleich
zeitig mit dem Einbau von Halogenatomen Wasserstoff
atome, die sehr wirksame Bestandteile für die Steuerung
der elektrischen und fotoelektrischen Eigenschaften
sind, in die fotoleitfähige Schicht einbauen, und sie können
infolgedessen als bevorzugte Ausgangsmaterialien
für den Einbau von Halogenatomen
eingesetzt werden.
Als gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau
von Stickstoffatomen
können gasförmige oder vergasbare
Stickstoff-Verbindungen wie z. B. Nitride oder Azide,
beispielsweise Stickstoff (N₂), Ammoniak (NH₃), Hydrazin
(H₂NNH₂), Stickstoffwasserstoffsäure (HN₃) oder Ammonium
azid (NH₄N₃) eingesetzt werden. Ferner stehen als
Verbindungen, die zusätzlich zu Stickstoffatomen
auch Halogenatome einbauen können, halogenierte
Stickstoffverbindungen wie z. B. Stickstofftrifluorid
(NF₃) und Stickstofftetrafluorid (N₂F₄) zur Verfügung.
Als gasförmiges Ausgangsmaterial für den Einbau
der Atome der Gruppe III des Periodensystems
können beispielsweise
B₂H₆, B₄H₁₀, B₅H₉, B₅H₁₁, B₆H₁₀, GaCl₃, AlCl₃, BF₃, BCl₃, BBr₃ und BJ₃ erwähnt werden.
Für die Bildung der a-Si(H,X) enthaltenden foto
leitfähigen Schicht nach dem reaktiven Zerstäubungsver
fahren oder dem Ionenbedampfungsverfahren kann beispiels
weise im Fall des Zerstäubungsverfahrens ein Silicium enthaltendes
Target eingesetzt werden, und dieses Target
wird in einer bestimmten Gasplasmaatmosphäre zerstäubt.
Alternativ wird im Fall des Ionenbedampfungsverfahrens
ein polykristallines Silicium oder ein Einkristall
silicium als Verdampfungsquelle in ein Aufdampfungs
schiffchen hineingebracht, und die Verdampfungsquelle
wird durch Erhitzen nach dem Widerstandsheizverfahren
oder dem Elektronenstrahlverfahren verdampft
und durch eine bestimmte Gasplasma
atmosphäre hindurchtreten gelassen.
Sowohl beim Zerstäubungsverfahren als beim Ionen
bedampfungsverfahren können gewünschte Atome in die gebildete
fotoleitfähige Schicht eingebaut werden, indem ein gasförmiges
Ausgangsmaterial für den Einbau von Wasserstoffatomen und/oder
Halogenatomen zusammen mit einem gasförmigen Ausgangs
material für den Einbau von Stickstoffatomen
und einem gasförmigen Ausgangsmaterial für den
Einbau der Atome der Gruppe III des Periodensystems,
das, falls dies erwünscht ist, auch ein Inertgas wie
z. B. He oder Ar enthält, in die Abscheidungskammer
für die Zerstäubung oder die Ionenbedampfung eingeleitet
wird und eine Plasmaatmosphäre aus diesem Gas
erzeugt wird.
Für die Steuerung der Gehalte der Wasserstoffatome,
der Halogenatome, der Stickstoffatome oder der Atome
der Gruppe III des Periodensystems, die in der foto
leitfähigen Schicht 102 enthalten sind, kann beispiels
weise mindestens eine der folgenden Einflußgrößen die Menge
des in die Abscheidungskammer einzuleitenden Ausgangs
materials für den Einbau von Wasserstoffatomen,
Halogenatomen, Stickstoffatomen oder
Atomen der Gruppe III des Periodensystems, die Träger
temperatur und die Entladungsleistung gesteuert
werden.
Als verdünnendes Gas, das bei
der Bildung der fotoleitfähigen Schicht
nach dem Glimmentladungsverfahren oder dem Zerstäubungs
verfahren einzusetzen ist, kann vorzugsweise ein Edelgas
wie z. B. He, Ne oder Ar eingesetzt werden.
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung des Schicht
aufbaus eines modifizierten Beispiels des in Fig. 1
gezeigten, erfindungsgemäßen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials.
Das in Fig. 3 gezeigte elektrofotografische Aufzeichnungs
material 300, weist eine auf einem Träger 301
gebildete fotoleitfähige Schicht 302 mit einem ersten
Schichtbereich 303 und einem zweiten Schichtbereich 304, die
als Hauptbestandteil a-Si und vorzugsweise a-Si(H,X)
enthält, wie sie in Fig. 1 gezeigt wird, und ferner
einen auf dem zweiten Schichtbereich 304 gebildeten dritten
Schichtbereich 305, der als Hauptbestandteile Siliciumatome
und Kohlenstoffatome enthält, auf.
Die erwähnte fotoleitfähige Schicht 302 hat den gleichen Schicht
aufbau wie die in Fig. 1 gezeigte fotoleitfähige
Schicht 102, nämlich einen Schichtaufbau, der von
der Seite des vorstehend erwähnten Trägers 301 aus
in der Richtung der Schichtdicke dieser Schicht in
Abhängigkeit von dem Unterschied in der Zusammensetzung
der am Aufbau beteiligten Atome in einen ersten Schichtbereich
303 und einen zweiten Schichtbereich 304 aufgeteilt ist.
Das heißt, das in Fig. 3 gezeigte elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial 300 hat die gleichen Schichtbildungs
materialien und weist den gleichen Schichtaufbau
auf wie das in Fig. 1 gezeigte elektrofotografische Aufzeichnungs
material 100, jedoch mit dem Unterschied, daß
es einen dritten Schichtbereich 305 enthält.
Der bei dem in Fig. 3 gezeigten elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterial 300 auf dem zweiten Schichtbereich 304
gebildete dritte Schichtbereich 305 der fotoleitfähigen Schicht
hat eine freie Oberfläche und ist hauptsächlich vorgesehen, um die
Aufgabe der Erfindung bezüglich der Feuchtigkeitsbeständigkeit,
der Eigenschaften bei der kontinuierlichen und wiederholten
Verwendung, der Durchschlagsfestigkeit, der
Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungs
bedingungen während der Verwendung und der Haltbarkeit
zu lösen.
Da bei dem in Fig. 3 gezeigten elektrofotografischen Auf
zeichnungsmaterial der erste, der zweite und der dritte Schichtbereich
als gemeinsamen Bestandteil Siliciumatome enthalten,
ist an den Grenzflächen der Schichtbereiche
eine ausreichende chemische Stabilität
gewährleistet.
Der dritte Schichtbereich 305 besteht aus einem amorphen
Material, das Siliciumatome, Kohlenstoffatome
und gegebenenfalls Wasserstoffatome und/oder
Halogenatome enthält [ nachstehend als "a-(Si x C1-x ) y
(H,X)1-y " bezeichnet, worin 0 < x, y < 1].
Der aus "a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y " gebildete dritte Schichtbereich 305
kann z. B. nach dem Glimmentladungsverfahren, dem Zerstäubungs
verfahren, dem Ionenimplantationsverfahren, dem Ionen
bedampfungsverfahren oder dem Elektronenstrahlverfahren
gebildet werden. Diese Fertigungsverfahren können
in Abhängigkeit von verschiedenen Einflußgrößen wie z. B.
den Herstellungsbedingungen, dem Ausmaß der Belastung
durch den Kapitalaufwand für Einrichtungen, dem Ferti
gungsmaßstab und den erwünschten Eigenschaften, die
bei dem herzustellenden elektrofotografischen Aufzeichnungs
material erforderlich sind, in geeigneter Weise gewählt
werden. Das Glimmentladungsverfahren oder das Zerstäubungs
verfahren kann wegen der damit verbundenen
Vorteile einer relativ einfachen Steuerung der Her
stellungsbedingungen für die Herstellung von
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien mit erwünschten
Eigenschaften und des leichten Einbaus von Silicium
atomen und Kohlenstoffatomen, gegebenenfalls zusammen
mit Wasserstoffatomen oder Halogenatomen, in dem herzu
stellenden dritten Schichtbereich 305 vorzugsweise angewandt werden.
Ferner kann der dritte Schichtbereich 305
gebildet werden, indem das Glimmentladungsverfahren
und das Zerstäubungsverfahren in Kombination in dem
gleichen Vorrichtungssystem angewandt werden.
Für die Bildung des dritten Schichtbereichs 305 nach dem Glimm
entladungsverfahren können gasförmige Ausgangsmaterialien
für die Bildung von a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y , die gegebenen
falls in einem festgelegten Mischungsverhältnis mit
verdünnendem Gas vermischt worden sind, in eine Abscheidungs
kammer für die Vakuumbedampfung eingeleitet werden,
in die ein Träger 301, auf dem der erste Schichtbereich
303 und der zweite Schichtbereich 304 gebildet wurden, hinein
gebracht worden ist, und aus dem eingeleiteten Gas wird
durch Anregen einer Glimmentladung ein Gasplasma hergestellt,
wodurch auf dem zweiten Schichtbereich 304
a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y abgeschieden wird.
Als gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung
von a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y können
die meisten gasförmigen Substanzen
oder vergasbaren Substanzen in vergaster Form, die
mindestens eine aus
Siliciumatomen, Kohlenstoffatomen, Wasserstoffatomen
und Halogenatomen ausgewählte Atomart
enthalten, eingesetzt werden.
Falls ein gasförmiges Ausgangsmaterial eingesetzt
wird, das als eine der aus Silicium-, Kohlenstoff-, Wasserstoff- und
Halogenatomen ausgewählten Atomarten Siliciumatome
enthält, kann beispielsweise
eine Mischung aus einem gasförmigen Ausgangsmaterial,
das Siliciumatome enthält,
einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das
Kohlenstoffatome enthält, und gegebenenfalls
einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das
Wasserstoffatome enthält, und/oder einem
gasförmigen Ausgangsmaterial, das Halogenatome
enthält, falls dies erwünscht ist,
in einem gewünschten Mischungsverhältnis eingesetzt
werden, oder alternativ kann eine Mischung aus einem
gasförmigen Ausgangsmaterial, das
Siliciumatome enthält, und einem gasförmigen
Ausgangsmaterial, das Kohlenstoff- und Wasserstoff
atome enthält, und/oder einem gasförmigen
Ausgangsmaterial, das Kohlenstoff- und Halogenatome
enthält, ebenfalls in einem gewünschten
Mischungsverhältnis, oder eine Mischung aus einem gasförmigen
Ausgangsmaterial, das Siliciumatome
enthält, und einem gasförmigen Ausgangsmaterial,
das Silicium-, Kohlenstoff- und Wasserstoffatome
oder Silicium-, Kohlenstoff- und Halogenatome
enthält, in einem gewünschten Mischungs
verhältnis eingesetzt werden.
Alternativ ist auch der Einsatz einer Mischung aus
einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das Silicium- und
Wasserstoff- oder Halogenatome enthält,
und einem gasförmigen Ausgangsmaterial, das
Kohlenstoffatome enthält, möglich.
Halogenatome, die in dem dritten Schichtbereich 305 enthalten
sein können, sind Fluor-, Chlor-, Brom- und Jodatome,
wobei Fluor- und Chloratome besonders bevorzugt werden.
Als Beispiele für die Verbindungen, die wirksam als
gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung des
dritten Schichtbereichs 305 eingesetzt werden können, können
gasförmige Siliciumhydride, die Silicium- und Wasserstoff
atome enthalten, beispielsweise
SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀, Verbindungen,
die Kohlenstoff- und Wasserstoffatome enthalten,
beispielsweise gesättigte Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen,
ethylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen und
acetylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 4 Kohlenstoff
atomen, einfache Halogensubstanzen, Halogenwasserstoffe,
Interhalogenverbindungen, Siliciumhalogenide
und halogensubstituierte Siliciumhydride erwähnt werden.
Im einzelnen können als gesättigte Kohlenwasserstoffe
Methan, Ethan, Propan, n-Butan und Pentan, als ethylenische
Kohlenwasserstoffe Ethylen, Propylen, Buten-1,
Buten-2, Isobutylen und Penten, als acetylenische
Kohlenwasserstoffe Acetylen, Methylacetylen und Butin,
als einfache Halogensubstanzen gasförmige Halogene
wie z. B. Fluor, Chlor, Brom und Jod, als Halogenwasser
stoffe HF, HJ, HCl und HBr, als Interhalogenverbindungen
ClF, ClF₃, ClF₅, BrF, BrF₃, BrF₅, JF₅, JF₇, JCl und
JBr, als Siliciumhalogenide SiF₄, Si₂F₆, SiCl₄, SiCl₃Br,
SiCl₂Br₂, SiClBr₃, SiCl₃J und SiBr₄ und als halogen
substituierte Siliciumhydride SiH₂F₂, SiH₂Cl₂ SiHCl₃,
SiH₃Cl, SiH₃Br, SiH₂Br₂ und SiHBr₃ usw. erwähnt werden.
Zusätzlich zu diesen Materialien können auch halogen
substituierte paraffinische Kohlenwasserstoffe wie
z. B. CF₄, CCl₄, CBr₄, CHF₃, CH₂F₂, CH₃F, CH₃Cl, CH₃Br,
CH₃J und C₂H₅Cl, fluorierte Schwefelverbindungen wie
z. B. SF₄ und SF₆, Alkylsilicide wie z. B. Si(CH₃)₄
und Si(C₂H₅)₄ und halogenhaltige Alkylsilicide wie
z. B. SiCl(CH₃)₃, SiCl₂(CH₃)₂ und SiCl₃CH₃ als wirksame
Materialien eingesetzt werden.
Diese Materialien für die Bildung des dritten Schichtbereichs
305 können ausgewählt und während der Bildung des
dritten Schichtbereichs 305 in der gewünschten Weise so einge
setzt werden, daß in dem zu bildenden dritten Schichtbereich
305 Siliciumatome, Kohlenstoffatome und gegebenenfalls
Halogenatome und/oder Wasserstoffatome in einem gewünschten
Zusammensetzungsverhältnis enthalten sind.
Beispielsweise kann Si(CH₃)₄, das imstande ist, leicht
Siliciumatome, Kohlenstoffatome und Wasserstoffatome
einzubauen und einen dritten Schichtbereich mit erwünschten Eigenschaften
zu bilden, zusammen mit einem Material für den Einbau
von Halogenatomen wie z. B. SiHCl₃, SiH₂Cl₂, SiCl₄
oder SiH₃Cl in einem bestimmten Mischungsverhältnis
im gasförmigen Zustand in eine Vorrichtung für die
Bildung des dritten Schichtbereichs eingeleitet werden,
wobei in der Vorrichtung eine Glimmentladung angeregt
wird, wodurch ein aus a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y
bestehender dritter Schichtbereich 305 gebildet wird.
Für die Bildung des dritten Schichtbereichs 305 nach dem Zerstäubungs
verfahren wird eine Scheibe aus monokristallinem
oder polykristallinem Silicium und/oder eine Kohlenstoff-Scheibe oder
eine Scheibe, in der eine Mischung von Silicium und Kohlenstoff enthalten
ist, als Target eingesetzt und in einer Atmosphäre
aus verschiedenen Gasen, die, falls erwünscht,
Halogenatome und/oder Wasserstoffatome
enthalten, zerstäubt.
Wenn beispielsweise eine Silicium-Scheibe als Target eingesetzt
wird, wird ein gasförmiges Ausgangsmaterial
für den Einbau von Kohlenstoff- und Wasserstoff- und/oder
Halogenatomen, das gewünschtenfalls mit einem verdünnenden Gas verdünnt
sein kann, in eine Abscheidungskammer für die Zerstäubung
eingeleitet, um darin ein Gasplasma zu erzeugen
und eine Zerstäubung der Silicium-Scheibe zu bewirken.
Alternativ können Silicium und Kohlenstoff als getrennte Targets oder
in Form eines plattenförmigen Targets aus einer Mischung
von Silicium und Kohlenstoff eingesetzt werden, und die Zerstäubung
wird in der Gasatmosphäre durchgeführt, die, falls
notwendig, Wasserstoffatome und/oder Halogenatome
enthält. Als gasförmiges Ausgangsmaterial für den
Einbau von Kohlenstoff-, Wasserstoff- und Halogenatomen können
auch im Fall der Zerstäubung die Materialien für die Bildung
des dritten Schichtbereichs 305 eingesetzt werden, die im Zusammenhang
mit dem vorstehend beschriebenen Glimmentladungsverfahren
als wirksame Gase erwähnt wurden.
Als verdünnendes Gas, das bei der Bildung des dritten
Schichtbereichs 305 nach dem Glimmentladungsverfahren oder
dem Zerstäubungsverfahren einzusetzen ist, können
vorzugsweise Edelgase wie
He, Ne oder Ar eingesetzt werden.
Der dritte Schichtbereich 305 sollte sorgfältig so gebildet
werden, daß ihm die erforderlichen Eigenschaften genau
in der gewünschten Weise gegeben werden können.
Im einzelnen kann eine Substanz, die Silicium-, Kohlenstoff-
und, falls erforderlich, Wasserstoff-
und/oder Halogenatome enthält, in Abhängigkeit von den
Herstellungsbedingungen verschiedene Formen annehmen,
die sich von einer kristallinen zu einer amorphen
Form erstrecken, elektrische Eigenschaften annehmen,
die von den Eigenschaften einer elektrisch leitenden
Substanz über die Eigenschaften eines Halbleiters
bis zu den Eigenschaften eines Isolators reichen, und
Fotoleitfähigkeitseigenschaften annehmen, die von
den Eigenschaften eines Fotoleiters bis zu den Eigenschaften
einer nicht fotoleitfähigen Substanz reichen.
Die Herstellungsbedingungen werden infolgedessen
in der gewünschten Weise genau
gewählt, so daß a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y mit erwünschten
Eigenschaften, die von dem Zweck abhängen, gebildet
werden kann. Wenn der dritte Schichtbereich 305 beispielsweise
hauptsächlich vorgesehen ist, um die Durchschlagsfestigkeit
zu verbessern, wird a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y als
ein amorphes Material hergestellt, das unter den Anwendungs
bedingungen ein ausgeprägtes Verhalten als elektrischer
Isolator zeigt.
Alternativ kann das Ausmaß der vorstehend erwähnten
elektrischen Isoliereigenschaft bis zu einem gewissen
Grade gemildert werden, wenn der dritte Schichtbereich 305
hauptsächlich vorgesehen ist, um die Eigenschaften
bei der kontinuierlichen wiederholten Verwendung oder
die Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungs
bedingungen während der Anwendung zu verbessern, und
a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y kann als ein amorphes Material
hergestellt werden, das bis zu einem gewissen Grade
gegenüber dem Licht, mit dem bestrahlt wird, empfindlich
ist.
Bei der Bildung des aus a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y bestehenden
dritten Schichtbereichs 305 auf der Oberfläche des zweiten
Schichtbereichs 304 ist die Trägertemperatur während der
Schichtbildung eine wichtige Einflußgröße, die die Struktur
und die Eigenschaften des zu bildenden dritten Schichtbereichs
beeinflußt, und es ist erwünscht,
die Trägertemperatur während der Schichtbildung
genau zu steuern, damit
a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y mit den angestrebten
Eigenschaften hergestellt werden kann.
Die Trägertemperatur bei der Bildung des dritten
Schichtbereichs kann für eine wirksame Lösung der Aufgabe
der Erfindung in geeigneter Weise in einem optimalen
Temperaturbereich in Übereinstimmung mit dem Verfahren
für die Bildung des dritten Schichtbereichs 305
gewählt werden. Die Trägertemperatur kann jedoch geeigneter
weise 20 bis 400°C, vorzugsweise 50 bis 350°C und
insbesondere 100 bis 300°C betragen. Für die Bildung
des dritten Schichtbereichs 305 kann vorteilhafterweise das
Glimmentladungsverfahren oder das Zerstäubungsverfahren
angewandt werden, weil bei diesen Verfahren eine genaue
Steuerung des Zusammensetzungsverhältnisses der
am Aufbau des dritten Schichtbereichs 305 beteiligten Atome
auf eine im Vergleich mit anderen
Verfahren relativ einfache Weise durchgeführt
werden kann. Falls der dritte Schichtbereich 305 nach
diesen Schichtbildungsverfahren gebildet werden soll,
ist die Entladungsleistung während der Schichtbildung
ähnlich wie die vorstehend erwähnte Trägertemperatur
eine der wichtigen Einflußgrößen, die die Eigenschaften
des herzustellenden a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y beeinflussen.
Für eine wirksame Herstellung von a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y
mit Eigenschaften, durch die die Aufgabe der Erfindung
gelöst wird, mit einer guten Produktivität kann die
Entladungsleistung geeigneterweise 10 bis 300 W, vorzugs
weise 20 bis 250 W und insbesondere 50 bis 200 W
betragen.
Der Gasdruck in einer Abscheidungskammer kann geeigneter
weise 13 µbar bis 1,3 mbar und vorzugsweise 0,13 bis
0,67 mbar betragen.
Die vorstehend angegebenen numerischen Bereiche können
als bevorzugte numerische
Bereiche für die Trägertemperatur und die Entladungs
leistung für die Herstellung des dritten Schichtbereichs
305 erwähnt werden. Diese Einflußgrößen für die Schicht
bildung sollten jedoch nicht unabhängig voneinander
getrennt festgelegt werden, sondern es ist erwünscht,
daß die optimalen Werte für die einzelnen Einflußgrößen
auf der Grundlage gegenseitiger organischer
Beziehungen zueinander so festgelegt werden, daß ein
aus a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y bestehender dritter Schicht
bereich 305 mit gewünschten Eigenschaften gebildet
werden kann. Der Gehalt der Kohlenstoffatome in dem
dritten Schichtbereich 305 ist ähnlich wie die Bedingungen
für die Herstellung des dritten Schichtbereichs 305
eine der wichtigen Einflußgrößen für die Erzielung der
gewünschten Eigenschaften, mit denen die Aufgabe der
Erfindung gelöst wird.
Der Gehalt der Kohlenstoffatome in dem dritten Schichtbereich
305 sollte in der gewünschten Weise in Abhängigkeit
von den Eigenschaften des dem dritten Schichtbereich 305 bildenden,
amorphen Materials festgelegt werden.
Das amorphe Material, das durch die vorstehend erwähnte
Formel a-(Si x C1-x ) y (H,X)1-y wiedergegeben wird, kann
im einzelnen in weitem Sinne in ein amorphes Material,
das aus Siliciumatomen und Kohlenstoffatomen aufgebaut
ist, (nachstehend als "a-Si a C1-a " worin 0 < a 1,
bezeichnet), ein amorphes Material, das aus Silicium
atomen, Kohlenstoffatomen und Wasserstoffatomen aufgebaut
ist, (nachstehend als "a-(Si b C1-b ) c H1-c ", worin
0 < b, c < 1, bezeichnet) und ein amorphes Material,
das aus Siliciumatomen, Kohlenstoffatomen und Halogen
atomen und gegebenenfalls Wasserstoffatomen aufgebaut
ist, (nachstehend als "a-(Si d C1-d ) e (H,X)1-e ", worin
0 < d, e < 1, bezeichnet) eingeteilt werden.
Wenn der dritte Schichtbereich 305 aus a-Si a C1-a gebildet
ist, kann der Gehalt der in dem dritten Schichtbereich enthaltenen
Kohlenstoffatome geeigneterweise 1×10-3 bis
90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 80 Atom-% und insbesondere
10 bis 75 Atom-% betragen. Das heißt, daß a in der
Formel a-Si a C1-a geeigneterweise 0,1 bis 0,99999,
vorzugsweise 0,2 bis 0,99 und insbesondere 0,25 bis
0,9 betragen kann.
Wenn der dritte Schichtbereich 305 aus a-(Si b C1-b ) c H1-c gebildet
ist, kann der Gehalt der in dem dritten Schichtbereich
305 enthaltenen Kohlenstoffatom andererseits geeigneterweise
1×10-3 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 90
Atom-% und insbesondere 10 bis 80 Atom-% betragen.
Der Gehalt der Wasserstoffatome kann geeigneterweise
1 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 2 bis 35 Atom-% und
insbesondere 5 bis 30 Atom-% betragen. Ein elektrofoto
grafisches Aufzeichnungsmaterial, das so gebildet ist,
daß sein dritter Schichtbereich einen innerhalb dieser Bereiche liegenden
Wasserstoffatomgehalt hat, ist für praktische Anwendungen
in ausreichendem Maße als elektrofotografisches Aufzeichnungs
material mit sehr guten Eigenschaften anwendbar.
Das heißt, daß in der vorstehend angegebenen Formel
a-(Si b C1-b ) c H1-c b geeigneterweise 0,1 bis 0,99999,
vorzugsweise 0,1 bis 0,99 und insbesondere 0,15 bis
0,9 betragen kann, während c geeigneterweise 0,6 bis
0,99, vorzugsweise 0,65 bis 0,98 und insbesondere
0,7 bis 0,95 betragen kann.
Wenn der dritte Schichtbereich 305 aus a-(Si d C1-d ) e (H+X)1-e
gebildet ist, kann der Gehalt der in dem dritten Schichtbereich
305 enthaltenen Kohlenstoffatome geeigneterweise
1×10-3 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 90 Atom-%
und insbesondere 10 bis 80 Atom-% betragen. Der Gehalt
der Halogenatome kann geeigneterweise 1 bis 20 Atom-%,
vorzugsweise 1 bis 18 Atom-% und insbesondere 2 bis
15 Atom-% betragen. Ein elektrofotografisches Aufzeichnungs
material, das so gebildet ist, daß der Halogen
atomgehalt seines dritten Schichtbereichs innerhalb dieser Bereiche liegt, ist für
praktische Anwendungen in ausreichendem Maße als Aufzeichnungs
material mit sehr guten Eigenschaften anwendbar.
Der Gehalt der gegebenenfalls enthaltenen Wasserstoffatome
kann vorzugsweise 19 Atom-% oder weniger
und insbesondere 13 Atom-% oder weniger betragen.
Das heißt, daß in der vorstehend angegebenen Formel
a-(Si d C1-d ) e (H+X)1-e d geeigneterweise 0,1 bis 0,99999,
vorzugsweise 0,1 bis 0,99 und insbesondere 0,2 bis
0,9 betragen kann, während e geeigneterweise 0,8 bis
0,99, vorzugsweise 0,82 bis 0,99 und insbesondere
0,85 bis 0,98 betragen kann.
Der Bereich des numerischen Wertes der Schichtdicke
des dritten Schichtbereichs 305 sollte geeigneterweise in
Abhängigkeit von dem angestrebten Zweck so festgelegt
werden, daß die Aufgabe der Erfindung wirksam gelöst
wird.
Die Schichtdicke des dritten Schichtbereichs 305 muß unter
gebührender Berücksichtigung der Beziehung zu dem
Gehalt der Kohlenstoffatome, der Schichtdicke des
ersten Schichtbereichs 303 und des zweiten Schichtbereichs 304
sowie anderer organischer Beziehungen zu den
für die einzelnen Schichtbereiche erforderlichen
Eigenschaften in geeigneter Weise festgelegt werden.
Außerdem ist es auch erwünscht, wirtschaftliche Gesichts
punkte wie z. B. die Produktivität oder die
Möglichkeit der Massenfertigung zu berücksichtigen.
Der dritte Schichtbereich 305 hat geeigneterweise
eine Schichtdicke, die im allgemeinen
0,003 bis 30 µm, vorzugsweise 0,004 bis 20 µm und
insbesondere 0,005 bis 10 µm beträgt.
