DE3010566A1 - Sonnenenergiewandler - Google Patents
SonnenenergiewandlerInfo
- Publication number
- DE3010566A1 DE3010566A1 DE19803010566 DE3010566A DE3010566A1 DE 3010566 A1 DE3010566 A1 DE 3010566A1 DE 19803010566 DE19803010566 DE 19803010566 DE 3010566 A DE3010566 A DE 3010566A DE 3010566 A1 DE3010566 A1 DE 3010566A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- energy converter
- solar energy
- solar
- converter according
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- -1 diborane Chemical compound 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/40—Thermal components
- H02S40/44—Means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems producing warm water and electricity at the same time
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S10/00—Solar heat collectors using working fluids
- F24S10/40—Solar heat collectors using working fluids in absorbing elements surrounded by transparent enclosures, e.g. evacuated solar collectors
- F24S10/45—Solar heat collectors using working fluids in absorbing elements surrounded by transparent enclosures, e.g. evacuated solar collectors the enclosure being cylindrical
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S10/00—Solar heat collectors using working fluids
- F24S10/70—Solar heat collectors using working fluids the working fluids being conveyed through tubular absorbing conduits
- F24S10/75—Solar heat collectors using working fluids the working fluids being conveyed through tubular absorbing conduits with enlarged surfaces, e.g. with protrusions or corrugations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
- H01L31/0521—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells using a gaseous or a liquid coolant, e.g. air flow ventilation, water circulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
- Y02E10/44—Heat exchange systems
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/60—Thermal-PV hybrids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
SANYO ELECTRIC CO., LTD
Moriguchi-shi
Osaka-fu/JAPAN
Sonnenenergiewandler
Die Erfindung betrifft einen Sonnenenergiewandler, in welchem
amorphe Solarzellen/ deren Dicke so gering ist, daß das Sonnenlicht hindurchtreten kann, auf der Oberfläche einer
Wärmewandlerplatte ausgebildet sind/ die mit einem Rohr für
ein Heizmedium in thermisch leitender Verbindung ist, wodurch das Sonnenlicht von den Solarzellen in elektrische
Energie und gleichzeitig der durch die Solarzellen hindurchtretende Teil von der Wärmesammlerplatte in Wärmeenergie umgewandelt
wird.
Es ist bekannt, Sonnenlicht mittels einer Solarwärmesammlereinrichtung
unter Verwendung einer Warmesammlerplatte in thermische Energie umzuwandeln, wie es auch, bekannt ist,
Sonnenlicht mit einer Solarzelle in elektrische Energie umzuwandeln. Es wurde auch bereits eine Sonnenenergiewandlervorrichtung
geschaffen, in der eine Solarzelle, die das Sonnenlicht in elektrische Energie umwandelt, mit einer Wärmesammlerplatte
der Solarwärmesainmlervorrichtung verbunden wurde. Die Solarzelle bestand dabei jedoch aus einem Siliziumeinkristall
und hatte eine Dicke von ungefähr 300 μ, so daß das Sonnenlicht nicht durch sie hindurchtreten konnte.
030039/0859
Auf diese Weise wird der Bereich der Wärmesammlerplatte,
der von der Solarzelle mit ihrer verhältnismäßig großen Dicke bedeckt ist, für das Sammeln solarer Wärmestrahlung
unwirksam, so daß das Sonnenlicht nicht mit gutem Wirkungsgrad in thermische Energie umgewandelt werden kann.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Umwandeln von Sonnenlicht
in Energie besitzt deswegen wenigstens eine amorphe Solarzelle, deren Dicke das Hindurchtreten von Sonnenlicht
erlaubt, wobei diese Solarzelle auf der Oberfläche einer Wärmesammlerplatte angebracht ist, die wiederum mit einem
Rohr für ein Heizmedium in thermisch leitender Verbindung steht, so daß das Licht von der Solarzelle einerseits in
elektrische Energie und gleichzeitig der durch die Solarzelle hindurchtretende Lichtanteil von der Wärmesammlerplatte
in thermische Energie umgewandelt wird, so daß die gesamte Wärmesammlerplatte einschließlich des von der Solarzelle
überdeckten Bereiches vollständig bei der Sammlung der solaren Wärme wirksam wird und damit eine sehr effektive Umwandlung
des Sonnenlichtes in Wärmeenergie und elektrische Energie durchgeführt wird.
In Verbindung mit der Zeichnung wird die Erfindung nun an einzelnen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die teils aufgebrochene Vorderansicht eines Sonnenenergiewandlers in erfindungsgemäßer
Ausbildung;
Fig. 2 einen Querschnitt durch die Anordnung nach Fig. 1 in vergrößertem Maßstab;
Fig. 3 eine Schemaansicht einer Apparatur zur Herstellung von bei der Erfindung verwendbaren
Solarzellen;.
030039/0859
Fig. 4 jeine vergrößerte Schnittdarstellung einer bei der Erfindung eingesetzten Solarzelle,
wobei unter A eine Solarzelle der P-i-n-Type und unter B eine Solarzelle der Schottky-Type
dargestellt ist;
Fig. 5 in perspektivischer Ansicht und teils aufgebrochen ein weiteres Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Sonnenenergiewandlervorrichtung und ihre elektrische Leitungsanordnung
;
Fig. 6 im axialen Schnitt die Ansicht einer weiteren Ausführungsform des Sonnenenergiewandlers und
seiner elektrischen Leitungsführung;
Fig. 7 ein Diagramm der Beziehungen zwischen der
Sonnenlicht-Energieverteilung und der Solarzellenempfindlichkeit
;
Fig. 8 die perspektivische Ansicht eines weiteren
Ausführungsbeispiels des Sonnenenergiev/andlers;
Fig. 9 eine vergrößerte Schnittdarsteliung durch die
Solarzelle des Sonnenenergiewandlers der Fig.8, wobei unter A eine Solarzelle der P-i-n-Type
und unter B eine Solarzelle der Schottky-Type dargestellt sind.
Anhand der Figuren 1 und 2 wird ein erstes Ausführungsbeispiel des Sonnenenergiewandlers beschrieben. Ein lichtdurchlässiges
Außenrohr 1, z. B. aus Glas, ist an seinen beiden Enden durch Metallkappen 2 dicht verschlossen, so daß im
Innern des Außenrohres 1 Vakuum herrschen kann. Ein Heizmedium wie Wasser durchfließt ein aus Kupfer bestehendes Heizmediumrohr
3. Die beiden Enden des Heizmediumrohres 3 tre-
030039/0859
ten durch die Endkappen 2 hindurch und sind an den Durchtrittsstellen
mit den Endkappen 2 dicht verschweißt. Am Heizmediumrohr 3 ist eine aus Kupfer oder Aluminium bestehende
Wärmesammlerplatte 4 in thermisch leitender Weise befestigt. Sie ist so beschaffen, daß sie durch das Sonnenlicht
in einem Wellenlängenbereich zwischen etwa 0,7 und 1,5 μπι
erwärmt wird, so daß dadurch das im Heizmediumrohr 3 fließende Wasser Wärme zugeführt erhält.
Unmittelbar auf der Wärmesammlerplatte 4, die dabei eine
Elektrode darstellt, sind Solarzellen 5 aus amorphem Silizium aufgebaut. Diese aus amorphem Silizium bestehenden Solarzellen
haben eine Dicke zwischen 0,1 und 10 μ, die es ermöglicht, daß Sonnenlicht in ausreichendem Maß durch die Solarzellen hindurchtritt
.
Die Erzeugung der aus amorphem Silizium bestehenden Solarzellen geschieht mit einer Apparatur gemäß Fig. 3, welche in
einem Plasmareaktions-Vakuumkessel 6 ein Elektrodenpaar 7 aufweist, zwischen das die Wärmesammlerplatte 4 eingebracht
wird. Eine Gasmischung aus Siliziumwasserstoff und Phosphorwasserstoff wird zunächst in den Kessel 6 eingebracht, und
dann wird an die Elektroden 7 eine Hochfrequenzspannung angelegt, wodurch sich eine Plasmaentladung ausbildet, was zur
Ablagerung einer amorphen n+-Siliziumschicht auf der Wärmesammlerplatte
führt, wie dies in Fig. 4-A gezeigt ist. Anschließend wird ausschließlich Siliziumwasserstoffgas in den
Kessel 6 eingeführt, wodurch sich eine neutrale amorphe Siliziumschicht (i-Schicht) auf der n+-Schicht in derselben Weise
ausbildet. Danach wird schließlich eine Mischung aus Silizium-Wasserstoff und Borwasserstoffgas in den Kessel 6 eingeführt,
was dazu führt, daß auf der i-Schicht sich eine amorphe P-Siliziumschicht niederschlägt. Es sei hier noch angeführt, daß
bei der Ausbildung dieser Schichten eine Maske aufgelegt wird, um die gewünschte Flächengestaltung zu erreichen. Danach wird
030039/08 5 9
unter Verwendung einer sich von der in Fig. 3 gezeigten Einrichtung
unterscheidenden weiteren Einrichtung eine transparente obere Elektrode 8 auf der P-Schicht niedergeschlagen,
was beispielsweise durch Bedampfen erfolgen kann, womit dann eine Solarzelle der P-i-n-Type hergestellt ist. In der Fig.
sind Gasflaschen mit Siliziumwasserstoff (Silan; SiH.), Borwasserstoff
(Diboran; B2Hg) und Phosphorwasserstoff (Phosphin;
PH~) mit 9, 10 und 11 und die für das Einleiten benötigten Ventile mit 12 bezeichnet.
Soll eine Schottky-Solarzelle aufgebaut werden, wie sie in
Fig. 4-B im Schnitt dargestellt ist, wird durch Einleiten einer Gasmischung aus Silan und Phosphin in die Plasmareaktionskammer
6 eine η -Schicht aufgebaut. Die i-Schicht wird dann durch Einleiten von Silangas allein gebildet. Eine
halbtransparente obere Elektrode 8 aus beispielsweise Platin wird dann auf der i-Schicht erzeugt, womit eine Schottky-Solar
zelle auf der Wärmesammlerplatte hergestellt ist.
Die η -Schicht besitzt eine Dicke von 0,03 μ, die i-Schicht
eine Dicke von 0,94 μ und die P-Schicht eine Dicke von 0/01 μ, während die Dicke der oberen Elektrode 8 zwischen
0,03 und 0,04 μ liegt. Versuche haben gezeigt, daß die günstigste Schichtstärke von der n+-Schicht bis zur oberen
Elektrode 8 zwischen 0,1 μ und 10 μ liegt.
Es soll nun beschrieben werden, wie die elektromotorische Kraft der Solarzellen 5 aus dem Außenrohr 1 herausgeführt
wird. Fig. 5 zeigt einen Anschlußleiter 13, der die metallische Endkappe 2 durchsetzt und mit einem Ende mit einer
der Kollektorelektroden 14 verbunden ist, die auf den oberen Elektroden 8 in Gestalt eines Kammes ausgebildet ist.
Man muß sich außerdem noch vorstellen, daß die eine gezeigte Kollektorelektrode 14 mit der anderen Kollektorelektrode
1 4 leitend verbunden ist. Da die zweite Elektrode der
030039/0859
Solarzellen 5 durch die Wärmesammlerplattte 4 dargestellt wird, die mit dem Heizmediumrohr 3 elektrisch leitend verbunden
ist, ist der zweite Anschlußleiter über eine Ringklemme 16 mit dem Heizmediumrohr 3 außerhalb des Behälters
verbunden. Durch eine Dichtung 17 wird der Zuleitungsdraht 13 elektrisch gegenüber der Endkappe 2 isoliert und
luftdicht aus dem Außenrohr 1 herausgeführt.
Anders als bei der in Fig. 5 gezeigten Ausbildung kann die elektromotorische Kraft der Solarzelle auch mit zwei Leitungsdrähten
13 und 15/ die die Endkappe 2 durchsetzen und mit ihren Enden mit der oberen Elektrode 8 bzw. der Wärmesammlerplatte
4 verbunden sind, aus dem Außenrohr 1 herausgeführt werden, wie in Fig. 6 gezeigt ist. Eine Abdichtung
18 schließt den Rand des Außenrohres 1 dicht gegenüber dem Rand der Endkappe 2 ab.
Fig. 7 dient zur Verdeutlichung,.wie wirksam mit Hilfe der
Erfindung die im Sonnenlicht enthaltene Energie ausgenutzt wird. In dem Diagramm der Fig. 7 sind die Energieverteilung
des Sonnenlichtes, die Empfindlichkeit der aus amorphem Silizium hergestellten Solarzelle und die Empfindlichkeit einer
üblichen Solarzelle in Gestalt eines Siliziumeinkristalls dargestellt, wobei die Kurve R die Energieverteilung im Spektrum
des Sonnenlichtes, die Kurve S die Empfindlichkeit der
erfindungsgemäßen Solarzelle und die Kurve T die Empfindlichkeit einer herkömmlichen Solarzelle darstellen.
Die üblichen Wandlervorrichtungen, die Sonnenlicht in Wärme umwandeln, verwenden hauptsächlich die Infrarotstrahlung
(0,7 um bis 1,5 um) des Sonnenlichtes, welche das Heizmedium
im Heizmediumrohr über die Wärmesammlerplatte aufheizen. Die sichtbare Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 0,35 um
bis 0,7 um wird dabei für die Solarwärmesammlung nicht ausgenützt. Die Empfindlichkeit der Solarzelle 5 aus amorphem
Silizium gemäß der Erfindung fällt dagegen in den Wellenlän-
030039/0859
— Q —
genbereich von 0,35 bis 0,7 μπι, was die Kurve S der Fig. 7
deutlich macht. Das bedeutet nun, daß die Solarzelle aus amorphem Silizium genau den Teil des Sonnenlichtes ausnützt,
der für die Wärmesammlung nicht verwendet wird. Das heißt, mit der Erfindung wird im wesentlichen der gesamte Bereich
der Sonnenlichtenergie wirksam genützt und einerseits in thermische Energie und andererseits in elektrische Energie
umgewandelt.
Im Vergleich zur Dicke herkömmlicher Solarzellen von etwa 300 μ sind die erfindungsgemäßen Solarzellen äußerst dünn,
nämlich etwa 0,1 bis 10 μ stark, so daß das Sonnenlicht durch sie hindurchtreten kann und der durch die Solarzellen
hindurchtretende Anteil des Sonnenlichtes die gesamte Fläche der Wärmesammlerplatte 4 trifft.
Die vom Anteil des Sonnenlichtes mit einer Wellenlänge zwischen 0,35 und 0,7 'μπι mit Hilfe der Solarzellen gewonnene
elektrische Energie kann von der Wärmesammlerplatte 4 und der oberen Elektrode 8 aus dem Sonnenenergiewandler gemäß
den Darstellungen der Figuren 5 und 6 herausgeführt v/erden.
Wie in Fig. 7 gezeigt, liegt der Scheitelwert der Empfindlichkeitskurve
einer herkömmlichen Einkristall-Siliziumsolarzelle im Wellenlängenbereich von 0,8 μΐη. Das bedeutet, daß der
Wellenlängenbereich des Sonnenlichtes, der in Wärme umgewandelt werden kann, auch zugleich in elektrische Energie umgewandelt
wird. Damit wird aber das Sonnenlicht nicht in der wirksamsten Weise ausgenutzt.
Da außerdem die herkömmliche Siliziumeinkristall-Solarzelle eine Dicke von 300 μ oder mehr hat, die das Sonnenlicht nicht
mehr hindurchläßt, wird der unter der Solarzelle liegende Bereich der Wärmesammlerplatte nicht aufgeheizt, so daß der
Wärmesammeieffekt dadurch verschlechtert wird. Die erfindungs-
030039/0859
- ίο -
gemäße Solarzelle besitzt dagegen, wie bereits mehrmals dargelegt, nur eine Dicke, die das Sonnenlicht hindurchtreten
läßt, und außerdem ist sie so beschaffen, daß der Wellenlängenbereich, in dem das Sonnenlicht in elektrische
Energie umgewandelt wird, sich nicht mit dem Wellenlängenbereich der Umwandlung von Sonnenlicht in Wärme überschneidet,
wodurch der gesamte Wellenlängenbereich des Sonnenlichtes sehr wirksam zur Energieumwandlung herangezogen werden
kann.
Die hermetische Abdichtung des lichtdurchlässigen Außenrohres 1 verhindert, daß sich auf der Wärmesammlerplatte 4
Staub, Regen oder Eis absetzen kann, was die Solarzelle negativ beeinflussen würde, und außerdem können durch
das Außenrohr 1 ultraviolette Strahlen von der Solarzelle abgehalten werden, die deren Lebensdauer erheblich verkürzen
könnten, so daß auf diese Weise auch die Lebens- und Arbeitsdauer der Solarzelle in vorteilhafter Weise verlängert
werden kann.
In Verbindung mit dem Solarwärmesammeleffekt wird um die
Außenfläche des Heizmediumrohres 3 ein Isolierraum gebildet, wodurch die Wärmeabstrahlung vom Heizmediumrohr 3 wirksam
verringert wird.
Als nächstes soll anhand der Figuren 8 und 9 beschrieben werden, wie eine große elektromotorische Kraft von der Solarzelle
abgenommen werden kann. Die Isolierfilme 19 werden auf die Wärmesainmlerplatte 4 aufgebracht, und auf diesen wieder
werden zahlreiche untere Elektroden 20 aus Aluminium abgelagert. Auf diesen unteren Elektroden 20 werden amorphe
Siliziumschichten 21 niedergeschlagen, die schließlich von oberen lichtdurchlässigen Elektroden 22 überdeckt werden. Auf
diese Weise wird eine Vielzahl von Solarzellen aus amorphem Silizium aufgebaut, bestehend aus unteren Elektroden 20, den
amorphen Siliziumschichten 21 und oberen Elektroden 22. Die
030039/0859
oberen Elektroden 22 werden jeweils mit den in der einen Richtung benachbarten unteren Elektroden 20 verbunden.
Eine Anschlußleitung 23, die durch die Endkappe hindurchtritt/ ist mit der unteren Elektrode 20 an dem einen Ende
der Seite 4a der Wärmesanunlerplatte 4 verbunden. Die obere Elektrode 22' am anderen Ende der Seite 4a der Wärmesammlerplatte 4 ist mit der unteren Elektrode 20" verbunden, die
am anderen Ende der anderen Seite 4b der Wärmesanunlerplatte liegt. Ein zweiter Anschlußleiter 24, der durch die Endkappe
hindurchgeführt wird, ist schließlich mit der oberen Elektrode 22" verbunden, welche sich am ersten Ende der anderen Seite
4b der Wärmesanunlerplatte 4 befindet. Auf diese Weise sind zahlreiche Solarzellen aus amorphem Silizium in Reihe geschaltet,
so daß über die Anschlußleitungen 23 und 24 eine hohe
elektromotorische Kraft abgenommen werden kann.
Die Fig. 9-A zeigt in vergrößertem Maßstab einen Schnitt durch die Solarzellen, die miteinander so verbunden sind,
wie es anhand der Fig. 8 beschrieben wurde, wobei die Fig. 9-A Solarzellen aus amorphem Silizium der P-i-n-Type
zeigt. Als transparente leitfähige Filme eignen sich für die oberen Elektroden 22 besonders gut solche aus Indiumzinnoxid.
Die Fig. 9-B zeigt Solarzellen aus amorphem Silizium der Schottky-Type, bei denen im allgemeinen Platin für den
Aufbau der halbtransparenten oberen Elektroden 25 verwendet wird.
Es sei hier als kennzeichnend bemerkt, daß eine Vielzahl von mehrstufigen Solarzellen aus amorphem Silizium zur
selben Zeit in einer Gasmischung aus Silan, Diboran, Phosphin und anderen nach dem Glimmentladungsverfahren hergestellt
werden kann.
030039/0859
Auf der Oberfläche einer Wärmesammlerplatte, die in thermisch
leitender Weise mit. einem Heizmediumrohr verbunden ist, werden nach der Erfindung Wandlerelemente, die Sonnenlicht
in andere Energieformen umwandeln, aufgebracht, die wenigstens aus einer Solarzelle aus amorphem Silizium bestehen,
deren Dicke gering genug ist, so daß das Sonnenlicht durch sie hindurchtreten kann. Die Energie des Sonnenlichtes
kann auf diese Weise von der Solarzelle in elektrische Energie umgewandelt werden. Gleichzeitig aber mit der Umwandlung
der Sonnenlichtenergie in der Solarzelle erfolgt eine Umwandlung eines übrigen Teils der Sonnenlichtenergie in Wärmeenergie
mit Hilfe der Wärmesammlerplatte, wobei die gesamte Fläche der Wärmesammlerplatte einschließlich des Bereiches,
auf dem die Solarzelle ausgebreitet ist, vollständig zum Sammeln der Sonnenwärme beiträgt, womit die Sonnenlichtenergie
sehr wirksam in thermische und elektrische Energie umgewandelt wird.
Nach den Merkmalen der Erfindung unterscheidet sich der Teil des Sonnenlichtes, der in Wärme umgewandelt wird, in
seiner Wellenlänge von dem anderen Teil des Sonnenlichtes, der in elektrische Energie umgewandelt wird, so daß mit der
Erfindung die Möglichkeit besteht, den gesamten Wellenlängenbereich des Sonnenlichtes sehr wirksam in andere Energie
umzuwandeln.
Der hermetische Abschluß der Wärmesammlerplatte innerhalb eines lichtdurchlässigen Außenrohres verhindert, daß sich
auf der Platte Staub absetzt oder Regen und Frost Einfluß nehmen können, was jeweils nachteilige Auswirkungen auf
die Eigenschaften der Solarzellen hat, und außerdem können ultraviolette Strahlen abgeschirmt werden,, die die Lebensdauer
von Solarzellen erheblich einschränken können, so daß dabei in vorteilhafter Weise auch noch die Lebensdauer
der Solarzellen verlängert wird.
030039/0859
Im Hinblick auf den Sonnenwärme-Sammeleffekt läßt sich sagen, daß durch die Vorrichtung um die Außenfläche des
Heizmediumrohres ein isolierender Raum geschaffen wird, was das Abstrahlen von Wärme vom Heizmediumrohr verhindert.
Verbindet man in der erfxndungsgemaßen Weise mehrere Solarzellen
aus amorphem Silizium, die sich unter Zwischenschaltung eines isolierenden Films auf der Oberfläche der Wärmesammlerplatte
befinden, miteinander in Reihenschaltung, so kann eine hohe elektromotorische Kraft erzeugt werden.
030039/0859
Claims (11)
- 33 187SANYO ELECTRIC CO., LTDMoriguchi-shiOsaka-fu/JAPANSonnenenergiewandler Patentansprüche1V. Sonnenenergiewandler,dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Solarzelle (5) aus amorphem Silizium mit einer das Sonnenlicht hindurchlassenden Schichtdicke auf der Oberfläche einer Wärmesammlerplatte (4) ausgebreitet 1st j welche mit einer Leitung (3) für ein Heizmedium in thermisch leitender Verbindung ist.
- 2. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schichtdicke der Splarzelle (5) etwa zwischen 0,1 und 10 μ beträgt.
- 3. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr (3) für das Heizmedium und die Wärmesammlerplatte (4) sich in einem lichtdurchlässigen, dicht verschlossenen Außenrohr (1) befinden.
- 4. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Außenrohr (1) Vakuum herrscht.030039/0859
- 5. Sonnenenergiewandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesammlerplatte (4) als untere Elektrode der Solarzelle (5) dient.
- 6. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmewandlerplatte (4) mit dem Rohr (3) für das Heizmedium elektrisch leitend verbunden ist und daß mit dem eine der Endkappen (2) des dicht verschlossenen, lichtdurchlässigen Außenrohrs (1) durchsetzenden Ende des Rohres (3) des Heizmediums ein Leitungsdraht verbunden ist.
- 7. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine das lichtdurchlässige Außenrohr (1) an einem Ende dicht schließende Endkappe (2) ein Anschlußleitungspaar (13, 15) der Elektroden der Solarzelle (5) hindurchgeführt ist.
- 8. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Endkappe (2) hindurchtretende Abschnitt der Anschlußdrähte durch eine isolierende Dichtung (17) hindurchgeführt ist.
- 9. Sonnenenergiewandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen der Wärmesammlerplatte (4) und der Solarzelle (5) ein Isolierfilm befindet.
- 10. Sonnenenergiewandler nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Solarzellen (5) auf der Oberfläche der Wärmesammlerpiatte (4) unter Zwischenfügung von Isoüerfiimen angebracht und miteinander in Reihe geschaltet sind.
- 11. Sonnenenergiewandler nach einem der Ansprüche 1,9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf der oberen Elektrode der Solarzelle eine kammförmige Kollektorelektrode (14) ausgebildet ist, mit der der Anschlußleitungsdraht (13) verbunden ist.030039/08 5 9
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3281479A JPS55124273A (en) | 1979-03-20 | 1979-03-20 | Solar light energy converter |
JP1690180A JPS56114383A (en) | 1980-02-13 | 1980-02-13 | Solar energy converter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3010566A1 true DE3010566A1 (de) | 1980-09-25 |
Family
ID=26353342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803010566 Ceased DE3010566A1 (de) | 1979-03-20 | 1980-03-19 | Sonnenenergiewandler |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4334120A (de) |
AU (1) | AU535443B2 (de) |
DE (1) | DE3010566A1 (de) |
FR (1) | FR2452072B1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0153041A2 (de) * | 1984-01-30 | 1985-08-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grossflächige Fotozelle und ihr Herstellungsverfahren |
DE4338735A1 (de) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Dietmar Schubert | Vorrichtung zur wahlweisen Umwandlung von Sonnenenergie in Wärme und/oder Strom |
DE29811199U1 (de) | 1998-06-23 | 1998-09-17 | Bartelsen, Bernd, Dipl.-Ing., 31785 Hameln | Gasdichtes Gehäuse zur Aufnahme von solarelektrischen Wandlern |
WO2011157648A2 (de) | 2010-06-14 | 2011-12-22 | Mario Paul Stojec | Photovoltaik-modul |
DE202012104748U1 (de) | 2012-12-06 | 2013-01-30 | Mario Paul Stojec | Photovoltaik-Modul mit mehreren Solarzellen |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4444992A (en) * | 1980-11-12 | 1984-04-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Photovoltaic-thermal collectors |
FR2500685A1 (fr) * | 1981-02-24 | 1982-08-27 | Aerospatiale | Agencement de cellules photovoltaiques et generateur solaire pourvu d'un tel agencement |
US4456782A (en) * | 1981-03-20 | 1984-06-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Solar cell device |
US4443651A (en) * | 1981-03-31 | 1984-04-17 | Rca Corporation | Series connected solar cells on a single substrate |
JPS5853870A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
EP0078541B1 (de) * | 1981-11-04 | 1991-01-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Biegsame photovoltaische Einrichtung |
US4513732A (en) * | 1981-11-10 | 1985-04-30 | Feldman Jr Karl T | Passive integral solar heat collector system |
US4392008A (en) * | 1981-11-13 | 1983-07-05 | Monegon, Ltd. | Combined electrical and thermal solar collector |
US4421104A (en) * | 1982-01-11 | 1983-12-20 | Adcock Thomas P | Concentrating/tracking solar energy collector |
JPS59201471A (ja) * | 1983-04-29 | 1984-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置 |
US4544798A (en) * | 1982-12-20 | 1985-10-01 | Sovonics Solar Systems | Photovoltaic panel having enhanced conversion efficiency stability |
IN172491B (de) * | 1982-12-20 | 1993-09-04 | Energy Conversion Devices Inc | |
US4514583A (en) * | 1983-11-07 | 1985-04-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Substrate for photovoltaic devices |
US4491681A (en) * | 1983-12-08 | 1985-01-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Liquid cooled, linear focus solar cell receiver |
GB2214710A (en) * | 1988-01-29 | 1989-09-06 | Univ Open | Solar collectors |
JPH02177374A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
DK0614058T3 (da) * | 1993-03-04 | 1998-04-14 | Eri En Ressourcen I Forschungs | Apparat til optagelse af solenergi |
FR2779275A1 (fr) * | 1998-05-15 | 1999-12-03 | Girayrd Garabedian | Recipient transparent vide d'air, enveloppant un dispositif photovoltaique et un capteur thermique. recipient servant aussi d'isolant thermique pour toiture |
AT409199B (de) * | 1999-03-25 | 2002-06-25 | Hectec Beteiligungsgesellschaf | Vorrichtung zur erzeugung von wärme und strom aus sonnenenergie |
US7342171B2 (en) * | 2003-01-23 | 2008-03-11 | Solar Intergrated Technologies, Inc. | Integrated photovoltaic roofing component and panel |
US20050072456A1 (en) * | 2003-01-23 | 2005-04-07 | Stevenson Edward J. | Integrated photovoltaic roofing system |
CN1641290B (zh) * | 2004-01-11 | 2013-03-27 | 北京环能海臣科技有限公司 | 一种外壳全玻璃光伏电池热管真空集热管 |
CN1661296B (zh) * | 2004-02-27 | 2011-06-22 | 淄博绿能环保设备科技有限公司 | 玻璃真空太阳换能热管 |
US7829781B2 (en) * | 2004-06-01 | 2010-11-09 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic module architecture |
GB2426778B (en) * | 2005-06-03 | 2010-03-10 | Barry Clive | Solar concentrator for a window unit comprising rotatable elongate concave mirrors |
US7235736B1 (en) * | 2006-03-18 | 2007-06-26 | Solyndra, Inc. | Monolithic integration of cylindrical solar cells |
PT103479B (pt) * | 2006-05-12 | 2007-01-31 | Amilcar Luis Jeronimo Lopes | Estrutura solar modular multifunções |
US20080083449A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-10 | Solyndra, Inc., A Delaware Corporation | Sealed photovoltaic apparatus |
US20080283045A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Chao Hung Chen | Flexible solar power collector |
GR20070100351A (el) * | 2007-06-07 | 2009-01-20 | Θεοδωρος Καραβασιλης | Μετατροπη της εστιαζομενης ηλιακης ακτινοβολιας σε ηλεκτρικη ενεργεια με χρηση φωτοβολταϊκων εντος διαφανης σωληνας |
US20090178701A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-07-16 | Solyndra, Inc. | Apparatus and methods for sealing an electrical connection to at least one elongated photovoltaic module |
US8420925B2 (en) * | 2007-12-08 | 2013-04-16 | Yi Pang | Solar energy device for electricity and heating |
US7946182B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-05-24 | Atomic Energy Council—Institute of Nuclear Energy Research | Apparatus for measuring the strength of solar cells |
EP2316136A2 (de) * | 2008-08-29 | 2011-05-04 | Zylum Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. Patente II KG | Schichtsystem für solarabsorber |
US20100199970A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-12 | William Joseph Blomberg | Trough heat collector element insulator |
US8733035B2 (en) * | 2009-03-18 | 2014-05-27 | Garland Industries, Inc. | Solar roofing system |
US8316593B2 (en) | 2009-03-18 | 2012-11-27 | Garland Industries, Inc. | Solar roofing system |
NL2003041C2 (nl) * | 2009-06-18 | 2010-12-21 | Sublean Group B V | Inrichting en werkwijze voor het voor een variabele functie benutten van een oppervlak. |
WO2011020293A1 (zh) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 宇威光电股份有限公司 | 太阳能电池模块 |
US20110226308A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | Yi Pang | Solar energy hybrid module |
ITFI20100042A1 (it) * | 2010-03-19 | 2011-09-20 | Giovanni Gherardi | Collettore solare |
CN103842312A (zh) * | 2011-09-13 | 2014-06-04 | 费罗公司 | 无机基体的感应密封 |
US20170350621A1 (en) * | 2016-06-06 | 2017-12-07 | Frontline Aerospace, Inc | Secondary solar concentrator |
US10432137B2 (en) * | 2017-09-25 | 2019-10-01 | Cameron Ernest Jabara | Solar energy collector and method of operation |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3990914A (en) * | 1974-09-03 | 1976-11-09 | Sensor Technology, Inc. | Tubular solar cell |
US4056405A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-01 | Solarex Corporation | Panel for solar energy cells |
US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
US4144095A (en) * | 1975-09-08 | 1979-03-13 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Solar energy assembly |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4081289A (en) * | 1975-12-24 | 1978-03-28 | Campbell Iii William Patrick | Solar energy system |
CA1078078A (en) * | 1976-03-22 | 1980-05-20 | David E. Carlson | Schottky barrier semiconductor device and method of making same |
DE2700767A1 (de) * | 1977-01-10 | 1978-07-13 | Boettcher Alfred | Kombinierter photovoltaischer und thermischer solar-kollektor |
