DE2935660C2 - Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle - Google Patents
Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter SpannungsquelleInfo
- Publication number
- DE2935660C2 DE2935660C2 DE19792935660 DE2935660A DE2935660C2 DE 2935660 C2 DE2935660 C2 DE 2935660C2 DE 19792935660 DE19792935660 DE 19792935660 DE 2935660 A DE2935660 A DE 2935660A DE 2935660 C2 DE2935660 C2 DE 2935660C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wiring
- voltage source
- capacitor
- diode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08144—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in thyristor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Claims (1)
1 2
der aus einer potentialfreien Spannungsquelle versorgt
Patentanspruch: wird, muß diese Energie fiber die potentialfreie Span
nungsquelle zugeführt werden.
Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiter- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine An
schalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle, 5 Ordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit
denen die Reihenschaltung einer Diode und eines in Reihe geschalteter Spannungsquelle zu schaffen, bei
Beschaltungskondensators parallel geschaltet ist, der Beschaltungsverluste vermieden werden und der
dadurch gekennzeichnet, daß an die Ver- Spannungsquelle wieder Energie aus dem Beschalr/uigsbindung
der Diode (D 1) und des Beschaltungskon- kondensator des Halbleiterschalters zugeführt werden
densators (C) einerseits und an die Verbindung des to kann.
Halbleiterschalters (T) mit der Spannungsquelle (E) Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im
andererseits die Reihenschaltung einer weiteren Kennzeichen des Patentanspruchs aufgeführten Merk-Diode
(D 2) und einer Induktivität (L) angeschlossen male gelöst
ist, wobei die weitere Diode (D 2) anodenseitig mit Mit der erfindungsgemäßen Anordnung werden Be-
der Kathode der Diode (Di) verbunden ist 15 Schaltungsverluste, die durch die bekannten RCD-Be-
schaltungen für Halbleiterschalter entstehen, vermie-
den. Auch bei der Verwendung großer Beschaltungs-
kondensatoren wie sie für die Beschaltung von Transistoren oder GTO-Thyristoren erforderlich sind, werden
Die Erfindung Hetrifft eine Anordnung zur Beschal- 20 Verlustleistungen prinzipiell unterbunden,
tung eines Halbleiterschalters gemäß dem Oberbegriff Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausfüh-
tung eines Halbleiterschalters gemäß dem Oberbegriff Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausfüh-
des Patentanspruchs. rungsbeispieles soll der der Erfindung zugrundeliegen-
Zum Schutz gegen unzulässige Spannungsbeanspru- de Gedanke näher erläutert werden,
chungen und zur Verminderung des Spannungs- oder Die in der einzigen Figur der Zeichnung dargestellte
chungen und zur Verminderung des Spannungs- oder Die in der einzigen Figur der Zeichnung dargestellte
Stromanstiegs dient bei Leistungshalbleitern die Be- 25 Anordnung weist einen Halbleiterschalter T mit in Reischaltung,
unter der man das Anbringen von Kondensa- he geschalteter Spannungsquelle Hals Löscheinrichtung
toren, Widerständen und Dioden, manchmal auch in parallel zu einem Stromrichter SR auf und bildet zusam-Kombination
mit vorgeschalteten Induktivitäten ver- men mit diesem z. B. den Wechselrichter eines selbstgesteht
Aufgrund ihres physikalischen Aufbaus haben führten Stromrichters.
Leistungshalbleiter nur eine begrenzte Spannungsfe- 30 Der Halbleiterschalter Γ ist in dem Ausführungsbeistigkeit
und lassen nur bestimmte Höchstwerte für die spiel als GTO-Thyristor dargestellt, ebenso könnte ein
Spannungs- und Stromsteilheit za Si-Λοη eine kurzzeiti- Leistungstransistor oder ein artverwandtes Bauelement
ge Überschreitung der Höchi'.werte führt häufig zur Verwendung finden. Parallel zur Reihenschaltung von
Zerstörung des Leislungshalbleitcrs. Halbleiterschalter T und Spannungsquelle E ist als Be-
Eine Ausführungsform der notwendigen Beschal- 35 schaltung die Reihenschaltung einer Diode D i und eitungsmaßnahmen
ist in der Literaturstelle »Heumann- nes Beschaltungskondensators Cgeschaltet
Stumpe: Thyristoren — Eigenschaften und Anwendun- An die Verbindung der Diode D1 mit dem Beschal-
Stumpe: Thyristoren — Eigenschaften und Anwendun- An die Verbindung der Diode D1 mit dem Beschal-
gen« (Verlag Teubner, Stuttgart, 1969) in Bild 41.1 auf tungskondensator C einerseits sowie a« die Verbindung
Seite 41 dargestellt Parallel zum zu schützenden Halb- des Halbleiterschalters T mit der Spannungsquelle E
leiterventil ist in dieser bekannten Anordnung die Rei- 40 andererseits ist die Reihenschaltung einsr weiteren Diohenschaltung
eines Beschaltungswiderstandes mit par- de D 2 und einer Induktivität L angeschlossen. Anodenallelgeschalteter
Diode und eines Beschaltungskonden- seitig ist die weitere Diode D 2 mit der Kathode der
satoTs angeordnet Bei dieser bekannten Anordnung Diode D1 verbunden.
wird die im Beschaltungskondensator gespeicherte Durch den Verzicht auf einen Beschaltungswider-
Energie weitgehend in dem zur Diode parallelgeschalte- 45 stand können keine Verluste durch die Beschaltung entten
Beschaltungswiderstand in Wärme umgesetzt, was stehen und die Funktionsweise der Beschaltungsanordinsbesondere
bei der Verwendung des zu schützenden nung ergibt sich wie folgt:
Halbleiterventils in Mittelfrequenzanlagen oder bei Während der Stroiiiführungsdauer des Halbleiter
stark pulsierender Anodenspannung zu erheblichen schalters Twird der Beschaltungskondensator Cmittels
Verlusten führt 50 der Induktivität L entladen. Dabei wird die im Beschal-
In bestimmten Anweudungsfällen werden Leistungs- tungskondensator Cgespeicherte Energie zunächst von
halbleiter in Reihe mit einer Spannungsquelle betrieben, der Induktivität L aufgenommen, die dann ihrerseits den
beispielsweise als Löscheinrichtung zur Löschung von größten Teil der Energie der Spannungsquelle £ zuführt
Thyristoren in selbstgeführten Stromrichtern. Wird eine und bis zur Höhe der Spannung der Spannungsquelle E
derartige Löscheinrichtung als sogenannte Summen- 55 den Beschaltungskondensator Cumlädt.
löschschaltung eingesetzt, dann beträgt die Schaltfre- Durch die Zufuhr der Energie aus dem Beschaltungs-
löschschaltung eingesetzt, dann beträgt die Schaltfre- Durch die Zufuhr der Energie aus dem Beschaltungs-
quenz des Leistungshalbleiters ein Vielfaches der Fre- kondensator C kann der Aufwand für die Nachladezeit
quenz des Stromrichterausgangs, je nach der Pulszahl der Spannungsquelle £bzw. die Nachladezeit erheblich
des Stromrichters z. B. das 3- bis 6fache. verringert werden.
Bei derartigen Anordnungen müssen nicht nuF — zu- 60
sätzlich bedingt durch die erhöhte Schaltfrequenz — Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
erhebliche Wärmeverluste im Beschaltungswiderstand
in Kauf genommen werden, sondern es muß der dem
Leistungshalbleiter in Reihe geschalteten Spannungsquelle in Abhängigkeit des vom Leistungshalbleiter zu es
führenden Stromes von außen wieder Energie zugeführt werden. Da die Löschspannungsquelle in der Regel aus einem Kondensator großer Kapazität besteht,
Leistungshalbleiter in Reihe geschalteten Spannungsquelle in Abhängigkeit des vom Leistungshalbleiter zu es
führenden Stromes von außen wieder Energie zugeführt werden. Da die Löschspannungsquelle in der Regel aus einem Kondensator großer Kapazität besteht,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792935660 DE2935660C2 (de) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792935660 DE2935660C2 (de) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2935660A1 DE2935660A1 (de) | 1981-03-12 |
DE2935660C2 true DE2935660C2 (de) | 1984-08-16 |
Family
ID=6080008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792935660 Expired DE2935660C2 (de) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2935660C2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0134508B1 (de) * | 1983-08-17 | 1987-05-13 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Energiesparschaltung für ein steuerbares elektrisches Ventil |
-
1979
- 1979-09-01 DE DE19792935660 patent/DE2935660C2/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NICHTS-ERMITTELT |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2935660A1 (de) | 1981-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60212463T2 (de) | Schaltnetzteil mit snubber-netzwerk | |
DE3007597C2 (de) | Schutzbeschaltungsanordnung für Halbleiterschalter | |
DE3390161C2 (de) | Ein- oder mehrphasiger Brückenwechselrichter | |
DE1488120B2 (de) | Ruhender wechselrichter | |
DE3032328A1 (de) | Ueberstromschutzschaltung | |
DE3405793A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum kurzschlussschutz eines stromrichtergeraetes mit gto-thyristoren | |
DE2840100A1 (de) | Inverterschaltung | |
DE3215589C2 (de) | ||
DE2935660C2 (de) | Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle | |
DE1906615A1 (de) | Stromrichter mit UEberstromschutz | |
DE3513239C2 (de) | ||
DE4225892C2 (de) | Defibrillator | |
DE2909435C2 (de) | Anordnung zur Beschaltung eines Halbleiterschalters mit in Reihe geschalteter Spannungsquelle | |
DE4031505C2 (de) | Gleichspannungs-Stromversorgung mit Einschaltstrombegrenzung | |
DE1763094A1 (de) | Wechselrichter | |
DE3009709A1 (de) | Schalteranordnung zum abschalten hoher gleichstroeme unter hoher spannung | |
DE3707310A1 (de) | Thyristor-kommutierungsschaltung | |
DE3120469C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Entlastung elektronischer Zweigpaare von der Verlustenergie beim Ein- und Abschaltvorgang | |
DE1538154B2 (de) | Schutzbeschaltung für eine Stromrichteranordnung mit Thyristoren | |
DE4018165C1 (en) | High power insulated gate transistor circuitry - has additional capacitor and thyristor fired by rectifier overcurrent in series across DC voltage source | |
DE2538317A1 (de) | Schaltungsanordnung mit steuerbaren halbleiterventilen | |
DE1488862A1 (de) | Stromrichter mit Thyristoren | |
DE2503977C3 (de) | Trägerstauerfekt-Schutzbeschaltung für Halbleiterventile einer Stromrichteranordnung | |
DE1463022C (de) | Ruhender Wechselrichter mit einem Über lastschalter im Lastkreis | |
DE1613839C (de) | Schutzeinrichtung fur eine aus min destens einer halbgesteuerten Dreiphasen gleichnchterbrucke bestehenden Stromnch teranordnung mit Halbleiterventilen zur Speisung von Senderohren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |