DE3117957A1 - Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand

Info

Publication number
DE3117957A1
DE3117957A1 DE19813117957 DE3117957A DE3117957A1 DE 3117957 A1 DE3117957 A1 DE 3117957A1 DE 19813117957 DE19813117957 DE 19813117957 DE 3117957 A DE3117957 A DE 3117957A DE 3117957 A1 DE3117957 A1 DE 3117957A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance
laser
structured
meander
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19813117957
Other languages
English (en)
Inventor
Walter Dr.-Ing. 8671 Marktleuthen Brem
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Draloric Electronic GmbH
Original Assignee
Draloric Electronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Draloric Electronic GmbH filed Critical Draloric Electronic GmbH
Priority to DE19813117957 priority Critical patent/DE3117957A1/de
Publication of DE3117957A1 publication Critical patent/DE3117957A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/12Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
    • H01C17/242Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material by laser

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung eines Schichtwiderstandes
  • und nach diesem Verfahren hergestellter Schichtwiderstand Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtwiderstandes für Widerstandsthermometer gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1, sowie nach diesem Verfahren hergestellten Schichtwiderstand.
  • Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist aus der DE-AS 25 58 752 bekannt Dort wird auf einen Trägerkörper durch Kathodenzerstäubung eine dünne Widerstandsschicht aus Platin aufgetragen, die durch das aus der Mikroelektronik bekannte Plas.maätzverfahren strukturiert und nachgetempert wird. Ein ähnliches Verfahren zur Herstellung eines Schichtwiderstandes als Meßwiderstand für Widerstandsthermometer, das mit einer anderen Gasatmosphäre arbeitet, ist aus der DE-OS 29 36 013 bekannt.
  • Wird die auf einen Trägerkörper aufgetragene Platindünnschicht durch einen Laserstrahl strukturiert, was herstellungstechnisch weniger aufwendig ist, als die Maskierung mit einem Fotolack und die anschließende Ätzung, dann bildet sich am Rand des Materialabtrages eine sogenannte "heat-effected-zone", d.h. eine Zone, die infolge der starken Wärmezufuhr im Vergleich zum unberührten Bereich daneben in ihrer Struktur verändert ist. Derartige Strukturunterschiede können durch eine auf die Strukturierung folgende Temperung mindestens größtenteils ausgeheilt werden, wobei sich der Widerstandswert bei dem relativ hohen Temperaturkoeffizienten stark ändert. Ein genauer Abgleich eines derartigen Meßwiderstandes ist also nur durch mehrere Temperungen und Abgleichschritte möglich.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zLir Herstellung eines Schichtwiderstandes als Meßwiderstand für Widerstandsthermometer zur Verfügung zu stellen, bei welchem die Widerstandsbahn aus einer Platindünnschicht mittels eines Laserstrahles strukturiert und abgeglichen wird und bei dem der Feinabgieich des angestrebten Widerstandswertes n Bereichen der Platindünnschicht geschieht, die nicht mehr an per Laser egufgetrennten '>tellen vorbeiführen, so daß "heat-effected-zones" keine Rollt,! mehr spielen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnsXnden Merkmale des Anspruches 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen darin, daß die Strukturierung der Widerstandsbahn aus einer Platindünnschicht auf dem ebenen Trägerkörper mittels Laserstrahles einfach möglich ist, und daß der Feinabgleich der durch eine Temperung stabilisierten Widerstandsbahn einfach durch ein Auftrennen einzelner, zu den Mäanderwindungen parallel liegender Nebenschlußzweige geschieht. Weil bei diesem Auftrennen mit einem Laserstrahl der elektrische Strom einen Pfad nimmt, der nicht mehr an der per Laser aufgetrennten Stelle vorbeiführt, spielt eine "heat-effected-zone" keine Rolle mehr. Dadurch ist eine Widerstandstrift ausgeschlossen und der Abgleich sehr genau möglich. Außerdem ist der zeitliche Aufwand für die Abgleicharbeit gering. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß durch die ser:enmäßig vorgeschnittene Struktur der Widerstandsbahn eine relative Unabhängigkeit vom Widerstandswert pro Quadrateinheit des angewandten Mehrfachsubstrates gegeben ist.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt.
  • Es zeigen Fig. 1 ein mit einer Platindünnschicht bedecktes, strukturiertes Mehrfachsubstrat, Fig. 2 einen Meßwiderstand, Fig. 3 einen Ausschnitt aus einem Mehrfachsubstrat im Querschnitt und Fig. 4 einen Ausschnitt aus einem Meßwiderstanj im Querschnitt.
  • Fig. 1 zeigt ein Mehrfachsubstrat 1, das als Sollbruchstellen dienende Längskerben 11 und Querkerben 12 besitzt. Über diesen Kerben 11, 12 bzw. als diese Kerben 11, 12 unterteilt ein Laserstrahl das mit einer Platindünnschicht 2 bedeckte Mehrfachsubstrat 1 in Einzelwiderstände 10. Jeder dieser Einzelwiderstände 10 wird mit einem Laserstrahl in Form einer mäanderförmigen Widerstandsbahn 24 mit Nebenschlußzweigen 23 strukturiert. Die beim Strukturieren mit einem Laser sich ergebenden Strukturänderungen in der Widerstandsschicht 2 werden durch eine Temperaturbehandlung des Mehrfachsubstrates, durch eine sogen. Temperung, ausgeheilt, wobei sich ein stabiler Widerstands-Vorwert ergibt.
  • Fig. 2 zeigt einen einzelnen Meßwiderstand 10, der zwischen den Längsflächen 11 und Stirnflächen 12 auf einer Hauptfläche des ebenen Trägerkörpers 1 mit einer Dünnschicht 2 aus Platin bedeckt ist. In diese Platindünnschicht 2 sind in Querrichtung Laserlinien 32 und 33 und in Längsrichtung nebeneinander parallel verlaufende und paarweise alternierend gegeneinander versetzte Laserlinien 34 eingeschnitten. Diese Laserlinien 34 kreuzen paarweise die Laserlinie 33; sie bzw. ein Teil von ihnen besitzen jedoch zur Laserlinie 32 einen Abstand, wodurch sich zu jeder Mäanderwindung 24 ein Nebenschlußzweig 23 ergibt. Durch Auftrennen eines derartigen Nebenschlußzweiges 23 entlang der strichliert gezeichneten Linie 34 wird die diesem Nebenschlußzweig 23 elektrisch zugeordnete Mäanderwindung 24 zugeschaltet und der Widerstandswert des Meßwiderstandes entsprechend erhöht. Durch Ausbildung eines Teiles der Mäanderwindungen 24 der Platindünnschicht 2 mit nach einer geometrischen Reihe zunehmender Breite der Widerstandsbahnschleifen 24 ist ein relativ lückenloser Abgleich des Widerstandswertes eines derartigen Meßwiderstandes zwischen den durch eine Laserlinie 31 getrennten Anscsrlußflächen 21 und 22 möglich.
  • Fig. 3 zeigt ein Mehrfachsubstrat 1 im Querschnitt. Im Mehrfachsubstrat 1 sind in die Grundfläche Längskerben 11 und Querkerben 12 eingeprägt oder eingeschnitten, die als Sollbruchstellen dienen. Auf der der gekerbten Grundfläche gegenüberliegenden, ebenen Hauptfläche ist eine Dünnschicht 2 aus Platin festhaftend angeordnet, die pro einzelnem Trägerkörper 10 zwischen zwei Anschlußflächen mit einem Laserstrahl mäanderförmig strukturiert ist Fig. 4 zeigt einen Ausschnitt aus einem aus einem Mehrfachsubstrat 1 herausgebrochenem Trägerkörper 10, der auf einer ebenen Hauptfläche mit einer Dünnschicht 2 aus Platin bedeckt ist Die Dünnschicht 2 aus Platin ist durch Laserlinien 34 derart strukturiert, daß sich eine mäanderförmige Widerstandsbahn 24 ergibt Leerseite

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 0 Verfahren zur Herstellung eines Schichtwiderstandes als Meßwiderstand für Widerstandsthermometer, bei dem auf eine Hauptfläche eines plättchenförmigen, elektrisch isol ierenden Trägerkörpers durch Kathodenzerstäubung eine dünne Widerstandsschicht aufgebracht und getempert wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (2) mittels Laserstrahles in Form einer mäanderförmigen Bahn (24) derart strukturiert wird, daß die einzelnen oder ein Teil der Windungen der mäanderförmigen Widerstandsbahn (24) je einen Nebenschlußzweig (23) besitzen und Nebenschlußzweige (23) nach der Temperung der Widerstandsschicht (2) aufgetrennt werden, bis der gewünschte Widerstandswert erreicht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl sich einander abmessungsmäßig entsprechender Trägerkörper (10) ein Sollbruchlinien (11) und (12) besitzendes Mehrfachsubstrat (1) bilden, daß auf einer Hauptfläche mit einer Widerstandsschicht (2) vollständig bedeckt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (2) über den Längs- und Quersollbruchlinien (11, 12) mit einem Laserstrahl abgetragen wird, so daß eine Vielzahl abmessungsgleicher Rechtecke entsteht, anschließend jedes Rechteck durch eine mittige Laserlinie (31) und eine diese schneidende und quer verlaufende Laserlinie (33) die beiden Anschlußflächen (22) gebildet werden und nachfolgend durch zueinander parallel verlaufende, gegeneinander in Längsrichtung alternierend versetzte Laserlinien (34), welche paarweise bis zur Laserlinie (33) reichen, aber von einer zweiten Laserlinie (32) paarweise einen gleichen Abstand besitzen, die Widerstandsschicht (2) mit einer mäanderförmigen Widerstandsbahn (24) mit Nebenschlußzweigen (23) strukturiert wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Nebenschlußzweige (23) nach der Temperung der strukturierten Widerstandsschicht (2) mit einem Laserstrahl unterbrochen werden, wodurch der Widerstandswert der mäanderförmigen Widerstandsbahn in engsten Toleranzen eingestellt wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Mehrfachsubstrat (1) nach der Strukturierung und dem Feinabgleich entlang den Sollbruchlinien (11) und (12) auseinandergebrochen wird.
  6. 6. Schichtwiderstand, der nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Breiten der einzelnen, mäanderförmig strukturierten, zwischen Laserlinien (34) verlaufenden Widerstandsbahnen (24) konstant und/oder unterschiedlich, insbesondere nach einer geometrischen Reihe zunehmend sind.
  7. 7. Schichtwiderstand, der nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Längen der eineinen, mäanderförmi g strukturierten, zwischen Laser linien (34) verbau - fenden Widerstandsbahnen (24) konstant und/oder unterschiedlich, insbesondere nach einer geometrischen Reihe abnehmend sind.
DE19813117957 1981-05-07 1981-05-07 Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand Withdrawn DE3117957A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813117957 DE3117957A1 (de) 1981-05-07 1981-05-07 Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813117957 DE3117957A1 (de) 1981-05-07 1981-05-07 Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3117957A1 true DE3117957A1 (de) 1982-11-25

Family

ID=6131603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813117957 Withdrawn DE3117957A1 (de) 1981-05-07 1981-05-07 Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3117957A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2552223A1 (fr) * 1983-09-21 1985-03-22 Jaeger Perfectionnements aux sondes de mesure de niveau
EP0450107A1 (de) * 1990-03-30 1991-10-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Widerstandselementes
US5119538A (en) * 1990-08-10 1992-06-09 Ranco Incorporated Of Delaware Method of making a temperature sensor
EP1093328A2 (de) * 1999-10-13 2001-04-18 Rohm And Haas Company Laserbilderzeugung von Dünnschichtmaterial für elektronische Schaltungen

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2552223A1 (fr) * 1983-09-21 1985-03-22 Jaeger Perfectionnements aux sondes de mesure de niveau
EP0140747A1 (de) * 1983-09-21 1985-05-08 Jaeger Niveaumesssonden
US4724415A (en) * 1983-09-21 1988-02-09 Jaeger Level measuring probes
EP0450107A1 (de) * 1990-03-30 1991-10-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Widerstandselementes
US5113577A (en) * 1990-03-30 1992-05-19 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a resistor element
US5119538A (en) * 1990-08-10 1992-06-09 Ranco Incorporated Of Delaware Method of making a temperature sensor
EP1093328A2 (de) * 1999-10-13 2001-04-18 Rohm And Haas Company Laserbilderzeugung von Dünnschichtmaterial für elektronische Schaltungen
EP1093328A3 (de) * 1999-10-13 2003-08-13 Rohm And Haas Company Laserbilderzeugung von Dünnschichtmaterial für elektronische Schaltungen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0478956B1 (de) Mikromechanisches Element
EP0087419B1 (de) Dünnschicht-dehnungsmessstreifen und verfahren zu seiner herstellung
DE4000089C2 (de)
DE2350026A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielfach-elektrodeanordnung fuer aufzeichnungsgeraete
DE2511286C3 (de) Verschiebungsmuster für magnetische Blasendomäneneinrichtungen
DE3032708A1 (de) Verfahren zur herstellung eines duennschicht-magnetfeld-sensors
EP0006442B1 (de) Abgleichbarer Dünnschicht-Widerstand
DE3117957A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandes und nach diesem verfahren hergestellter schichtwiderstand
DE3245272A1 (de) Verfahren zur herstellung miniaturisierter dick- und duennschichtschaltungen
DE10110179B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Chipwiderständen
DE1764237B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2547447A1 (de) Verfahren zum anbringen eines leiterschichtmusters mit in geringem gegenseitigen abstand liegenden teilen, insbesondere bei der herstellung von halbleiteranordnungen
DE2837800A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
DE4123249C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von abgeglichenen metallischen Dünnschicht-Widerstandsstrukturen
DE3431446A1 (de) Anordnung mit einer in dickschicht- oder duennschichttechnik hergestellten leiterschicht auf einem isolierenden substrat
EP0058835B1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102010042307A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer elektrischen Widerstandsstruktur und Strömungssensor
DE2653814C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschichtschaltung
DE4429794C1 (de) Verfahren zum Herstellen von Chip-Widerständen
DE4202824C2 (de) Chip-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4123251C2 (de) Metallischer Dünnschichtwiderstand
EP0212065A1 (de) Flüssigkristallzelle
DE3911352C2 (de) Anordnung zur Kontaktierung einer Vielzahl von Steuerelektroden und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0188771A2 (de) Magnetfeldsensor
AT344826B (de) Gedruckte widerstandsanordnung und deren herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee