DE3101412A1 - Vorrichtung zur entlastung von halbleiterschaltern und zur minderung der verlustleistungsbeanspruchung - Google Patents
Vorrichtung zur entlastung von halbleiterschaltern und zur minderung der verlustleistungsbeanspruchungInfo
- Publication number
- DE3101412A1 DE3101412A1 DE19813101412 DE3101412A DE3101412A1 DE 3101412 A1 DE3101412 A1 DE 3101412A1 DE 19813101412 DE19813101412 DE 19813101412 DE 3101412 A DE3101412 A DE 3101412A DE 3101412 A1 DE3101412 A1 DE 3101412A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- network
- capacitor
- semiconductor switch
- diode
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08146—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in bipolar transistor switches
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
η. -7 5 3
Fd/Jä 30.12.1980
Robert Bosch GmbH, 7OOO Stuttgart 1
Vorrichtung zur Entlastung von Halbleiterschaltern und zur Minderung der Verlustleistungsbeanspruchung
Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung nach der Gattung des Hauptanspruchs. Beispielsweise aus der
DE-OS 26 50 673 ist es bekannt, Halbleiterschalter durch
ein Netzwerk zu schützen, das aus einem Widerstand, einem Kondensator und einer Diode besteht. Durch diese Maßnahme
wird die im Halbleiterschalter umgesetzte Leistung verringert, so daß der Halbleiter scha]ter für höhere Ströme
oder höhere Spannungen verwendbar ist. Die beim. Uni se halt-Vorgang
auftretende Schaltleistung wird dabei teilweise durch die Widerstände aufgenommen, und dort in Wärme umgesetzt.
Bei dieser Anordnung ist nachteilig, daß Teile der Kommutierungsenergie für den Verbrauch verlorengehen
und für jeden Halbleiterschalter ein Widerstand erforderlich ist.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Vorrichtung mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß sich der Schaltungsaufwand verringert und
die beim Umschalten auftretenden Verluste reduziert werden. Als weiterer Vorteil ist anzusehen, daß bei Schal-
310H12 87 5
tungsanordnungen mit Einschaltentlastung ein weiterer
Widerstand ebenfalls nicht erforderlich ist.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der
im Hauptanspruch angegebenen Vorrichtung möglich. Besonders günstig ist es, das weitere Netzwerk mit jeweils
einem Kondensator der Netzwerke zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung der Halbleiterschalter
beim Ausschaltvorgang zu verbinden. Durch diese Maßnahme wird die zur Verfügung stehende Kapazität durch die
Parallelschaltung der Entlastungskondensatoren verdoppelt. Weiterhin ist es günstig, das weitere Netzwerk
über jeweils eine Diode mit der geschalteten Leitung in Verbindung zu bringen. Durch diese Maßnahme
kann das weitere Netzwerk einerseits die Ladung der Kondensatoren gut abführen, während es andererseits
auch zum Entladen einer Drossel dienen kann, die zur Einschaltentlastung dient. Soll die Schaltungsanordnung
auch eine Einschaltentlastung aufweisen, ist es vorteilhaft, ein Netzwerk zur Einschaltentlastung, vorzugweise
eine Drossel in die geschaltete Leitung einzufügen. Die nach jedem Schaltvorgang in diesem Netzwerk gespeicherte
Energie ist dann üb<r das weitere Netzwerk entladbar. Hierzu ist es zweckmäßig, die Dioden in Stromflußrichtung
zu schalten.
Das weitere Netzwerk ist im einfachsten Fall als Widerstand ausgestaltet. Da an dem Widerstand insbesondere
bei schnellen Schaltvorgängen hohe Stromspitzen auftreten, ist es vorteilhaft, dem Widerstand einen Kondensator
parallel zu schalten, der die entstehenden Spannungsspitzen am Widerstand bedampft. In einer wei-
- 310U12
ä7E ΐ
teren Ausführung ist es günstig, das weitere Netzwerk mit einer Diode zu versehen, deren Knickspannung die Abklinggeschwindigkeit
des Stromes bestimmt. Insbesondere bei höheren Knickspannungen ist dafür eine Zenerdiode
besonders geeignet.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist es vorteilhaft, daß das weitere Netzwerk einen Spannungswandler
aufweist. Die durch den Kommutierungsprozeß frei werdende Energie kann dadurch einem weiteren Verwendungszweck
zugeführt werden und geht nicht verloren. Der Aufwand wird dabei besonders gering, wenn
der Spannungswandler als selbstschwingender Wandler ausgebildet ist. Zur Unterdrückung von Spannungsspitzen
ist es auch hier günstig, dem Spannungswandler einen Kondensator parallel zu schalten. Es ist weiterhin vorteilhaft,
die im Spannungswandler erzeugte Leistung in die Spannungsversorgung zurückzuspeisen, wodurch
der Leistungsverlust der Halbleiterschaltungsanordnung besonders gering wird.
Zeichnung
Drei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Die Figuren 1 bis 3 zeigen drei verschiedene
Ausführungsbeispiele nach der Erfindung.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
In Pig. 1 liegen an den Klemmen 1 und 3 die positive und die negative Versorgungsspannung an, während an die Klemme
2 der Spannungsmittelpunkt geführt ist. Von der Klemme 1
310U12
_ ^ _ OJ 5 ο
führt eine Leitung zum Kollektor eines Halbleiterschalters
U, dessen Emitter mit einer Drossel 1k verbunden
ist, die in der Mitte eine Anzapfung aufweist. Parallel Lur Kollektor-Emitter-Strecke des Halbleiterschalters
i- ist ein Netzwerk 6 zur Verringerung der Verlustleistungs-'beanspruchung
des Halbleiterschalters k geschaltet. Das Netzwerk 6 weist zwei Dioden 8 und 10 und einen Kondensator
9 auf. Die Diode 8 ist parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des Halbleiterschalters k geschaltet,
vährend die Reihenschaltung des Kondensators 9 und der Diode 10 ebenfalls parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke
des Halbleiterschalters k liegt. An den Kontakt 3 ist der Emitter eines Halbleiterschalters 5 angeschlossen,
dessen Kollektor mit der anderen Seite der Drossel 1U verbunden ist. Parallel zum Halbleiterschalter 5 ist
v.-ieder ein Netzwerk 7 zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung des Halbleiterschalters 5 angeordnet, das
wie das Netzwerk 6 aufgebaut ist.
Sine Diode 11 liegt wiederum parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke
des Halbleiterschalters 5» weiterhin liegt die Reihenschaltung aus einer Diode 13 und einem
Kondensator 12 parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des Halbleiterschalters 5· Die Basen der Halbleiterschalter
k und 5 werden von einer nicht dargestellten Steuerschaltung angesteuert. Ein weiteres Netzwerk mit
einem Widerstand 15 und einem Kondensator 16 ist einerseits zwischen Kondensator 9 und Diode 10 des Netzwerkes
6 und andererseits zwischen dem Kondensator 12 und der Diode 13 des Netzwerkes T angeschlossen. Die Mittelanzapfung
der Drossel 1U führt zu einer Last 1T9 die im
wesentlichen aus einem Widerstand 18 und einer Induktivität 19 gebildet ist. Die Last 17 ist weiterhin an die
Klemme 2 angeschlossen.
·'·; 310Η12 '. « 7 5
Bei dieser Schaltungsanordnung wirken die beiden Entlastungskondensatoren
9 und 12 parallel über einen niederohmigen Widerstand 15» der außerdem den Entladekreis
für die Drossel 11* bildet, wobei die Drossel "\k als
Einschaltentlastungsinduktivität wirkt. Bei leitendem Halbleiterschalter 5 ist nun der Kondensator 12 entladen,
während der Kondensator 9 auf die Betriebsspannung aufgeladen ist. Wird nun der Halbleiterschalter
gesperrt, so fließt der Strom durch die induktive Last 17 weiter über die Diode 13 in die Kondensatoren 12 und
9. Die Kollektorspannung am Halbleiterschalter 5 steigt deshalb während des Sperrens langsam an, wodurch im
Halbleiterschalter 5 weniger Schaltverlust entsteht, da die Überlappung von Kollektor-Emitter-Spannung und
Kollektorstrom geringer wird. Wenn der Kondensator 9 entladen ist, werden die Dioden 10 und 8 leitend und
das untere Ende der Drossel 1U wird positiver als das
obere. Dies hat zur Folge, daß sich der Laststrom in der Drossel 1U umkehrt und über die Diode 8 zu fließen
beginnt. Wird nun der Halbleiterschalter 5 wieder leitend, so liegt zunächst die volle zwischen den Klemmen
1 und 3 aufgebrachte Versorgungsspannung an der Drossel 1k an. Der Strom durch die Drossel 1k ändert sich gemäß
dem Induktionsgesetz. Sobald der Halbleiterschalter 5 den Strom von der Diode 8 übernommen hat, sinkt das
Potential am oberen Ende der Drossel 1U ab und der Kondensator 9 wird über die Diode 10 aufgeladen, während
der Kondensator 12 entladen wird. Der Ladestrom, für den Kondensator 9 fließt dabei über die Diode 10,
die Drossel Ik und die Kollektor-Emitter-Strecke des
Halbleiterschalters 5» während der Entladestrom des Kondensators 12 über den Widerstand 15, die Diode 10, die
Drossel 11+ und die Kollektor-Emitter-Strecke des Halbleiterschalters
5 fließt. Die Drossel Ik begrenzt dabei
310U12
_ $ _ OfDl
den Umladestrom der Kondensatoren 9 und 12 und damit den Kollektorstrom durch den Halbleiterschalter 5· Die nach
jedem Schaltvorgang in der Drossel 1k gespeicherte Energie
entlädt sich über den Schaltungszweig mit der Diode 13, dem Widerstand 15 und der Diode 10.
Wird statt dem Halbleiterschalter 5 der Halbleiterschalter U ein- und ausgeschaltet, so läuft ein äquivalenter
Vorgang ab. Es ist ausreichend, wenn das weitere Netzwerk, das die Kondensatoren 12 und 9 miteinander verbindet,
aus dem Widerstand 15 besteht. Jedoch treten am Widerstand 15 hohe Stromspitzen und steile Stromanstiege auf.
Es ist daher zweckmäßig, den Kondensator 16 parallel zu schalten, so daß die Spannungsspitzen am Widerstand
15 bedämpft werden. Dadurch werden auch die Spannungsspitzen reduziert, die an den Halbleiterschaltern h und
5 sowie an den als Freilaufdioden geschalteten Dioden
8 und 11 auftreten. Dadurch wird die Wahl von entsprechenden Halbleiterbauelementen nicht kritisch. Als
weiterer Vorteil ist anzusehen, daß der Kondensator 16 bewirkt, daß die Eigeninduktivität und die Länge der
Zuleitungen zum Widerstand 15 nicht mehr störend in Erscheinung treten.
In Fig. 2 ist die gleiche Anordnung wie in Fig. 1 dargestellt, wobei jedoch der Widerstand 15 durch eine
Zenerdiode 20 ersetzt ist. An die Klemme 1 ist wiederum der Kollektor eines Halbleiterschalters U angeschlossen,
dessen Emitter zur Drossel 1U führt. Parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des Halbleiterschalters U
befindet sich das Netzwerk 6 zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung, das ebenso wie in Fig. 1
ausgebildet ist. Die andere Seite der Drossel 1U führt
zum Kollektor eines Halbleiterschalters 5, dessen Emitter
mit der Klemme 3 verbunden ist. Parallel zur Kollektor-
f
6 7 5
Emitter-Strecke des Halbleiterschalters 5 ist das Netzwerk 7 zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung
des Halbleiterschalters 5 angeordnet, das ebenso wie in Fig. 1 ausgebildet ist. Die Mittelanzapfung der Drossel
1k führt zu der Last 17 mit dem Widerstand 18 und
der Induktivität 19· Die Last 17 steht des weiteren mit der Klemme 2 in Verbindung, an der eine mittlere
Spannung abgegriffen wird. Die Kondensatoren 9 und 12 der Netzwerke 6 und 7 sind über eine Zenerdiode 20 miteinander
verbunden.
Diese Schaltungsanordnung weist das gleiche Verhalten wie die in Fig. 1 gezeigte auf. Eine detaillierte Beschreibung
der Funktionsweise ist daher nicht vonnöten. Ein Strom durch die Zenerdiode 20 tritt jedoch erst
dann auf, wenn deren Knickspannung überschritten wird. Die Abklinggeschwindigkeit des Stromes in der Drossel
Ik ist daher weitgehend durch die Knicksparmung der
Senerdiode 20 bestimmt. Ihre Knickspannung richtet sich im wesentlichen nach der Ausgestaltung der Drossel
In Fig. 3 ist eine Schaltungsanordnung dargestellt, die die Rückgewinnung der Leistung ermöglicht, die sonst im
wesentlichen im Widerstand 15 in Wärme umgesetzt wird.
An die Klemme 1 ist wiederum der Kollektor des Halbleiterschalters k angeschlossen, dessen Emitter mit der
Drossel 1U verbunden ist. Parallel zum Halbleiterschalter k befindet sich das Netzwerk 6 zur Verringerung
der Verlustleistungsbeanspruchung, das wiederum entsprechend Fig. 1 ausgebildet ist. Die andere Seite
der Drossel .1 k steht mit dem Kollektor des Halbleiterschalters
5 in Verbindung, dessen Emitter zur Klemme
3 führt. Die Basen der Halbleiterschalter h und 5
310U12
wurden von einem nicht dargestellten Steuergerät gesteuert.
Parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke des Halbleiterschalters 5 befindet sich das Netzwerk 7
zar Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung. Die Mittelanzapfung der Drossel 1U führt zu der
Last 17 mit dem Widerstand 18 und der Drossel 19.
Die andere Seite der Last steht mit der Klemme 2 in Verbindung. Die Kondensatoren 9 und 12 der Netzwerke
6 und 7 sind über den Kondensator 16 miteinander verbunden. Parallel zum Kondensator 16 ist ein Sperrwandler
geschaltet. Dazu ist der Kondensator 9 mit dem Emitter eines Transistors 25 und einer Zenerdiode
2 1 verbunden. Die Basis des Transistors 25 führt zu einer weiteren Diode 22, die ihrerseits mit der Zenerdiode
21 in Verbindung steht. An der Basis des Transistors 25 befindet sich des weiteren in Parallelschaltung
ein Widerstand 23 und ein Kondensator 2h.
Der Widerstand 23 und der Kondensator 2U führen zu einer Wicklung eines Transformators 26, dessen anderes
Ende mit dem Kondensator 12 in Verbindung steht. Ebenso ist der Kollektor des Transistors 25 über eine Wicklung
des Transformators 26 mit dem Kondensator 12 verbunden. Die Sekundärwicklung des Transformators 26 ist an
eine Gleichrichterschaltung angeschlossen, die polari-Lätsrichtig mit den Klemmen 1 und 3 verbunden ist. Die
Uleichrichterschaltung weist Dioden 27, 28, 29 und }0
auf und ist so geschaltet, daß an die Klemme 1 eine positive Spannung, an die Klemme 2 eine negative Spannung
gelangt.
Die Wirkungsweise dieser Schaltungsanordnung ist gleich der in Fig. 1 gezeigten Schaltungsanordnung. Jedoch sind
die Kondensatoren 9 und 12 nicht über einen Widerstand sondern über einen Sperrwandler miteinander verbunden.
310U12 it
X 7 η χ
i.. ■> w \;
Der Sperrwandler mit dem Transistor 25 und den beiden Primärwicklungen des Transformators 26 werden von dem
Strom gespeist, der in Fig. 1 über den Widerstand 15 geflossen ist. Die Funktion eines Sperrwandlers ist
aus der Literatur, beispielsweise aus Tietze, Schenck, Halbleiterschaltungstechnik, 3· Auflage, Springer Verlag,
Seite U18 ff, hinreichend bekannt, so daß darauf nicht
näher eingegangen werden muß. Die durch den Sperrwandler zerhackte Spannung wird mittels des Transformators
26 hochtransformiert und durch die Gleichrichterschaltung mit den Dioden 27 bis 30 in die Versorgungsspannungsleitung
zurückgespeist. Der Einsatz der Spannungswandlers anstatt des Widerstandes 15
bietet dabei die Möglichkeit, die in den Entlastungsnetzwerken umgesetzten Energien in die Spannungsversorgung
zurückzuspeisen. Der Kondensator 16 dient wiederum zur Herabminderung von Spannungsspitzen.
Der gezeigte Spannungswandler ist beispielhaft, es
können beliebige andere Spannungswandler in der Schaltungsanordnung Verwendung finden. Des weiteren ist es
möglich, die vom Spannungswandler erzeugte Energie nicht in die Spannungsversorgung zurückzuspeisen sondern
es können damit weitere elektrische Verbraucher betrieben werden.
Leerseite
Claims (11)
- Fd/Jä 30.12.I98ORobert Bosch GmbH, 7000 Stuttgart 1AnsprücheVorrichtung zur Entlastung einer Halbleiterschaltungsanordnung mit zumindest zwei in einer Brücke angeordneten Halbleiterschaltern und mit je einem Netzwerk zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung der Halbleiterschalter beim Ausschaltvorgang, dadurch gekennzeichnet, daß das Netzwerk (6) zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung des einen Halbleiterschalters (U) mit dem Netzwerk (7) zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung des anderen Halbleiterschalters (5) über ein weiteres Netzwerk (15, 16) miteinander verbunden ist.
- 2. Vorrichtung nach Anspurch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk (15, 16) mit jeweils einem Kondensator (9, 12) der Netzwerke (6, T) zur Verringerung der Verlustleistungsbeanspruchung der Halbleiterschalter (U, 5) verbunden ist.310H12O 7 D
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk (15» 16) über jeweils eine Diode (10, 13) mit der geschalteten Leitung in Verbindung steht.
- k. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Netzwerk zur Einschaltentlastung, vorzugsweise eine Drossel (1U)» in die geschaltete Leitung eingefügt ist.
- 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis h, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk einen Widerstand (15) aufweist.
- β. Vorrichtung nach einem der Ansprüche , bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk aus einem Widerstand (15) besteht, dem ein Kondensator (16) parallel geschaltet ist.
- 7· Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis k, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk eine Diode (20), vorzugsweise eine Zenerdiode, aufweist.
- 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7S dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk einen310H126753Spannungswandler aufweist.
- 9- Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungswandler ein selbstschwingender Wandler ist.
- 10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Netzwerk neben dem Spannungswandler ein<;n Kondensator ( 1G) aufweint.
- 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die im Spannungswandler erzeugte Leistung in die Spannungsversorgung zurückgespeist wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813101412 DE3101412A1 (de) | 1981-01-17 | 1981-01-17 | Vorrichtung zur entlastung von halbleiterschaltern und zur minderung der verlustleistungsbeanspruchung |
CH806481A CH655416B (de) | 1981-01-17 | 1981-12-17 | |
US06/332,747 US4426589A (en) | 1981-01-17 | 1981-12-21 | Low-loss semiconductor switching circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813101412 DE3101412A1 (de) | 1981-01-17 | 1981-01-17 | Vorrichtung zur entlastung von halbleiterschaltern und zur minderung der verlustleistungsbeanspruchung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3101412A1 true DE3101412A1 (de) | 1982-08-26 |
Family
ID=6122837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813101412 Withdrawn DE3101412A1 (de) | 1981-01-17 | 1981-01-17 | Vorrichtung zur entlastung von halbleiterschaltern und zur minderung der verlustleistungsbeanspruchung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4426589A (de) |
CH (1) | CH655416B (de) |
DE (1) | DE3101412A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3215589A1 (de) * | 1982-04-27 | 1983-10-27 | Rainer Dipl Ing Marquardt | Beschaltung ohne prinzipbedingte verluste fuer elektronische zweigpaare in antiparallelschaltung |
DE3229426A1 (de) * | 1982-08-05 | 1984-02-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Reihenschaltung zweier leistungs-halbleiterschalter |
DE3244623A1 (de) * | 1982-04-27 | 1984-09-27 | Rainer Dr Ing Marquardt | Beschaltung fuer elektronische zweigpaare in antiparallelschaltung |
FR2550399A1 (fr) * | 1983-08-05 | 1985-02-08 | Cem Comp Electro Mec | Dispositif d'aide a la commutation |
DE3390161C2 (de) * | 1982-08-19 | 1987-10-01 | Stroemberg Oy Ab | Ein- oder mehrphasiger Brückenwechselrichter |
DE3639495A1 (de) * | 1986-11-20 | 1988-05-26 | Licentia Gmbh | Beschaltung der schalter von pulswechselrichtern und gleichstrom-halbleiterstellern fuer den mehrquadrantenbetrieb |
DE3717488A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Ausschalt-entlastungsnetzwerk fuer wechselrichter mit gto-thyristoren |
FR2668665A1 (fr) * | 1990-10-25 | 1992-04-30 | Dassault Electronique | Convertisseur de tension a decoupage, a commutation perfectionnee. |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59158608A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Pioneer Electronic Corp | 出力回路 |
DE102005036317B4 (de) * | 2005-07-29 | 2010-02-11 | Aloys Wobben | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Verlustleistung eines elektronischen Schalters, Wechselrichter, Windenergieanlage mit Verfahren zur Steuerung |
ITMI20131283A1 (it) * | 2013-07-31 | 2015-02-01 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico di potenza con caratteristiche di efficienza e radiazione elettromagnetica migliorate. |
KR102199331B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2021-01-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 전원 장치 |
-
1981
- 1981-01-17 DE DE19813101412 patent/DE3101412A1/de not_active Withdrawn
- 1981-12-17 CH CH806481A patent/CH655416B/de unknown
- 1981-12-21 US US06/332,747 patent/US4426589A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3215589A1 (de) * | 1982-04-27 | 1983-10-27 | Rainer Dipl Ing Marquardt | Beschaltung ohne prinzipbedingte verluste fuer elektronische zweigpaare in antiparallelschaltung |
DE3244623A1 (de) * | 1982-04-27 | 1984-09-27 | Rainer Dr Ing Marquardt | Beschaltung fuer elektronische zweigpaare in antiparallelschaltung |
DE3229426A1 (de) * | 1982-08-05 | 1984-02-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Reihenschaltung zweier leistungs-halbleiterschalter |
DE3390161C2 (de) * | 1982-08-19 | 1987-10-01 | Stroemberg Oy Ab | Ein- oder mehrphasiger Brückenwechselrichter |
FR2550399A1 (fr) * | 1983-08-05 | 1985-02-08 | Cem Comp Electro Mec | Dispositif d'aide a la commutation |
DE3639495A1 (de) * | 1986-11-20 | 1988-05-26 | Licentia Gmbh | Beschaltung der schalter von pulswechselrichtern und gleichstrom-halbleiterstellern fuer den mehrquadrantenbetrieb |
DE3717488A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Ausschalt-entlastungsnetzwerk fuer wechselrichter mit gto-thyristoren |
FR2668665A1 (fr) * | 1990-10-25 | 1992-04-30 | Dassault Electronique | Convertisseur de tension a decoupage, a commutation perfectionnee. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH655416B (de) | 1986-04-15 |
US4426589A (en) | 1984-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3325612C2 (de) | ||
EP0239861A1 (de) | MOSFET-Schalter mit induktiver Last | |
DE3101412A1 (de) | Vorrichtung zur entlastung von halbleiterschaltern und zur minderung der verlustleistungsbeanspruchung | |
EP0287166B1 (de) | Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Einschaltstromspitzen bei einem Schalttransistor | |
DE3429488C2 (de) | ||
DE2223376A1 (de) | Schutzschaltung fuer einen schalttransistor im induktiven lastkreis | |
DE3741221C1 (de) | Anordnung zum Befreien eines Halbleiterschalters vor hoher Sperrspannungsbeanspruchung sowie Anwendung hierzu | |
EP0057910B2 (de) | Schaltung zur geregelten Speisung eines Verbrauchers | |
DE2838009C2 (de) | Strombegrenzungsschaltung für einen Gleichstromumrichter | |
DE3405793A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum kurzschlussschutz eines stromrichtergeraetes mit gto-thyristoren | |
DE2724741C3 (de) | Schutzbeschaltung für jeweils ein Stromrichterventil | |
EP0737379B1 (de) | Spannungswandler | |
DE2716367C2 (de) | Schutzbeschaltung für im Wechselschaltbetrieb gegen induktive Last arbeitende Transistoren | |
DE2354737A1 (de) | Schutzschaltkreis fuer einen eine induktivitaet schaltenden schalter | |
DE3829705A1 (de) | Ueberspannungsschutzeinrichtung fuer eine elektronikschaltung | |
WO2001017098A1 (de) | Schaltnetzteil mit einrichtung zur begrenzung der ausgangsspannung | |
DE3513239C2 (de) | ||
DE4031505C2 (de) | Gleichspannungs-Stromversorgung mit Einschaltstrombegrenzung | |
DE1591630C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Spannungsregelung für Stromversorgungsgeräte der Nachrichtentechnik, insbesondere der Fernmeldetechnik | |
EP0270940B1 (de) | Schaltungsanordnung zur Begrenzung von Überspannungen an einem Stromrichterventil und zur Stromversorgung einer Ansteuerschaltung des zu schützenden Stromrichterventils | |
EP0146832B1 (de) | Abschalteinrichtung für einen selbstschwingenden Sperrwandler | |
AT414188B (de) | Verlustarme dc/dc konverter | |
DE3230910A1 (de) | Schalter mit leistungs-mosfet | |
DE3717488A1 (de) | Ausschalt-entlastungsnetzwerk fuer wechselrichter mit gto-thyristoren | |
EP0584623A1 (de) | Umrichter zur Erzeugung einer konstanten Ausgangsspannung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |