DE3153395C2 - Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy - Google Patents

Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy

Info

Publication number
DE3153395C2
DE3153395C2 DE3153395A DE3153395A DE3153395C2 DE 3153395 C2 DE3153395 C2 DE 3153395C2 DE 3153395 A DE3153395 A DE 3153395A DE 3153395 A DE3153395 A DE 3153395A DE 3153395 C2 DE3153395 C2 DE 3153395C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper
fine wire
aluminum
welding
tin alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3153395A
Other languages
English (en)
Inventor
Fritz Dr. 6458 Rodenbach De Aldinger
Albrecht Dr. 6454 Bruchkoebel De Bischoff
Wolfgang 6052 Muehlheim De Bonifer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Priority to DE3153395A priority Critical patent/DE3153395C2/de
Priority claimed from DE19813104960 external-priority patent/DE3104960A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3153395C2 publication Critical patent/DE3153395C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01202—2N purity grades, i.e. 99%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01203—3N purity grades, i.e. 99.9%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft die Verwendung eines Feinstdrahtes aus einer Kupfer-Zinn-Legierung für die Verbindung eines Halbleitersubstrats mit An­ schlußelementen eines Halbleiter-Bauelements.
Es ist bekannt, Feinstdrähte aus Gold, Aluminium oder Aluminiumlegierungen, zum Beispiel AlSil, AlCu4 (deutsche Offenlegungsschrift 29 29 623), AlMgl und AlMg0,5, für die Verbindung eines Halbleitersubstrats mit Anschlußelementen von Halbleiter-Bauelementen zu verwenden.
Feinstdrähte aus einem Kupfer- oder Kupferlegierungskern (besonders CuSn6) und einem Aluminium- oder Aluminiumlegierungsmantel werden in der deutschen Patentschrift 30 23 528 vorgeschlagen.
Während Feinstdrähte aus Aluminium und Aluminiumlegierungen bevorzugt für die Herstellung ultraschall-geschweißter Verbindungen durch Keil-Schweißen einge­ setzt werden, können die Kern/Mantel-Drähte (Kupfer/Aluminium-Feinstdrähte) sowohl durch Ultraschall-Schweißen mittels Keil-Schweißens als auch durch Thermosonic-Schweißen nach dem Verfahren der Nagelkopf-Kontaktierung die Ver­ bindung eines Halbleitersubstrats mit Anschlußelementen eines Halbleiter-Bau­ elements herstellen. (Mit "Themosonic-Schweißen" wird eine Kombination von Ultraschall- und Thermokompressions-Schweißen bezeichnet.)
Die mechanische Festigkeit und die elektrische Leitfähigkeit der Verbindung zwischen diesen Kern/Mantel-Drähten und Halbleiter-Bauelementen ist gut. Bei der Ausbildung der Verbindung zwischen dem Draht und aus Kupfer oder einer Kupferlegierung bestehendem Anschlußelement, zum Beispiel einem Systemträger, können jedoch Schäden auftreten, die - unter Betriebsbedingungen - zu einem Ablösen des Drahtes führen.
Aus der deutschen Patentschrift 30 11 661 ist eine Halbleiteranordnung mit Kontaktierungsdrähten aus einer Kupfer-Zinn-Legierung, beispielsweise aus 50 Gewichts-% Kupfer und 50 Gewichts-% Zinn, bekannt, die die Elektroden der Halbleiteranordnung mit Anschlußelementen verbinden. Die Kontaktierungsdrähte ersetzen die bei der Thermokompressionskontaktierung bisher am häufigsten ver­ wendeten Golddrähte und weisen gute elektrische Eigenschaften auf, sind billig und gewährleisten mit Aluminiumleitbahnen oder anderen Kontaktsystemen gut haftende Verbindungen.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß zur Kontaktierung von Aluminium Schweißver­ fahren mit Ultraschall-Anwendung zuverlässigere Verbindungen ergeben als das Thermokompressionsverfahren.
Für Schweißverfahren unter Ultraschall-Anwendung, besonders für das Thermosonic-Schweißen, sind aber die nach der deutschen Patentschrift 30 11 661 für die Thermokompressionskontaktierung bestimmten Kupfer-Zinn-Le­ gierungen mit einem Kupferanteil von vorzugsweise zwischen 20 und 60 Gewichs-% nicht geeignet. Infolge ihrer Härte - diese ist von Anfang an sehr hoch oder steigt aufgrund des Verfestigungsverhaltens der abgeflammten Kugel stark an - wäre ein hoher Druck zum Anpressen der Kugel notwendig. Durch einen zu hohen Anpreßdruck kann es aber zur Bildung von Rissen - sogenannter Muschelbruch - in dem Silicium-Halbleiter-Bauelement kommen.
Da jedoch Kupfer-Zinn-Legierungen gute elektrische Eigenschaften besitzen und - verglichen mit Edelmetallen - preiswert sind, ist es die Aufgabe der Erfindung, einen Feinstdraht aus einer Kupfer-Zinn-Legierung zu finden, der für das Thermosonic-Schweißen geeignet ist und sowohl mit aluminium-beschich­ teten Silicium-Halbleitersubstraten als auch mit Anschlußelementen aus Kupfer oder Kupferlegierungen, zum Beispiel Leiterrahmen, eine zuverlässige Verbin­ dung bildet.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Verwendung eines Feinstdrahtes ge­ löst, der aus 98 bis 99,9 Gewichts-% Kupfer und 0,1 bis 2 Gewichs-% Zinn be­ steht.
Besonders bewährt hat sich ein Feinstdraht aus der Legierung aus 99,4 Gewichs-% Kupfer und 0,6 Gewichts-% Zinn.
Der Feinstdraht, der vorzugsweise einen Durchmesser von 0,01 bis 0,06 mm be­ sitzt, wird durch Ultraschall-Schweißen mittels Keil-Schweißen mit den aus Kupfer oder Kupferlegierungen bestehenden Anschlußelementen verbunden. Die Verbindungsstellen (Bondstellen) FEinstdraht/Kupfer und Feinstdraht/Kupfer­ legierung sind frei von Fehlstellen (Risse und dergleichen). Die Abreißfestig­ keit des Paares CuSn0,6/Cu ist größer als die Paare Al/Cu und Cu/Al/Cu.
Das Verbinden der Halbleitersubstrate - zum Beispiel aus mit Aluminium be­ schichteten Silicium - geschieht durch Thermosonic-Schweißen nach dem Ver­ fahren der Nagelkopf-Kontaktierung, wobei das Abflammen des Feinstdrahtes unter Bildung einer Kugel in einer Schutzgas-Atmosphäre erfolgt.
Bei der erfindungsgemäßen Verwendung des Feinstdrahtes ist - bei einem Durch­ messer von 25 Mikrometer - der Durchmesser der sich beim Abflammen bildenden Kugeln kleiner als bei den bekannten Feinstdrähten (AlSil: 55 Mikrometer; CuSn0,15: 50 Mikrometer). Dieser Größenunterschied ist, wie ein Vergleich von rasterelektronenmikroskopischen Aufnahmen der Verbindungsstellen zeigt, bei den aufgeschweißten Kugeln noch ausgeprägter.
Im Hinblick auf die fortschreitende Miniaturisierung der Halbleiter-Bau­ elemente und ihrer Anschlußelemente erweist sich der geringere Durchmesser der sich beim Abflammen bildenden Kugel als ein weiterer Vorteil des Feinstdrahtes.
Während des Thermosonic-Schweißens nach dem Verfahren der Nagelkopf-Kontak­ tierung kann durch Verschweißen der Feinstdrähte mit der Austrittsfläche einer zur Drahtführung und als Sonotrode dienenden Kapillare die Kapillaröffnung verstopft werden. Der Feinstdraht aus einer Kupfer-Zinn-Legierung neigt - im Gegensatz zu solchen aus Aluminium, Aluminiumlegierungen oder Kupfer/Aluminium - kaum zum Verschweißen, so daß die Gefahr des Verstopfens der Kapillaröffnung sehr gering ist.
Weiter zeichnet sich der Feinstdraht durch eine hohe elektrische Leitfähigkeit und Korrosions- bzw. Anlaufbeständigkeit, eine im Vergleich zu den Feinst­ drähten aus Aluminium, Aluminiumlegierungen oder Kupfer/Aluminium höhere Ermü­ dungsfestigkeit und eine hohe Zugfestigkeit aus, die nicht nur zu der hohen Abreißfestigkeit, sondern auch zur Ausbildung einer stabilen Drahtschleife beiträgt.

Claims (3)

1. Verwendung eines Feinstdrahtes aus einer Kupfer-Zinn-Legierung für die Verbindung eines Halbleitersubstrats mit Anschlußelementen eines Halbleiter-Bauelements, dadurch gekennzeichnet, daß er aus 98 bis 99,9 Gewichts-% Kupfer und 0,1 bis 2 Gewichs-% Zinn besteht.
2. Verwendung eines Feinstdrahtes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er aus 99,4 Gewichs-% Kupfer und 0,6 Gewichts-% Zinn besteht.
3. Verwendung eines Feinstdrahtes nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sein Durchmesser 0,01 bis 0,06 mm beträgt.
DE3153395A 1981-02-12 1981-02-12 Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy Expired DE3153395C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3153395A DE3153395C2 (en) 1981-02-12 1981-02-12 Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813104960 DE3104960A1 (de) 1981-02-12 1981-02-12 "feinstdraht"
DE3153395A DE3153395C2 (en) 1981-02-12 1981-02-12 Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3153395C2 true DE3153395C2 (en) 1987-11-19

Family

ID=25791100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3153395A Expired DE3153395C2 (en) 1981-02-12 1981-02-12 Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3153395C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3990432C1 (de) * 1988-05-02 1994-06-23 Nippon Steel Corp Bonddraht für Halbleiterelemente
CN116411202A (zh) * 2021-12-29 2023-07-11 无锡市蓝格林金属材料科技有限公司 一种铜锡合金线材及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2929623A1 (de) * 1979-07-21 1981-01-29 Heraeus Gmbh W C Feinstdraht aus einer aluminiumlegierung
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2929623A1 (de) * 1979-07-21 1981-01-29 Heraeus Gmbh W C Feinstdraht aus einer aluminiumlegierung
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-B: Dies, Kurt: Kupfer und Kupferlegierungen in der Technik, Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg/ New York, 1967, S. 504-577 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3990432C1 (de) * 1988-05-02 1994-06-23 Nippon Steel Corp Bonddraht für Halbleiterelemente
CN116411202A (zh) * 2021-12-29 2023-07-11 无锡市蓝格林金属材料科技有限公司 一种铜锡合金线材及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69032879T2 (de) Verbindungsverfahren für Halbleiterpackung und Verbindungsdrähte für Halbleiterpackung
DE3645066C2 (de)
DE3023528C2 (de) Aluminium enthaltender Feinstdraht
WO2006094654A1 (de) Kupferbond- oder feinstdraht mit verbesserten bond- und korrosionseigenschaften
DE69708545T2 (de) Verwendung eines Drahts aus Goldleriung zum Wedgebonding
DE3104960C2 (de)
DE112004000360T5 (de) Zweimetallisches Stud-Bumping für Flipchip-Anwendungen
DE2111572B2 (de) Verfahren zum verbinden von metallen
DE102010031993A1 (de) Kern-Mantel-Bändchendraht
DE19717368A1 (de) Drahtbondverfahren, Drahtbondvorrichtung und mit denselben hergestellte Halbleitereinrichtung
DE4232745A1 (de) Bonddraht zum Ultraschallbonden
DE1817828C3 (de) Verwendung einer Lotlegierung. Ausscheidung aus: 1807862
DE10011368A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3153395C2 (en) Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy
EP2133915A1 (de) Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung
DE3514253A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE4123911C1 (de)
DE3435489A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0020857B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines planaren Halbleiterbauelements
EP0101592A2 (de) Golddraht für Halbleiterbauelemente
DE3641524A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE3641688C2 (de)
DE4021031C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE112007000671T5 (de) Aluminiumerhebungs-Bonden für einen Aluminiumdraht
DE3916168A1 (de) Ultrafeine draehte aus einer kupferlegierung und halbleitervorrichtungen unter verwendung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
Q172 Divided out of (supplement):

Ref country code: DE

Ref document number: 3104960

8110 Request for examination paragraph 44
8181 Inventor (new situation)

Free format text: ALDINGER, FRITZ, DR., 6458 RODENBACH, DE BISCHOFF, ALBRECHT, DR., 6454 BRUCHKOEBEL, DE BONIFER, WOLFGANG, 6052 MUEHLHEIM, DE

AC Divided out of

Ref country code: DE

Ref document number: 3104960

Format of ref document f/p: P

AC Divided out of

Ref country code: DE

Ref document number: 3104960

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee