DE3216734A1

DE3216734A1 - Laserelektronenstrahlroehre und verfahren zur thermovakuumbehandlung derselben

Info

Publication number: DE3216734A1
Application number: DE19823216734
Authority: DE
Inventors: Efim U&scaron;erovi&ccaron; Frjazino Moskovskaja oblast' Kornickij; Vladimir Petrovi&ccaron; Moskva Kuklev; Gennadij Aleksandrovi&ccaron; Frjazino Moskovskaja oblast' Meerovi&ccaron;; Vladimir Nikolaevi&ccaron; Ulasjuk
Original assignee: MEEROVIC
Current assignee: MEEROVIC
Priority date: 1982-05-05
Filing date: 1982-05-05
Publication date: 1983-11-10

Description

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Die Srfinduns baaiaht sich auf Halbleiterlaser, insbesondere auf aina Lassrelektronenstrahlröhre und ein Verfahren zur Tharoo vakuumbehandlung derselben.

Dia Erfindung kann in Systemen zur Frojektionsdarstelluns von Informationen auf Schirmen für kollektive Nutzung, in Adressenwählsystemen, in Systemen der optischen Rastermikroskope benutzt werden·

Die bekannten LaserelektronanstrahlrÖhren (SU-Urheberschain Nr. 270 1CO, angemeldet am 20.02.67, Kl. 21 13/25; USA-PS Nr. 355^956, veröffentlicht am 26.01.71) enthalten in dem evakuierten Kolben eine Elektronenkanone, ein Slektronenbündelsteuersystem und einen Laserschirm, der eine dünne pianparallele

^c Halbleitarplatta mit glatten Flächen, auf welchen dielektrische Reflesionsüberzüge aufgetragen sind, die als Resonatorspiegel dienen, darstellt.

Jadoch wird auf dar Oberfläche und in dem Volumen des dielektrischen Eaflosionsüberzuges auf der von dem Elektronanbündal bombardierten Fläche der Halbleiterplatta eina Ladung gespeichert, die zu einer Entfokus— sierung des ilnregungaelektronenbündela und einer Zerstörung des Dielektrilcumüberzuges infolge von Mikrodurchschläsen führt.

Bekannt i3t auch eins Laserelektronenstrahlröhre (US4-P8 Hr. 3757250, veröffentlicht am 04.03.73), die einen evakuierten Kolben, in dem ein8 Elektronenkanone, ein Slektronenbündelsteuersystem und ein Schirm untergebracht¹ sind, enthält. Bar Schiria ist als planparallele Halbleiterplattο ausgeführt, auf deren Flächen Hof Issionsüb-araüge, die Rasonatorspiegel bilden, aufgetragen sind. Ha Heflazionsüberzug seitens der Elektronesikanono ist aina auf dia Fläche der Halbleiterplatte aufgodaiapfto Silo er dünnschicht von 0,155 jurn Dicke benutzt«,

Jedoch absorbiert bei einer darartigen Lasrer— elektronenstrahlröhre dia Silberdünnschicht teilweise die auf diese fallc-ndo Laser 3tr ah lung (ca. 7% für

_ S —

frisch aufgedampfte Dürm3Cnicht)₉ vvaa den Strahlungs— wirkungsgrad herabsetzt· V/ährend des Betriebes einer solchen Elektronenstrahlröhre findet unter der EFirkunÄ des Elektronehbündels eine Wechselwirkung zwisehen Silber und Halbleitermaterial statt, die von einer Senkung der StrahlunKseigenschaften des Halbleiters und der fieflexionseigenschaften der Silberdünnschicht begleitet wird. Dies führt zu einer nichtumkehrbaren Degradation des Schirms der Laserelektro- nenstrahlröhre und zu einer schnellen Senkung des Strahlungswirkungsgrades, was die Lebensdauer der Laserelektronenstrahlröhre auf einige Dutzende von Stun» den im Fernsehbetrieb beschränkt.

In der Optik finden neben den Metallüberzügen auch Metalldielektrikumreflexionsüberzüge Verwendung (Furman . Sh.A. "Optische Dünnschichtüberzüge", Leningrad "Maschinostro^-enie", 1977)» die aus einer Metallschicht und einer Dielektrikumschicht mit einer Dicke - ■ ₉ worin 7t die Lichtwellenlänge im Vakuum , η·* die ßrechungszahl des Dielektrikums bedeuten, bestehen. Jedoch weisen diese Überzüge einen ungenügend hohen fieflesionsf aktor auf und ihre Benutzung in Laserelektronenstrahlröhren sicher nicht die nötige Wirksamkeit und Lebensdauer derselben· Bekannt ist ein Verfahren zur Thermo ν akuuiiibehandlung von Elektrovakuumgeräten, darunter Elektronen- . Strahlrohren, bei deren Evakuierung (Cherepnin Ii.V. "Vakuumeigenschaftan von Materialien für Elsktronengeräte", Moskau, "Sovetskoe Radio", 1966, S. Des^hmsn "Wissenschaftliche Grundlagen der Vakuumtechnik", Moskau, "Mir¹¹, 1964, S. 417-419), das die Ausheizung des evakuierten JKolbena bei einer Temperatur, bei welcher aus dem Material des Kolbens, des Schirms und der Elektronenkanone die sorbierten Gase und Wasserdämpfa entfernt werden, vorsieht, so, zum Beispiel, wird die Thermovakuumbehandlung für Slektrovakuumglas, aus wel-

COPY

r-\ O 1 Γ* "~Ι 1 /

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chea in wecon'ulichsn dia Kolben dar Elektronenstrahlröhren gefertigt sind, boi einer Temperatur von 3CO bis 400°C durchgeführt, _:

Bsi Loseralaktronenstrahlröhran jedoch, bei welchen einer der Reflesionsüberzüge der Halbleiterplatte, die den Resonatorspiegel bilden, eins direkt auf der Flachs dieser Platte aufgetragene SiIberdünnschicht darstellt, findet bei einer längeren Ausheizung bei Temperaturen von über 150°G eine Wechselwirkung zwisehen Halbleitermaterial und Material des Reflesionsüberzuges (Silber) statt, wodurch der Reflexionsfaktor dieses Überzuges vermindert und die Strahlunßrseigenschaften des Halbleitermaterials verschlechtert werden, so daß infolgedessen der Strahlungsgrad des Laserschirms herabgesetzt wird.

Bekannt ist ferner ein Verfahren zur Thermovakuumbehandiung von Laserelektronenstrahlröhren, bei deren Evakuierung (Nicoll F.H. "An experimental pulsend GdS laser cathoderay tube", RC/A. Review, 196Ö, V. 29» Nr. 3, pp. 379-335)» das eine längere Ausheizung der evakuierten Röhre bei einer Temperatur von 1^0⁰C vorsieht· Bsi einer derartigan Thermovakuumbehandlung wird der Strahlungswirkungsgrad des Laserschirms noch nicht vermindert, aber di© Entgasung das Kolbens des Schirms und der Elektronenkanone ist ungenügend gut. Deswegen wird bei längerer Lagerung bzw. bei längerem Betrieb der Elektronenstrahlröhre bei dieser das Vakuum verschlechtert, was zu einer Senkung der Zuverlässigkeit und der Lebensdauer dar Elektronenkanone und somit der gesamten Elektronenstrahlröhre führt.

Dar Erfindung liegt die Aufgaba zugrunde, eine Laserelektronenstrahlröhro zu schaffen und ein Verfahren 2ur The r mo ν akuujnb eh andlung derselben anzugeben, bei der dia konstruktiv© Ausführung des Schirms und die V/ahl dar Behandlung3temperatur der Röhre es gestatten. ain-3 7/echselwirkung zwischen dem Halbleitermaterial des Schirms und dem Material des Resonatorspiegels su verhindern, dan. 2oflesionsfaktor des Spiegels,

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den Strahlungswijrkungsgrad des Halbleitermaterial de3 Schirms zu erhöhen und wirksamer die Innenf lächsn der Röhre zu entgasen, was zu einer Erhöhung des Strah- . lungswirkungsgrades der Laserelektronenstrahlröhre und j

deren Lebensdauer führt· . !

Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß bei der Laserelektronenrchrev die einen evakuierten Kolben enthält, in dem. eine Elektronenkanone, ein Elektronenbündelsteuersystem und ein Schirm, der als planparallele Halb le it er platte .nit glatten Flächen ausgeführt ist, auf welchen einen Ee,sonatorspiegel bildende Reflexionsüberzüge aufgetragen sind, wobei der kanonenseitige überzug eine Metalldünnschicht hat, untergebracht sind, gemäß der Erfindung der elektronenkanonenseitige Über- .

zug eine Schicht aus optisch durchsichtigem Festdielek- _; trikum zwischen der Metalldünnschicht und der Fläche der Halbleiterplatte enthält, deren Dicke durch folgende Beziehung bestimmt wirds

Eier in bedeuten:

h - Dic^e der Schicht au3 optisch, durchsichtigem Festdielektrikum;
j\ — Strahlungswellenlänge der Laserelektronenstrs":''

röhre;
n^ - Brechungszahl des Dielektrikums; ⁿm ¹^⁰ ^m ~* ^reeler und imaginärer Teil cisi* ßrechungszahl des MetaJJ.s;
ρ - ganze positive Zahl oder 0.

Zur Sicherung eines maximalen Strahlungswirkungsgrades duxon Erreichung des maximalen Reflexionsfaktors für den Spiegel ist es zr/eckmäßig, die Dicke der DielektrJJcumschicht aus folgender Beziehung zu wählen:

&

BAD

321673A

Hierin bedeuten:

h - Dick© der Schicht aus optisch durchsichtigem

Festdielektrikum;

j\ - Strahlungswellenlänge der Laserelektronenröhre;

n, - Brechungszahl des Dielektrikums; η und k - reeler und imaginärer Teil der Brechungszahl des Metalls;
ρ - ganze positive Zahl oder Null.

10· Zum .Erreichen einer großen Lebensdauer des Schirms und eines hohen fief lexionsf aktprs des Spiegels ist es zweckmäßig, die Schicht des optisch durchsichtigen Festdielektrikums aus SiO₂ oder Al₂Oo auszuführen.

Zur Erhöhung des Strahlungswirkungsgrades und der Lebensdauer der Laserelektronenstrahlröhre hat man deren Thermovakuumbehandlung durch Ausheizen bei einer Temperatur von 155 bis 2.55⁰G durchzuführen.

Nachstehend soll die Erfindung durch ein konkretes Ausführungsböispiel mit Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert werden. Es zeigen:

Fig. 1 eine der Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Laserelektronenstrahlröhre im Längsschnitt;

Fig. 2 die Abhängigkeit des Strahlungswirknnftsgrades der Laserelektronenstrahlröhre von dem fiefIexionsfaktor des elektronenkanonenseitigen Spiegels, gemäß der Erfindung;

Fig. 3 die Abhängigkeit des Reflexionsfaktors des elektronenkanonenseitigen Spiegels von der Dicke der Dielektrikumschicht;

. Fig. 4 die Abhängigkeit der optimalen Dicke der Schicht aus optisch durchsichtigem Festdielektrikum von der Brechunftszahl des Dielektrikum^;

Fig. 5 ^die Abhängigkeit des Reflexionsfaktors des elektronenkanonenseitigen Spiegels von der Brechungszahl des Dielektrikums;

Fig. 6 - die Abhängigkeit der reduzierten Strahlungsleistung äßr Laserelektronenstrahlröhre von deren Betriebszeit j

Fig. 7 die Abhängigkeit des reduziertes Strahlung awirkungsgrades der Laserelektronenstrahlröhre von der Temperatur ihrer Thermovakuumbehandlung.

Die Laserelektronenstrahlröhre enthält einen evakuierten Kolben 1 (Fig. 1) und in diesem eine Elektronenkanone 2, ein Steuersystem 3 für das Elektronenbündel 4 und einen Laserschirm 5» der als■planparallele Halbleiterplatte 6 mit glatten Flächen, auf welchen die Reflexionsüberzüge 7 und 8, die den Resonator spiegel bilden, aufgetragen sind· Der Überzug 7 läßt teilweise eine in der Halbleiterplatte 6 bei der Bombardierung mit dem Elektronenbündel 4· erzeugte Strahlung durch. Der seitens der Elektronenkanone 2 liegende überzug 8 enthält eine Metallschicht 10_f insbesondere eine SiI-berschicht und eine Schicht 11 aus optisch durchsichtigem Festdielektrikum, deren Dicke durch folgende Be- ** Ziehung bestimmt wirds

Hierin bedeuten!

h - Dicke der Dielektrikumschicht 5 Λ - Strahlungslänge der Laserelektronenstrahlröhre;
ⁿd ~ Brechungszahl des Dielektrikums;

n_m und k_ffi - reeler und imaginärer Teil der Brechungszahl des Metalls;
ρ - ganze positive Zahl oder Null·

Zum Erreichen eines maximalen Reflexionsfaktors für den Überzug 8 ist di© Dicke der Dielektrikumschicht 11 aus folgender Beziehung gewählts

Zum Erreichen, ©inss maximalen Wirkungsgrad©© für den Schirm 5 und einer maximalen lebensdauer für die Laserelektronenstrahlröhre ist die Dielektrikumschicht 11 aus SiO₂ oder Al₂O₃ ausgeführte

Pig. 2 zeigt die Abhängigkeit 12 des Strahlungswirkungsgrades der Laserelektronenstrahlröhre mit einer au3 Ka&miumsulfid bestehenden Platts 6 für den Schirm (Fig.D von dem Strshlunssfaktor H (Fig. 2) des seitens der Elektronenkanone 2 angeordneten Überzuges 8 (Fig.

1) im Fernsehanregung3betrieb bei einer Elektronenenergie von Ξ ss 60 keV, einem Bündelhalbmesser von R_Q = 20 /um einer Stromdichte im Bündel 4 von j = 100 ,

^y T*l ^"

einer Dicke der Halbleiterplatte 6 von 1 = 20/um einem Reflektorfaktor des teilweise durchlässigen Überzuges 7 von E₁ ss O₁85 und einer Temperatur des Schirms

5 von t° = -198⁰C.

Fig. 3 zeigt Abhängigkeiten 13 und 14 des Reflexionsfaktors R des aus der Halbleiterplatte 6 (Fig. 1) aus K-admi^-umsulfid auf den auf dieser Platte 6 auf getragenen^ eine SiIberdünnschicht 10 und eine Dielektrikumschicht 11 aus SiOp bzw. Al^O- enthaltenden Reflexionsüberzug fallenden Lichtes von der Dicke dieser Dielektrikumschicht 11·

Fig. 4 zeigt die Abhängigkeit der optimalen Dicke h der Dielektrikumschicht 11 (Fig. 1) von der Brechungszahl n, (Fig. 4) des Dielektrikums. Die Dünnschicht 10 (Fig. 1) des Überzuges 8 besteht aus Silber. Die Kurve 15 (Fig. 4) entspricht dem V7ert ρ = O und die Kurve 16 dem Wert ρ ss 1.

In Fig. 5 ist die Abhängigkeit des Reflexionsgrades R des aus der aus Kadmiumsulfid bestehenden Halbleiterplatta 6 (Fig· 1) auf den auf die Oberfläche der Platte

6 auf getragenen und eine Silberdünnschicht 10 und eine Dielektrikumschicht 11 enthaltenden Reflesionsüberzug fallenden Lichtes von der Brechungszahl n, (Fig. 5) dieses Dielektrikums gezeigt.

In Fig. δ sind in relativen Einheiten Abhängigkeiten p(t) der Strahlungsleistungen der Laser-

p(o;

elektronen3trahlröhren mit Schirmen 5 (Fig. 1)» deren Platten 6 aus Cadmiumsulfid ausgeführt sind, und mit Reflexionsüberzügen U₉ die eine S über dünnschicht 10 > und eine Diele^trikuEiaehicht 11 au3 SiO_P (is)und

pO-, (19) enthalten, von der Betriebszeit t, der .Bohren im FernsehbQtrieb bei E = 60 keV_? E_Q = 20 yum.

J = 1CO —%— gezeigt.

cm-Pig 7 zeigt, in relativen Einheiten die Abhängigkeit 20 das StrahlungSTCirkungsgrades '*t der

Laserelektronenstrahlröhra mit einem Schirm 3 (Pig· 1) aus Kadmiussulf id und einem ßefiesionsüberzug ö, der eine SiO₂-SChIChLt von 0_r06 /umDicka und eine Silberschicht von 0,2 yumDicke 'enthält, von der Temperatur

t C der Thermovakuumbehandlung.

Die Laserelektronenstrahlrchrs funktioniert folgenderweise.

Bei der Bombardierung das Laserschirms 5 (£ig· Ό mit dem Elektronenbündel 4 entsteht in der Halbleiterplatte 6 eine Laserstrahlung 9₉ dia durch den teilwei se durchlässigen überzug 7 austritt. Der Strahlungswirkungsgrad steigt entsprechend der Abhängigkeit 12 (Fig. 2) bei Vergrößerung des fieflesionsfaktors R (Pig. 1) des seitens der Elektronenkanone 2 liegenden Überzug* 8 (Pig. 1) an.

Der Beflexionsüberzug 3 mit der Dielektrikumschicht 11 der Dicke h, die durch die Beziehung;

bestimmt wird»
worin

h - Dicke 'der Diolektrikumschicht; j\ — Strahlungewellenläiige dar Laserelektronenstrahlröhre;
n^ - Br a c hujag a zahl des Dielektrikums?

H₂₁ und k^ - reelen bzw. imaginären 'fall der Brechungszahl des Metalls?

ρ - ganze positive Zahl oder O COPY

bedeuten, hat einen hohen Heflerionsfaktor S, dessen Maximalwert bei einer Dicke erreicht wird, die aus der

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Beziehung gewählt wird»

Der überzug 8 hat entsprechend Fig. 5 einen Reflexionsfaktor R, der um so größer ist, je kleiner die Brechungszahl n^ des Dielektrikums ist, deshalb erreicht bei Benutzung von Oxyden SiO₂ oder AIpO- als Dielektrikumschicht 11, die eine niedrige Brechungs-—10 zahl aufweisen, der Reflexionsfaktor R (Pig. 2) eines solchen Überzuges den Wert R =- 0,97, was die Möglichkeit bietet, den Strahlungswirkungsgrad um das 1,2 bis 1,5fache gegenüber einer Laserelektronenröhre, bei der ein Silberüberzug benutzt wird, zu erhöhen· Darüber hinaus vermindert die zwischen der Halbleiterplatte 6 und der Metalldünnschicht 10 befindliche Dielektrikumschicht 11 von optimaler Dicke die Strahlungsbelastung dieser Schicht 10 und verhindert eine Wechselwirkung und eine Wechseldiffusion zwischen Dünnschicht 10 und Halbleiterplatte 6. Dadurch bleiben die Reflexionseigenschaften des Überzuges 8 und die Strahlungseigenschaften des Halbleitermaterials der Platte 6 praktisch unverändert im Laufe einer langen Betriebszeit der Laserelektronenstrahlröhre, was zu einer 6 bis lOfachen Vergrößerung ihrer Lebensdauer führt·

Die erfindungsgemaße Laserelektronenstrahlröhre wird einer Thermovakuumbehandlung unterworfen, bei welcher man eine Ausheizung der evakuierten Röhre bei einer Temperatur von 155 bis 255⁰C vornimmt. Dia Ausheizung in dem angegebenen Temperaturbereich 155 .·♦ 255°G gestattet es, die Wandungen des aus Elektrovakuumglas gefertigten Kolbens 1 (Fig. 1) wirksam zu entgasen, insbesondere eine hohe Desorption der Wasserdämpfe zu sichern und dadurch um das 2 bis 3faehe das Vakuum in der Elektronenstrahlröhre zu erhöhen. Darüber hinaus führt die Ausheizung in diesem Temperaturbereich zur Erhöhung des StrshlunKswirkungsgrades (Kurve 20, Fig. 7) um das 1,1 bis 1,7fache wegen der

Erhöhung der Strahlungseigenschaften des materials der Platt© 6. (Fig. 1), was durch di© Ausheilung der Erenkel-Defekt© und die wärmefördernde Beinigung des Halbleiters· von Metalloid-Zwischesgitteiatomen bedingt ist«,

Hierbei verhindert die Dielektrikumschiclit 11 des Reflesionsüberzuges ö die y/echaelwirkung zwischen des. Metalloidatomen und der Metaildünnschiciit 1Q₈ die Eeflerionseigenschaften des Überzuges 8 bei Ausheizung in dieses Temperaturbereich erhaltea bleiben.

Eine Ausweisung der Elektronenstrahlröhre bei höheren Temperaturen (über 255°C) führt dam₅ daß di© zur Oberfläche wandernden Metalloidatome durch die Bielektrikumachicht 11 diffundieren,, mit dem Silber is. Wechselwirkung treten und den Eeflesionsfaktor R (Fig© 2) des Überzuges 8 (Fig. ö) vermindern· Darüber faiaaus führt ein© Ausheizung bei Temperaturen von übe:? ^Q zu einer Bildung von eigenen Defekten in der Halbleiterplatte 6, was die schäften dea Halbleiters verschlechtert · Deshalb schlechtert ein© Ausheizung der Elektronanstrahlröte?e bei Temperaturen von über 255°C <ien Strahlungs^irku^gs grad (Kurve 20, Fig. 7) ihres Schirms 5 (Fig. 1)_e Im folgenden soll das erfindungsgemäJSe Yerfshrea zur Thermovakuumbehandlung der Laserölektronenstrahlröhre durch Beispiele, die seine Realisierbarkeit bestätigen, erläutert werden.
Beispiel .1.

Man evakuiert ein© Xaser©lektronenstrahiröte<§ mit einer aus Kadmiumsulfos@leniö bestehenden Platt© 6 (Fig. 1) und einen eine Silberdünnscliic&t 10 τοη, 0,2 juüiDick© und ©ine SiO^-Scliiolit 11 voa O₉055 janent halt enden fieflesionsüberzug ß auf ©inen Druek 5·10 mm Q3 und heizt sie _D@il einer Temperatur von 23Ο ± 5°C im Laufe voa 10 Stunden aus* vsonacla mam sie bis auf 20⁰C abkühlt und auf ©im hohes. Fakuum yoa

. ₁₄ -

5.IO ° mm QS evakuiert. Bei der so behandelten Elektronenstrahlröhre wird das Vakuum um das 3f ache gegenüber einer bei 15Q⁰C ausgeheizten Röhre verbessert, während ihr Strahlungswirkungsgrad um das 1,2fache ansteigt·

Beispiel 2.

Man evakuiert eine Laserelektronenstrahlröhre mit einer aus Kadmiumsulfid bestehenden Schirmplatte 6 (Fig. 1) und einem Reflexionsüberzug ö, der eine SiI-ber dünn schicht 10 von 0,2 pnDicke und eine AIpO ο- -Schicht 11 von 0,058 junDicke enthält, auf einen Druck von 1.10~ mm QS und heizt sie dann bei einer Temperatur von iaO°C im Laufe von 15 Stunden aus, wonach man sie bis auf 20⁰C abkühlt und auf ein hohes Va-

—7

kuum von 1.10 ' evakuiert. Bei der auf diese Art behandelten Elektronenstrahlröhre wird das Vakuum, um das 2f ache gegenüber einer bei 15O⁰C ausgeheizten RÖhrö verbessert, während ihr Strahlungswirkungsgrad um das 1,1fache ansteigt.

Die erfindungsgemäße nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wärmebehandelte Laserelektronenstrahlröhre hat einen hohen Wirkungsgrad und eine lange Lebensdauer, dadurch, daß die Dielektrikumschicht 11 von optimaler Dicke eine Erhöhung des Reflexionsfaktors ' des elektronenkanonenseitigen Überzuges 8 sichert und eine Wechselwirkung zwischen der Metalldünnschicht 10 und der Halbleiterplatte. 6 unter der Wirkung der Elektronenbombardierung und der Ausheizung verhindert. Diese Röhre wird weitgehende Anwendung in Systemen zur Froöektionsdarstellung von Informationen auf Schirmen von kollektiver Nutzung, in Adressenwählsystemen und in Systemen der Rastermikroskopie finden.

Leerseite

Claims

LASEEELBEZDfiONENSTRAHIiRÖilBE UND VERFAHREN ZUH THERMOVAKUUMBMANDHJNG DERSELBEN PATENTANSPRUCH. B ι (τ) Laaerelektronenstrah!röhre mit einem evakuierten Kolben, in dem untergebracht sind

- eine Elektronenkanone,

- ein Elektronenbündelsteuersystem,

_- ein Schirm, ausgeführt als planparallele HaIbleiterplatte mit glatten flächen, auf weichen angeordnet sind J

- Reflexionsüberzüge, die Resonatorspiegel bilden,

- einer von welchen, der seitens der Elektronenkanone liegt, eine Metalldünnschicht hat, d a durch gekennzeichnet, daß

- der seitens der Elektronenkanone (2) liegende Überzug (8) enthält«

- eine Schicht (11) aus optisch durchsichtigelt Festdielektrikum, die sich zwischen der iäetalldünnschicht (10) und der Fläche der Halbleiterplatte (6) befindet und deren Dicke durch folgende Beziehung bestimmt isti

worin bedeuten-

h - Dicke der Schicht (11) aus optisch durchsichtigem Pestdielektrikuni;

Λ - Strahlungswellenlänge der Lasereiektronenstrahl röhre;

n_d- Brechungszahl des Dielektrikums;

¹¹W ^{und k}ni " reeler und imaginärer Teil der Brechungszahl des Metalls;

ρ - ganze positive Zahl oder Null.
2. Laserelektronenstrahlröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schicht (11) aus optisch durchsichtigem Dielektrikum aus folgender Beziehung gewählt ist-

-worin bedeuten ·

h - Dicke der Schicht (11) aus optisch durchsichtiges Festaielektrikum;

Λ - Strahlungswellenlänge der Laserelektronenstrahlröhre;

n_d - Brechungszahl des Dielektrikums;

¹³In ^unci ^m " reeler und imaginärer Teil der Brechungszahl des Metalls;

ρ - ganze positive Zahl oder ITuIl.
3. Laserelektronenstrahlröhre nach Ansprüchen 1-2, dadurchgekennseichne t,dass die Schicht (11) des optisch durchsichtigen Dielektrikums aus SiO₂ besteht.
4.Laserelektronenstrahlröhre nach Ansprüchen 1-2,d adurch gekennseiclane t.dass die Schicht (11)

des optisch durchsichtigen Dielektrikums aus Al₂Oo besteht.
5. Verfahren zur Thermovakuumbehandlung der Laser elektronenstrahl röhre nach Anspruch 1-4, das die Ausheizung der evakuierten Röhre beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, daß man di© Ausheizung der Röhre bei einer Temperatur von 155 bis 255⁰C vornimmt.

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