Im Fall der Schichtbildung nach dem Glimmentladungsver
fahren kann der Gehalt der in dem dritten Schichtbereich
305 enthaltenen Kohlenstoffatome gesteuert werden,
indem die Durchflußgeschwindigkeit des
gasförmigen Ausgangsmaterials für den Einbau
von Kohlenstoffatomen gesteuert wird, wenn
es in die Abscheidungskammer eingeleitet wird.
Im Fall der Schichtbildung nach dem Zerstäubungsver
fahren kann das Zerstäubungsflächenverhältnis der
Siliciumscheibe zu der Graphitscheibe während der
Bildung des Targets variiert werden, oder das Mischungs
verhältnis von Siliciumpulver zu Graphitpulver kann
verändert werden, bevor daraus ein Target geformt
wird, wodurch der Gehalt der Kohlenstoffatome in der
gewünschten Weise gesteuert werden kann. Der Gehalt
der Halogenatome in dem dritten Schichtbereich 305 kann
gesteuert werden, indem die Durchflußgeschwindigkeit des
Ausgangsmaterials für den Einbau von Halogenatomen
gesteuert wird, wenn es in die Abscheidungskammer
eingeleitet wird.
Fig. 4 zeigt eine schematische Schnittansicht des
Schichtaufbaus einer anderen bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen elektrofotografischen Aufzeichnungs
materials.
Das in Fig. 4 gezeigte erfindungsgemäße elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial 400 besteht aus einer auf einem
Träger 401 vorgesehenen
ersten Schicht 402, die als Hauptbestandteil a-Si,
vorzugsweise a-Si(H,X), enthält und fotoleitfähig ist, und einer auf der
ersten Schicht 402 ausgebildeten zweiten Schicht 403,
die als Hauptbestandteil Siliciumatome und Kohlenstoffatome
enthält und ebenfalls fotoleitfähig ist.
Bei dem in Fig. 4 gezeigten elektrofotografischen Aufzeichnungs
material gleichen der Träger 401 und die zweite
Schicht 403 dem Träger 301 bzw. dem dritten Schichtbereich
305, während die erste Schicht 402 einen Schichtaufbau
hat, der von dem Schichtaufbau der in Fig. 3 gezeigten
fotoleitfähigen Schicht 302 verschieden ist.
Im einzelnen haben die Konzentrationsprofile der Atome der
Gruppe III des Periodensystems und der Stickstoffatome
in Richtung der Schichtdicke im Fall der
aus dem ersten Schichtbereich 303 und dem zweiten Schicht
bereich 304 aufgebauten fotoleitfähigen Schicht 302
in dem in Fig. 3 gezeigten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial 300 die
in Fig. 2A bis 2I gezeigten Formen, während sie
im Fall der ersten Schicht 402 in dem elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterial 400 die in Fig. 5A bis 5T gezeigten
Formen haben.
Nachstehend wird der Aufbau der ersten Schicht 402
näher erläutert. Die in der ersten Schicht 402 enthaltenen
Stickstoffatome haben in der zu der Trägerober
fläche parallelen Richtung eine im wesentlichen konstante
Konzentration , während das Konzentrationsprofil
der Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke derart
ist, daß die Konzentration der Stickstoffatome
vom mittleren Abschnitt der ersten
Schicht 402 in Richtung auf die Grenzfläche
mit der zweiten Schicht 403 ansteigt, wie es
in Fig. 5A bis Fig. 5T gezeigt wird (wobei die Ordinaten
achse den Abstand der jeweiligen Lage von der Trägeroberfläche anzeigt,
während die Abszissenachse die Konzentration
anzeigt). Was das Konzentrationsprofil der Stickstoff
atome vom mittleren Abschnitt der ersten Schicht 402 in Richtung
auf die Oberfläche an der Seite, wo der Träger 401
vorgesehen ist, betrifft, so kann die Konzentration
der Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke konstant sein,
wie es typischerweise in Fig. 5A gezeigt wird, oder die Stickstoff
atome können alternativ eine derartige Konzentrations
verteilung haben, daß ihre Konzentration ansteigt,
wie es typischerweise in Fig. 5B gezeigt wird.
Andererseits haben die in der ersten Schicht 402
enthaltenen Atome der Gruppe III des Periodensystems
in der zu der Oberfläche des Trägers 401 parallelen
Richtung ähnlich wie bei der Verteilung der Stickstoff
atome eine im wesentlichen konstante Konzentration,
während die Konzentration der Atome
der Gruppe III des Periodensystems in Richtung der
Schichtdicke, wie es in den Fig. 5A bis 5T gezeigt
wird, derart verteilt ist, daß sie an der Endfläche
an der Seite, wo der Träger 401 vorgesehen ist,
oder in der Nähe dieser Endfläche den Höchstwert
hat (bei der in den Figuren gewählten Darstellung vertritt
Bor die Atome der Gruppe III, und der Maßstab der
Boratomkonzentration ist nicht der gleiche wie im
Fall der Stickstoffatome). Das Konzentrationsprofil der Atome
der Gruppe III des Periodensystems kann vom mittleren
Abschnitt der ersten Schicht 402 in Richtung auf die zweite
Schicht 403 vorzugsweise derart sein, wie es typischerweise
in Fig. 5A gezeigt wird, nämlich derart, daß
die Konzentration der Atome der Gruppe III des Perioden
systems entsprechend der Zunahme der Konzentration
der Stickstoffatome zunimmt.
Ferner kann der Abschnitt, in dem die Konzentration
der Stickstoffatome oder die Konzentration
der Atome der Gruppe III in dem inneren,
dem Träger zugewandten Teil der ersten Schicht 402 den
Höchstwert hat, eine bestimmte Länge in Richtung der
Schichtdicke haben, wie es typischerweise in Fig. 5D
bzw. Fig. 5I gezeigt wird, oder der Höchstwert bildet
alternativ nur einen Punkt in Richtung der Schicht
dicke. Ferner wird die Konzentration dieser Atome
in Richtung auf das Schichtende vorzugsweise kontinuierlich
erhöht, jedoch kann die Konzentration auch stufenweise
verändert werden. Es wird in geeigneter Weise
im Hinblick auf die Erzielung einer Ausgewogenheit
zwischen den für das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
erforderlichen Funktionen und den Ausrüstungen für die
Herstellung des Aufzeichnungsmaterials festgelegt,
welche Art der Konzentrationsprofile dieser Atome
in der ersten Schicht vorgesehen werden sollte.
Die Konzentration der in der ersten Schicht
402 enthaltenen Stickstoffatome kann in dem Abschnitt,
in dem sie den Höchstwert hat, nämlich in der Nähe
der Grenzfläche zwischen der ersten Schicht 402
und der zweiten Schicht 403, geeigneterweise 0,1 bis 57
Atom-%, vorzugsweise 1 bis 57 Atom-% und insbesondere
5 bis 57 Atom-% betragen, während sie in dem Abschnitt,
in dem sie den Mindestwert hat, nämlich in dem mittleren
Abschnitt oder in dessen Nähe in der ersten Schicht 402,
geeigneterweise 0,005 bis 35 Atom-%, vorzugsweise
0,01 bis 30 Atom-% und insbesondere 0,5 bis 25 Atom-%
betragen kann.
Die vorstehend erwähnten Höchstwerte und Mindestwerte
der Konzentration der Stickstoffatome können
in geeigneter Weise innerhalb der angegebenen numerischen
Bereiche entsprechend den Konzentrationen
der Atome der Gruppe III des Periodensystems festgelegt
werden, und für eine wirksamere Lösung der Aufgabe
der Erfindung werden die jeweiligen Konzentrationen
der Stickstoffatome geeigneterweise in Übereinstimmung mit der Erhöhung
der Konzentration der Atome der Gruppe
III des Periodensystems erhöht. Ferner sollte der
Höchstwert der Konzentration der Stickstoffatome geeigneter
weise 1,05 mal so hoch oder höher, vorzugsweise 1,1 mal
so hoch oder höher und insbesondere 1,15 mal so hoch
oder höher wie bzw. als der Mindestwert der
Konzentration der Stickstoffatome sein.
Die Konzentration der Atome der Gruppe III des Periodensystems
kann in dem Abschnitt, in dem sie
den Höchstwert hat, nämlich an der Endfläche
der ersten Schicht 402 an der Seite, wo der Träger 401
vorgesehen ist, oder in der Nähe dieser Endfläche,
geeigneterweise 80 bis 1×10⁵ Atom-ppm, vorzugsweise
100 bis 5×10⁴ Atom-ppm und insbesondere 150 bis
1×10⁴ Atom-ppm betragen, während die
Konzentration der Atome der Gruppe III des Perioden
systems in dem Abschnitt, in dem sie ihren Mindestwert
hat, nämlich in dem mittleren Abschnitt der ersten
Schicht 402, geeigneterweise 1 bis 1000 Atom-ppm,
vorzugsweise 5 bis 700 Atom-ppm und insbesondere 10
bis 500 Atom-ppm betragen kann.
Die vorstehend erwähnten Höchstwerte und Mindestwerte
der Konzentration der Atome der Gruppe
III des Periodensystems können in geeigneter Weise
innerhalb der angegebenen numerischen Bereiche entsprechend
den Konzentrationen der Stickstoffatome
festgelegt werden, und für eine wirksamere Lösung
der Aufgabe der Erfindung werden die jeweiligen Konzen
trationen der Atome der Gruppe III des Periodensystems
geeigneterweise in Übereinstimmung mit der
Erhöhung der Konzentration der Stickstoffatome
erhöht. Ferner sollte der Höchstwert der
Konzentration der Atome der Gruppe III des Perioden
systems vorzugsweise 2mal so groß oder größer und
insbesondere 3 mal so groß oder größer wie bzw. als
der Mindestwert der Konzentration der Atome
der Gruppe III des Periodensystems sein.
Als nächstes wird ein Beispiel des Verfahrens zur
Herstellung des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
nach dem Glimmentladungs-Dissoziationsverfahren
beschrieben.
Fig. 6 zeigt eine Vorrichtung für die Herstellung
eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials nach
dem Glimmentladungs-Dissoziationsverfahren.
In den Gasbomben 1102 bis 1106 sind luftdicht abge
schlossene, gasförmige Ausgangsmaterialien für die
Bildung der fotoleitfähigen Schicht des erfindungs
gemäßen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials enthalten.
Beispielsweise ist 1102 eine Bombe, die SiH₄-Gas
(Reinheit: 99,99%) enthält, ist 1103 eine Bombe,
die mit H₂ verdünntes B₂H₆-Gas (Reinheit 99,99%,
nachstehend als "B₂H₆/H₂" bezeichnet) enthält, ist
1104 eine NH₃-Gas (Reinheit: 99,99%) enthaltende
Bombe, ist 1105 eine CH₄-Gas (Reinheit: 99,99%) enthaltende
Bombe und ist 1106 eine SiF₄-Gas (Reinheit:
99,99%) enthaltende Bombe. Außer diesen Gasbomben
können, obwohl dies in der Zeichnung nicht gezeigt
wird, auch zusätzliche Bomben mit gewünschten Gasarten
zur Verfügung gestellt werden, falls dies erforderlich
ist.
Um diese Gase in eine Reaktionskammer 1101 hineinströmen
zu lassen, wird zuerst ein Hauptventil 1134 geöffnet,
um die Reaktionskammer 1101 und die Gas-Rohrleitungen
zu evakuieren, nachdem bestätigt worden ist, daß die
Ventile 1122 bis 1126 der Gasbomben 1102 bis 1106
und ein Belüftungsventil 1135 geschlossen und Einströmventile
1112 bis 1116, Ausgangsventile 1117 bis 1121
und Hilfsventile 1132 und 1133 geöffnet sind. Als
nächster Schritt werden die Hilfsventile 1132 und
1133 und die Ausströmventile 1117 bis 1121 geschlossen,
wenn der an einer Vakuummeßvorrichtung 1136 abgelesene
Wert 6,7 nbar erreicht hat. Dann werden SiH₄-Gas aus
der Gasbombe 1102, B₂H₆/H₂-Gas aus der Gasbombe 1103,
NH₃-Gas aus der Gasbombe 1104, CH₄-Gas aus der Gasbombe
1105 und SiF₄-Gas aus der Gasbombe 1106 in Durchflußreguliervorrichtungen
1107 bis 1111 hineinströmen
gelassen, indem die Ventile 1122 bis 1126 so geöffnet
werden, daß die Drücke an Auslaßmanometern 1127 bis
1131 jeweils auf einen Wert von 0,98 bar einreguliert
werden, und indem die Einströmventile 1112 bis 1116
allmählich geöffnet werden. Anschließend werden die
Ausströmventile 1117 bis 1121 und die Hilfsventile
1132 und 1133 allmählich geöffnet, um die einzelnen
Gase in die Reaktionskammer 1101 hineinströmen zu
lassen. Die Ausströmventile 1117 bis 1121 werden so
reguliert, daß das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis
der einzelnen Gase einen gewünschten Wert hat, und
auch die Öffnung des Hauptventils 1134 wird reguliert,
während die Ablesung an der Vakuummeßvorrichtung 1136
beobachtet wird, und zwar so, daß der Druck in der
Reaktionskammer einen gewünschten Wert erreicht. Nachdem
bestätigt worden ist, daß die Temperatur des zylinderförmigen
Trägers 1137 durch eine Heizvorrichtung
1138 auf 50 bis 400°C eingestellt worden ist, wird
eine Stromquelle 1140 auf eine gewünschte Leistung
eingestellt, um in der Reaktionskammer 1101 eine Glimmentladung
anzuregen.
Gleichzeitig wird die Durchflußgeschwindigkeit des
B₂H₆/H₂-Gases in geeigneter Weise so verändert, daß
eine zuvor entworfene Kurve des Boratomgehalts erhalten
werden kann, und die Entladungsleistung und die Trägertemperatur
können, falls dies erwünscht ist, in dem
Sinne reguliert werden, daß Veränderungen der Plasmabedingungen,
die der Veränderung in der erwähnten
Gasdurchflußgeschwindigkeit entsprechen, kompensiert
werden, um einen Schichtbereich A zu bilden, der am
Aufbau des ersten Schichtbereichs der fotoleitfähigen Schicht beteiligt ist.
Während der Schichtbildung wird der zylinderförmige
Träger 1137 mit einem Motor 1139 mit einer konstanten
Geschwindigkeit gedreht, um die Schichtbildung gleichmäßig
zu machen.
Als nächster Schritt werden alle Ventile des Gasbetriebssystems
geschlossen, und die Reaktionskammer 1101
wird einmal bis zur Erzielung eines hohen Vakuums
evakuiert. Wenn der an der Vakuummeßvorrichtung 1136 abgelesene
Druck 6,7 nbar erreicht hat, werden die gleichen
Arbeitsgänge wie bei dem vorstehend beschriebenen
Fall wiederholt. Das heißt, daß die Betriebssystemventile
von SiH₄, SiF₄ und B₂H₆/H₂ geöffnet werden,
um die Durchflußgeschwindigkeiten der einzelnen Gase
auf gewünschte Werte einzustellen, worauf in der vorstehend
beschriebenen Weise eine Glimmentladung angeregt
wird und ein Schichtbereich B, der am Aufbau
des ersten Schichtbereichs der fotoleitfähigen Schicht beteiligt ist,
gebildet wird.
Durch Wiederholung der gleichen Arbeitsgänge wie vorstehend beschrieben kann
der zweite Schichtbereich der fotoleitfähigen
Schicht gebildet werden, in der die Konzentration der Stickstoffatome
und die Konzentration der Boratome gemäß vorher
entworfenen Konzentrationsprofile verteilt sind. Auf diese
Weise wird ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
mit dem in Fig. 1 gezeigten Schichtaufbau gebildet.
Für die Herstellung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
mit einem Schichtaufbau, wie er in Fig. 3
gezeigt ist, kann ferner die nachstehend beschriebene
Schichtbildung durchgeführt werden. Das heißt, im
Anschluß an das vorstehend beschriebene Schichtherstellungsverfahren
werden alle angewandten Ventile
des Gasbetriebssystems geschlossen, und die Reaktionskammer
1101 wird einmal bis zur Erzielung eines hohen
Vakuums evakuiert. Wenn der an der Vakuummeßvorrichtung
abgelesene Druck 6,7 nbar erreicht hat, werden die
gleichen Arbeitsgänge wie in dem vorstehend beschriebenen
Fall wiederholt. Das heißt, die Betriebssystemventile
von SiH₄, CH₄ und ggf. eines verdünnenden Gases
wie z. B. He werden geöffnet, um die Durchflußgeschwindigkeiten
der einzelnen Gase auf gewünschte Werte einzustellen,
worauf ähnlich wie im Fall des ersten und zweiten Schichtbereichs
beschrieben eine Glimmentladung angeregt wird, wodurch
ein dritter Schichtbereich gebildet wird. Wenn in dem dritten
Schichtbereich Halogenatome enthalten sind, wird gleichzeitig
das Betriebssystemventil von SiF₄ geöffnet, worauf
eine Glimmentladung angeregt wird. Auf diese Weise
wird ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial hergestellt,
wie es in Fig. 3 gezeigt wird.
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher
erläutert.
Mittels der in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung für die
Herstellung von elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurde auf einem zylinderförmigen aus Aluminium hergestellten Träger
unter den in Tabelle 1 gezeigten Herstellungsbedingungen
durch das vorstehend beschriebene Glimmentladungs-
Dissoziationsverfahren eine fotoleitfähige Schicht
gebildet. Ein Teil des auf diese Weise erhaltenen zylinderförmigen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials wurde abgeschnitten, und unter
Anwendung eines Sekundärionen-Massenanalysators wurde
eine quantitative Bestimmung der Konzentration der
Boratome und Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke
durchgeführt, wobei als Ergebnisse die in Fig.
7 gezeigten Konzentrationsprofile in Richtung der Schichtdicke erhalten wurden. Ferner
wurde der restliche Teil des zylinderförmigen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials in eine Elektrofotografievorrichtung
eingesetzt, und unter einer
Ladungs-Koronaspannung von +6 kV und einer bildmäßigen
Belichtung mit 0,8 bis 1,5 lx · s wurde ein Ladungsbild
erzeugt. Dann wurden nach bekannten Verfahren die
einzelnen Arbeitsgänge der Entwicklung, Übertragung
und Fixierung durchgeführt, und die Qualität der erhaltenen
Bilder wurde bewertet. Die Bewertung der Bildqualität
wurde durchgeführt, indem unter Verwendung
von Papieren des Formats A4 in einer normalen Umgebung
Bilder in einer Gesamtzahl von 100 000 Blatt erzeugt
wurden und ferner in einer Umgebung mit hoher Temperatur
und hoher Feuchtigkeit Bilder in einer Zahl von 100 000
Blatt erzeugt wurden. Jeweils eine Probe pro 10 000
Blatt wurde daraufhin bewertet, ob sie im Hinblick
auf die Dichte, die Auflösung, die Reproduzierbarkeit
der Helligkeitsabstufung und das Auftreten von Bildfehlern
gut oder schlecht war. Als Ergebnis konnten
bei allen vorstehend erwähnten Merkmalen unabhängig
von den Umgebungsbedingungen und von der Anzahl der
aufeinanderfolgend kopierten Blätter sehr gute Bewertungen
erhalten werden. Besonders bezüglich des Merkmals
der Dichte wurden ausgeprägt gute Ergebnisse erhalten,
und es wurde bestätigt, daß Bilder mit einer sehr
hohen Dichte erhalten werden konnten. Dies wird auch
durch die Ergebnisse der Potentialmessungen bekräftigt.
Beispielsweise wurde festgestellt, daß das Empfangspotential
im Vergleich mit einer Probe, bei der die
Oberfläche der fotoleitfähigen Schicht keiner Behandlung
unterzogen worden war, um etwa das 1,4- bis 1,7-fache
verbessert war. Es kann angenommen werden, daß
dies auf eine erfolgreiche Ausnutzung des Effekts
der Verhinderung der Injektion von Ladungen von der
Oberfläche durch Dotieren mit Stickstoffatomen und
durch das sehr kleine Ausmaß der dotierenden Wirkung
von Boratomen zurückzuführen ist. Die Verbesserung
des Ladungsaufnahmevermögens führte nicht nur zu einer
vergrößerten Bilddichte, sondern auch zur Anwendbarkeit
eines weiten Bereichs von Koronabedingungen und infolgedessen
zu dem großen Vorteil eines vergrößerten Spielraums
bei der Wahl der Bildqualität.
Als weiteres ausgeprägtes Merkmal kann die Auflösung
erwähnt werden, und bei einer Reihe von gegenwärtig
durchgeführten Versuchen wurde festgestellt, daß unter
allen Umgebungsbedingungen sehr klare Bilder aufrechterhalten
werden. Es scheint, daß dies auf die Wirkung
des zweiten Schichtbereichs der fotoleitfähigen Schicht des
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials, der das
in Fig. 7 gezeigte Konzentrationsprofil
der Stickstoffatome hat, zurückzuführen ist, und im Vergleich
mit einem Aufzeichnungsmaterial, das in dem zweiten
Schichtbereich, (dem oberen Schichtbereich) der fotoleitfähigen
Schicht kein solches Konzentrationsprofil aufweist, trat unter
der Bedingung hoher Feuchtigkeit ein deutlicher Unterschied
in der Auflösung auf.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel
1 hergestellt, jedoch wurde die Schichtdicke des zweiten
Schichtbereichs durch Änderung der Abscheidungsdauer
in verschiedener Weise verändert. Bei diesen
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien wurde die
Bildqualität ähnlich wie in Beispiel 1 bewertet, wobei
die in Tabelle 2 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 3 hergestellt, jedoch
wurde die Durchflußgeschwindigkeit des Ammoniakgases
bei der Bildung des zweiten Schichtbereichs
in verschiedener Weise verändert. Bei diesen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterialien wurde die Bildqualität
ähnlich wie in Beispiel 1 bewertet, wobei die
in Tabelle 3 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel
1 unter den in Tabelle 4 und 5 gezeigten Herstellungsbedingungen
hergestellt. Die Konzentrationsprofile der Stickstoffatome
und Boratome in Richtung der Schichtdicke in den erhaltenen
Aufzeichnungsmaterialien hatten die in Fig. 8
und Fig. 9 gezeigten Formen. Bei der Bewertung der
Bildqualität, die ähnlich wie in Beispiel 1 durchgeführt
wurde, konnten gute Ergebnisse, die den Ergebnissen
von Beispiel 1 im wesentlichen gleich waren, erhalten
werden.
Mittels der in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung für die
Herstellung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
wurde auf einem aus Aluminium hergestellten zylinderförmigen Träger
unter den in Tabelle 6 gezeigten Herstellungsbedingungen
durch das vorstehend beschriebene Glimmentladungs-
Dissoziationsverfahren eine fotoleitfähige Schicht
gebildet. Ein Teil des erhaltenen zylinderförmigen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials wurde abgeschnitten, und
unter Anwendung eines Sekundärionen-Massenanalysators
wurde eine quantitative Bestimmung der Konzentrationen
der Boratome und Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke
durchgeführt, wobei als Ergebnisse die in Fig.
10 gezeigten Konzentrationsprofile in Richtung der Schichtdicke erhalten wurden. Ferner
wurde der restliche Teil des zylinderförmigen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials in eine Elektrofotografievorrichtung
eingesetzt, und unter einer Ladungs-
Koronaspannung von +6 kV und einer bildmäßigen Belichtung
mit 0,8 bis 1,5 lx · s wurde ein Ladungsbild erzeugt.
Dann wurden nach bekannten Verfahren die einzelnen
Arbeitsgänge der Entwicklung, Übertragung und Fixierung
durchgeführt, und die Qualität der erhaltenen Bilder
wurde bewertet. Die Bewertung der Bildqualität wurde
durchgeführt, indem unter Verwendung von Papieren
des Formats A4 in einer normalen Umgebung Bilder in
einer Gesamtzahl von 100 000 Blatt erzeugt wurden
und ferner in einer Umgebung mit hoher Temperatur
und hoher Feuchtigkeit Bilder in einer Zahl von 100 000
Blatt erzeugt wurden. Jeweils eine Probe pro 10 000
Blatt wurde daraufhin bewertet, ob sie im Hinblick
auf die Dichte, die Auflösung, die Reproduzierbarkeit
der Helligkeitsabstufung und das Auftreten von Bildfehlern
gut oder schlecht war. Als Ergebnis konnten
bei allen vorstehend erwähnten Merkmalen unabhängig
von den Umgebungsbedingungen und von der Anzahl der
aufeinanderfolgend kopierten Blätter sehr gute Bewertungen
erhalten werden. Besonders bezüglich des Merkmals
der Dichte wurden ausgeprägt gute Ergebnisse erhalten,
und es wurde bestätigt, daß Bilder mit einer sehr
hohen Dichte erhalten werden konnten. Dies wird auch
durch die Ergebnisse von Potentialmessungen bekräftigt.
Beispielsweise wurde festgestellt, daß das Empfangspotential
im Vergleich mit einer Probe, bei der die Oberfläche
der fotoleitfähigen Schicht keiner Behandlung
unterzogen worden war, um etwa das 1,4- bis 1,7fache
verbessert war. Es kann angenommen werden, daß dies
auf eine erfolgreiche Ausnutzung des Effekts der
Verhinderung der Injektion von Ladungen von der Oberfläche
durch Dotieren mit Stickstoffatomen und durch
das sehr kleine Ausmaß der dotierenden Wirkung von
Boratomen zurückzuführen ist. Die Verbesserung des
Ladungsaufnahmevermögens führte nicht nur zu einer
vergrößerten Bilddichte, sondern auch zur Anwendbarkeit
eines weiten Bereichs von Koronabedingungen und infolgedessen
zu dem großen Vorteil eines vergrößerten Spielraums
bei der Wahl der Bildqualität.
Als weiteres ausgeprägtes Merkmal kann die Auflösung
erwähnt werden, und bei einer Reihe von gegenwärtig
durchgeführten Versuchen wurde festgestellt, daß unter
allen Umgebungsbedingungen sehr klare Bilder aufrechterhalten
wurden. Es scheint, daß dies auf die Wirkung
des zweiten Schichtbereichs der fotoleitfähigen Schicht, der das in Fig.
10 gezeigte Konzentrationsprofil der Stickstoffatome hat, zurückzuführen
ist, und im Vergleich mit einem Aufzeichnungsmaterial,
das in der zweiten Schicht kein solches Konzentrationsprofil
aufweist, trat unter Bedingungen hoher Feuchtigkeit
ein deutlicher Unterschied in der Auflösung auf.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel
8 hergestellt, jedoch wurde die Schichtdicke des zweiten
Schichtbereichs durch Änderung der Abscheidungsdauer
in verschiedener Weise verändert. Bei diesen
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien wurde die
Bildqualität ähnlich wie in Beispiel 8 bewertet, wobei
die in Tabelle 7 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 10 hergestellt, jedoch
wurde die Durchflußgeschwindigkeit des Ammoniakgases
bei der Bildung des zweiten Schichtbereichs
in verschiedener Weise verändert. Bei diesen
Aufzeichnungsmaterialien wurde die Bildqualität
ähnlich wie in Beispiel 8 bewertet, wobei
die in Tabelle 8 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel
8 unter den in Tabelle 9 und 10 gezeigten Herstellungsbedingungen
hergestellt. Die Konzentrationsprofile der Stickstoffatome
und der Boratome in Richtung der Schichtdicke in den erhaltenen
Aufzeichnungsmaterialien hatten die in
Fig. 10 bzw. Fig. 11 gezeigten Formen. Bei der Bewertung
der Bildqualität, die ähnlich wie in Beispiel 8 durchgeführt
wurde, konnten gute Ergebnisse, die den Ergebnissen
von Beispiel 8 im wesentlichen gleich waren,
erhalten werden.
Auf elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien, deren
erste und zweite Schichtbereiche unter den gleichen Bedingungen und
nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen
8, 13 und 14 beschrieben gebildet worden waren, wurden
nach dem Zerstäubungsverfahren, das in den japanischen
Offenlegungsschriften 52 178/1982 und 52 179/1982 näher
erläutert wird, unter den in Tabelle 11-1 angegebenen
Bedingungen jeweils dritte Schichtbereiche gebildet, wobei
neun Arten von Proben hergestellt wurden, und ferner
wurden 15 Arten von Proben hergestellt, indem auf
den gleichen zylinderförmigen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien,
wie sie vorstehend erwähnt wurden,
nach dem gleichen Glimmentladungsverfahren, wie es
in Beispiel 8 beschrieben wird, jedoch unter Abänderung
der einzelnen Bedingungen in der in Tabelle 11-2 angegebenen
Weise, dritte Schichtbereich gebildet wurden (insgesamt
24 Proben, nämlich 8-1-1 bis 8-1-8, 8-6-1 bis
8-6-8 und 8-7-1 bis 8-7-8).
Alle elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien wurden als
Bilderzeugungsmaterialien einzeln in eine Kopiervorrichtung eingesetzt,
0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen
und dann bildmäßig belichtet. Als
Lichtquelle für die bildmäßige Belichtung wurde eine Wolframlampe mit einem Belichtungswert
von 1,0 1 x · s eingesetzt. Das erhaltene Ladungsbild wurde mit
einem positiv geladenen Entwickler, der Toner und
Tonerträger enthielt, entwickelt und auf gewöhnliches
Papier übertragen. Das übertragene Bild hatte eine
sehr gute Qualität. Der auf dem Bilderzeugungsmaterial
zurückgebliebene Toner
wurde durch Reinigung mit einer Kautschukklinge entfernt.
Auch als die vorstehend erwähnten Schritte 100 000mal
oder öfter wiederholt wurden, wurde in keinem Fall
eine Verschlechterung der Bilder beobachtet.
Die Ergebnisse der Gesamtwertung der Bildqualität
der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit
durch aufeinanderfolgende kontinuierliche Verwendung
sind in Tabelle 12 angegeben.
Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien wurden nach genau dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 8 hergestellt, jedoch wurde
während der Bildung des dritten Schichtbereichs nach dem
Zerstäubungsverfahren das Verhältnis der Siliciumatome
zu den Kohlenstoffatomen in dessen dritten Schichtbereich durch
Variieren des Target-Flächenverhältnisses von Siliciumscheibe
zu Graphit verändert. Bei jedem der auf diese
Weise hergestellten Aufzeichnungsmaterialien wurden die
gleichen Schritte der Bilderzeugung, Entwicklung und
Reinigung wie in Beispiel 8 100 000mal wiederholt,
und danach wurde die Bildqualität bewertet, wobei
die in Tabelle 13 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien wurden nach genau dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 8 hergestellt, jedoch wurde
während der Bildung des dritten Schichtbereichs das Verhältnis
der Siliciumatome zu den Kohlenstoffatomen in dem dritten
Schichtbereich durch Variieren des Durchflußgeschwindigkeitsverhältnisses
von SiH₄-Gas zu C₂H₄-Gas verändert.
Bei jedem der auf diese Weise hergestellten Aufzeichnungsmaterialien
wurden die gleichen Schritte der Bilderzeugung,
Entwicklung und Reinigung wie in Beispiel 8 100 000mal
wiederholt, und danach wurde die Bildqualität bewertet,
wobei die in Tabelle 14 gezeigten Ergebnisse erhalten
wurden.
Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien wurden nach genau dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 8 hergestellt, jedoch wurde
während der Bildung des dritten Schichtbereichs das Verhältnis
der Siliciumatome zu den Kohlenstoffatomen in
dem dritten Schichtbereich durch Variieren des Durchflußgeschwindigkeitsverhältnisses
von SiH₄-Gas, SiF₄-Gas
und C₂H₄-Gas verändert. Bei jedem der auf diese Weise
hergestellten Aufzeichnungsmaterialien wurden die gleichen
Schritte der Bilderzeugung, Entwicklung und Reinigung
wie in Beispiel 8 100 000mal wiederholt, und danach
wurde die Bildqualität bewertet, wobei die in Tabelle
15 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Mittels der in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung für die
Herstellung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
wurden auf einem aus Aluminium hergestellten zylinderförmigen Träger
unter den in Tabelle 16 gezeigten Herstellungsbedingungen
durch das vorstehend beschriebene Glimmentladungs-
Dissoziationsverfahren zwei fotoleitfähige Schichten, eine erste Schicht und eine zweite
Schicht, gebildet. Ein
Teil des erhaltenen zylinderförmigen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
wurde abgeschnitten, und unter Anwendung
eines Sekundärionen-Massenanalysators wurde eine quantitative
Bestimmung der Konzentrationen der Boratome
und Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke durchgeführt,
wobei als Ergebnisse die in Fig. 13 gezeigten
Konzentrationsprofile in Richtung der Schichtdicke erhalten wurden. Ferner wurde der restliche
Teil des zylinderförmigen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
in eine Elektrofotografievorrichtung
eingesetzt, und unter einer Ladungs-Koronaspannung
von +6 kV und einer bildmäßigen Belichtung mit 0,8
bis 1,5 lx · s wurde ein Ladungsbild erzeugt. Dann wurden
nach bekannten Verfahren die einzelnen Arbeitsgänge
der Entwicklung, Übertragung und Fixierung durchgeführt,
und die Qualität der erhaltenen Bilder wurde bewertet.
Die Bewertung der Bildqualität wurde durchgeführt,
indem unter Verwendung von Papieren des Formats A4
in einer normalen Umgebung Bilder in einer Gesamtzahl
von 150 000 Blatt erzeugt wurden und ferner in einer
Umgebung mit hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit
Bilder in einer Zahl von 150 000 Blatt erzeugt wurden.
Jeweils eine Probe pro 10 000 Blatt wurde daraufhin
bewertet, ob sie im Hinblick auf die Dichte, die Auflösung,
die Reproduzierbarkeit der Helligkeitsabstufung
und das Auftreten von Bildfehlern gut oder schlecht
war. Als Ergebnis konnten bei allen vorstehend erwähnten
Merkmalen unabhängig von den Umgebungsbedingungen
und von der Anzahl der aufeinanderfolgend kopierten
Blätter sehr gute Bewertungen erhalten werden. Besonders
bezüglich des Merkmals der Dichte wurden ausgeprägt
gute Ergebnisse erhalten, und es wurde bestätigt,
daß Bilder mit einer sehr hohen Dichte erhalten werden
konnten. Dies wird auch durch die Ergebnisse von Potentialmessungen
bekräftigt. Beispielsweise wurde festgestellt,
daß das Empfangspotential im Vergleich mit
einer Probe, bei der die Oberfläche der fotoleitfähigen
Schicht keiner Behandlung unterzogen worden war,
um etwa das 2- bis 2,5-fache verbessert war. Es scheint,
daß dies auf eine ausreichende Wirkung
der durch Dotieren der ersten Schicht mit Stickstoffatomen
hervorgerufenen Erhöhung des elektrischen Widerstandes
und der durch Änderung des Gehalts der Boratome
verursachten Verhinderung der Ladungsinjektion zurückzuführen
ist. Die Verbesserung des Ladungsaufnahmevermögens
führte nicht nur zu einer vergrößerten Bilddichte,
sondern auch zur Anwendbarkeit eines weiten
Bereichs von Koronabedingungen und infolgedessen zu
dem großen Vorteil eines vergrößerten Spielraums bei
der Wahl der Bildqualität.
Als weiteres ausgeprägtes Merkmal kann die Auflösung
erwähnt werden, und bei einer Reihe von gegenwärtig
durchgeführten Versuchen wurde festgestellt, daß unter
allen Umgebungsbedingungen sehr klare Bilder aufrechterhalten
wurden. Es scheint, daß dies auf die Wirkung
des Stickstoffatom-Konzentrationsprofils zurückzuführen ist,
bei dem sich der Abschnitt mit dem Höchstwert der
Konzentration der Stickstoffatome in der
Nähe der Grenzfläche zwischen der ersten
Schicht und der zweiten Schicht befindet, wie es in
Fig. 13 gezeigt ist, und die Auflösung unterscheidet
sich deutlich von der Auflösung bei einem Aufzeichnungsmaterial,
das kein solches Konzentrationsprofil aufweist.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel
19 hergestellt, jedoch wurden die Formen der Konzentrationsprofile
der Stickstoffatome und der Boratome in Richtung der Schichtdicke verändert.
Die Einzelheiten der Herstellungsbedingungen sind
in Tabelle 17 gezeigt. Die Analysen der Konzentrationen
der Stickstoffatome und der Boratome und die Bewertung
der Bildqualität wurden bei diesen zylinderförmigen
Aufzeichnungsmaterialien ähnlich wie
in Beispiel 19 durchgeführt. Als Ergebnis wurden die
in Fig. 14 gezeigten Konzentrationsprofile der Stickstoffatome
und der Boratome in Richtung der Schichtdicke erhalten. Bei der Bewertung der Bildqualität
wurden gute Ergebnisse, die den Ergebnissen
von Beispiel 19 im wesentlichen gleich waren, erhalten.
Zylinderförmige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
wurden nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel
19 hergestellt, jedoch wurden die Konzentrationsprofile der
Stickstoffatome und der Boratome in Richtung der Schichtdicke in der in Fig. 15
gezeigten Weise (Vergleichsbeispiel 11) bzw. in der
in Fig. 16 bis 18 gezeigten Weise (Beispiele 21 bis
23) verändert. Bei diesen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurde die Bildqualität ähnlich wie
in Beispiel 19 bewertet. Als Ergebnis wurde festgestellt,
daß bei dem zylinderförmigen Aufzeichnungsmaterial
von Vergleichsbeispiel 11 die Bilder,
die in einer normalen Umgebung erzeugt wurden, gut
waren, daß jedoch unter Bedingungen mit hoher Temperatur
mit hoher Feuchtigkeit nach dem Kopieren von etwa
120 000 Blatt ein Bildfließen eintrat. Andererseits
konnten mit den zylinderförmigen
Aufzeichnungsmaterialien der Beispiele 21 bis 23 Bilder
mit hervorragendem Kontrast erhalten werden, und auch
unter den Bedingungen hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit
trat kein Bildfließen ein.
Auf elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien, deren
erste Schichten unter den gleichen Bedingungen und
nach dem gleichen Verfahren wie in den Beispielen
19, 20 und 21 beschrieben gebildet worden waren, wurden
nach dem Zerstäubungsverfahren, das in den japanischen
Offenlegungsschriften 52 178/1982 und 52 179/1982 näher
beschrieben ist, unter den in Tabelle 18-1 angegebenen
Bedingungen jeweils zweite Schichten gebildet, wobei
9 Arten von Proben hergestellt wurden, und ferner
wurden auf den gleichen zylinderförmigen elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterialien, wie sie vorstehend erwähnt
wurden, nach dem gleichen Glimmentladungsverfahren,
wie es in Beispiel 19 beschrieben ist, jedoch unter
Veränderung der einzelnen Bedingungen in der in Tabelle
18-2 angegebenen Weise, zweite Schichten gebildet,
wodurch 15 Arten von Proben hergestellt wurden (das
heißt, es wurden insgesamt 24 Proben, nämlich die
Proben 6-1-1 bis 6-1-8, 6-2-1 bis 6-2-8- und 6-3-1
bis 6-3-8, hergestellt).
Jedes der elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien wurden
als Bilderzeugungsmaterial einzeln in eine Kopiervorrichtung eingesetzt,
0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,0 kV unterzogen
und dann bildmäßig belichtet. Als
Lichtquelle für die bildmäßige Belichtung wurde eine Wolframlampe mit einem Belichtungswert
von 1,0 lx · s eingesetzt. Das Ladungsbild wurde mit
einem positiv geladenen Entwickler, der Toner und
Tonerträger enthielt, entwickelt und auf gewöhnliches
Papier übertragen. Die übertragenen Bilder waren sehr
gut. Der auf dem Bilderzeugungsmaterial
zurückgebliebene Toner wurde
durch Reinigung mit einer Kautschukschlinge entfernt.
Auch als solche Schritte 100 000mal oder öfter wiederholt
wurden, wurde in keinem Fall eine Verschlechterung
der Bilder beobachtet.
Die Ergebnisse der Gesamtbewertung der Bildqualität
der übertragenen Bilder und der Bewertung der Haltbarkeit
durch aufeinanderfolgende kontinuierliche Verwendung
sind in Tabelle 19 angegeben.
Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien wurden nach genau dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 19 hergestellt, jedoch wurde
während der Bildung der zweiten Schicht nach dem Zerstäubungsverfahren
das Verhältnis der Siliciumatome
zu den Kohlenstoffatomen in der zweiten Schicht durch
Variieren des Target-Flächenverhältnisses von Siliciumscheibe
zu Graphit verändert. Bei jedem der auf diese
Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien wurden die
gleichen Schritte der Bilderzeugung, Entwicklung und
Reinigung wie in Beispiel 19 100 000mal wiederholt,
und danach wurde die Bildqualität bewertet, wobei
die in Tabelle 20 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien wurden nach genau dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 19 hergestellt, jedoch wurde
während der Bildung der zweiten Schicht das Verhältnis
der Siliciumatome zu den Kohlenstoffatomen in
der zweiten Schicht durch Variieren des Durchflußgeschwindigkeitsverhältnisses
von SiH₄-Gas zu C₂H₄-Gas
verändert. Bei jedem der auf diese Weise
hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien wurden die gleichen Schritte
der Bilderzeugung, Entwicklung und Reinigung wie in
Beispiel 19 100 000mal wiederholt, und danach wurde
die Bildqualität bewertet, wobei die in Tabelle 21
gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien wurden nach genau dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 19 hergestellt, jedoch wurde
während der Bildung der zweiten Schicht das Verhältnis
der Siliciumatome zu den Kohlenstoffatomen in
der zweiten Schicht durch Variieren des Durchflußgeschwindigkeitsverhältnisses
von SiH₄-Gas, SiF₄-Gas
und C₂H₄-Gas verändert (Probe Nr. A901 bis 908). Bei
jedem der auf diese Weise gebildeten elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterialien wurden die gleichen Schritte der Bilderzeugung,
Entwicklung und Reinigung wie in Beispiel 19 100 000mal
wiederholt, und danach wurde die Bildqualität bewertet,
wobei die in Tabelle 22 gezeigten Ergebnisse erhalten
wurden.
Während der Zerstäubung wurde Ar mit 200 Norm-cm³/min zugeführt.
Während der Zerstäubung wurde Ar mit 200 Norm-cm³/min zugeführt.
Claims (7)
1. Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial, das auf einem
Träger eine fotoleitfähige Schicht aufweist, enthaltend
ein amorphes Material mit einer Matrix von Siliciumatomen,
dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht von
der Seite des Trägers aus in Richtung der Schichtdicke dieser
Schicht einen ersten Schichtbereich, der Atome der Gruppe III
des Periodensystems in einer in Richtung auf die Seite
des Trägers höheren Konzentration enthält, und einen
zweiten Schichtbereich aufweist, der Atome der Gruppe III
des Periodensystems und Stickstoffatome enthält.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht einen dritten
Schichtbereich aufweist, der als Hauptbestandteil Silicium
atome und Kohlenstoffatome enthält und auf dem zweiten
Schichtbereich vorgesehen ist.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Konzentrationsprofil der Stickstoffatome
in Richtung der Schichtdicke einen Abschnitt enthält, in dem
die Konzentration in Richtung auf die Seite der freien Ober
fläche der fotoleitfähigen Schicht ansteigt.
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Konzentrationsprofil der Atome der Gruppe
III des Periodensystems in Richtung der Schichtdicke einen
Abschnitt enthält, in dem die Konzentration in Richtung auf
die Seite der freien Oberfläche der fotoleitfähigen Schicht
ansteigt.
5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Konzentrationsprofil der Stickstoffatome
in Richtung der Schichtdicke einen Abschnitt enthält, in dem
die Konzentration in Richtung auf die Seite des Trägers
ansteigt.
6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Konzentrationsprofil der Atome der Gruppe
III des Periodensystems in Richtung der Schichtdicke einen
Abschnitt enthält, in dem die Konzentration in Richtung auf
die Seite des Trägers ansteigt.
7. Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit einer ab
geänderten Reihenfolge der Schichten des amorphen Materials
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß auf dem Träger zwei fotoleitfähige Schichten, eine
erste und eine zweite Schicht, vorliegen, wobei die erste
Schicht in einer Matrix aus amorphem Silicium mindestens eine
aus Atomen der Gruppe III des Periodensystems ausgewählte
Atomart und Stickstoffatome enthält, wobei die Konzentration
der Stickstoffatome in Richtung der Schichtdicke zur zweiten
Schicht hin ansteigt und der Höchstwert der Konzentration
der Atome der Gruppe III des Periodensystems in Richtung der
Schichtdicke an der Endfläche an der Seite des Trägers oder
in der Nähe dieser Endfläche vorliegt, und auf der ersten
Schicht die zweite Schicht vorgesehen ist, die als Hauptbe
standteile Siliciumatome und Kohlenstoffatome enthält.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58052033A JPS59177561A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 電子写真用光導電部材 |
JP58058348A JPS6029754A (ja) | 1983-04-02 | 1983-04-02 | 電子写真用光導電部材 |
JP58058350A JPS59184357A (ja) | 1983-04-02 | 1983-04-02 | 電子写真用光導電部材 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3411475A1 DE3411475A1 (de) | 1984-10-04 |
DE3411475C2 true DE3411475C2 (de) | 1988-06-23 |
Family
ID=27294521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19843411475 Granted DE3411475A1 (de) | 1983-03-28 | 1984-03-28 | Lichtempfangendes aufzeichnungselement |
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DE (1) | DE3411475A1 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4490453A (en) * | 1981-01-16 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of a-silicon with nitrogen |
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US4490454A (en) * | 1982-03-17 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member comprising multiple amorphous layers |
-
1984
- 1984-03-28 DE DE19843411475 patent/DE3411475A1/de active Granted
-
1985
- 1985-12-30 US US06/815,123 patent/US4637972A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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DE3411475A1 (de) | 1984-10-04 |
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