DE2856708A1 - Messanordnung fuer einen druck-messumformer - Google Patents

Messanordnung fuer einen druck-messumformer

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DE2856708A1
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Manfred Dr Poppinger
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm

Description

  • Meßanordnung für einen Druck-Meßumformer
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Meßanordnung, vorzugsweise aus Halbleiterwerkstoff, für einen Druck-Meßumformer mit über vier Anschlußleitungen zu einer Vollbrücke schaltbaren Dehnungsmeßstreifen in Form von auf oder in der Oberfläche einer Membran angeordneten, abschnittsweise parallelen Widerstandsbahnen.
  • Die bei der vom Meßdruck bewirkten Auslenkung einer am Rand eingespannten Meßmembran in deren Oberfläche auftretenden mechanischen Spannungen mit radialen und tangentialen Komponenten können, wie bekannt, mit Hilfe von dehnungsempfindlichen Widerständen, sogenannten Dehnungsmeßstreifen, in meßdruckproportionale elektrische Signale umgewandelt werden.
  • Üblich ist, die Dehnungsmeßstreifen bzw. die entsprechenden, eindotierten Widerstandsbahnen bei Halbleiter-Meßmembranen so anzuordnen, daß sie in den Randbezirken der Meßmembran auf die dort vorherrschende radiale Spannungskomponente, im Mittenbereich auf die tangentiale Spannungskomponente ansprechen.
  • Es besteht allgemein die Forderung, durch einfache Maßnahmen die Empfindlichkeit und Linearität sowie die Nullpunktspannung derartiger, aus vier Dehnungsmeßstreifen bestehender Meßbrücken weitgehend unabhängig voneinander einzustellen und optimieren zu können, wobei ein bestimmter Widerstandswert der Brücke einzuhalten ist und der Längswiderstand der Brücke sich bei Druckbelastung nicht ändern darf. Um eine voll kompensierte Brücke mit möglichst kleiner Nullpunktspannung zu erhalten, sollen die Brückenwiderstände gleich groß sein.
  • Unter diesen Gesichtspunkten sind die Dehnungsmeßstreifen bzw. entsprechende Abschnitte von eindotierten T.liderstandsbahnen geometrisch anzuordnen. Bei einer bekannten Ausführung einer Meßmembran für Druckwandler aus Silizium mit eindotierten Widerstandsbahnen in der (111)-Ebene (Philips techn. Rdsch. 33, 15 - 22, 1973/74, Nr. 1) ist diesen Forderungen im wesentlichen Rechnung getragen.
  • Die Widerstandsbahnen sind dort zusammenhängend, abschnittsweise parallel angeordnet. Die Abschnitte in den Randbezirken der Membran verlaufen parallel einem Radius und bilden die zur Aufnahme der radialen Spannungskomponente vorgesehenen Dehnungsmeßstreifen; die anderen, für die tangentiale Spannungskomponente empfindlichen Dehnungsmeßstreifen werden durch Abschnitte mit zweimaliger rechtwinkliger Richtungsumkehr der Widerstandsbahnen im Mittenbereich der Membran gebildet. Die vier Anschlußleitungen bestehen aus radial angeordneten Leiterbahnen aus Aluminium, die in Kontaktflächen auf dem Tragring der Membran enden.
  • Derartige Meßanordnungen gleicher Bauart lassen sich durch Anderung von Durchmesser und/oder Dicke der verwendeten Meßmembranen in unterschiedlichen Druck-Meßbereichen einsetzen.
  • Im Hinblick auf eine wirtschaftliche Fertigung sind hierbei geometrisch ähnliche Brückenanordnungen zu verwenden, deren Widerstände analytisch ermittelt und mit Hilfe von danach ausgebildeten Vorrichtungen, sogenannten Masken, hergestellt bzw. auf oder in die Membranoberfläche gebracht werden.
  • Bei der Vergrößerung oder Verkleinerung der Brückenanordnung läßt sich jedoch der Einfluß von rechtwinkligen Ecken, wie sie bei der bekannten Ausführung vorkommen, analytisch nur schwer erfassen; die optimale Ausbildung der Widerstandsbahnen hinsichtlich Gleichheit der Brückenwiderstände, Empfindlichkeit und Linearität der Meßbrücke muß deshalb iterativ, also mit großem Arbeitsaufwand, erfolgen.
  • Es besteht demgemäß die Aufgabe, die für den Aufbau einer Dehnungsmeßstreifen-Brücke vorgesehene geometrische Anordnung von Widerstandsbahnen und Leiterbahnen zum Anschluß der Brückeneckpunkte so auszuführen, daß sie herstellungsmäßig in einfacher Weise an Meßmembranen verschiedener Abmessungen anpaßbar ist und die zum unabhängigen Abgleich verschiedener Brückenparameter notwendigen Maßnahmen zuläßt.
  • Eine Lösung der Aufgabe wird in einer Meßanordnung der eingangs genannten Art gesehen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß zwei gleiche Widerstandsbahnen parallel und spiegelbildlich zu einem Durchmesser der Meßmembran verlaufend angeordnet und über bogenförmige Endabschnitte verbunden sind und daß die Anschlußleitungen im Bereich des Vorzeichenwechsels der radialen Spannungskomponente in der Membran an die Widerstandsbahnen angeschlossen sind.
  • Im Gegensatz zu den bekannten Ausführungen wird bei dieser Anordnung im wesentlichen nur die radiale Spannungskomponente in der Meßmembran zur Erzeugung des elektrischen Meßsignals herangezogen, wobei der bei etwa halbem Membranradius auftretende Vorzeichenwechsel der radialen Spannungskomponente zur Erzielung einer gegenläufigen Beanspruchung der Brückenwiderstände genutzt wird.
  • Dies läßt eine geometrische Gestaltung der Widerstandsbahnen und Anschlußleitungen zu, die sich auf einfache Weise verändern läßt, so daß für die Verwendung der Brückenschaltung auf Membranen verschiedenen Durchmessers keine umfangreichen Berechnungen und Versuche notwendig werden. Die Länge und Breite der geradlinig verlaufenden Widerstandsbahnen als Aktivteile der Meßbrücke, die bogenförmigen Endabschnitte sowie die Lage der Anschluß stellen für die Anschlußleitungen lassen sich ohne besonderen Aufwand berechnen und auf die Masken für die Herstellung übertragen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Meßmembran aus n-leitendem Silizium, die Widerstandsbahnen mit ihren bogenförmigen Endabschnitten sowie die als Leiterbahnen ausgebildeten Anschlußleitungen sind in gleichartiger Weise p-leitend in die (111)-Ebene eindotiert, wobei die Leiterbahnen von solcher Breite sind, daß ihr Widerstand um wenigstens eine dezimale Größenordnung kleiner ist als der der Widerstandsbahnen. Infolge der materialmäßigen Gleichartigkeit läßt sich die gesamte Brükkenanordnung in einem Arbeitsgang in die Oberfläche der Membran einbringen. Die zur Einstellung der Empfindlichkeit, der Nullpunktspannung oder der Kompensation der Brücke notwendigen Änderungen an der im Herstellungsprozeß benötigten einen Maske sind mit wenig Aufwand durchführbar.
  • Die Brückenanordnung mit Widerstandsbahnen parallel zu einem Membrandurchmesser läßt sich auch bei Meßmembranen aus anderen Werkstoffen in entsprechender Weise anwenden, indem dort Widerstands- und Leiterbahnen unter Verwen- dung entsprechender Masken aufgedampft oder in anderer Weise auf die Oberfläche der Meßmembran aufgebracht werden.
  • Zur Erläuterung der Erfindung sind in den Figuren 1 und 2 Ausführungsbeispiele dargestellt und im folgenden beschrieben.
  • Figur 1: Eine kreisförmige Meßmembran 1 ist als in den Kreisring 2 eingespannt anzusehen, ihr Einspannrand ist durch den gestrichelt gezeichneten Kreis K1 angedeutet.
  • Die bei der Auslenkung der druckbeaufschlagten Membran auftretenden Spannungen in der Membranoberfläche werden mit Hilfe von Dehnungsmeßstreifen in druckproportionale elektrische Signale umgewandelt. Als Dehnungsmeßstreifen dienen hier Abschnitte von zwei gleichen Widerstandsbahnen 3, 3', die parallel und spiegelbildlich zu einem Durchmesser D der Meßmembran 1 aufgebracht und über bogenförmige Endabschnitte 4 und 4' verbunden sind.
  • In dem durch den strichpunktierten Kreis K2 mit etwa dem halben Membranradius angedeuteten Bereich des Vorzeichenwechsels der radialen Spannungskomponente liegen die Anschlußstellen 5, 6, 7 und 8, in welchen Anschlußleitungen 5', 6', 7', 8' an die Widerstandsbahnen 3, 3' angeschlossen sind. Die Anschlußstellen 5, 6, 7, 8 bilden die Eckpunkte einer Vollbrückenschaltung, deren vier veränderliche Brückenwiderstände aus den äußeren Abschnitten 9 und 10 und den inneren Abschnitten 11 und 12 des Paares von Widerstandsbahnen 3 und 3' gebildet sind. Die Anschlußleitungen 5', 6', 7', 8' sind hier beispielsweise als Aluminiumstreifen ausgeführt, deren spezifischer Widerstand klein ist gegen den der Widerstandsbahnen 3, 3'. Die bogenförmigen Endabschnitte 4 und 4' können ebenfalls aus einem Material niedrigen Widerstands bestehen oder, wie gezeichnet, in gleicher Art und Weise wie die Widerstandsbahnen 3, 3' ausgeführt sein, jedoch von solcher Breite, daß der Widerstand um mehrere Größenordnungen kleiner ist als der der Widerstandsbahnen.
  • Um den Einfluß der Endabschnitte auf die meßdruckbedingten Widerstandsänderungen der Brücke weiter zu verringern bzw. auszuschalten, können diese Endabschnitte auch außerhalb des durch den Kreis K1 umschriebenen Membranrands liegen.
  • Figur 2 zeigt eine andere Ausführungsform, wobei gleiche bzw. entsprechende Teile die gleichen Bezugszeichen wie bei der in Figur 1 dargestellten Ausführung aufweisen.
  • In einem monolithischen Substrat aus n-leitendem Silizium ist durch eine Abtragung auf einer konzentrischen Kreisfläche in der (111)-Ebene eine Meßmembran 1 hergestellt, deren Rand durch den Kreis K1 angedeutet ist und deren Durchmesser und Dicke in der Größenordnung von 1 bis 2 mm bzw. 10 bis 500 /um liegen.
  • Der in der ursprünglichen Dicke der Substratscheibe stehengebliebene Kreisring 2, ist als Trag- bzw. Einspannring für die Membran 1 anzusehen.
  • Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel nach Figur 1 sind hier sämtliche Teile der Brückenschaltung, nämlich die parallelen Widerstandsbahnen 3,3', mit ihren die Brükkenaziderstände bildenden Abschnitten 9, 10, 11, 12 und den bogenförmigen Endabschnitten 4 und 4r sowie die Anschlußleitungen 5' bis 8' in Form von Leiterbahnen in gleichartiger Weise, d. h. als in die Oberfläche eindotierte, p-leitende Streifen, ausgebildet.
  • Der Vorteil dieser Ausführung ist darin zu sehen, daß das gesamte Leiterbild der Brücke in einem einzigen Arbeitsgang mittels einer einzigen Maske aufgebracht werden kann. Die zu den Anschlußstellen 5, 6, 7, 8 führenden Leiterbahnen sind so breit ausgeführt, daß ihr Widerstand um mindestens eine Größenordnung kleiner ist als der der Widerstandsbahnen 3, 3'. Die Mittellinien al -und a2 - a'2 der paarweise symmetrisch angeordneten Lei- terbahnen der Anschlußleitungen 5' bis 8' treffen senkrecht auf die parallel zu einem Durchmesser angeordneten Widerstandsbahnen 3, 3' und sind Tangenten an den den Bereich des Vorzeichenwechsels der radialen Spannungskomponente bezeichnenden Kreis K2.
  • Die einer Berechnung gut zugänglichen bogenförmigen Endabschnitte 4 und 4' weisen den gleichen spezifischen Widerstand wie die Widerstandsbahnen 3, 3' auf. Sie können gegebenenfalls auch innerhalb des Membranrandes liegen.
  • Durch wenige und ohne Schwierigkeiten zu berechnende Veränderungen läßt sich das Bild der Brückenschaltung geometrisch ähnlich vergrößern bzw. verkleinern und so an verschiedene Membrandurchmesser anpassen.
  • Darüber hinaus können durch die geringfügige Änderung des Abstandes der Mittellinien al - a'1 und a2 - a'2 die als Brückenwiderstände wirkenden Abschnitte 9, 10, 11 und 12 aneinander angeglichen und die Brücke so kompensiert werden. Durch Verschiebung der auf den Mittellinien al - a'1, a2 - å'2 liegenden Anschlußstellen 5, 6, 7 und 8 nach innen oder außen unter gleichzeitiger entsprechender Verkürzung oder Verlängerung der äußeren Abschnitte 9 und 10 kann das Verhältnis der Druckempfindlichkeit der äußeren und inneren Widerstände und damit eine vorhandene Nichtlinearität ohne Änderung der Nullpunktspannung beeinflußt werden.
  • Die Empfindlichkeit der Brücke ist u. a. durch entsprechende Wahl der Breite b der Anschlußstellen 5, 6, 7, 8 beeinflußbar.
  • Die Leiterbahnen der Anschlußleitungen 5', 6', 7', 8' sind streng symmetrisch angeordnet, die Winkel, die die Ränder der Widerstands- und Leiterbahnen an den Anschlußstellen einschließen, sind gleich, um den Einfluß auf die Widerstandsänderungen der Brücke möglichst klein zu halten.

Claims (6)

  1. Patentansprüche Meßanordnung, vorzugsweise aus Halbleiterwerkstoff, für einen Druck-Meßumformer mit über vier Anschlußleizungen zu einer Vollbrcke schaltbaren Dehnungsmeßstreifen in Form von auf oder in der Oberfläche einer Membran angeordneten, abschnittsweise parallelen Widerstandsbahnen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t daß zwei gleiche Widerstandsbahnen (3, 3') parallel und spiegelbildlich zu einem Durchmesser (D) der ;%-n (1) verlaufend angeordnet und über bogenförmige Endabschnitte (4, 4') verbunden sind und daß die Anschlußleitungen (5', 6', 7', 8') im Bereich des Vorzeichenwechsels der radialen Spannungskomponente in der Membran (1) an die Widerstandsbahnen (3, 3') angeschlossen sind.
  2. 2. Meßanordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c'h n e t , daß Widerstandsbahnen (3, 3') und die verbindenden bogenförmigen Endabschnitte (4, 4') gleichartig ausgeführt sind.
  3. 3. Meßanordntmg nach Anspruch 1 aus Halbleiterwerkstoff, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Anschlußleitungen (5', 6', 7', 8') eindotierte Leiterbahnen sind, deren Mittellinien (al - a'l, a2 - a'2) senkrecht auf denen der Widerstandsbahnen (3, 3') stehen.
  4. 4. Meßanordnung nach Anspruch 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Leiterbahnen der Anschlußleitungen (5', 6', 7', 8') gleichartig mit den Widerstandsbahnen (3 und 3') sind, aber von solcher Breite, daß ihr Widerstand um wenigstens eine dezimale Größenordnung kleiner ist.
  5. 5. Meßanordnung nach Anspruch 3 oder 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Winkel, die die Ränder der Widerstands- und Leiterbahnen an den Anschlußstellen (5, 6, 7, 8) einschließen, gleich sind.
  6. 6. Meßanordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Membran (1) aus n-leitendem Silizium besteht und Widerstands- und Leiterbahnen (3, 3'; 5', 6', 7', 8') p-leitend in die (111)-Ebene eindotiert sind.
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