US4210463A (en) * | 1977-07-11 | 1980-07-01 | Escher William J D | Multimode solar energy collector and process |
US4222371A (en) * | 1977-10-04 | 1980-09-16 | Heath George F | Solar energy collector |
US4235221A (en) * | 1979-08-23 | 1980-11-25 | Murphy Gerald G | Solar energy system and apparatus |
-
1980
- 1980-03-12 AU AU56369/80A patent/AU535443B2/en not_active Expired
- 1980-03-12 US US06/129,716 patent/US4334120A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-19 FR FR8006132A patent/FR2452072B1/fr not_active Expired
- 1980-03-19 DE DE19803010566 patent/DE3010566A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3990914A (en) * | 1974-09-03 | 1976-11-09 | Sensor Technology, Inc. | Tubular solar cell |
US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
US4144095A (en) * | 1975-09-08 | 1979-03-13 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Solar energy assembly |
US4056405A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-01 | Solarex Corporation | Panel for solar energy cells |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0153041A2 (de) * | 1984-01-30 | 1985-08-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grossflächige Fotozelle und ihr Herstellungsverfahren |
EP0153041A3 (de) * | 1984-01-30 | 1985-11-13 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grossflächige Fotozelle und ihr Herstellungsverfahren |
DE4338735A1 (de) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Dietmar Schubert | Vorrichtung zur wahlweisen Umwandlung von Sonnenenergie in Wärme und/oder Strom |
DE29811199U1 (de) | 1998-06-23 | 1998-09-17 | Bartelsen, Bernd, Dipl.-Ing., 31785 Hameln | Gasdichtes Gehäuse zur Aufnahme von solarelektrischen Wandlern |
WO2011157648A2 (de) | 2010-06-14 | 2011-12-22 | Mario Paul Stojec | Photovoltaik-modul |
DE212011100108U1 (de) | 2010-06-14 | 2013-04-09 | Mario Paul Stojec | Photovoltaik-Modul |
AT509905B1 (de) * | 2010-06-14 | 2013-10-15 | Stojec Mario Paul | Photovoltaik-modul |
DE202012104748U1 (de) | 2012-12-06 | 2013-01-30 | Mario Paul Stojec | Photovoltaik-Modul mit mehreren Solarzellen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4334120A (en) | 1982-06-08 |
AU5636980A (en) | 1980-09-25 |
FR2452072A1 (fr) | 1980-10-17 |
FR2452072B1 (fr) | 1986-02-14 |
AU535443B2 (en) | 1984-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3010566A1 (de) | Sonnenenergiewandler | |
DE3650012T2 (de) | Halbleitervorrichtung. | |
DE69210350T2 (de) | Sonnenzellenmodul mit verbesserten witterungsbeständigen Eigenschaften | |
DE69016910T2 (de) | Photovoltaische Anordnung und ihr Herstellungsverfahren. | |
DE69224965T2 (de) | Verbesserte solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE69128600T2 (de) | Integrierte photo-voltaische Vorrichtung | |
DE3334316A1 (de) | Solarbatterie mit amorphem silicium | |
DE2632987C2 (de) | Fotovoltaisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102011122252B4 (de) | Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69634059T2 (de) | Integriertes Dünnschicht-Sonnenzellenmodul und Herstellungsverfahren | |
DE112005002629T5 (de) | Ultraleichte Photovoltaik-Einrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102011112046A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen Elektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle durch ein derartiges Verfahren, und eine gemäß dem Verfahren hergestellte Solarzelle | |
DE102011110940B4 (de) | Solarzellenpaneell | |
DE102014116498A1 (de) | Solarzellenmodul und Solarzelle davon | |
DE3851402T2 (de) | Integrierte sonnenzelle und herstellungsverfahren. | |
DE4104713A1 (de) | Mehrzelliger integrierter solarzellenmodul und verfahren fuer dessen herstellung | |
DE3015362C2 (de) | ||
DE112016001478T5 (de) | Solarbatteriezelle und verfahren zur herstellung der solarbatteriezelle | |
DE2839038A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer reihenschaltungsanordnung von sperrschicht-photozellen und nach diesem verfahren hergestellte photozellenanordnung oder -batterie | |
DE102011115581B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle | |
WO2011009860A2 (de) | Dünnschicht-solarmodul mit verbesserter zusammenschaltung von solarzellen sowie verfahren zu dessen herstellung | |
DE3317108C2 (de) | ||
DE102006059417A1 (de) | Photovoltaik-Vorrichtung mit holografischer Struktur zum Umlenken einfallender Sonnenstrahlung, sowie Herstellverfahren hierfür | |
DE4201571C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer für Licht teildurchlässigen Solarzelle und eines entsprechenden Solarmoduls | |
DE2950085A1 (de) | Solarzelle |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8131 | Rejection |