DE3010145A1 - Verstaerkerschaltung - Google Patents
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Description
-8- 3010H5
GENERAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady, N.Y. VStA
Verstärkerschaltung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung und befaßt sich insbesondere mit einer Verstärkerschaltung,
die in Kaskade geschaltet werden kann, um einen hohen Verstärkungsgrad oder Verstärkungsfaktor vorzusehen,
und die mit einer relativ niedrigen Speisespannung arbeitet und trotz Schwankungen dieser Speisespannung einen
relativ konstanten Verstärkungsfaktor bereitstellt sowie einen symmetrischen Betrieb vorsieht, und zwar trotz
Schwankungen in der Speisespannung oder in der Temperatur.
Bei batteriegespeisten Rundfunkempfängern oder elektronischen Geräten besteht eine Tendenz in Richtung auf
kleinere Schaltungen mit verbesserten oder einer größeren Anzahl von Funktionen, und gleichzeitig sollen die Anforderungen
an den Verbrauch der von der Batterie bereitgestellten Energie geringer sein.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Verstärker zu schaffen, der trotz geringer Stromentnahme eine
gute Verstärkung bei Amplituden- und symmetrischen Begrenzungscharakteristiken aufweist, die im wesentlichen unabhängig
von der Speisespannung sind, und der zur Ausbildung in integrierter Schaltungstechnik geeignet ist sowie in
eine Kaskadenverstärkeranordnung einbezogen werden kann.
Der nach der Erfindung ausgebildete Verstärker arbeitet mit Strömen in der Größenordnung von 75/UA und arbeitet
bei Spannungen bis hinunter zu 1,1 V stabil. Ferner ist er geeignet, um in Kaskade oder Reihe geschaltet zu werden,
wobei jede der in Kaskade geschalteten Verstärkerschaltun-
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gen einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, die als Differentialverstärker geschaltet sind. Die Transistorbasen sind an eine geregelte Spannung angeschlossen.
Die Transistoren sind mit einer Stromquelle ausgewählter Größe versehen. Die Eingangssignale werden dem ersten Transistor
zugeführt. Eine Stromquelle und ein dritter Transistor sind mit dem zweiten Transistor so verbunden, daß der
Ausgangsstrom durch den dritten Transistor etwa gleich der Hälfte des Gesamtstromes durch den Differential- oder Differenzenverstärker
ist. Der Ausgangsstrom wird einem Verbraucher oder einer Last zugeführt, die so gewählt ist,
daß die Mittenpunktsausgangsspannung einen gewünschten Pegel hat. Signale, die von der Ausgangslast abgeleitet
werden, sind symmetrisch und unabhängig von der Temperatur, wobei die geregelte Versorgung so temperaturkompensiert
ist, daß sie den Stromquellen angepaßt ist.
Zusammenfassend wird somit nach der Erfindung ein Verstärker mit zwei Transistoren geschaffen, die als
Differentialverstärker geschaltet sind, der eine Emitterstromquelle hat. Die Eingangssignale werden dem einen
Transistor zugeführt, und die Ausgangssignale werden am anderen Transistor abgenommen. Diese Ausgangssignale werden
an einen Ausgangstransistor gelegt, der ebenfalls als Stromquelle geschaltet ist, und zwar in einer solchen Weise,
daß er eine halbe Emitterstromquelle des Differentialverstärkers
bildet. Auf diese Weise liefert der Ausgangstransistor im stationären Zustand eine Ausgangsspannung,
die auf einen gewünschten Pegel eingestellt werden kann und eine symmetrische Begrenzung vorsieht.
Der Aufbau und die Wirkungsweise einer nach der Erfindung ausgebildeten Verstärkerschaltung soll im folgenden
an Hand von Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
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Fig . 1A und 1B ein bevorzugtes Schaltbild von in
Reihe oder in Kaskade geschalteten Verstärkern gemäß der Erfindung und
Fig. 2 Spannungspegel, die in jedem der Verstärker
nach den Fig. 1A und 1B auftreten und zur Erläuterung der
erfindungsgemäßen Schaltung dienen.
Die Fig. 1A und 1B sind zusammen zu betrachten, wobei
sich die rechte Seite der Fig. 1A an die linke Seite der Fig. 1B anschließt. Man kann dann eine Verstärkerschaltung
mit insgesamt vier in Kaskade oder Reihe geschalteten Verstärkern erkennen. Die einzelnen Verstärker können für sich
oder in Verbindung mit einer beliebigen Anzahl weiterer Verstärker verwendet werden, um einen gewünschten Verstärkungsgrad
zu erzielen, wie es beispielsweise bei einem Zwischenfrequenzverstärker in einem Rundfunkempfänger der
Fall ist. Jeder der gezeigten Verstärker enthält' zwei NPN-Transistoren Q1 und Q2, deren Emitter miteinander nach Art
einer Differentialverstärkeranordnung verbunden sind. Die Basen der Transistoren Q1 und Q2 sind über zugeordnete,
gleich große Widerstände R1 und R2 an eine geregelte Spannungsquelle mit einer geregelten Spannung VR angeschlossen,
die in bezug auf ein an einem Anschluß 10 anliegenden Referenzpotential
oder Masse positiv ist. Wie später noch erläutert wird, ist die geregelte Spannungsquelle bzw. die
geregelte Spannung VR vorzugsweise in bezug auf die Temperatur so kompensiert, daß sie den Kenngrößen oder Eigenschaften
eines NPN-Transistors Q5 angepaßt ist, der bei vorhandener Kurzschlußverbindung zwischen seinem Kollektor
und seiner Basis als Steuer- oder Kontrolldiode dient. Die Basis des Transistors-Q2 ist über einen Kondensator C2 wechselstrommäßig
mit dem Referenzpotential bzw. Masse verbunden. Die Emitter der Transistoren Q1 und Q2 sind an
den Kollektor eines Stromquellen-NPN-Transistors Q4 angeschlossen.
Die Basis des Transistors Q4 ist mit dem KoI-
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lektor des Steuerdiodentransistors Q5 verbunden. Zwei der
Transistoren Q4, beispielsweise in den dargestellten Verstärkern 1 und 2, können mit einem Steuerdiodentransistor
05 verbunden sein. Falls ein Kurzschluß- oder Nebenschlußkondensator
zwischen die Basen aller Transistoren Q4 einerseits und dem Massenanschluß 10 andererseits geschaltet
ist, kann ein einziger Steuerdiodentransistor 05 vier Transistoren
04 bedienen. Es ist erwünscht, daß der Transistor 05 die gleichen Kenngrößen oder Eigenschaften (vorzugsweise
angepaßt) wie der Transistor Q4 hat. Der Emitter des Transistors 05 ist über einen Widerstand R4 mit dem
Massenanschluß 10 verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors 05 sind gemeinsam über einen Widerstand R5
an die geregelte Spannungsquelle mit der geregelten Spannung
VR angeschlossen.
Der Kollektor des Transistors Q1 führt zu einer Spannungsquelle
mit einer Spannung V+, die größer als die geregelte Spannung VR. ist. Der Kollektor des Transistors 02
ist in der gezeigten Weise über einen PNP-Transistor 06
an die Spannungsquelle mit der Spannung V+ angeschlossen. Der Kollektor und die Basis des Transistors Q6 sind miteinander
verbunden, um eine Kontroll- oder Steuerdiode zu bilden. Der Kollektor (oder die Kathode) der gebildeten
Diode ist mit der Basis eines PNP-Ausgangstransistors 03
verbunden, der eine Stromquelle mit den gleichen Kenngrößen oder Eigenschaften wie der Steuerdiodentransistor
bildet. Der Emitter des Transistors 03 ist an die Spannungsquelle mit der Spannung V+ angeschlossen, und der Kollektor
des Transistors 03 ist über einen ausgangsseitigen Verbraucher- oder Lastwiderstand RL mit dem Massenanschluß 10 verbunden.
Der Basis des Transistors Q1 werden Eingangssignale vorzugsweise über einen Trennkondensator C1 zugeführt. Vom
Kollektor des Transistors 03 werden Ausgangssignale ebenfalls vorzugsweise über einen Trennkondensator abgenommen.
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Bei dem betrachteten besonderen Anwendungsfall der
Verstärkerschaltung nach den Fig. 1A und 1B wurde unterstellt,
daß die Speisespannung V+ zwischen 1,5 und 1,1 V schwankt. Die geregelte Spannung VR betrug 900 mV mit
einem Temperaturkoeffizienten von -2 mV/ C. Für eine geeignete Betriebsweise muß die geregelte Spannung VR
wenigstens 900 mV oberhalb des Masseanschlusses 10 liegen. Die Widerstände R3 und R4 betrugen jeweils 500 Xl .
Der Widerstand R5 war so eingestellt (oder im Falle einer Schaltungsplatte oder integrierten Schaltung getrimmt),
daß durch den Steuerdiodentransistor Q5 ein Strom von 50
floß. Da der stromliefernde Transistor 0.4 dem Transistor Q5
angepaßt ist, der als Steuerdiode geschaltet ist, betrug der Kollektorstrom 11 durch den Transistor QA ebenfalls
50/uA. Die Widerstände R3 und R4 dienen als Stromstabilisatoren und verbessern somit die Anpassung zwischen der gewünschten
und tatsächlichen Stromquelle bzw. der SoIl- und Jststromquelle. Der Gesamtstrom 11 von 50/uA durch die
Differentialverstärkertransistoren Q1 und Q2 wird in Abwesenheit
eines Eingangssignals gleichmäßig aufgeteilt. Die eine Hälfte dieses Stroms fließt somit durch den als Diode
geschalteten Transistor 0.6, und der Ausgangstransi stör Q3
liefert einen Strom, der gleich dem Strom durch den Diodentransistor Q6 ist. Mit diesem ausgewählten Ausgangsstrom
liefert der Lastwiderstand RL die gewünschte Mittenpunkt-Ausgangs spannung, die vorzugsweise 500 mV betrug. Diese im
stationären Zustand auftretende Mittenpunkt-Ausgangsspannung ist im wesentlichen unabhängig von der Speisespannung V+
oder von der Temperatur, so daß die Ausgangsgröße virtuell unabhängig von der Speisespannung und der Temperatur ist,
und für eine symmetrische Begrenzung Sorge getragen ist.
Die im stationären Zustand auftretenden Gleichspannungen sind unter Bezugnahme auf die in den Fig. 1A und 1B
verwendeten Bezeichnungen in der Fig. 2 dargestellt. Die Spannung am Masseanschluß 10 ist mit VG, die Spannung am
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Emitter des Transistors Q4 mit V1, die .Spannung an den
Emittern der Transistoren Q1 und Q2 mit V2, die Spannung am Kollektor des Transistors Q2 und an der Basis des Transistors
03 mit V3 und die Spannung am Kollektor des Ausgangstransistors Q3 mit VO bezeichnet. Die Spannung V1
beträgt 25 mV für einen Strom 11 von 50/uA durch den
500- fl-Widerstand R3. Die Spannung V2 ist die geregelte
Spannung VR von 900 mV abzüglich einem Spannungsabfall von etwa 10 mV am Widerstand R1 und einem Spannungsabfall
von etwa 650 mV zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q1. Die Spannung V2 beträgt somit 240 mV. Die
Spannung V3 entspricht der Speisespannung V+ von 1,5 bis 1,1 V abzüglich der Emitter-Basis-Spannung am Transistor Q6
von 650 mV. Die Spannung V3 beträgt daher 850 bis 450 mV. Die Ausgangsspannung VO, die geregelte Spannung VR und
die Speisespannung V+ sind ebenfalls in der Fig. 2 dargestellt.
Beim Anlegen von Wechselstromsignalen an den Eingang des Verstärkers ist die Verstärkung eine Funktion des
Lastwiderstands RL und des Emitterstrompegels der Differentialverstärkertransistoren
Q1 und Q2. Bei einem Eingangssignal VI an der Basis des Transistors Q1 erscheint
ein Signal VI/2 an den Emittern der Transistoren Q1 und
02. Die Verstärkung vom Emitter des Transistors 02 zu
seinem Kollektor ist 1, da die Last oder der Verbraucher für den Transistor Q2 der als Diode geschaltete Transistor
03 ist, der beim gleichen Strompegel wie der Transistor 02 betrieben wird. Die Spannung am Kollektor des
Transistors Q2 beträgt daher VI/2, und diese Spannung wird der Basis des Transistors Q3 zugeführt. Die dynamische
Emitterresistanz ist bekanntlich gleich 26 geteilt durch den Emitterstrom in Milliampere. Der Emitterstrom
des Transistors 03 ist die Hälfte des Differentialverstärkerstromes
11 durch den Transistor Q4. Der Verstärkungs-
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grad des Verstärkers ist daher etwa gleich dem Ausgangswiderstand RL geteilt durch das Zweifache der dynamischen
Emitterresistanz des Transistors Q3. Wie bereits oben erwähnt, wird es bevorzugt, daß die Ausgangsspannung VO symmetrisch
ist. Für den Differentialverstärkerstrom 11 von 50/uA beträgt der Ausgangsstrom 12 gleich 25/uA. Bei einer
um die Spannung von 500 mV symmetrischen Ausgangsspannung
muß der Lastwiderstand RL gleich 500 mV geteilt durch 25 / oder 20000 Xl betragen. Die dynamische Emitterresistanz für
einen Strom von 25/uA ist gleich 26 geteilt durch 0,025
oder etwa 1040 -ÖL . Der Verstärkungsgrad von einem Verstärker
beträgt dann 20000 geteilt durch 1040 oder theoretisch 19,2 dB. Es entsteht allerdings ein zusätzlicher Verlust
angesichts des niedrigen Beta, das dem lateralen PNP-Transistor Q3 eigen ist, so daß man mit einem realistischen
Verstärkungsgrad von 18 dB rechnen kann. Bei vier Verstärkern beträgt der Verstärkungsfaktor oder Verstärkungsgrad
etwa 75 dB. Die Bandbreite bei diesem Strompegel ist etwa 400 kHz. Die Bandbreite nimmt mit wachsendem Strompegel zu.
Die Bandbreite kann dadurch herabgesetzt werden, daß ein Kondensator dem Lastwiderstand RL parallelgeschaltet wird.
Das Niederfrequenzverhalten kann durch den Kondensator C1 gesteuert werden.
Beim Anlegen eines relativ großen Signals an den Eingang wird der Transistor Q1 vollständig ein- und ausgeschaltet,
so daß der Differentialverstärkerstrom durch den
Transistor Q1 zwischen 50/UA und Null schwankt. Umgekehrt
schwankt der Strom durch den Transistor Q2 zwischen 0 und 50/uA. Der Strom 12 im Lastwiderstand RL ändert sich ebenfalls
zwischen 0 und 50yuA (was zu einem Mittenpunktstrom von 25/UA führt). Bei einem Lastwiderstand von 20000 D.
schwingt die Ausgangsspannung zwischen 0 und 1 V und ist unabhängig von der Speisespannung V+. Während ein Bereich
von 1,1 bis 1,5 V für die Speisespannung erwähnt worden ist, käme es bei einer Speisespannung V+ von 10 V und bei
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Beibehaltung der oben angegebenen Werte ebenfalls zu einer auf 1 V begrenzten Ausgangsspannung, da die Ausgangsspannung
im wesentlichen unabhängig von der Größe der Speisespannung V+ ist. Den Verstärkungsgrad kann man bei einer höheren
Speisespannung V+' durch Anheben des Betrages des' Lastwiderstands
RL erhöhen. Der beschriebene Verstärker liefert somit unabhängig vom Eingangspegel, von Schwankungen in der Speisespannung
V+ und von der Temperatur eine extrem symmetrische Begrenzung.
Vorstehend wurde nur ein einziges Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. Der Fachmann wird erkennen, daß
zahlreiche Abwandlungen und Modifikationen gegenüber diesem Ausführungsbeispiel vorgenommen werden können, ohne den erfindungsgemäßen
Rahmen zu sprengen. Der im stationären Zustand symmetrische Punkt der Ausgangsspannung kann beispielsweise auf irgendeinen Betrag festgesetzt werden, in
dem die Größe des Lastwiderstands RL eingestellt wird. Die Basen der Transistoren Q2 können miteinander verbunden und
über einen einzigen Widerstand an die geregelte Spannung VR sowie über einen einzigen Kondensator an den Masseanschluß
10 angeschlossen werden. Bei einer solchen Änderung wird der einzige Widerstand herabgesetzt, um für den Strom in
der Parallelanordnung eine Kompensation vorzusehen. Der Kondensator kann unabhängig davon, ob er für einen oder
mehrere Verstärker verwendet wird, die gleiche Größe haben. Die Ströme 11 und 12 können wunschgemäß ausgewählt werden,
obgleich der Strom 12 im stationären Zustand vorzugsweise die Hälfte des Stromes 11 im stationären Zustand beträgt.
Ferner kann der Verstärker mit unterschiedlichen Spannungen, unterschiedlichen Eingangssignalpegeln und unterschiedlichen
Arten von Festkörperbauelementen betrieben werden. Der Verstärker kann in vielen verschiedenen Formen
realisiert werden, einschließlich unter Verwendung von Einzelbauelementen oder integrierten Schaltungen. Obgleich die
Erfindung an Hand eines besonderen Ausführungsbeispiels
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beschrieben wurde, soll somit dieses Ausführungsbeispiel keine Beschränkung darstellen.
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Claims (13)
1. Verstärkerschaltung,
gekennzeichnet durch:
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1 und Q2), von denen Jeder eine erste und eine zweite Strombahnelektrode
sowie eine Steuerelektrode aufweist,
b. eine Eingangseinrichtung (Vl) zum Anlegen eines Eingangssignals
an die Steuerelektrode des ersten Transistors
(QD,
c. erste Mittel zum Verbinden der ersten Strombahnelektrode
des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) über eine erste Stromquellenschaltung (Q4, Q5) mit einem ersten
nicht geregelten Spannungsquellenanschluß (10),
d. zweite Mittel (R1, R2) zum Verbinden der Steuerelektrode
des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) mit einem geregelten Spannungsanschluß (VR),
e. dritte Mittel zum Verbinden der zweiten Strombahnelektrode des ersten Transistors (Q1) mit einem zweiten nicht
geregelten Spannungsquellenanschluß (V+),
f. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einer ersten und
einer zweiten Strombahnelektrode sowie einer Steuerelektrode,
g. vierte Mittel zum Verbinden der ersten und der zweiten Strombahnelektrode des Ausgangstransistors (03) zwischen
den ersten und den zweiten nicht geregelten Spannungsquellenanschluß (10 und V+),
h. fünfte Mittel (0.6) zum Verbinden des zweiten nicht geregelten
Spannungsquellenanschlusses (V+) mit der zweiten Strombahnelektrode des zweiten Transistors (Q2) und mit der
Steuerelektrode des Ausgangstransistors (03), um den Ausgangstransistor
zu veranlassen, als eine zweite Stromquelle zu wirken, und
i. eine Ausgangseinrichtung (RL), die mit den Strombahnelektroden des Ausgangstransistors (Q3) in Reihe geschaltet
ist.
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2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangseinrichtung einen Widerstand (RL) ausgewählter
Größe aufweist, um bei Abwesenheit eines Signals an der Eingangseinrichtung eine Ausgangsspannung mit einem vorbestimmten
Betrag vorzusehen.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Stromquellenschaltung einander angepaßte Festkörper-Bauelemente (Q4 und Q5) aufweist und daß die fünften
Mittel ein Festkörper-Bauelement (Q6) enthalten, das dem Ausgangstransistor
(Q3) angepaßt ist.
4. Verstärkerschaltung,
gekennzeichnet durch:
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Anschluß (10 und V+) für eine nicht geregelte Spannungsquelle sowie einen dritten
und einen vierten Anschluß (VR und 10) für eine geregelte Spannungsquelle,
b. einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1 und Q2)
mit jeweils einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
c. einen ersten Stromquellentransistor (Q4) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
d. Mittel zum Verbinden des Emitters und des Kollektors des ersten Stromquellentransistors (Q4) zwischen die Emitter
des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) einerseits
und den ersten Spannungsquellenanschluß (10) andererseits,
e. eine erste Steuerdiode (05), die zwischen den
dritten und den vierten Spannungsquellenanschluß (VR und 10) geschaltet ist,
f. Mittel zum Verbinden der ersten Steuerdiode (Q5) mit
der Basis des ersten Stromquellentransistors (0.4),
g. Mittel (R1 und R2) zum Verbinden der Basis des ersten und der Basis des zweiten Transistors (Q1 und Q2) mit dem dritten
Spannungsquellenanschluß (VR),
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h. einen Eingangssignalanschluß (VI), der mit der Basis des ersten Transistors (Q1) verbunden ist,
i. Mittel zum Verbinden des Kollektors des ersten Transistors (Q1) mit dem zweiten Spannungsquellenanschluß (V+),
j. eine zweite Steuerdiode (Q6), die zwischen den Kollektor
des zweiten Transistors (Q2) und den zweiten Spannungsquellenanschluß (V+) geschaltet ist,
k. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einem Emitter, einer
Basis und einem Kollektor,
1. Mittel einschließlich einer Ausgangslast (RL), über die der Emitter und der Kollektor des Ausgangstransistors (Q3)
zwischen den ersten und den zweiten Spannungsquellenanschluß (10 unf V+) geschaltet ist, und
m. Mittel zum Verbinden der Basis des Ausgangstransistors
(Q3) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2).
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (Q1 und Q2) einen
Differentialverstärker bilden, der einen ersten Strom führt,
und daß der Ausgangstransistor (Q3) einen zweiten Strom führt, der etwa gleich dem halben Wert des ersten Stromes ist.
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4 oder 5, gekennzeichnet durch
Mittel zum Verbinden des ersten Spannungsquellenanschlusses
(10) mit dem vierten Spannungsquellenanschluß (10).
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausgangslast (RL) betragsmäßig so gewählt ist, daß bei Abwesenheit eines Signals am EingangsSignalanschluß (Vl)
eine vorbestimmte Ausgangsspannung auftritt.
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8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Stromquellentransistor (Q4) und die erste
Steuerdiode (Q5) einander angepaßte Charakteristiken haben und daß der Ausgangstransistor (Q3) und die zweite Steuerdiode
(Q6) ebenfalls einander angepaßte Charakteristiken haben.
9. Verstärkerschaltung nach Anspruch 7,· dadurch gekennzeichnet, daß der erste Stromquellentransistor (0.4) und die erste
Steuerdiode (Q5) einander angepaßte Charakteristiken haben und daß der Ausgangstransistor (03) und die zweite Steuerdiode
(Go) ebenfalls einander angepaßte Charakteristiken
haben.
10. Verstärkerschaltung,
gekennzeichnet durch:
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Anschluß (10 und V+)
für eine nicht geregelte Spannungsquelle sowie einen dritten und einen vierten Anschluß (VR und 10) für eine geregelte
Spannungsquelle,
b. einen ersten und einen im wesentlichen gleichen zweiten Transistor (Q1 und Q2) mit einem Emitter, einer Basis und
einem Kollektor,
c. einen ersten Stromquellentransistor (Q4) mit einem
Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
d. einen ersten Widerstand (R3), der in Reihe mit dem Emitter und Kollektor des ersten-Stromquellentransistors (q4)
zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) einerseits und den ersten Spannungsquellenanschluß
(10) geschaltet ist,
e. eine erste Steuerdiode (Q5) und einen zweiten Widerstand
(R4), der zusammen mit der-ersten Steuerdiode in Reihe zwischen den dritten und vierten Spannungsquellenanschluß
(VR und 10) geschaltet ist, wobei der zweite Widerstand (r4) etwa gleich dem ersten Widerstand (R3) ist,
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f. Mittel zum Verbinden der ersten Steuerdiode (Q5) mit der Basis des ersten Stromquellentransistors (GA),
g. einen dritten Widerstand (R1) und einen damit im wesentlichen gleichen vierten Widerstand (R2), die zwischen
die Basis des ersten bzw. zweiten Transistors (Q1 bzw. Q2)
und den dritten Spannungsquellenanschluß (VR) geschaltet sind,
h. einen Eingangssignalanschluß (VI), der mit der Basis des ersten Transistors (Q1) verbunden ist,
i. Mittel zum Verbinden des Kollektors des ersten Transistors mit dem zweiten Spannungsquellenanschluß (V+),
j. eine zweite Steuerdiode (Q6), die zwischen den Kollektor
des zweiten Transistors (Q2) und den zweiten Spannungsquellenanschluß (V+) geschaltet ist,
k. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einem Emitter, einer
Basis und einem Kollektor,
1. einen Ausgangslastwiderstand (RL), der in Reihe mit dem Emitter und dem Kollektor des Ausgangstransistors (Q3)
zwischen den ersten und den zweiten Spannungsquellenanschluß (10 und V+) geschaltet ist, und
m. Mittel zum Verbinden der Basis des Ausgangstransistors (Q3) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2).
11. Verstärkeranordnung,
gekennzeichnet durch:
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Anschluß (10 und V+)
für eine nicht geregelte Spannungsquelle sowie einen dritten und einen vierten Anschluß (VR und 10) für eine geregelte
Spannungsquelle,
b. eine erste Steuerdiode (Q5), die zwischen den dritten
und den vierten Spannungsquellenanschluß (VR und 10) geschaltet ist,
c. eine Vielzahl einzelner Verstärkerschaltungen, von denen sich jede auszeichnet durch:
030Q40/Q7t)4
3010.U5
1. einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1 und
Q2) mit jeweils einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
2. einen ersten Stromquellentransistor (0.4) mit einem
Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
3. Mittel (R3) zum Verbinden des Emitters und des Kollektors des ersten Stromquellentransistors (Q4)
zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) einerseits und den ersten Spannungs
quellenanschluß (10),
4. Mittel zum Verbinden der Basis des ersten Stromquellentransistors
(Q4) mit der ersten Steuerdiode (05).
5. Mittel (R1, R2) zum Verbinden der Basis des ersten
und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) mit dem dritten
Spannungsquellenanschluß (VR),
6. einen EingangsSignalanschluß (VI), der mit der Basis
des ersten Transistors (Q1) verbunden ist,
7. Mittel zum Verbinden des Kollektors des ersten Transistors (Q1) mit dem zweiten Spannungsquellenanschluß
(V+),
8. eine zweite Steuerdiode (Q6), die zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und den zweiten
Spannungsquellenanschluß (V+) geschaltet ist,
9. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einem Emitter,
einer Basis und einem Kollektor,
10. Mittel einschließlich eines Lastwiderstands (RL), über den der Emitter und der Kollektor des Ausgangstransistors
(Q3) zwischen den- ersten und den zweiten Spannungsquellenanschluß (10 und V+) geschaltet ist, und
11. Mittel zum Verbinden der Basis des Ausgangstransistors (Q3) mit dem Kollektor des zweiten Transistors
(Q2), und - -
d. Mittel zum Verbinden der Ausgangslast (RL) jeder einzelnen Verstärkerschaltung mit dem Eingangssignalanschluß
(Vl) der nachfolgenden Verstärkerschaltung.
030040/0704
3010H5
12. Verstärkeranordnung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (Q1 und Q2) jeder
einzelnen Verstärkerschaltung einen Differentialverstärker bilden, der einen ersten Strom führt, und daß der Ausgangstransistor
(Q3) jeder einzelnen Verstärkerschaltung einen zweiten Strom führt, der etwa gleich dem halben ersten
Strom ist.
13. Verstärkeranordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet,
daß jede der Ausgangslasten (RL) betragsmäßig so ausgewählt ist, daß bei Abwesenheit eines Signals am Eingangssignalanschluß
(VI) eine vorbestimmte Ausgangsspannung auftritt.
030040/0704
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/021,850 US4262261A (en) | 1979-03-19 | 1979-03-19 | Amplifier circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3010145A1 true DE3010145A1 (de) | 1980-10-02 |
Family
ID=21806501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803010145 Withdrawn DE3010145A1 (de) | 1979-03-19 | 1980-03-15 | Verstaerkerschaltung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4262261A (de) |
JP (1) | JPS55133111A (de) |
DE (1) | DE3010145A1 (de) |
FR (1) | FR2452202A1 (de) |
GB (1) | GB2046545B (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3134936A1 (de) * | 1981-09-03 | 1983-03-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierbare signalverarbeitende halbleiterschaltung |
GB2158665B (en) * | 1984-05-11 | 1988-07-27 | Stc Plc | Voltage follower |
US5001439A (en) * | 1989-06-19 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Very low distortion amplifier |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1762924B1 (de) * | 1968-09-24 | 1970-09-03 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer einen Fernsprechmikrofonverstaerker mit verstaerkerausgangsseitiger Speisung |
US3914684A (en) * | 1973-10-05 | 1975-10-21 | Rca Corp | Current proportioning circuit |
-
1979
- 1979-03-19 US US06/021,850 patent/US4262261A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-02-13 GB GB8004806A patent/GB2046545B/en not_active Expired
- 1980-03-15 DE DE19803010145 patent/DE3010145A1/de not_active Withdrawn
- 1980-03-17 JP JP3281280A patent/JPS55133111A/ja active Pending
- 1980-03-19 FR FR8006122A patent/FR2452202A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55133111A (en) | 1980-10-16 |
GB2046545B (en) | 1983-11-09 |
US4262261A (en) | 1981-04-14 |
GB2046545A (en) | 1980-11-12 |
FR2452202A1 (fr) | 1980-10-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |