DE3007090C2

DE3007090C2 - Lichtsteuerorgan für eine Faksimile-Schreibeinrichtung

Info

Publication number: DE3007090C2
Application number: DE19803007090
Authority: DE
Inventors: Reimund Dr.rer.nat. 7141 Schwieberdingen Dorn
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1980-02-26
Filing date: 1980-02-26
Publication date: 1983-06-09
Also published as: DE3007090A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Lichtsleuerorgan für eine Faksimile-Schreibeinrichtung aus einer streifenförmigen Platte oder Schicht aus piezoelektrischem Material mit planparallelen Flächen, bei dem auf einer Fläche eine durchgehende Elektrode und auf der gegenüberliegenden Fläche längs des Streifens eine Reihe von Elektroden angeordnet ist.

Ein solches Lichtsteuerorgan ist aus der DE-OS 22 473 bekannt.

Dieses bekannte Lichtsteuerorgan benutzt die Drehung der Polarisationsebene des Lichtes im piezoelek- frischen Material, wenn in diesem ein elektrisches Feld erzeugt wird. Deshalb müssen zusätzlich Polarisationsfilter vor und hinter dem Steuerorgan im Lichtweg angeordnet sein. Bei auf beiden Seiten des piezoelektrischen Materials angeordneten Elektroden muß das es Licht in die piezoelektrische Schicht zwischen den Elektrodenflächen parallel zu diesen eintreten. Solche Lichtsteuerorgane absorbieren infolge der Polarisationsfilter einen großen Teil des hindurchgehenden Lichtes und benötigen zur Ansteuerung Spannungen von mehreren hundert Volt

Aufgabe der Erfindung ist es, die bekannte Anordnung so zu verbessern, daß einerseits weniger Licht absorbiert wird, andererseits nur geringe Steuerspannungen zur Ansteuerung erforderlich sind.

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung können den Unteransprüchen entnommen werden.

Gemäß der Erfindung wird die bekannte Anordnung als Interferenzfilter aufgebaut, wobei die piezoelektrische Schicht die Abstandsschicht bildet, die Elektroden als Reflexionsschichten wirken und das Licht senkrecht zur Räche der Schichtanordnung einfällt

Eine solche Anordnung benötigt keine Polarisationsfilter und kommt mit Steuerspannungen von maximal 10 Volt aus.

Interferenzplatten sind z. B. unter dem Stichwort »Interferenz des Lichtes« im dtv-Lexikon der Physik, Deutscher Taschenbuchverlag, 1970, beschrieben. Eine planparallele Glasplatte ist z. B. mit teiltransparenten Metallschichten bedampft Eine andere Ausführungsform besteht darin, daß zwei nahezu planparallele Platten, deren einander zugewandte Seiten teiltransparent verspiegelt sind, in vorgegebenen gegenseitigen Abstand gehalten werden. In den letzten Jahren haben sich auch zunehmend Interferenzfilter durchgesetzt die aus auf ein Substrat aufgedampften teiltransparenten Metallschichten als Reflexionsschicht, dielektrischen Schichten als Abstandsschicht und weiteren teiltransparenten Metallschichten bestehen. Auch nur aus dielektrischen Schichten bestehende Interferenzfilter sind bekannt Interferenzfilter sind zu einen gekennzeichnet durch den Wellenlängenbereich, in dem sie verwendet werden können, und andererseits durch die Wellenlängenspanne, innerhalb derer sie Licht ungehindert hindurchlassen. Gute Interferenzfilier besitzen z. B. eine Halbwertsbreite von 11 nm itn Bereich von etwa 400 bis 1000 nm. Im Bereich des ultravioletten Lichtes wird häufig eine geringere Halbwertsbreite verlangt im Bereich des Infrarotlichtes ist jedoch eine größere Halbwertsbreite zulässig. Eine Halbwertsbreite von z. B. (O nm bei einer Wellenlänge von 500 nm sagt aus, daß Licht mit 495 oder 505 nm nur noch halb so gut durchgelassen wird, wie Licht von 500 nm. Die tausendstel Wertbreite bei einem Interferenzfilter mit einer Halbwertsbnoite von 11 nm ist etwa 38 nm. Das Ausmaß der Halbwertsbreite und damit auch der Tausendstelwertbreite ist über die Güte der teiltransparenten Reflexionsschicht festgelegt Die geringsten Halbwertsbreiten lassen sich durch dielektrische Vielfachschichtstrukturen erzielen.

Stoffe, die die an die Abstandsschicht gestellten Bedingungen erfüllen, sind z. B. Bleizirkonat-Titanat Kalium-Dihydrogen-Phosphat Triglyzin-Sulfat, Barium-Strontium-Niobat, Barium-Titanat, Seignettesalz. Zu den am besten untersuchten Materialien gehört Lanthan-dotiertes Bleizirkonat-Titanat Als Materialien für die Filme der Reflexionsschicht kommen all diejenigen Materialien und zur Aufbringung derselben alle diejenigen Verfahren in Frage, die schon von üblichen (nterferenzfiltern her bekannt sind. Neu dazu kommen dielektrische Materialien, die elektrisch leitfähig sind, wie z. B. Indiumzinnoxid.

Das Lichtsteuerorgan wird besonders vorteilhaft dadurch hergestellt, daß zunächst auf ein Substrat der

Film oder die Filmfalge der Reflexjonssehieht zumindest bereichsweise in einer Art und Weise, wie sie von der Herstellung bekannter Interferenzfilter her gängiger Stand der Technik ist, aufgebracht. Danach wird die Abstandsschicht abgeschieden, z, B, durch Aufdampfen, durch Sputtern oder durch Molekularstrahlepitaxie, also mit irgendeiner Methode, die für das Aufbringen dünner Schichten von Materialien mit Eigenschaften, wie sie an das Material der Abstandsschicht gestellt sind, bekannt sind. Abschließend wird der Film oder die Rlmfolge der zweiten Reflexionssehieht wieder wie bei bisherigen Interfereazfiltern üblich aufgebracht Ein solches Verfahren benutzt nur langjährig bekannte Technologien, wodurch sich erfindungsgemäße Interferenzfilter mit wohldefinierten Eigenschaften herstellen lassen.

Das Lichtsteuerorgan gemäß der Erfindung, das als Interferenzfilter aufgebaut ist, wird im folgenden anhand der Figuren näher erläutert Es zeigt

F i g. 1 schematische Ansicht des prinzipiellen Aufbaus und des Betriebs der erfindungsgemäßen Anordnung;

F i g. 2 perspektivische Ansicht des Lichtsteue Organs gemäß der Erfindung.

In F i g. 1 ist die Interferenzfilteranordnung prinzipiell dargestellt ohne z.B. auf dessen Befestigung oder Herstellung einzugehen. Mit 1 ist die Abstandsschicht und mit 2 sind die teiltransparenten Reflexionsschichten des Interferenzfilters bezeichnet Insoweit stimmt der Aufbau völlig mit dem Aufbau eines jeglichen bekannten Interferenzfilters überein. Der Unterschied besteht in der Materialauswahl und dem dadurch ermöglichten Ausnutzen physikalischer Effekte. Um dies näher zu veranschaulichen, werde ein übliches Interferenzfilter mit einer Dicke d und einem Brechungsindex π der Abstandsschicht betrachtet Bei senkrechtem Lichteinfall ist die Wellenlänge der maximalen Transmission dann gegeben durch (gemäß dem Lehrbuch Principles of Optics von Max Born und Emil Wolf, Pergamon Press 1975, Seite 3,4,7):

λ = 2 nd/(m - ΦΙή)

Bei Änderungen des Brechungsindexes π oder der Dicke d ergeben sich Wellenlängenänderungen Δλ der maximalen Transmission zu:

Δλ/λ = n(nd)/ndoder

Δλ = Δ(ηά) ■ λ/nd= const Afnd)

Aus dieser Gleichung ergibt sich, daß sich durch Änderung Δη des Brechunjpindexes oder Änderung Δd der Dicke der Abstandsschicht die Wellenlänge der maximalen T.-ansmission ändern läßt

Es gibt nun Materialien, bei denen sich der Brechungsindex des Materials der Schicht oder die Schichtdicke durch Anlegen elektrischer Spannungen ändern lassen. Als solches Material soll nun stellvertretend für viele, beispielshaft in der Einleitung genannte Materialien, Lanthan-dotiertes Bleizirkonat-Titanat, kurz PLZT genannt, betrachtet werden. Eine der üblichsten Zusammensetzungen ist die mit einem Zirkon- zu Titanverhältnis von 65 zu 35 und einer Lanthandotierung von 9%. Weitere Angaben beziehen sich auf ein derartiges Bleizirkonat-Titanat. Es werde nun zunächst ein PLZT-FiIm betrachtet, dessen tetragonale Achse senkrecht zur Filmerstreckungsebene stehe. Ohne ein zwischen den Flächen des Filmes angelegtes elektrisches FHd besitzt der PLZT-FiIm kubische Struktur. Bei Anlegen eines Feldes von etwa ΙΟ« V/m erfolgt ein Phasenübergang von kubisch nach tetragonal, der zu einer Änderung der Gitterkonstanten senkrecht zur Filmerstreckungsebene von etwa 4% führt

Diese Tatsache ist z. B. in dem Artikel von C, E, Land, P. D, Thaeher und G, H, Heartling in »Applied Solid State Science«, Volume 4, Academic Press 1974, auf Seite 152 beschrieben. Bei weiterer Felderhöhung verändert sich die Gitterkonstante quadratisch mit dem

ίο Feld, wie es auf Seite 164 des selben Artikels beschrieben ist Gemäß Formel (2) hat_ jedoch eine Änderung der Dicke um 4% auch eine Änderung der Wellenlänge der maximalen Transmission um 4% zur Folge. Bei einer Ausgangswellenlänge von λ = 500 nm

is wird also durch Anlegen des elektrischen Feldes und des dadurch bedingten Phasenüberganges die Wellenlänge der maximalen Transmission um 20 p,m verschoben. Einleitend wurde schon erwähnt daß bei guten Interferenzfiltern mit einer Halbwertsbreite von etwa llnm die 1000steI Breite kleiner 40 nm ist Dies bedeutet also, das ein Interferenzfilter, -welches mit dem vorangehend beschriebenen Effekt arbeitet, z.B. von maximaler Transimission bei 500 nm auf eine Transmission von nur noch einem lOOCstel schaltet wenn eine elektrische Spannung von etwa 10⁶ V/m angelegt wird. Um abschätzen zu können, welcher effektiv anzulegenden Spannung eine Feldstärke von etwa 10⁶VZm entspricht werden nun die in Frage kommenden Schichtdicken der Abstandsschicht 1 abgeschätzt Diese

jo Abschätzung ergibt sich auf einfache Art und Weise aus Formel (1). Es soll dabei der Phasensprung Φ vernachlässigt werden. Dann ergibt sich aus (1):

d = Xm/2n

Die Interferenzordnung m sei beispielsweise zwei, die Transmissionswellenlänge λ = 500 nm und der Brechungsindex π = 2,5. Dieser Brechungsindex für PLZT-Filme ist z. B. der Fig. 2 des Artikels von M. Ishida, H. Matsunami und T. Tanaka in »Applied Physics Letters«, VoI. 31 (1977) Seite 433 entnehmbar. Mit den angegebenen Werten ergibt sich eine Filmdicke d von 200 nm. Bei üblichen Lichtquellen kurzer Kohärenzlänge ist es üblich, in zweiter bis vierter Interferenzordnung zu arbeiten. Im angegebenen Beispiel wären damit die Schichtdicken d = 200 nm, 300 nm, 400 pm. Bei Verwendung von Lasern mit sehr großer Kohärenzlänge ist es jedoch möglich auch mit sehr hohen Interferenzordnungen zu arbeiten, so daß um Größenordnungen höhere Schichtdicken, z. B. 200 μηι ermöglicht sind. In letzterem Fall muß die Abstandsschicht aus dem Material, dessen Bredmngsindezes oder dessen geometrische Abmessungen durch elektrische Spannungen beeinflußbar sind nicht mehr unbedingt als Film voriiegen, sondern es kann auch z. B. von einem keramischen Sintersubstrat ausgegangen werden, das auf die entsprechende Schichtdicke poliert wird.

Aus der oben angegebenen Feldstärke von 10⁶ V/m und der Filmdicke d von z. B. 400 nm ergibt sich, daß die anzulegende Spannung nur 0,4 V beträgt, um das Interferenzfilter von völliger Durchlässigkeit auf praktisch völligen Spei'rzustand zu steuern. Bisher bekannte Schalter, die unter Ausnutzung der Polarisationsei'fekte ferroelektrischer Materialien arbeiten, benötigen dagegen einige hundert bis zu tausend Volt um ebenfalls

to einen Lichtfluß von drrchgelassen auf nahezu gesperrt zu schalten.

Die bisherige Ausführungsform ging von einem PLZT-FiIm aus, dessen tetragonale Achse senkrecht zur

Filmebene stand. Bei dieser Anordnung trat nur eine Änderung der Schichtdicke aber keine Änderung des Brechungsindexes beim Anlegen des elektrischen Feldes auf. Es soll nun ein PLZT-FiIm betrachtet werden, der nicht einkristallin, sondern polykristallin mit > Körnern und/oder Domänen mit beliebiger Ausrichtung hergestellt ist. Die Ausrichtung der Kristallachsen der einzelnen Domänen weise eine statistische Ausrichtung auf, so daß das Material makroskopisch istrop ist. Wie aus dem schon erwähnten Artikel von Land und in Mitarbeitern, Seite 156 hervorgeht, erfahren beim Anlegen eines elektrischen Feldes sämtliche Komponenten des Brechungsindexes eine Änderung, die in der Größenordnung der Doppelbrechung Δ~η liegt. Die Feldabhängigkeit von An ist, wie dem selben Artikel auf η Seite 214 entnehmbar ist, gegeben durch:

Δη 'Z₁PiRE²

mit R = Q. I? · 10'⁶ mW² für dip srhnn besrhriebene PLZT-Zusammensetzung. Mit dem schon angegebenen Wert für η von 2,5 und einer Feldstärke von 4 10« V/m ergibt sich dann für die Größe Δη/η ein Wert von 4 · IO~². Wie schon beim ersten Ausführungsbeispiel beschrieben, hat dies eine Änderung der Wellenlänge der Transmission von ebenfalls 4% zur Folge, was zu einem Schalten eines Lichtflusses von völliger Durchlässigkeit auf völliges Sperren führt.

Nachdem die Effekte nun prinzipiell beschrieben sind, soll auf F i g. 1 nochmal näher eingegangen werden. Wie erläutert besitzt die Abstandsschicht 1 eine Dicke c/von jo etwa 200 nm. Die Berechnung der erforderlichen Schichtdicke wurde oben angegeben. Die Dicke der Reflexionsschichten 2 ist so groß, daß im Fall der Verwendung von Metallschichten etwa halbdurchlässige Spiegel entstehen. Bei Verwendung dielektrischer Vielfachfilme als Reflexionsschicht beträgt die Dicke eines jeden Filmes etwa ein Viertel der Wellenlänge des durchzulassenden Lichtes. Als Lichtwellenlängen kommt der gesamte Bereich zwischen dem infraroten und dem u'travioletten Licht in Frage. Die Reflexionsschichten 2 sind durch Kontakte 3 mit einer regelbaren Spannungsquelle 4 verbunden. Im Falle der Verwendung eines einzigen Filmes als Reflexionsschicht ist selbstverständlich, daß gerade dieser Film mit der Spannungsquelle 4 verbunden wird. Besteht die Reflexionsschicht jedoch aus einer Folge von Filmen und Materialien unterschiedlichen Brechungsindexes, so muß mindestens eine dieser Schichten elektrisch leitfähig sein, und gerade dieser Film wird dann mit der Spannungsquelle 4 verbunden. Es ist dabei am vorteilhaftesten, bei beiden Reflexionsschichten 2 jeweils den äußersten Film als elektrisch leitenden Film auszubilden. Die erforderlichen Feldstärken von ΙΟ⁶ bis IO⁷ V/m sind dabei noch einfach durch Spannungen in der Größenordnung von 10 bis 20 V erzielbar. Durch den maximalen Abstand der elektrisch leitenden Schichten ist jedoch eine minimale Kapazität der Anordnung erzielt, was ein schnelles Schaltverhalten des Aufbaus ermöglicht

In F i g. 1 ist weiterhin eine Lichtquelle S eingezeich- bo net, deren Lichtstrahlen 6 das Interferenzfilter durch treten und auf den zu beleuchtenden Gegenstand 7 treffen. Die Lichtquelle 5 kann eine monochromatische Lichtquelle mit einer Wellenlänge zwischen dem ultravioletten Licht und dem infraroten Licht, oder aber to auch eine weiße Lichtquelle sein. In den Strahlengang der Lichtstrahlen 6 können erforderlichenfalls vor und/oder hinter dem Interferenzfilter Linsen angebracht sein. Der beleuchtete Gegenstand 7 kann eine physikalische Meßvorrichtung, ein Gegenstand dessen Reflexion oder Absorption zu prüfen ist, oder z. B. auch ein lichtempfindlicher Aufzeichnungsträger, z. B. die Kopiertrommel eines Kopiergerätes sein.

Der Lichtstrahl 6 kann durch die in Fig. I gezeichnete Anordnung entweder geschaltet werden oder er kann in seiner Intensität oder Wellenlänge moduliert werden. Zum Schalten des Lichtstrahls 6 wird die veränderbare Spannungsquelle 4 auf einen Wert eingestellt, der ausreicht, das Interferenzfilter z. B. von Sperren auf Durchlässen zu schalten. Dies erfolgt mittels eines in die Spannungszuführungen 8 eingebauten Schalters 9. Bei dieser Anwendung ist die Lichtquelle 5 eine monochromatische Lichtquelle, welche z. B. Licht von 500 nm aussendet. Das Interferenzfilter dämpfe die Intensität dieser Lichtquelle z. B. auf ein Tausendstel solange keine Spannung an den Reflexionsschichten 2 angelegt ist. Bei einer angelegten Spannung in der Größenordnung von 10 V werde das Intensitätsfilter bei 500 nm auf Grund der eingangs beschriebenen Effekte jedoch völlig durchlässig. Durch eine etwas andere Wahl der Dicke d der Absorptionsschicht ist es selbstverständlich auch möglich, ein Interferenzfilter herzustellen, welches ohne angelegte Spannung voll durchläßt, jedoch bei angelegter Spannung sperrt.

Bei geschlossenem Schalter 9 ist es durch Verändern der Spannung der Spannungsquelle 4 möglich, die Wellenlänge der maximalen Transmission des erfindungsgemäßen Interferenzfilters stetig zu ändern. Bei Verwendung einer monochromatischen Lichtquelle 5 erlaubt dieser Effekt eine Intensitätsmodulation, dagegen bei Verwendung von weißem Licht eine Wellenlängenmodulation. In die Kavnät eines Lasers gestellt erlaubt das erfindungsgemäße Intensitätsfilter unter Ausnutzung des letztgenannten Effektes eine Einstellung der im Laser verstärkten Lichtwellenlänge.

In Fig. 2 ist ein Lichtsteuerorgan gemäß der Erfindung für eine Faksimile-Schreibe· !richtung mit punktweisem Schreiben innerhalb einer Zeile dargestellt. Auf ein Substrat 10, üblicherweise ein Glassubstrat, ist eine Reflexionsschicht 2.1 durchgehend aufgebracht. Diese Reflexionsschicht ist über eine Zuleitung 8.1, welche an dem Kontakt 3.1 mit der Reflexionsschicht 2.1 verbunden ist, elektrisch ansteuerbar. Auf der ersten Reflexionsschicht 2.1 befindet sich, ebenfalls durchgehend die Abstandsschicht 1.1. Die obere Reflexionsschicht ist nun nicht ebenfalls durchgehend aufgebracht, sondern in Form voneinander elektrisch isolierter, in einer Zeilenrichtung lie&.nder Bereiche 2.2. Jeder der einzelnen Bereiche 2.2 der oberen Reflexionsschicht ist durch Kontakte 3.2 mit Zuleitungen 8.2 verbunden. Es ist nun z. B. möglich, die untere Reflexionsschicht 7.1 auf Massepotential zu legen, und die Bereiche der oberen Reflexionsschicht je nach Bedarf mit unterschiedlichen Spannungen zu versorgen. Die anlegbaren Spannungen können dabei kontinuierlich einsteilbar sein, oder es können Spannungen sein, die ein jeweiliges, durch die untere Reflexionsschicht die Abstandsschicht und einen Bereich der oberen Reflexionsschicht gebildetes Interferenzfilter ganz durchschalten oder ganz sperren.

Eine Anordnung gemäß F i g. 2 kann vollständig mit üblichen Technologien gefertigt werden. Ein Glassubstrat wird in bekannter Art und Weise mit einer Metallschicht oder mit einer Schichtenfolge dielektrischer Materialien bedeckt Dazu sind in der Interferenz

filterherstellung verschiedene Methoden möglich, wie z. B. insbesondere Aufdampf oder Tauchprozesse. Da bei Verwendung dielektrischer Filme als Reflexionsschicht leitende dielektrische Materialien notwendig sind, empfiehlt es sich, als Filmmaterial für mindestens einen der Filme Indiumzinnoxid zu verwenden. Die Herstellung des Indiumzinnoxidfilms verläuft völlig analop -u dem der Herstellung der allgemein üblichen Metalloxidfilme. Wie bei herkömmlichen Interferenzfiltern wird auch bei der erfindungsgemäßen Anordnung die Güte des Filters, d. h. die Halbwertsbreite und die Verluste durch die Güte und z. B. die Anzahl der aufgebrachten Filme bestimmt. Die Verfahren zum Aufbringen dünner ferroelektrischer oder piezoelektrischer Filme sind ebenfalls gängige Verfahren. Stellver- ι > tretend für zahlreiche Veröffentlichungen soll hier der Artikel »Preparation and properties of ferroelectric PLZT thin films by rf sputtering« von M. lshida, H. Matsunami und T. Tanaka in lournal of Applied Physics, Vol. 48, Seite 951 angeführt werden.

Wenn wie in F i g. 2 die auf das Substrat aufgebrachte Reflexionsschicht und die Abstandsschicht Zeilenform besitzen sollen, wird z. B. durch eine Maske entsprechender Form aufgedampft oder gesputtert oder ein Molekularstrahlepitaxieverfahren durchgeführt. Auch Ätzverfahren, sowohl photochemische, wie auch lonenätzverfahren, sind wie allgemein in der Dünnfilmtechnologie üblich, zum Erzielen gewünschter feiner Strukturen einsetzbar. Das bereichsweise Aufbringen der oberen Rcflexionsschicht gemäß Fig. 2 erfolgt eben falls z. B. durch Aufdampfen, Sputtern oder Molekularstrahlepitaxie durch Masken. Auch die Herstellung der Kontakte 3.2 auf Metallfilmen oder Filmen von z. B. Indiumzinnoxid oder anderen leitenden dielektrischen Materialien ist gängiger Stand der Technik.

Das erfindungsgemäße Lichtsteuerorgan läßt sich also ausschließlich mit Verfahren herstellen, welche schon von herkömmlichen Interferenzfiltern erprobt und bewährt sind. Wie bei einem herkömmlichen Interferenzfilter werden die Halbwertsbreite und die Absorptionsverluste durch Art und Anzahl der die Reflexionsschichten bildenden Filme gegeben. Der Unterschied zu einem herkömmlichen Interferenzfilter besteht darin, daß die Abstandsschicht aus einem Material besteht, dessen Abmessungen oder dessen Brechungsindizes sich durch Anlegen elektrischer Spannungen ändern lassen. Zum Anlegen der Spannungen ist es erforderlich, daß die Reflexionsschicht entweder eine Metallschicht ist, wie bei üblichen Interferenzfiltern, oder dali im Falle der Verwendung einer Filmfolge von Filmen dielektrischer Materialien eines dieser Materialien elektrisch leitfähig ist.

Bei dem erfindungsgemäßen Lichtsteuerorgan liegen die Schaltspannungen nur in der Größenordnung 10 V und sind damit erheblich geringer als die Spannungen von mehreren 100 V, die zur Ansteuerung von ferroelektrischen Schaltern notwendig sind, die auf Grund von Doppelbrechungseffekten mit Polarisationsfiltern arbeiten.

Hierzu I Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche;

1. Uchtsteiierorgan für eine Faksimile-Sehreibeinrichtung aus einer streifenförmigen Platte oder Schicht aus piezoelektrischem Material mit planparallelen Rächen, bei dem auf einer Fläche eine durchgehende Elektrode und auf der gegenüberliegenden Fläche längs des Streifens eine Reihe von Elektroden angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Licht senkrecht zu den parallelen Rächen des piezoelektrischen Materials hindurch tritt, daß die Schichtdicke (d) des piezoelektrischen Materials bezüglich der Wellenlänge des Lichtes als Abstandsschicht (1) eines Interferenzfilters gewählt ist, und daß die Elektroden (2) als is teiltransparente, elektrisch leitende Reflexionsschichten ausgebildet sind.

2. Lichtsteuerorgan nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2) durch Metallfilme gebildet sind.

3. Licfetjteuerorgan nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2) jeweils durch eine Filmfolge dielektrischer Materialien gebildet sind.

4. Lichtsteuerorgan nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (1) aus piezoelektrischem Mtierial aus Lanthan-dotiertem Bleizirkonat-Titanat besteht.

5. Lichtsteuerorgan nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristal· Iite der Schicht (1) aus polykristallinem piezoelektrischen Material mit ihrer optischen Achse in Vorzugsrichtung senkrecht xr.r Schichtfläche ausgerichtet sind.

6. Lichtsteuerorgan nach eirtm der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallite der Schicht (1) aus polykristallinem, ferroelektrischen, piezoelektrischen Material ungeordnet in der Schicht (1) angeordnet sind.

7. Lichtsteuerorgan nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (1) aus piezoelektrischem Material als auf einem mit einer Elektrode (2) versehenen Substrat (3) aus lichtdurchlässigem Material aufgewachsener RIm ausgebildet ist.