DE3216349C2 - Identifiziereinheit als Zweipol für Teilnehmerendeinrichtungen - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Identifiziereinheit als Zweipol für Teilnehmerendeinrichtungen. Die Identifiziereinheit wird bei eingeschaltetem Identifizierungsstrom durch den selbstleitenden n-Kanal-Feldeffekttransistor (FET1) niederohmig und bei eingeschaltetem Speisestrom hochohmig, hierbei wird der durch die Stromversorgung (D1 bis D4, R1, Z1, D1) gespeiste CMOS-Generator (I1, I2, R2, R3, C3) aktiviert und am Ausgang des zweiten Inverters entsteht eine Rechteckspannung, von welcher durch den Spannungsvervierfacher (C4-C7, D5-D8) eine erhöhte Gleichspannung gewonnen wird. Durch diese Spannung wird der selbstleitende Feldeffekttransistor (FET1) über sein Gate (G) gesperrt.

Description

Die Erfindung betrifft ein weiteres Ausführungsbeispiel des Gegenstandes des Hauptpatents DE 31 34 877 und bezweckt eine einfachere und kostengünstigere Identifiziereinheit zu schaffen.

Nach der Hauptanmeldung ist eine Identifiziereinheit bekannt, die als Zweipol unabhängig von der Polarität an der a- und fr-Ader anschließbar ist

Diese Schaltungsanordnung der identifiziereinheit wird bei angeschaltetem Identifizierungsstrom von der Vermittlungsstelle als niederohmig erkannt und bei angeschaltetem Speisestrom durch die Anordnung von zwei für den Steuerstrom der Feldeffekttransistoren erforderlichen Zenerdioden entsprechend der Polarität hochohmig geschaltet

Diese Schaltungsanordnung ist allerdings aufgrund der Anwendung von vier Feldeffekttransistoren kostenintensiv. Ferner müssen sehr enge Toleranzwerte eingehalten werden, so daß nur ganz spezielle (selektierte) Feldeffekttransistoren eingesetzt werden können.

Die DE-OS 30 01 132, die eine Schaltungsanordnung mit einem, aus einem Widerstand und zwei Feldeffekttransistoren bestehenden, parallel zum Eingang einer Gleichrichterbrücke angeordneten Strompfad aufweist, der über eine Ansteuerschaltung bei angeschaltetem Identifizierungsstrom niederohmig und bei angeschaltetem Speisestrom hochohmig geschaltet wird, ist ebenfalls kostenintensiv, da hier zwei Feldeffekttransistoren und ein Übertrager verwendet werdea

Wegen des höheren Gewichtes, bei Verwendung eines Übertragers sowie mehrerer erforderlicher Anschlußpunkte ist die Verwendung als Schaltmodul ungünstig.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, den Anmeldungsgegenstand durch die Verwendung von weniger Bauelementen handelsüblicher Ausführung kostengünstiger herzustellen, wobei die in der Hauptanmeldung angegebenen Vorteile erhalten bleiben.

Durch die neue Schaltungsanordnung der Identifiziereinheit werden folgende Vorteile erreicht:

1. Durch die Verwendung nur eines Feldeffekttransistors läßt sich die Schaltungsanordnung außerordentlich preiswert herstellen.

2. Die Schaltungsanordnung ist integrationsfähig (als integrierter Schaltkreis herstellbar) und kommt damit einem dringenden Bedürfnis nach.

3. Die Schaltungsanordnung ist sowohl in die Nachbildleitung als auch parallel zum Mikrofon einsetzbar.

4. Die Schaltungsanordnung ist bei Verwendung einer integrierten Sprechschaltung und eines Tastenwahiblockes mit zentraler Gleichridiierbrücke parallel hinter dem Gabelumschalter direkt an die a- und fr-Ader anschließbar.

5. Gegenüber Vierpol-Schaltungen einfacher einschaltbar.

6. Bei gleichstromfreiem Nachbild einsetzbar, um bei Schaltungen mit Lauthörmöglichkeit die Energie des Nachbildwiderstandes für den Lauthörverstärker zu gewinnen.

Die Lösung besteht in den kennzeichnenden Maßnahmen des Anspruchs 1.

Vorteilhafte weitere Ausgestaltungen der einzelnen Maßnahmen dieser Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung soll anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.

Die F i g. 1 zeigt die Schaltungsanordnung der Identifiziereinheit.

Diese Identifiziereinheit ist mittels der Anschlußklemmen A, B einschaltbar.

Im linken Teil der F i g. 1 wird die Stromversorgung gezeigt, die aus den Dioden D1 bis D 4, aus dem Widerstand R 1, aus der Zenerdiode Z1 und aus dem Kondensator C1 besteht

Sie dient für die interne Stromversorgung des Generators, der aus zwei Invertern Ii, 12, aus zwei Widerständen R 2, R 3 und aus dem Kondensator Ci aufgebaut ist. Dieser C MOS-Generator beginnt zu schwingen, wenn am Strompfad — FETi, RA- eine Spannung anliegt, die größer als 43 V ist. Dieser Fall tritt ein, wenn der Speisestrom (z. B. 20 mA) fließt.

Am Ausgang des zweiten Inverters entsteht eine Rechteckspannung von minimal 3 V₅,.
Der aus den Kondensatoren CA bis Cl und den Dioden D 5 bis D 8 aufgebaute Spannungsvervierfacher gewinnt aus der Rechteckspannung eine Gleichspannung, die in jedem Fall negativer wird als die Spannung an A oder B mit der Gewährleistung des einwandfreien Sperrens des Feldeffekttransistors FETX über sein Gate G.

Die gesamte Identifiziereinheit ist somit hochohmig.

Fließt über den Anschluß A nach B der Identifizier-

O μΑ), so ist die gesamte Identifiziereinheit nie-
;, da der Source-Drain-Kanal 5, D des selbstlei^re!deffekttransistors FETX vernachlässigbar
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hen den Identifizierwiderstand. 5

rwendung eines p-Kanal-Feldeffekttransistors
ch umgekehrte Stromrichtung der Dioden
J) im Spannungsvervierfacher eine erhöhte poinnung gewonnen, welche zum Sperren eines
-eldeffekttransistors erforderlich ist io

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims (3)

Patentansprüche:

1. Identifiziereinheit als Zweipol für Teilnehmerendeinrichtungen, die bei eingeschaltetem Identifizierstrom niederohmig und bei eingeschaltetem Speisestrom hochohmig gestaltet wird, nach Patent DE 31 34 877, wobei durch den Speisestrom ein Generator aktiviert wird, aus dessen Ausgangssignale eine Gleichspannung zum Sperren von Feldeffekttransistoren gewonnen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Identifiziereinheit bei eingeschaltetem Identifizierungsstrom durch einen selbstleitenden n-Kanal-Feldeffekttransistor (FETl) niederohmig und bei eingeschaltetem Speisestrom hochohmig wird, hierbei wird der durch die Stromversorgung (DX bis DA, Ri, 7Λ, Ci) gespeiste CMOS-Generator (Ii, 12, R2, A3, C3) aktiviert und am Ausgang des zweiten Inverters (12) entsteht eine Rechteckspannung, von welcher durch einen Spannungsvervielfacher (C4-C7, D5-D8) eine erhöhte Gleichspannung gewonnen und durch diese Spannung der selbstleitende Feldeffekttransistor (FETi)über sein Gate (G)gesperrt wird.

2. Identifiziereinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Identifiziereinheii parallel zum Leitungsnachbild oder zu einem Mikrofon oder bei Verwendung einer integrierten Sprechschaltung und eines Tastenwahiblockes mit zentraler Gleichrichterbrücke parallel hinter dem Gabelumschalter direkt an die a- und fr-Ader anschließbar ist.

3. Identifiziereinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines p-Kanal-Feldeffekttransistors durch die umgekehrte Stromrichtung der Dioden (DS bis D 8) im Spannungsvervierfacher eine erhöhte positive Spannung gewonnen wird, welche zum Sperren eines p-Kanal-Feldeffekttransistors erforderlich ist