DE3010145A1 - Verstaerkerschaltung - Google Patents

Verstaerkerschaltung

Info

Publication number
DE3010145A1
DE3010145A1 DE19803010145 DE3010145A DE3010145A1 DE 3010145 A1 DE3010145 A1 DE 3010145A1 DE 19803010145 DE19803010145 DE 19803010145 DE 3010145 A DE3010145 A DE 3010145A DE 3010145 A1 DE3010145 A1 DE 3010145A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
voltage source
collector
base
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19803010145
Other languages
English (en)
Inventor
James Howard Gibson
Edwin Carlton Lafferty
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE3010145A1 publication Critical patent/DE3010145A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45476Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a mirror circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45496Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more extra resistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45544Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45596Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more biasing resistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45631Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45652Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more further dif amp stages, either identical to the dif amp or not, in cascade
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45656Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one diode of a current mirror, i.e. forming an asymmetrical load

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

-8- 3010H5
GENERAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady, N.Y. VStA
Verstärkerschaltung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung und befaßt sich insbesondere mit einer Verstärkerschaltung, die in Kaskade geschaltet werden kann, um einen hohen Verstärkungsgrad oder Verstärkungsfaktor vorzusehen, und die mit einer relativ niedrigen Speisespannung arbeitet und trotz Schwankungen dieser Speisespannung einen relativ konstanten Verstärkungsfaktor bereitstellt sowie einen symmetrischen Betrieb vorsieht, und zwar trotz Schwankungen in der Speisespannung oder in der Temperatur.
Bei batteriegespeisten Rundfunkempfängern oder elektronischen Geräten besteht eine Tendenz in Richtung auf kleinere Schaltungen mit verbesserten oder einer größeren Anzahl von Funktionen, und gleichzeitig sollen die Anforderungen an den Verbrauch der von der Batterie bereitgestellten Energie geringer sein.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Verstärker zu schaffen, der trotz geringer Stromentnahme eine gute Verstärkung bei Amplituden- und symmetrischen Begrenzungscharakteristiken aufweist, die im wesentlichen unabhängig von der Speisespannung sind, und der zur Ausbildung in integrierter Schaltungstechnik geeignet ist sowie in eine Kaskadenverstärkeranordnung einbezogen werden kann.
Der nach der Erfindung ausgebildete Verstärker arbeitet mit Strömen in der Größenordnung von 75/UA und arbeitet bei Spannungen bis hinunter zu 1,1 V stabil. Ferner ist er geeignet, um in Kaskade oder Reihe geschaltet zu werden, wobei jede der in Kaskade geschalteten Verstärkerschaltun-
030040/0704
3010U5
gen einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, die als Differentialverstärker geschaltet sind. Die Transistorbasen sind an eine geregelte Spannung angeschlossen. Die Transistoren sind mit einer Stromquelle ausgewählter Größe versehen. Die Eingangssignale werden dem ersten Transistor zugeführt. Eine Stromquelle und ein dritter Transistor sind mit dem zweiten Transistor so verbunden, daß der Ausgangsstrom durch den dritten Transistor etwa gleich der Hälfte des Gesamtstromes durch den Differential- oder Differenzenverstärker ist. Der Ausgangsstrom wird einem Verbraucher oder einer Last zugeführt, die so gewählt ist, daß die Mittenpunktsausgangsspannung einen gewünschten Pegel hat. Signale, die von der Ausgangslast abgeleitet werden, sind symmetrisch und unabhängig von der Temperatur, wobei die geregelte Versorgung so temperaturkompensiert ist, daß sie den Stromquellen angepaßt ist.
Zusammenfassend wird somit nach der Erfindung ein Verstärker mit zwei Transistoren geschaffen, die als Differentialverstärker geschaltet sind, der eine Emitterstromquelle hat. Die Eingangssignale werden dem einen Transistor zugeführt, und die Ausgangssignale werden am anderen Transistor abgenommen. Diese Ausgangssignale werden an einen Ausgangstransistor gelegt, der ebenfalls als Stromquelle geschaltet ist, und zwar in einer solchen Weise, daß er eine halbe Emitterstromquelle des Differentialverstärkers bildet. Auf diese Weise liefert der Ausgangstransistor im stationären Zustand eine Ausgangsspannung, die auf einen gewünschten Pegel eingestellt werden kann und eine symmetrische Begrenzung vorsieht.
Der Aufbau und die Wirkungsweise einer nach der Erfindung ausgebildeten Verstärkerschaltung soll im folgenden an Hand von Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
030040/0704
3010U5"
Fig . 1A und 1B ein bevorzugtes Schaltbild von in Reihe oder in Kaskade geschalteten Verstärkern gemäß der Erfindung und
Fig. 2 Spannungspegel, die in jedem der Verstärker nach den Fig. 1A und 1B auftreten und zur Erläuterung der erfindungsgemäßen Schaltung dienen.
Die Fig. 1A und 1B sind zusammen zu betrachten, wobei sich die rechte Seite der Fig. 1A an die linke Seite der Fig. 1B anschließt. Man kann dann eine Verstärkerschaltung mit insgesamt vier in Kaskade oder Reihe geschalteten Verstärkern erkennen. Die einzelnen Verstärker können für sich oder in Verbindung mit einer beliebigen Anzahl weiterer Verstärker verwendet werden, um einen gewünschten Verstärkungsgrad zu erzielen, wie es beispielsweise bei einem Zwischenfrequenzverstärker in einem Rundfunkempfänger der Fall ist. Jeder der gezeigten Verstärker enthält' zwei NPN-Transistoren Q1 und Q2, deren Emitter miteinander nach Art einer Differentialverstärkeranordnung verbunden sind. Die Basen der Transistoren Q1 und Q2 sind über zugeordnete, gleich große Widerstände R1 und R2 an eine geregelte Spannungsquelle mit einer geregelten Spannung VR angeschlossen, die in bezug auf ein an einem Anschluß 10 anliegenden Referenzpotential oder Masse positiv ist. Wie später noch erläutert wird, ist die geregelte Spannungsquelle bzw. die geregelte Spannung VR vorzugsweise in bezug auf die Temperatur so kompensiert, daß sie den Kenngrößen oder Eigenschaften eines NPN-Transistors Q5 angepaßt ist, der bei vorhandener Kurzschlußverbindung zwischen seinem Kollektor und seiner Basis als Steuer- oder Kontrolldiode dient. Die Basis des Transistors-Q2 ist über einen Kondensator C2 wechselstrommäßig mit dem Referenzpotential bzw. Masse verbunden. Die Emitter der Transistoren Q1 und Q2 sind an den Kollektor eines Stromquellen-NPN-Transistors Q4 angeschlossen. Die Basis des Transistors Q4 ist mit dem KoI-
030040/0704
3010U5
lektor des Steuerdiodentransistors Q5 verbunden. Zwei der Transistoren Q4, beispielsweise in den dargestellten Verstärkern 1 und 2, können mit einem Steuerdiodentransistor 05 verbunden sein. Falls ein Kurzschluß- oder Nebenschlußkondensator zwischen die Basen aller Transistoren Q4 einerseits und dem Massenanschluß 10 andererseits geschaltet ist, kann ein einziger Steuerdiodentransistor 05 vier Transistoren 04 bedienen. Es ist erwünscht, daß der Transistor 05 die gleichen Kenngrößen oder Eigenschaften (vorzugsweise angepaßt) wie der Transistor Q4 hat. Der Emitter des Transistors 05 ist über einen Widerstand R4 mit dem Massenanschluß 10 verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors 05 sind gemeinsam über einen Widerstand R5 an die geregelte Spannungsquelle mit der geregelten Spannung VR angeschlossen.
Der Kollektor des Transistors Q1 führt zu einer Spannungsquelle mit einer Spannung V+, die größer als die geregelte Spannung VR. ist. Der Kollektor des Transistors 02 ist in der gezeigten Weise über einen PNP-Transistor 06 an die Spannungsquelle mit der Spannung V+ angeschlossen. Der Kollektor und die Basis des Transistors Q6 sind miteinander verbunden, um eine Kontroll- oder Steuerdiode zu bilden. Der Kollektor (oder die Kathode) der gebildeten Diode ist mit der Basis eines PNP-Ausgangstransistors 03 verbunden, der eine Stromquelle mit den gleichen Kenngrößen oder Eigenschaften wie der Steuerdiodentransistor bildet. Der Emitter des Transistors 03 ist an die Spannungsquelle mit der Spannung V+ angeschlossen, und der Kollektor des Transistors 03 ist über einen ausgangsseitigen Verbraucher- oder Lastwiderstand RL mit dem Massenanschluß 10 verbunden. Der Basis des Transistors Q1 werden Eingangssignale vorzugsweise über einen Trennkondensator C1 zugeführt. Vom Kollektor des Transistors 03 werden Ausgangssignale ebenfalls vorzugsweise über einen Trennkondensator abgenommen.
030040/0704
-12- 3010U5-
Bei dem betrachteten besonderen Anwendungsfall der Verstärkerschaltung nach den Fig. 1A und 1B wurde unterstellt, daß die Speisespannung V+ zwischen 1,5 und 1,1 V schwankt. Die geregelte Spannung VR betrug 900 mV mit einem Temperaturkoeffizienten von -2 mV/ C. Für eine geeignete Betriebsweise muß die geregelte Spannung VR wenigstens 900 mV oberhalb des Masseanschlusses 10 liegen. Die Widerstände R3 und R4 betrugen jeweils 500 Xl . Der Widerstand R5 war so eingestellt (oder im Falle einer Schaltungsplatte oder integrierten Schaltung getrimmt), daß durch den Steuerdiodentransistor Q5 ein Strom von 50 floß. Da der stromliefernde Transistor 0.4 dem Transistor Q5 angepaßt ist, der als Steuerdiode geschaltet ist, betrug der Kollektorstrom 11 durch den Transistor QA ebenfalls 50/uA. Die Widerstände R3 und R4 dienen als Stromstabilisatoren und verbessern somit die Anpassung zwischen der gewünschten und tatsächlichen Stromquelle bzw. der SoIl- und Jststromquelle. Der Gesamtstrom 11 von 50/uA durch die Differentialverstärkertransistoren Q1 und Q2 wird in Abwesenheit eines Eingangssignals gleichmäßig aufgeteilt. Die eine Hälfte dieses Stroms fließt somit durch den als Diode geschalteten Transistor 0.6, und der Ausgangstransi stör Q3 liefert einen Strom, der gleich dem Strom durch den Diodentransistor Q6 ist. Mit diesem ausgewählten Ausgangsstrom liefert der Lastwiderstand RL die gewünschte Mittenpunkt-Ausgangs spannung, die vorzugsweise 500 mV betrug. Diese im stationären Zustand auftretende Mittenpunkt-Ausgangsspannung ist im wesentlichen unabhängig von der Speisespannung V+ oder von der Temperatur, so daß die Ausgangsgröße virtuell unabhängig von der Speisespannung und der Temperatur ist, und für eine symmetrische Begrenzung Sorge getragen ist.
Die im stationären Zustand auftretenden Gleichspannungen sind unter Bezugnahme auf die in den Fig. 1A und 1B verwendeten Bezeichnungen in der Fig. 2 dargestellt. Die Spannung am Masseanschluß 10 ist mit VG, die Spannung am
030040/0704
-13- 3010H5
Emitter des Transistors Q4 mit V1, die .Spannung an den Emittern der Transistoren Q1 und Q2 mit V2, die Spannung am Kollektor des Transistors Q2 und an der Basis des Transistors 03 mit V3 und die Spannung am Kollektor des Ausgangstransistors Q3 mit VO bezeichnet. Die Spannung V1 beträgt 25 mV für einen Strom 11 von 50/uA durch den 500- fl-Widerstand R3. Die Spannung V2 ist die geregelte Spannung VR von 900 mV abzüglich einem Spannungsabfall von etwa 10 mV am Widerstand R1 und einem Spannungsabfall von etwa 650 mV zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q1. Die Spannung V2 beträgt somit 240 mV. Die Spannung V3 entspricht der Speisespannung V+ von 1,5 bis 1,1 V abzüglich der Emitter-Basis-Spannung am Transistor Q6 von 650 mV. Die Spannung V3 beträgt daher 850 bis 450 mV. Die Ausgangsspannung VO, die geregelte Spannung VR und die Speisespannung V+ sind ebenfalls in der Fig. 2 dargestellt.
Beim Anlegen von Wechselstromsignalen an den Eingang des Verstärkers ist die Verstärkung eine Funktion des Lastwiderstands RL und des Emitterstrompegels der Differentialverstärkertransistoren Q1 und Q2. Bei einem Eingangssignal VI an der Basis des Transistors Q1 erscheint ein Signal VI/2 an den Emittern der Transistoren Q1 und 02. Die Verstärkung vom Emitter des Transistors 02 zu seinem Kollektor ist 1, da die Last oder der Verbraucher für den Transistor Q2 der als Diode geschaltete Transistor 03 ist, der beim gleichen Strompegel wie der Transistor 02 betrieben wird. Die Spannung am Kollektor des Transistors Q2 beträgt daher VI/2, und diese Spannung wird der Basis des Transistors Q3 zugeführt. Die dynamische Emitterresistanz ist bekanntlich gleich 26 geteilt durch den Emitterstrom in Milliampere. Der Emitterstrom des Transistors 03 ist die Hälfte des Differentialverstärkerstromes 11 durch den Transistor Q4. Der Verstärkungs-
030040/0704
grad des Verstärkers ist daher etwa gleich dem Ausgangswiderstand RL geteilt durch das Zweifache der dynamischen Emitterresistanz des Transistors Q3. Wie bereits oben erwähnt, wird es bevorzugt, daß die Ausgangsspannung VO symmetrisch ist. Für den Differentialverstärkerstrom 11 von 50/uA beträgt der Ausgangsstrom 12 gleich 25/uA. Bei einer um die Spannung von 500 mV symmetrischen Ausgangsspannung muß der Lastwiderstand RL gleich 500 mV geteilt durch 25 / oder 20000 Xl betragen. Die dynamische Emitterresistanz für einen Strom von 25/uA ist gleich 26 geteilt durch 0,025 oder etwa 1040 -ÖL . Der Verstärkungsgrad von einem Verstärker beträgt dann 20000 geteilt durch 1040 oder theoretisch 19,2 dB. Es entsteht allerdings ein zusätzlicher Verlust angesichts des niedrigen Beta, das dem lateralen PNP-Transistor Q3 eigen ist, so daß man mit einem realistischen Verstärkungsgrad von 18 dB rechnen kann. Bei vier Verstärkern beträgt der Verstärkungsfaktor oder Verstärkungsgrad etwa 75 dB. Die Bandbreite bei diesem Strompegel ist etwa 400 kHz. Die Bandbreite nimmt mit wachsendem Strompegel zu. Die Bandbreite kann dadurch herabgesetzt werden, daß ein Kondensator dem Lastwiderstand RL parallelgeschaltet wird. Das Niederfrequenzverhalten kann durch den Kondensator C1 gesteuert werden.
Beim Anlegen eines relativ großen Signals an den Eingang wird der Transistor Q1 vollständig ein- und ausgeschaltet, so daß der Differentialverstärkerstrom durch den Transistor Q1 zwischen 50/UA und Null schwankt. Umgekehrt schwankt der Strom durch den Transistor Q2 zwischen 0 und 50/uA. Der Strom 12 im Lastwiderstand RL ändert sich ebenfalls zwischen 0 und 50yuA (was zu einem Mittenpunktstrom von 25/UA führt). Bei einem Lastwiderstand von 20000 D. schwingt die Ausgangsspannung zwischen 0 und 1 V und ist unabhängig von der Speisespannung V+. Während ein Bereich von 1,1 bis 1,5 V für die Speisespannung erwähnt worden ist, käme es bei einer Speisespannung V+ von 10 V und bei
030040/0704
-15- 3010U5
Beibehaltung der oben angegebenen Werte ebenfalls zu einer auf 1 V begrenzten Ausgangsspannung, da die Ausgangsspannung im wesentlichen unabhängig von der Größe der Speisespannung V+ ist. Den Verstärkungsgrad kann man bei einer höheren Speisespannung V+' durch Anheben des Betrages des' Lastwiderstands RL erhöhen. Der beschriebene Verstärker liefert somit unabhängig vom Eingangspegel, von Schwankungen in der Speisespannung V+ und von der Temperatur eine extrem symmetrische Begrenzung.
Vorstehend wurde nur ein einziges Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. Der Fachmann wird erkennen, daß zahlreiche Abwandlungen und Modifikationen gegenüber diesem Ausführungsbeispiel vorgenommen werden können, ohne den erfindungsgemäßen Rahmen zu sprengen. Der im stationären Zustand symmetrische Punkt der Ausgangsspannung kann beispielsweise auf irgendeinen Betrag festgesetzt werden, in dem die Größe des Lastwiderstands RL eingestellt wird. Die Basen der Transistoren Q2 können miteinander verbunden und über einen einzigen Widerstand an die geregelte Spannung VR sowie über einen einzigen Kondensator an den Masseanschluß 10 angeschlossen werden. Bei einer solchen Änderung wird der einzige Widerstand herabgesetzt, um für den Strom in der Parallelanordnung eine Kompensation vorzusehen. Der Kondensator kann unabhängig davon, ob er für einen oder mehrere Verstärker verwendet wird, die gleiche Größe haben. Die Ströme 11 und 12 können wunschgemäß ausgewählt werden, obgleich der Strom 12 im stationären Zustand vorzugsweise die Hälfte des Stromes 11 im stationären Zustand beträgt. Ferner kann der Verstärker mit unterschiedlichen Spannungen, unterschiedlichen Eingangssignalpegeln und unterschiedlichen Arten von Festkörperbauelementen betrieben werden. Der Verstärker kann in vielen verschiedenen Formen realisiert werden, einschließlich unter Verwendung von Einzelbauelementen oder integrierten Schaltungen. Obgleich die Erfindung an Hand eines besonderen Ausführungsbeispiels
030040/0704
beschrieben wurde, soll somit dieses Ausführungsbeispiel keine Beschränkung darstellen.
030040/0704

Claims (13)

Patentanwälte : — Reichelu-Reichel : : 6 Frankfurt a. M. 1 " 2599. Parksiraße 13 GENERAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady, N.Y., VStA Patentansprüche^
1. Verstärkerschaltung,
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1 und Q2), von denen Jeder eine erste und eine zweite Strombahnelektrode sowie eine Steuerelektrode aufweist,
b. eine Eingangseinrichtung (Vl) zum Anlegen eines Eingangssignals an die Steuerelektrode des ersten Transistors
(QD,
c. erste Mittel zum Verbinden der ersten Strombahnelektrode des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) über eine erste Stromquellenschaltung (Q4, Q5) mit einem ersten nicht geregelten Spannungsquellenanschluß (10),
d. zweite Mittel (R1, R2) zum Verbinden der Steuerelektrode des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) mit einem geregelten Spannungsanschluß (VR),
e. dritte Mittel zum Verbinden der zweiten Strombahnelektrode des ersten Transistors (Q1) mit einem zweiten nicht geregelten Spannungsquellenanschluß (V+),
f. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einer ersten und einer zweiten Strombahnelektrode sowie einer Steuerelektrode,
g. vierte Mittel zum Verbinden der ersten und der zweiten Strombahnelektrode des Ausgangstransistors (03) zwischen den ersten und den zweiten nicht geregelten Spannungsquellenanschluß (10 und V+),
h. fünfte Mittel (0.6) zum Verbinden des zweiten nicht geregelten Spannungsquellenanschlusses (V+) mit der zweiten Strombahnelektrode des zweiten Transistors (Q2) und mit der Steuerelektrode des Ausgangstransistors (03), um den Ausgangstransistor zu veranlassen, als eine zweite Stromquelle zu wirken, und
i. eine Ausgangseinrichtung (RL), die mit den Strombahnelektroden des Ausgangstransistors (Q3) in Reihe geschaltet ist.
030040/0704
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangseinrichtung einen Widerstand (RL) ausgewählter Größe aufweist, um bei Abwesenheit eines Signals an der Eingangseinrichtung eine Ausgangsspannung mit einem vorbestimmten Betrag vorzusehen.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquellenschaltung einander angepaßte Festkörper-Bauelemente (Q4 und Q5) aufweist und daß die fünften Mittel ein Festkörper-Bauelement (Q6) enthalten, das dem Ausgangstransistor (Q3) angepaßt ist.
4. Verstärkerschaltung,
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Anschluß (10 und V+) für eine nicht geregelte Spannungsquelle sowie einen dritten und einen vierten Anschluß (VR und 10) für eine geregelte Spannungsquelle,
b. einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1 und Q2) mit jeweils einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
c. einen ersten Stromquellentransistor (Q4) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
d. Mittel zum Verbinden des Emitters und des Kollektors des ersten Stromquellentransistors (Q4) zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) einerseits und den ersten Spannungsquellenanschluß (10) andererseits,
e. eine erste Steuerdiode (05), die zwischen den dritten und den vierten Spannungsquellenanschluß (VR und 10) geschaltet ist,
f. Mittel zum Verbinden der ersten Steuerdiode (Q5) mit der Basis des ersten Stromquellentransistors (0.4),
g. Mittel (R1 und R2) zum Verbinden der Basis des ersten und der Basis des zweiten Transistors (Q1 und Q2) mit dem dritten Spannungsquellenanschluß (VR),
030040/0704
h. einen Eingangssignalanschluß (VI), der mit der Basis des ersten Transistors (Q1) verbunden ist,
i. Mittel zum Verbinden des Kollektors des ersten Transistors (Q1) mit dem zweiten Spannungsquellenanschluß (V+),
j. eine zweite Steuerdiode (Q6), die zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und den zweiten Spannungsquellenanschluß (V+) geschaltet ist,
k. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
1. Mittel einschließlich einer Ausgangslast (RL), über die der Emitter und der Kollektor des Ausgangstransistors (Q3) zwischen den ersten und den zweiten Spannungsquellenanschluß (10 unf V+) geschaltet ist, und
m. Mittel zum Verbinden der Basis des Ausgangstransistors (Q3) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2).
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (Q1 und Q2) einen Differentialverstärker bilden, der einen ersten Strom führt, und daß der Ausgangstransistor (Q3) einen zweiten Strom führt, der etwa gleich dem halben Wert des ersten Stromes ist.
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4 oder 5, gekennzeichnet durch Mittel zum Verbinden des ersten Spannungsquellenanschlusses (10) mit dem vierten Spannungsquellenanschluß (10).
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangslast (RL) betragsmäßig so gewählt ist, daß bei Abwesenheit eines Signals am EingangsSignalanschluß (Vl) eine vorbestimmte Ausgangsspannung auftritt.
030040/0704
3010U5
8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Stromquellentransistor (Q4) und die erste Steuerdiode (Q5) einander angepaßte Charakteristiken haben und daß der Ausgangstransistor (Q3) und die zweite Steuerdiode (Q6) ebenfalls einander angepaßte Charakteristiken haben.
9. Verstärkerschaltung nach Anspruch 7,· dadurch gekennzeichnet, daß der erste Stromquellentransistor (0.4) und die erste Steuerdiode (Q5) einander angepaßte Charakteristiken haben und daß der Ausgangstransistor (03) und die zweite Steuerdiode (Go) ebenfalls einander angepaßte Charakteristiken haben.
10. Verstärkerschaltung,
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Anschluß (10 und V+) für eine nicht geregelte Spannungsquelle sowie einen dritten und einen vierten Anschluß (VR und 10) für eine geregelte Spannungsquelle,
b. einen ersten und einen im wesentlichen gleichen zweiten Transistor (Q1 und Q2) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
c. einen ersten Stromquellentransistor (Q4) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
d. einen ersten Widerstand (R3), der in Reihe mit dem Emitter und Kollektor des ersten-Stromquellentransistors (q4) zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) einerseits und den ersten Spannungsquellenanschluß (10) geschaltet ist,
e. eine erste Steuerdiode (Q5) und einen zweiten Widerstand (R4), der zusammen mit der-ersten Steuerdiode in Reihe zwischen den dritten und vierten Spannungsquellenanschluß (VR und 10) geschaltet ist, wobei der zweite Widerstand (r4) etwa gleich dem ersten Widerstand (R3) ist,
030040/0704
3010H5
f. Mittel zum Verbinden der ersten Steuerdiode (Q5) mit der Basis des ersten Stromquellentransistors (GA),
g. einen dritten Widerstand (R1) und einen damit im wesentlichen gleichen vierten Widerstand (R2), die zwischen die Basis des ersten bzw. zweiten Transistors (Q1 bzw. Q2) und den dritten Spannungsquellenanschluß (VR) geschaltet sind,
h. einen Eingangssignalanschluß (VI), der mit der Basis des ersten Transistors (Q1) verbunden ist,
i. Mittel zum Verbinden des Kollektors des ersten Transistors mit dem zweiten Spannungsquellenanschluß (V+),
j. eine zweite Steuerdiode (Q6), die zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und den zweiten Spannungsquellenanschluß (V+) geschaltet ist,
k. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
1. einen Ausgangslastwiderstand (RL), der in Reihe mit dem Emitter und dem Kollektor des Ausgangstransistors (Q3) zwischen den ersten und den zweiten Spannungsquellenanschluß (10 und V+) geschaltet ist, und
m. Mittel zum Verbinden der Basis des Ausgangstransistors (Q3) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2).
11. Verstärkeranordnung,
gekennzeichnet durch:
a. einen ersten und einen zweiten Anschluß (10 und V+) für eine nicht geregelte Spannungsquelle sowie einen dritten und einen vierten Anschluß (VR und 10) für eine geregelte Spannungsquelle,
b. eine erste Steuerdiode (Q5), die zwischen den dritten und den vierten Spannungsquellenanschluß (VR und 10) geschaltet ist,
c. eine Vielzahl einzelner Verstärkerschaltungen, von denen sich jede auszeichnet durch:
030Q40/Q7t)4
3010.U5
1. einen ersten und einen zweiten Transistor (Q1 und Q2) mit jeweils einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
2. einen ersten Stromquellentransistor (0.4) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
3. Mittel (R3) zum Verbinden des Emitters und des Kollektors des ersten Stromquellentransistors (Q4) zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) einerseits und den ersten Spannungs quellenanschluß (10),
4. Mittel zum Verbinden der Basis des ersten Stromquellentransistors (Q4) mit der ersten Steuerdiode (05).
5. Mittel (R1, R2) zum Verbinden der Basis des ersten und des zweiten Transistors (Q1 und Q2) mit dem dritten Spannungsquellenanschluß (VR),
6. einen EingangsSignalanschluß (VI), der mit der Basis des ersten Transistors (Q1) verbunden ist,
7. Mittel zum Verbinden des Kollektors des ersten Transistors (Q1) mit dem zweiten Spannungsquellenanschluß (V+),
8. eine zweite Steuerdiode (Q6), die zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (Q2) und den zweiten Spannungsquellenanschluß (V+) geschaltet ist,
9. einen Ausgangstransistor (Q3) mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
10. Mittel einschließlich eines Lastwiderstands (RL), über den der Emitter und der Kollektor des Ausgangstransistors (Q3) zwischen den- ersten und den zweiten Spannungsquellenanschluß (10 und V+) geschaltet ist, und
11. Mittel zum Verbinden der Basis des Ausgangstransistors (Q3) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2), und - -
d. Mittel zum Verbinden der Ausgangslast (RL) jeder einzelnen Verstärkerschaltung mit dem Eingangssignalanschluß (Vl) der nachfolgenden Verstärkerschaltung.
030040/0704
3010H5
12. Verstärkeranordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (Q1 und Q2) jeder einzelnen Verstärkerschaltung einen Differentialverstärker bilden, der einen ersten Strom führt, und daß der Ausgangstransistor (Q3) jeder einzelnen Verstärkerschaltung einen zweiten Strom führt, der etwa gleich dem halben ersten Strom ist.
13. Verstärkeranordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Ausgangslasten (RL) betragsmäßig so ausgewählt ist, daß bei Abwesenheit eines Signals am Eingangssignalanschluß (VI) eine vorbestimmte Ausgangsspannung auftritt.
030040/0704
DE19803010145 1979-03-19 1980-03-15 Verstaerkerschaltung Withdrawn DE3010145A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/021,850 US4262261A (en) 1979-03-19 1979-03-19 Amplifier circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3010145A1 true DE3010145A1 (de) 1980-10-02

Family

ID=21806501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803010145 Withdrawn DE3010145A1 (de) 1979-03-19 1980-03-15 Verstaerkerschaltung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4262261A (de)
JP (1) JPS55133111A (de)
DE (1) DE3010145A1 (de)
FR (1) FR2452202A1 (de)
GB (1) GB2046545B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3134936A1 (de) * 1981-09-03 1983-03-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierbare signalverarbeitende halbleiterschaltung
GB2158665B (en) * 1984-05-11 1988-07-27 Stc Plc Voltage follower
US5001439A (en) * 1989-06-19 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Very low distortion amplifier

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1762924B1 (de) * 1968-09-24 1970-09-03 Siemens Ag Schaltungsanordnung fuer einen Fernsprechmikrofonverstaerker mit verstaerkerausgangsseitiger Speisung
US3914684A (en) * 1973-10-05 1975-10-21 Rca Corp Current proportioning circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55133111A (en) 1980-10-16
GB2046545B (en) 1983-11-09
US4262261A (en) 1981-04-14
GB2046545A (en) 1980-11-12
FR2452202A1 (fr) 1980-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE927932C (de) Schaltung fuer einen sehr kleinen Transistor-Verstaerker
EP0107028A2 (de) Schaltungsanordnung mit einer Ausgangstransistorschaltung und einer Schutzschaltung zur Begrenzung des Ausgangsstroms der Ausgangstransistorschaltung
DE1096973B (de) Transistor-Regelanordnung zur Konstanthaltung der Spannung an einem Verbraucher
DE2207233C3 (de) Elektronischer Signalverstärker
DE2139560A1 (de) Festkörperverstärker
DE2265734C1 (de) Multiplizierschaltung
DE1588276A1 (de) Regeleinrichtung
DE68923334T2 (de) Stromschalterlogikschaltung mit gesteuerten Ausgangssignalpegeln.
DE2850487B2 (de) Transistorverstärker mit automatischer Verstärkungsregelung
DE3027071A1 (de) Transistorverstaerker mit zwei emittergekoppelten transisorpaaren
DE3853425T2 (de) Spannungsregelvorrichtung.
DE2905659B2 (de) Gegentakt-Verstärkerkreis
EP0106088B1 (de) Halbleiter-Verstärkerschaltung
DE3545392C2 (de)
DE2122768A1 (de) Spannungsregler fur negative Spannungen
EP0021085B1 (de) Monolithisch integrierbarer Transistorverstärker
DE2438276C3 (de) Temperaturunempfindlicher Transistor- Leistungsverstärker mit automatischer Vorspannungserzeugung für die Ausgangsstufe
DE3010145A1 (de) Verstaerkerschaltung
DE3125199C2 (de) Fernseh-Zwischenfrequenzverstärker
DE68925305T2 (de) Strombegrenzungsschaltung mit Einheitsverstärkung
DE3115051C2 (de) Spannungs/Strom-Wandlerschaltung
DE69410654T2 (de) Stromquelle
EP0696741B1 (de) Bipolare kaskadierbare Schaltungsanordnung zur Signalbegrenzung und Feldstärkedetektion
DE4430032C1 (de) Hysteresebehafteter Komparator in Bipolar-Technik
DE2702536A1 (de) Ab-verstaerker mit konstantem stromverbrauch

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee