DE3011422C2 - - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/50—Current conducting connections for cells or batteries
- H01M50/543—Terminals
- H01M50/562—Terminals characterised by the material
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- Sealing Battery Cases Or Jackets (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein galvanisches Element mit einem hermetisch dicht
verschlossenen Gehäuse aus Kunststoff, welches mit Polanschlüssen versehen ist.
Zur Verwendung als Gerätebatterien für den Antrieb von Kleinstmotoren in z. B.
Werkzeugen oder im Modellbau sind neurdings Knopfzellen, beispielsweise vom
Ag2O-Zn-System entwickelt worden, bei denen das herkömmliche Metallgehäuse,
bestehend aus Napf und Deckel, durch entsprechende Halbteile aus Kunststoff
abgelöst ist.
Während bei der Metallausführung die einwandfreie Schließung der Zelle über den
Bördelvorgang kritisch geblieben ist, stellt die dichte Verbindung zweier Kunst
stoffgehäuseteilchen entlang ihrer Randzone durch das Mittel der Ultraschall
schweißung kein Problem dar.
Andererseits hat sich bei der Kunststoffknopfzelle die Gefahrenzone für das
Undichtwerden und einen möglichen Elektrolytaustritt zu den Ableiter-Durch
führungen hin verlagert. Zwar zeichnet sich der thermoplastische laugebeständige
Gehäusekunststoff, beispielsweise Polypropylen oder Polyamid, durch gute An
schmiegsamkeit an andere Werkstoffe aus, langfristig jedoch beginnt sich, zumal
bei nachlassendem Anpreßdruck, der anfangs dichte Kunststoff-Metall-Verbund zu
lösen, so daß die Grenzfläche für den Elektrolyten zunehmend durchlässig wird.
Um wenigstens den Ausfall einer Zelle durch Leckwerden zeitlich möglichst weit
hinauszuschieben, hat man in der deutschen Offenlegungschrift 29 36 857 bereits
vorgeschlagen, die Ableiterdurchführung zwischen einem inneren und einem
äußeren Polanschluß labyrinthartig durch das Innere der Gehäusewand hindurch
zuführen und dem Elektrolyten dadurch einen langen Kriechweg aufzuzwingen. Die
Kontaktierung der Leiterbahn-Enden mit dem inneren und äußeren Polanschluß
geschieht dort auf konventionell-mechanische Weise.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Kunststoffknopfzellen ein Aus
führungsprinzip für die Ableiterdurchführung durch die Gehäusewand anzugeben,
das sich für eine rationelle Fertigung eignet und das andererseits hinter dem
erreichten technischen Stand der Sicherheit vor Elektrolytaustritt nicht zurück
steht.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zumindest ein Gehäuse
halbteil auf seiner Innenseite und seiner Außenseite mit einer galvanisch oder
stromlos aufgebrachten Metallbeschichtung als innerem und äußerem Polanschluß
versehen ist und daß die Metallbeschichtung durch eine Metallbrücke, die eine im
Gehäusehalbteil angeordnete Öffnung flüssigkeitsdicht ausfüllt, untereinander
homogen verbunden sind.
Die erfindungsgemäße Metallbeschichtung der Gehäusehalbteile kann grundsätzlich
nach Methoden erfolgen, wie sie in der Galvanotechnik, Verfahren einer stromlosen
Metallisierung in chemischen Bädern eingeschlossen, bei Kunststoffteilen üblich
sind.
Der erste Schritt besteht darin, daß das absolut fettfreie Gehäusehalbteil beidseitig
mit einer Ätzflüssigkeit behandelt wird, um für die Haftung der Metallauflage eine
gute Oberflächenrauhigkeit zu schaffen. Zentrisch wird dann durch Einpressen,
Einkleben, Nieten oder Bonden ein Metallstück eingebracht und die übrige Kunst
stoffoberfläche durch Niederschlagen von Metallkeimen aus einer Metallsalzlösung,
die chemische Reduktionsmittel enthält, leitend gemacht. Bei einer anschließenden
Galvanisierung wird das Metallstück als Brücke zwischen dem inneren und äußeren
Pol in die galvanische Beschichtung einbezogen.
Besonders vorteilhaft läßt sich ein neu entwickeltes Metallisierungsverfahren auf
die erfindungsgemäße Durchkontaktierung des Kunststoffgehäuses anwenden. Nach
diesem sogenannten PD-R-Verfahren
(Physical Development by Reduction, vgl. Galvanotechnik 1977, Heft 11,
Seite 3-5) werden Innen- und Außenseite des Gehäuseteils mit einem
Substrat imprägniert, welches neben lichtempfindlichem Titandioxid ein
Palladiumsalz enthält. Bei Bestrahlung mit UV-Licht werden aus dem
TiO2 Elektronen freigesetzt und Pd2+-Ionen in fotochemischer Reaktion
zu Pd-Keimen reduziert. Diese sind der Katalysator für die anschließ
ende Metallisation, die galvanisch oder besonders zweckmäßig z. B. in
einem stromlosen Nickelbad erfolgen kann.
Bereits vor dieser Behandlung wird das Gehäuseteil anstelle des oben
genannten Metallstücks mit einer zentrischen Öffnung oder Bohrung
versehen, deren Durchmesser in der Größenordnung eines Zehntelmilli
meters liegt. Bei dieser Größe wächst das die Polanschlüsse bildende
Metall im Zuge des Beschichtungsvorganges auch von beiden Seiten her
in die Öffnung hinein und füllt diese schließlich ganz aus, sobald eine
bestimmte Metallmenge zur Abscheidung gebracht ist. Die Metallauflagen
des Gehäusehalbteils sind nunmehr durch eine Metallbrücke homogen
miteinander verbunden.
Mit großem Vorteil können für das präzise Einbringen der kleinen
Öffnungen in die Gehäusewand Arbeitstechniken wie Laser- oder Elek
tronenbestrahlung angewandt werden, mit denen ein auf kleinsten Raum
konzentrierter Energiefluß, also eine hohe Leistungsdichte zur Ver
fügung steht.
Um ggfls. die Metallabscheidung innerhalb der Öffnung von Inhomogeni
täten zu befreien oder verbliebene Hohlräume auszufüllen, empfiehlt
es sich, den Bereich der Öffnung kurzzeitig zu erwärmen, so daß das
dort abgeschiedene Metall schmelzflüssig wird. Hierzu sind wiederum
Laserstrahlen, Elektronenstrahlen oder auch Mikroplasmastrahlen geeignet.
Fig. 7 zeigt eine Kunststoffknopfzelle gemäß der Erfindung, bestehend
aus dem Becherhalbteil 1, dem Deckelhalbteil 2 und bestückt mit der
positiven Elektrode 3, der negativen Elektrode 4, dem Separator 5 und
dem Elektrolytquellblatt 6.
Beide Gehäusehalbteile 1, 2 sind durch die Metallbeschichtung 7 jeweils
mit einem inneren und einem äußeren Polanschluß versehen. Indem die
ursprüngliche Bohrung 8 beim Aufgalvanisieren der Metallschichten zuge
wachsen ist, sind Innen- und Außenpol durch die das Bohrungsvolumen
nunmehr ausfüllende Metallbrücke kontaktiert. Nach der Montage werden
die Gehäusehalbteile längs der Passungszone 9 mittels Ultraschall
schweißung hermetisch dicht verschlossen.
Aus der Fig. 1 ist leicht zu erkennen, daß durch die beidseitige Me
tallplattierung der Gehäusehalbteile ein Kriechweg geschaffen ist, der
mindestens 2mal dem Radius der Zelle entspricht.
Claims (5)
1. Galvanisches Element mit einem hermetisch dicht verschlossenen Gehäuse aus
Kunststoff, welches mit Polanschlüssen versehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß zumindest ein Gehäusehalbteil auf seiner Innenseite und seiner Außenseite
mit einer galvanisch oder stromlos aufgebrachten Metallbeschichtung (7) als
innerem und äußerem Polanschluß versehen ist und daß die Metallbeschichtungen
durch eine Metallbrücke, die eine im Gehäusehalbteil (2) angeordnete Öffnung
(8) flüssigkeitsdicht ausfüllt, untereinander homogen verbunden sind.
2. Verfahren zur Herstellung eines galvanischen Elements nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß auf die Innenseite und die Außenseite zumindest
eines Gehäsehalbteils eine Metallbeschichtung galvanisch oder stromlos
aufgebracht wird, und daß eine in das Gehäusehalbteil eingebrachte Öffnung während der Beschichtung durch sich abscheidendes Metall
flüssigkeitsdicht ausgefüllt wird und dadurch
beide Metallauflagen homogen verbunden werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Aufbringung der
Metallbeschichtung die Innenseite und die Außenseite des Gehäuseteils in an
sich bekannter Weise mit einem Substrat, bestehend aus einem
lichtempfindlichen Material und einem reduzierbaren Metallsalz, imprägniert
werden, daß die Imprägnierungsschicht die Einwirkung von UV-Licht ausgesetzt
wird und daß anschließend in einem galvanischen oder stromlosen Bad
aufmetallisiert wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Öffnung im Gehäuseteil durch Laser oder Elektronenstrahl hergestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der
Bereich der Öffnung, die die Metallbrücke enthält, nach der
Metallbeschichtung einer Erwärmung unterzogen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803011422 DE3011422A1 (de) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Galvanisches element mit einem dicht verschlossenen gehaeuse aus kunststoff |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803011422 DE3011422A1 (de) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Galvanisches element mit einem dicht verschlossenen gehaeuse aus kunststoff |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3011422A1 DE3011422A1 (de) | 1981-10-01 |
DE3011422C2 true DE3011422C2 (de) | 1988-11-10 |
Family
ID=6098230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803011422 Granted DE3011422A1 (de) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Galvanisches element mit einem dicht verschlossenen gehaeuse aus kunststoff |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3011422A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GR1000193B (el) * | 1988-07-07 | 1992-03-20 | Emmanouil Petasis | Τεχνικες στεγανοποιησης μπαταριων. |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2936857C2 (de) * | 1979-09-12 | 1987-02-19 | Varta Batterie Ag, 3000 Hannover | Galvanisches Element mit einem dicht verschlossenen Gehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1980
- 1980-03-25 DE DE19803011422 patent/DE3011422A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3011422A1 (de) | 1981-10-01 |
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