DE2908741C2 - HF-Breitbandverstärker - Google Patents

Description

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Andererseits besteht auch die Möglichkeit, die Stromquelle dadurch abzuschalten, daß die von der Spannungsteilerschaltung abgeleitete Betriebsspannung der Stromquelle mit Hilfe eines über das Steuerkommando angesteuerten Schalttransistors kurzgeschlossen wird. Ober einen weiteren, gleichzeitig angesteuerten Schalttransistor wird dann der Ableitstromzweig durchgesteuert, so daß sich die am Arbeitswiderstand anliegende Gleichspannung unabhängig vom Betriebszustand des Differenzverstärkers nicht verändert. Ein Umschalten des Differenzverstärkers zwischen Verstär kung und Abschwächung bzw. umgekehrt kann dann in einer Zeit erfolgen, die wesentlich kürzer ist als der Reziprokwert der unteren Grenzfrequenz.

Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Schaltung konnte ein Verhältnis zwischen Verstärkung zu Abschwächung erzielt werden, das im Minimum 80 dB beträgt. Dieses Ergebnis wurde bei einer Schaltung erreicht, die mit einer stabilisierten Gleichspannung von nur 6 V betrieben wurde.

Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll im folgenden noch anhand eines Ausführungsbeispiels entsprechend den F i g. 2 bis 6 näher erläutert werden.

F i g. 2 zeigt den grundsätzlichen Aufbau des erfindungsgemäßen HF-Breitbandverstärkers.

Fig.3 zeigt einen Schaltungsausschnitt mit den wirksamen Kapazitäten im Bereich des zusätzlichen Transistors.

F i g. 4 zeigt eine Schaltungsvariante mit unterteiltem Arbeitswiderstand.

Fig.5 zeigt eine Schaltung mit einem geänderten Schaltungsteil im Bereich der Stromquelle und des Ableitstromzweigs.

F i g. 6 zeigt ein Oszillogramm der Eingangs- und Ausgangsspannungen.

Die Schaltung gemäß der F i g. 2 besteht wiederum aus einem Differenzverstärker mit den Transistoren Tj und T*, deren Emitterelektroden zusammengeschaltet sind und mit einer Stromquelle in Verbindung stehen. Die Basiselektroden der Transistoren Tj und T₄ bilden die invertierende bzw. nichtinvertierende Eingangsklemme des Verstärkers.

Die Stromquelle besteht aus dem Transistor T₇, dessen Kollektorelektrode mit den Emitterelektroden der Transistoren Tj und Γ₄ verbunden ist und der in seinem Emitterzweig einen Widerstand /?i und die Kollektor-Emitterstrecke eines Schalttransistors T<> aufweist Die Basis-Gleichspannung für den Transistor Tj wird an der Reihenschaltung aus gleichrichtenden Bauelementen D\ bis O₄ abgegriffen, die wiederum in Reihe zum Widerstand Rt zwischen die Pole der Gleichspannungsquelle geschaltet ist. Bei der Schaltung gemäß F i g. 2 sind die Dioden D\ und Di parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors Τη und dem Emitterstromzweig dieses Transistors geschaltet An der Basiselektrode von Ti liegt somit beispielsweise die Spannung von 1,4 V. Die Größe des Widerstandes R\ in der Emitterstrecke des Transistors Τη bestimmt den durch den Differenzverstärker fließenden Gesamtstrom, der bei einem geeigneten Ausführungsbeispiel wiederum ca. 2 raA betragen soll.

Die Basisgleichspannung für die Transistoren Tj und T₄ wird über die Vorwiderstände R^ und An an der Diode Pj abgegriffen, die zu den Dioden A und D₂ in Reihe geschaltet ist Am Potentiaiabgriff E iicgt beispielsweise die Spannung von 2,1 V an.

'n Reihe zu den genannten Dioden ist eine vierte Diode D₄ geschaltet, an der die Basisgleichspannung fUr den Transistor T_t abgegriffen wird, dessen Kollektor-Emitterstrecke in den Kollektorzweig des Transistors T₄ geschaltet ist An der Basis des Transistors T» liegt somit die Gleichspannung von ca. 2,8 V. Die Kollektorelektrode des genannten zusätzlichen und in Basisschaltung betriebenen Transistors Tt ist an den Arbeitswiderstand Ra angeschlossen, dessen andere Anschlußelektrode mit der Gleichspannungsquelle von beispielsweise

ίο + 6 V verbunden ist.

Am Verbindungspunkt zwischen dem Arbeitswiderstand Ra und dem Kollektor des Transistors T₈ wird das verstärkte Signal abgegriffen und über einen Ausgangsverstärker aus dem Transistor 7"u und das nachgeschaltete /?C-Glied aus der Kapazität Cund dem Widerstand Rs zum Anschluß U₀₁₁, abgeführt. Der Transistor Tn wird an der Basis angesteuert und weist in seinem Emitterzweig den Widerstand R₇ auf. Diesem Widerstand R₇ ist die Reihenschaltung aus der Kapazität C und dem Widerstand /?« parallel geschaltet; am Verbindungspunkt zwischen den beiden letztgenannten Bauelementen ist die Ausgangsklemme U_nut angeschlossen.
Zur Ein- oder Abschaltung des Differenzverstärkers dient der Schaltungsteil aus den Transistoren Γιο, ΤΉ und T₉. Die Basiselektrode des Transistors Γιο bildet den Impulseingang D, während die Kollektorelektrode dieses Tran«'stors zur Bildung des Ableitstromzweiges über einen Widerstand Rs an den Verbindungspunkt zwischen dem Arbeitswiderstand Ra und dem Transistor T» angeschlossen ist. Die Emitterelektrode des Transistors Γ_)ο führt zur Basis des nachgeschalteten Transistors Tu, der seinen Kollektorstrom über den Widerstand /?₄ von der Gleichspannungsquelle bezieht.

An den Kollektor dieses Transistors 7~n ist wiederum die Basis des Schaittransisiürs T> angeschlossen, dessen Kollektor-Emitterstrecke im Emitterstromzweig des Transistors Τη liegt.

Bei der Schaltung gemäß der F i g. 2 wird die untere Grenzfrequenz des Breitbandverstärkers mit Hilfe des /?C-Gliedes aus dem Widerstand Rg und dem Kondensator C eingestellt. Sie beträgt beispielsweise f_u = 100 kHz. Die obere Grenzfrequenz ist beispielsweise f„ = 10 MHz.

Die Schaltung gemäß F i g. 2 funktioniert in ihrem für die Erfindung wesentlichen Teil wie folgt:
Wenn am Impulseingang D Massepotential anliegt, ist der Transistor Γιο und damit auch der nachgeschaltete Transistor ΓΉ gesperrt Durch das relativ hohe Potential

so an der Kollektorelektrode des Transistors Tu wird der Transistor Ts in die Sättigung geschaltet so daß üb^pr den Differenzverstärker aus den Transistoren Tj und 7₄, der mit Hilfe des Widerstandes /?i eingestellte Strom fließen kann. Dieser Strom beträgt beispielsweise wiederum 2 mA und teilt sich somit zu gleichen Teilen auf die Kollektorstrecken der Transistoren Ts und T₄ mit je 1 mA auf. Der Kollektorstrom des Transistors T₄ fließt über den Arbeitswiderstand Ra und die Kollektor-Emitterstrecke des zusätzlichen und in Basisschaltung betriebenen Transistors T₈. Dieser Transistor T₈ weist eine Stromverstärkung von etwa λ ~ 1 auf. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel hat der Arbeitswiderstand Ra einen Wert von ca. R_A = 1,5 VD.. Durch den zusätzlich eingefügten Transistor T₈ wird die Spannungsverstärkung des Differenzverstärkers gegenüber der Schaltung nach F i g. 1 nicht geändert Sie beträgt bei den genannten Strom- und Widerstandsverhältnissen beispielsweise 263 dB.

Im Vergleich zu der Schaltung gemäß F i g. I entfallen bei der erfindungsgemäßen Schaltung die Transistoren Ts und Tf, sowie der Differenzverstärker aus den Transistoren T\ und T₂. Durch den Wegfall der Stromverteilerschalter aus den Transistoren Ts und Te, die nunmehr durch den im Sättigungsbereich arbeitenden Schalttransistor T, ersetzt werden, können die Basiselektroden der Transistoren T_{3 t}md T₄ des Diffb/unzverstärkers ,lit einer um 1 Übe geringeren Vorspannung als bei der Schaltung gemäß Fig. I betrieben werden.

Durch das Einfügen des zusätzlichen Transistors T₈, der eine um I Übe höhere Basisvorspannung als der Differenzverstärker aus den Transistoren Tj und Ti benötigt, beträgt die Spannung am Basisanschluß des Transistors Ts 4 Ubk, was etwa dem Wert von 2,8 V entspricht. Der Kollektor des Transistors Tt der am Widerstand R_A liegt, kann somit mit der gleichen Wechselspannungsamplitude ausgesteuert werden, wie dies bei der Schaltung gemäli Fig. 1 der Fall war. Somit läßt sich ohne Veränderung der Größe der Versorgungsgleichspannung das gleiche Maß der Aussteuerungerzielen.

Zum Ausschalten des Differenzverstärkers wird an den Impulseingang D eine positive Eingangsspannung angelegt. Damit wird der Transistor Γιο und somit auch der Transistor Tw durchgesteuert. Die Kollektorelektrode des Transistors Tu wird auf Massepotential gezogen und der Transistor T) dadurch gesperrt. Die Transistoren Ti und Ti können somit keinen Strom mehr übernehmen. Der bei eingeschaltetem Differenzverstärker uurch den Arbeitswiderstand Ra fließende Strom von beispielsweise 1 mA wird nunmehr über den Widerstand Rs abgeführt. Der Widerstand Rs muß so gewählt werden, daß der durch ihn fließende Strom bei liurchgesieucrien Transistoren Tjo und Tu dem Wert entspricht, der zuvor durch den Arbeitswiderstand bei eingeschaltetem Differenzverstärker floß. Der Widerstand /?5 kann daher beispielsweise auch durch eine Konstantstromquelle oder ein geeignetes anderes Stromeinstellelement ersetzt werden. Da sich somit der Strom durch den Arbeitswiderstand Ra, unabhängig vom Schaltzustand des Verstärkers, nicht verändert, entsteht am Ausgang des Verstärkers kein Potentialsprung, so daß extrem kurze Ein- und Abschaltzeiten möglich sind.

Das weiterhin anliegende Eingangssignal am Eingang B greift jedoch weiter über die Kollektor-Basiskapazität Ccb des Transistors 7i auf dessen Kollektor durch. Die Zuschaltung des zusätzlichen Transistors T₈ bewirkt jedoch, wie sich aus dem Schaltungsausschnitt gemäß F i g. 3 ergibt, eine wesentliche Abschwächung dieser kapazitiven Kopplung. Gemäß Fig.3 gelangt das Eingangssignal U_m über die Kollektor-Basiskapazität Ccb 4 des Transistors Tt, zum Emitteranschluß des Transistors T₈. Die zusätzliche Abschwächung wird durch die Spannungsteilung über die Emitter-Basis-Sperrschichtkapazität Cebs des gesperrten Transistors T₈ auf den differentiellen Widerstand Rp und der nachfolgenden Spannungsteilung durch die Kollektor-Basis-Sperrschichtkapazität Ccbs des Transistors T₈ auf den Arbeitswiderstand Ra erreicht. Der von den Stabilisationsdioden D\ — A (F i g. 2) gebildete differentielle Widerstand Rd beträgt ca. 100 Ω.

Bei einer realisierten Schaltung betrug das Verhältnis Verstärkung zu Abschwächung bei 7 MHz 84 dB bei einem beibehaltenen Wert des Arbeitswiderstandes Ra = 13 kn, womit die gestellten Anforderungen sogar wesentlich überschritten werden,

Bei der erfindungsgemäßen Schaltung gemäß FI g. 2 entfällt neben dem Differenzverstärker aus den Transistoren Ti und T₁ auch in der bei der Schaltung gemäß F i g. I erforderliche Kondensator Ca-

Das Hochfrequenzverhalten der Schaltung gemäß F i g. 2 kann in Richtung erhöhter Verstärkung - im oberen Frequenzbereich noch verbt > .t we. -η, wenn der Arbeitswiderstand R_A als Spannungsteiler ausgöbildet wird und der Widerstand Rs des Ableitstromzweigs an den Abgriff dieses Spannungsteilers angeschlossen wird. Eine derart modifizierte Schaltung ergibt sich beispielsweise aus der F i g. 4, bei der der Widerstand Ra in zwei gleiche Teile aufgeteilt wurde. Dadurch wird

ι? insbesondere der unvermeidbare kapazitive Einfluß des Widerstandes /?s bzw. eines entsprechenden Stromeinstellelementes reduziert. Bei einer hälftigen Aufteilung des Arbeitswiderstandes Ra muß dann allerdings der Widerstand Rs bzw.das entsprechende Stromeinstellelement so gewählt werden, daß durch ihn bei abgeschaltetem Differenzverstärker ein doppelt so großer Stfom fließt, wie durch die Teile des Arbeitswiderstandes bei eingeschaltetem Differenzverstärker abgeleitet wird. Bei der Schaltung gemäß F i g. 4 und einem Strom von beispielsweise 1 mA durch den Transistor Ti bei eingeschaltetem Differenzverstärker bedeutet dies, daß der Widerstand R<. so gewählt sein muß, daß durch ihn bei abgeschaltetem Differenzverstärker ein Strom von 2 mA fließt. Bei diesen Stromverhältnissen ist sichergestellt, daß an der Bastselektrode des Transistors Ti₂, unabhängig vom Schaltzustand des Differenzverstärkers, stets das gleiche Gleichspannungspotential anliegt. Der Widerstand Ra kann auch in jedem beliebigem anderen Verhältnis aufgeteilt werden, wenn der Widerstand Rs mit einem Wert versehen wird, der die Aufrechterhaltung des Gleichspannungspotentials an der Basiselektrode des Transistors Ti₂ gewährleistet.

In Fig.5 ist als weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltung eine Ausführungsform dargestellt, die bezüglich des Ableitstromzweigs und des die Umschaltung der Stromquelle des Differenzverstärkers bewirkenden Schaltungsteils von der Schaltung gemäß F i g. 2 und 4 abweicht.

Der Emitterwiderstand R\ ist dabei direkt zwischen die Emitterelektrode des zur Stromquelle gehörenden Transistors T₇ und Bezugspotential geschaltet. Parallel zu den Dioden D, und D₂ in der Spannungsteilerschaltung zur Spannungsversorgung des Stromquellentransistors Ti ist die Kollektor-Emitterstrecke eines Schalttransistors Ti₃ geschaltet, der an der Basis über einen Vorwiderstand Rn an den Steuerimpulseingang D angeschlossen ist. An den Eingang D für den Steuerimpuls ist gleichzeitig über einen Widerstand 14 die Basiselektrode eines weiteren Schalttransistors Tu angeschlossen, dessen Kollektor-Emitterstrecke im Ableitstromzweig lieg:.

Wenn am Eingang D Bezugspotential anliegt sind beide Schalttransistoren Tb und Tm gesperrt so daß einerseits über den Ableitstromzweig kein Strom fließen kann und andererseits die Stromqueüe und damit der Differenzverstärker eingeschaltet ist

Wenn am Eingang D ein positives Steuerkommando anliegt werden beide Transistoren Tn und Tm in die Sättigung gesteuert Dadurch wird das Basispotential

des Transistors Τη in der Stromquelle auf Bezugspotential gezogen, so daß dieser Transistor gesperrt und damit die Stromquelle abgeschaltet wird. Zugleich wird aber der Ableitstromzweig über den Transistor Tm

eingeschaltet, so daß nun der zuvor über den Arbeitswiderstand R_A fließende Gleichstrom unter Aufrechterhaltung der am Arbeitswiderstand anliegenden Gleichspannung aber den Widerstand Rs und den Transistor 7*u abgeleitet wird. s

Die Fig.6 zeigt noch ein Oszillogramm der Eingangs- und Ausgangsspannungen. In einer ersten Phase liegt beispielsweise am Eingangsanschluß B der Schaltung gemäß Fig.2 eine Wechselspannung mit einem Effektivwert von 20OmV. Am Impulseingang D ι ο liegt positives Potential, so daß der Differenzverstärker abgeschaltet ist. In einer zweiten Phase liegt am Eingang B ein Wechselsignal mit einer Spannung von 2 mVjjt Am Impulseingang D liegt Massepotential, so daß der Differenzverstärker eingeschaltet ist. Das Eingangssignal wird somit am Ausgang U„_u, verstärkt erscheinen. Der Verstärkungsfaktor beträgt beispielsweise 26,8 dB. In einer dritten Phase liegt am Eingang B wiederum eine Spannung VOn 200 m*iV_c/k Wahrend über den Eingang D der Differenzverstärker wieder abgeschaltet wird. Am Ausgang U₀Ui tritt dann wie in der ersten Phase ein Ausgangssignal auf, das gegenüber dem der zweiten Phase um mindestens 8OdB abgeschwächt ist. Die extreme Veränderung des Eingangssignals bei ein- bzw. ausgeschaltetem Differenzverstär- ker wird durch externe Schaltungen zwangsläufig bewirkt Wie man der F i g. 6 entnimmt, sind die Ein

ίο

bzw. Abschaltzeiten am Ausgang sehr kurz und liegen bei beispielsweise 2 usec, während der Reziprokwert der gewählten unteren Grenzfrequenz des Verstärkers von 10OkHz ΙΟμδβσ beträgt. Das Verhältnis zwischen Verstärkung zu Abschwächung beträgt bei einer realisierten Schaltung gemäß der Fig.2, die bereits erläutert wurde, bei einer Meßfrequenz von 7 MHz 84 dB.

Erwähnt sei noch, daß bei einer Schaltung mit symmetrischen Ausgangsanschlüssen an beiden Transistoren der Differenzverstärker-Eingangsstufe vorzugsweise in jedem Kollektorstrompfad dieser Transistoren ein zusätzlicher, dem in Basisschaltung betriebenen Transistor Tg entsprechender Transistor angeordnet wird. Beide Arbeitswiderstände in den Kollektorstromzweigen der Differenzverstärkertransistoren werden dann über je einen Widerstand an den gemeinsamen, im Ableitstromzweig liegenden Schalttransistor ange-

Ul , ,

Die Schaltung gemäß den Fig. 2-5 läßt sich ausschließlich mit bipolaren npn-Transistoren realisieren, wobei dann auch die Dioden D\ — D* als Dioden geschaltete Transistoren sein können. Alle Bauelemente werden in einer integrierten monolythischen Halbleiterschaltung untergebracht, in die zugleich auch weitere Funktionsstufen einer komplexeren Schaltung enthalten sein können.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (12)

Patentansprüche;

1. HF-Breitbandverstärker, der durch ein externes Steuerkommando zwischen Verstärkung und Abschw&ehung schaltbar ist, mit einer Differenzverstärker-Eingangsstufe, einer zwischen die Pole der Versorgungsspannung geschalteten Spannungsteilerschaltung zur Potentialeinstellung am Differenzverstärker und mit einem Ableitstromzweig, durch den im abgeschalteten Zustand des Differenzverstärkers ein die am Arbeitswiderstand anliegende Gleichspannung aufrechterhaltender Gleichstrom fließt, dadurch gekennzeichnet, daß zur ausgangsseitigen extremen Abschwächung des im ausgeschalteten Zustand am Eingang des Verstärkers anliegenden Wechselsignals in mindestens einen Kollektorstromzweig der Differenzverstärkertransistoren (T₃ oder 7;) zwischen dem Kollektor und dem im Stromzweig liegenden Arbeitswiderstand (Ra) die Emitter-KoUektorstrekke eines zusätzlichen Transistors (Ta) geschaltet ist, wobei die Basis des in Basisschaltung betriebenen zusätzlichen Transistors (Ta) HF-mäßig niederohmig gegen Bezugspotential geschaltet ist, so daß die kapazitive Kopplung zwischen dem Eingang und Ausgang der Verstärkerschaltung reduziert wird, und daß eine Stromquelle (I₇, Ri) für die Differenzverstärker-Eingangsstufe im Stromzweig zwischen den Emitterelektroden der Differenzverstärkertransistoren (T₃, T₁) und dem Bezugspotential angeordnet ist, und daß Schaltungsmittel vorgesehen sind, durch iüe gleichzeitig die Stromquelle und der Ableitstromzweig derart rrhaltbar ist, daß jeweils nur in einem der genannten Stromzweige Strom fließen kann.

2. HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des zusätzlichen Transistors (Tt) über einen niederohmigen differentiellen Widerstand (Di — Da) der Spannungsteilerschaltung mit dem Bezugspotential verbunden ist

3. HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der niederohmige differentielle Widerstand aus der Reihenschaltung von in Durchlaßrichtung betriebenen gleichrichtenden Bauelementen wie Dioden oder als Dioden geschalteten Transistoren besteht.

4. HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode des zusätzlichen Transistors (Tt) mit der Kollektorelektrode eines Transistors (Ta) des Differenzverstärkers verbunden ist, während die Kollektorelektrode des zusätzlichen Transistors (Tg) an den mit der Versorgungsgleichspannungsquelle verbundenen Arbeitswiderstand (Ra) angeschlossen ist, wobei am Verbindungspunkt zwischen dem Arbeitswiderstand (Ra) und dem zusätzlichen Transistor (Ta) der Ableitstromzweig angeschlossen ist.

5. HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle (T₁, R\) des Differenzverstärkers über einen Schalttransistor (T₉) mit Bezugspotential verbunden ist, wobei dieser Schalttransistor über einen weiteren vorgeschalteten Transistor (Tw), der im Ableitstromzweig liegt, mit Hilfe eines extern zugeführten Steuerkommandos umschaltbar ist.

6. HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem an das Steuerkom-

mando angeschlossenen Transistor (Tw) ein Transistor (Tn) nachgeschaUet ist, dessen Kollektor über einen Vorwiderstand (RA) an die Gleicbspannungsquelle angeschlossen ist und der den Schalttransistor (Tg) im die Stromquelle enthaltenden Stromzweig steuert

7. HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der Stromquelle des Differenzverstärkers ein Widerstand (Kj) an die Emitterelektrode eines Transistors (Tj) angeschlossen ist, dessen Kollektorelektrode mit den Emitterelektroden der Differenzverstärkertransistoren (T₃, T₁) verbunden ist, während die Basiselektrode des Transistors (Tj) mit einem Potentialabgriff an der Spannungsteilerschaltung (Di-A) verbunden ist

8. HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 1 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß an die Basiselektrode des zur Stromquelle gehörenden Transistors (Tj) ein gegen Bezugspotential geschalteter und vom Steuerkommando angesteuerter Schalttransistor (T_t3) angeschlossen ist durch den die Stromquelle ab- und anschaltbar ist und daß ein weiterer im Ableitstromzweig liegender und gleichfalls vom Steuerkommando angesteuerter Schalttransistor (Tu) vorgesehen ist so daß, abhängig vom anliegenden Steuerkpmrnando, beide Schalttransistoren (T₁₃, Tu) entweder leitend oder gesperrt sind.

9. HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß im AbleitstromzwE/g ein Stromeinstellelement wie beispielsweise ein ohmscher Widerstand (Rs) oder eine Konstantstromquelle angeordnet ist

10. HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß der Arbeitswiderstand (Ra), an den der zusätzliche Transistor (Ta) angeschlossen ist, als Spannungsteiler ausgebildet ist und daß der Ableitstromzweig an den Abgriff dieses Spannungsteilers angeschlossen ist.

11. HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang der Verstärkerschaltung ein die untere Grenzfrequenz des Breitbandverstärkers bestimmendes ÄC-Glied angeschlossen ist

12. HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß alle Transistoren vom gleichen, beispielsweise npn-Leitungstyp sind.

Die Anmeldung betrifft einen HF-Breitbandverstärker, gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Bei einem Breitbandverstärker wird in der Regel im Verstärkerzug ein ÄC-Glied angeordnet das die untere Grenzfrequenz des Verstärkers bestimmt. Wenn beim Ein- bzw. Ausschalten des Verstärkers am Verstärkerausgang ein Potentialsprung auftritt, muß dieser erst über den Kondensator C des /?C-Gliedes ausgeglichen werden, was zu relativ langen und vielfach unerwünschten Umschaltzeiten führt. Man war daher bereits bisher bestrebt, derartige Potentialsprünge am Ausgangsan-Schluß des Verstärkers zu verhindern. Hierzu wird beispielsweise ein Vierquadranten-Multiplizierer gemäß der F i g. 1 verwendet. Diese Verstärkerschaltung (eine ähnliche Schaltung beinhaltet beispielsweise der