DE3032172C2 - Lichtaktivierbare Halbleitereinrichtung - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine lichtaktivierbare Halbleitereinrichtung
mit mindestens zwei gegeneinander isolierten Hauptelektroden, welche in Preßkontakt mit einem
durch ein optisches Signal aktivierbaren Halbleiterbauelement stehen, mit einem von einer der Hauptelektroden
und einer Kappe gebildeten hermetisch geschlossenen Gehäuse und mit einem Lichtübertragungskanal,
welcher einen hermetisch abschließenden Glasdichtungskörper sowie ein Lichtzuleitungskabel umfaßt.
Eine derartige Halbleitereinrichtung ist aus der US-PS 85 454 bekannt.
Aus der DE-OS 27 36 460 ist es weiterhin bekannt, bei einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung eine
flexible Verbindung zwischen dem Lichtübertragungssystem und dem Gehäuse vorzusehen, um eine flexible
Anpassung zwischen der Lichtquelle und der optoelektronischen Halbleitervorrichtung zu schaffen.
Aus der DE-OS 28 08 531 ist weiterhin entnehmbar, bei einem lichtgetriggerten Hochleistungs-Halbleiterbauelement
das Lichtkabel mit einer Hohlmanschette zu umgeben, die aus einem Metall hergestellt ist, dessen
Wärmeausdehnungskoeffizient mit dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Lichtleiters vergleichbar ist.
Eine lösbare Anschlußvorrichtung für eine optoelektrische Verbindung zwischen einem Bündel aus optischen
Fasern und einem Anschlußbauelement ist weiterhin aus der DE-OS 26 13 069 bekannt. Bei dieser bekannten
Anschlußvorrichtung ist ein Anschlußteil vorgesehen, auf das eine Überwurfmutter aufgeschraubt
ist. wobei das anzuschließende optische Faserbündel durch das Anschlußteil und die Überwurfmutter gehalten
ist
Bei der eingangs genannten aus der US-PS 35 85 454 bekannten Halbleitereinrichtung ist zur Bildung des
hermetisch geschlossenen Gehäuses das Halbleiterbauelement durch Hartlöten mit einem Teil des Gehäuses
verbunden. Das Hartlötmaterial unterliegt jedoch einer thermischen Ermüdung, die zu einer Dejustierung des
Lichtübertragungskanals führt Dabei führt bereits eine
ίο geringe derartige Dejustierung zu einer erheblichen Erhöhung
der Verluste im Lichtzuleitungskabel.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besieht daher darin, bei einer lichtaktivierbaren Halbleitereinrichtung
der eingangs genannten Art unter Gewährleistung eines hermetisch dichten Gehäuses eine optische
Dejustierung des Lichtübertragungskanals während des Betriebes aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten
zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst daß der Glasdichtungskörper hermetisch von einem
mit einem flexiblen Flansch in der Kappe gehaltenen Metallrohr umgeben ist und an seinem äußeren
Ende mit dem Lichtzuleitungskabel verbunden ist.
Besonders bevorzugte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Halble.itereinrichtung sind Gegenstand der Patentansprüche 2 bis 4.
Besonders bevorzugte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Halble.itereinrichtung sind Gegenstand der Patentansprüche 2 bis 4.
Im folgenden wird anhand der zugehörigen Zeichnung ein besonders bevorzugtes Ausführungsbeispiel
der Erfindung näher erläutert.
Die einzige Figur zeigt eine Längsschnittansicht durch das Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Halbleitereinrichtung.
Wie es in der Zeichnung dargestellt ist, ist als eine Hauptelektrode eine Innenelektrode 21 vorgesehen, die
über einen flexiblen Innenzuleitungsdraht 6 mit einer Außenelektrode 9 verbunden ist. Die Innenelektrode 21
steht in Preßkontakt mit der Elektrodenschicht 3 des Halbleitersubstrates 1. Eine Glimmerplatte 22 dient der
Isolierung der Elektrode 3 von der Kupferbasis 7, welehe
als andere Hauptelektrode dient. Ein flacher Ring 23 ist auf die Glimmerplatte 22 aufgelegt, und hierauf ist
eine Scheibenfeder 24 gelegt, welche den Druck für den Preßkontakt liefert. Ein als Glasdichtungskörper dienender
Quarzglasstab 25 steht in Schmelzverbindung mit einem Kovarrohr 26 (Fe.Ni.Co-Legierung) und ist
Bestandteil eines hermetischen Lichtübertragungskanals. Das Material für diesen Stab ist nicht auf Quarzglas
beschränkt. Es kann jegliches optisches transparentes Glas, wie beispielsweise Bleiglas, verwendet werden.
Ferner ist ein inneres Lichtzuleitungskabel 110 vorgesehen,
welches sich durch den zentralen hohlen Bereich der Innenelektrode 21 zum Lichtempfangsbereich des
Halbleitersubstrates 1, z. B. zu einem durch Licht zündbaren Thyristor, erstreckt. Dieses innere Lichtzuleitimgskabel
110 umfaßt einen Kern 111 sowie eine Führung 112, welche das Rohr 26 aufnimmt. Ein flexibler
Kovarflansch 27 steht einerseits mit dem Rohr 26 und andererseits mit einer Isolierplatte 8 des Gehäuses in
Schmelzverbindung. Ein Anschlußteil 28 steht in
Schmelzverbindung mit der Isolierplatte 8. Eine Überwurfmutter 29 ist auf das Anschlußteil 28 aufgeschraubt
und dient zur Positionierung des Lichtzuleitungskabels 10 in der Mitte des Anschlußteiles 28. Eine Führung 30
liegt einerseits am Lichtzuleitungskabel 10 und andererseits am Rohr 26 an. Das äußere Lichtzuleitungskabel 10
mit Kern 11 und Umhüllung 14 und das innere Lichtzuleitungskabel 110 sind optisch durch den Glasdichtungskörper
25 verbunden. Eine Halteplatte 2 steht in Preß-
kontakt mit der Kupferbasis 7. Eine Hartlötverbindung wird auf diese Weise vermieden. Bei diesem Ausführungsbeispiel
wird das hermetische Gehäuse durch die Kupferbasis 7, die Isolierplatte 8, die Außenelektrode 9,
den metallischen Hohlzylinder 13 und den Flansch 27 sowie den vom Kovarrohr 26 umgebenen Quarzglasstab
25 gebildet Das Halbleiterbauelement besteht aus dem Halbleitersubstrat 1, der Halteplatte 2, der Elektrodenschicht
3 und einem Silikonkautschukschutz 12.
Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel kann ein Problem aufgrund einer thermischen Ermüdung des
Hartlötmaterials nicht auftreten, da das Halbleiterbauelement 1 in Preßkontakt mit der Kupferbasis 7 und der
Innenelektrode 21 steht Eine thermische Ermüdung aufgrund einer Differenz des thermischen Ausdehnungskoeffizienten
der Isolierplatte 8 im Vergleich zum Quarzglasstab 25 oder zum Rohr 26 tritt gleichfalls η icht
auf, da der Lichtübertragungskanal den Quarzglasstab 25 und das Rohr 26 umfaßt und über den Flansch 27 mit
der isolierpiatte 8 des Gehäuses verbunden ist. Es wird ein ausgezeichneter hermetischer Abschluß für die Einführung
des Lichtzuleitungskabels 10 erzielt da der hermetische Teil des Lichtübertragungskanals, der sich in
das Gehäuse erstreckt, aus einem einzigen Quarzglasstab 25 gebildet ist. Die mechanische Festigkeit des
Flansches 27 ist ein unwesentlicher Faktor und die Befestigung des Lichtzuleitungskabels 10 wird durch das mit
der Isolierplatte 8 verbundene Anschlußteil 28 und die Überwurfmutter 29 gewährleistet.
Die vorliegende Erfindung ist nicht nur auf einen durch Licht zündbaren Thyristor, sondern auch auf andere
lichtaktivierbare Halbleitereinrichtungen, z. B. Transistoren oder Triacs, anwendbar.
Bei der erfindungsgemäßen lichtaktivierbaren Halbleitereinrichtung
kommt es vorteilhafterweise nicht zur Beanspruchung aufgrund einer thermischen Ausdehnung,
da der hermetisch ausgebildete Lichtübertragungskanal, der sich durch das Gehäuse erstreckt, hermetisch
durch einen flexiblen Flansch gehalten ist. Probleme aufgrund einer thermischen Ermüdung des Materials
treten nicht: auf, da beide Elektroden des Halbleiterelementes in Preßkontakt mit den Elektrodenanschlüssen
stehen. Eine Hartlötverbindung kann somit vollständig vermieden werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
50
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Claims (4)
1. Lichtaktivierbare Halbleitereinrichtung mit
mindestens zwei gegeneinander isolierten Hauptelektroden, welche in Preßkontakt mit einem durch
ein optisches Signal aktivierbaren Halbleiterbauelement stehen, mit einem von einer der Hauptelektroden
und einer Kappe gebildeten hermetisch geschlossenen Gehäuse und mit einem Lichtübertragungskanal,
welcher einen hermetisch abschließenden Glasdichtungskörper sowie ein Lichtzuleitungskabel
umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß der Glasdichtungskörper (25) hermetisch von einem mit einem flexiblen Flansch (27) in der Kappe
(8, 13) gehaltenen Metallrohr (26) umgeben ist und an seinem äußeren Ende mit dem Lichtzuleitungskabel
(10) verbunden ist.
2. Lichtaktivierbare Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient
des Metallrohres (26) nahe bei dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Glases des Glasdichtungskörpers (25) liegt.
3. Lichtaktivierbare Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Glasdichtungskörper (25) aus Quarzglas besteht.
4. Lichtaktivierbare Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß an der Außenwandung der Kappe (8,13) ein den Lichtübertragungskanal (25, 26, 10) umgebendes
Anschlußteil (28) ausgebildet ist, auf das eine Überwurfmutter (29) aufgeschraubt ist, wobei das Lichtzuleitungskabel
(10) durch das Anschlußteil (28) und die Überwurfmutter (29) gehalten ist.
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