DE2845147B1 - Projektionsmaske - Google Patents

Projektionsmaske

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DE2845147B1
DE2845147B1 DE19782845147 DE2845147A DE2845147B1 DE 2845147 B1 DE2845147 B1 DE 2845147B1 DE 19782845147 DE19782845147 DE 19782845147 DE 2845147 A DE2845147 A DE 2845147A DE 2845147 B1 DE2845147 B1 DE 2845147B1
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Censor Patent und Versuchsanstalt
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48Protective coatings

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

  • Die geschilderten Nachteile werden erfindungsgemäß dadurch beseitigt, daß auf der dem Trägerglas abgewandten, im Verwendungszustand dem Projektionsobjektiv zugewandten Seite der Maskenschicht ein ebenes Schutzglas befestigt ist. Es ist leicht einzusehen, daß die Glasscheibe die eigentliche Maskenschicht vor Verletzungen schützt und es erlaubt, die vorhandenen Verunreinigungen leicht zu beseitigen, ohne in Kontakt mit der Schicht zu kommen, sowie Hantierungen mit der Maske und deren Lagerung relativ risikolos auszuführen. Keineswegs selbstverständlich ist jedoch, daß die technisch so einfache, vorgeschlagene Maßnahme die Wirkung kleiner Verunreinigungen, insbesondere auch kleiner Partikel, die sich während des Betriebes auf der Oberfläche absetzen, unschädlich macht, ohne gleichzeitig das optische System aus Projektionsmaske, Projektionsobjektiv und Substrat ernsthaft zu stören.
  • Das Unschädlichwerden kleiner Verunreinigungen beruht darauf, daß die Glasoberfläche, auf der sie sich befinden, sich bei Verwendung nicht allzu dünner Gläser und der üblichen Projektionsobjektive fast notwendigerweise außerhalb des Bereiches befindet, der vonf Projektionsobjektiv scharf auf das Substrat abgebildet wird. Dieser Sachverhalt kann unter Verwendung des Begriffes der Rayleigh-Tiefe streng dargestellt werden.
  • Einerseits ist aus der reinen Gaußschen Dioptrie welche Beugungsphänomene vernachlässigt, bekannt, daß Objektpunkte außerhalb ihrer geometrisch optischen Bildebene als Unschärfekreise abgebildet werden.
  • Andererseits werden Lichtpunkte aufgrund der in der geometrischen Optik vernachlassigten Wellennatur des Lichtes durch reale optische Geräte nicht als Bildpunkte, sondern als Beugungsscheibchen abgebildet, da die Lichtwelienfront immer durch eine Eintrittspupille beschnitten wird, und damit Beugung auftritt Das sogenannte Rayleigh-Kriterium für die Grenze des Auflösungsvermögens besagt nun, daß die Grenze des Auflösungsvermögens erreicht ist, wenn der Mittelabstand der beiden Beugungsscheibchen gleich dem Radius des hellen Zentrums des Beugungsscheibchens, des sogenannten Airy-Scheibschens, ist. In ähnlicher Weise wird der begrenzte Bereich im Objektraum, dessen Punkte als Unschärfekreise im Bildraum abgebildet werden, deren Durchmesser kleiner sind als die Durchmesser der zugehörigen Airy-Scheibchen, als Rayleigh-Tiefe bezeichnet Um eine tiefenscharfe Abbildung zu erhalten, ist es nach dem Gesagten notwendig, daß sich das Objekt in einem Abstand befindet, der vom Idealabstand höchstens um die Rayleigh-Tiefe, vorzugsweise nur um 2/3 dieser Tiefe, abweicht Umgekehrt wird man also im vorliegenden Fall, wo eine möglichst unscharfe Abbildung von Verunreinigungen erwünscht ist, die Dicke des Schutzglases größer, vorzugsweise mindestens dreimal größer, als die Rayleigh-Tiefe des Projektionsobjektes im Bereich der Projektionsmaske machen. Damit ist sichergestellt, daß im Streulicht nicht sichtbare Partikel auch keine schädliche Wirkung mehr ausüben können, und größere Partikel können ja von dem erfindungsgemEß vorgesehenen Schutzglas ohne weiteres vollständig entfernt werden. Überraschend ist, daß die Einbringung einer planparallelen Glasscheibe, die hinreichend dick ist, um in der beschriebenen Weise die Abbildung von Verunreinigungen auf den Wafer unschädlich zu machen, in dem Strahlengang des Projektionsobjektivs keine wesentlichen nachteiligen Wirkungen hat und dies, obwohl die üblichen Projektionsobjektive sich durch große numerische Apertur bei entsprechend geringer Tiefenschärfe auszeichnen. Für die Bemessung des vorgesehenen Schutzglases ist also ein erheblicher Bereich gegeben, in dem einerseits Verunreinigungen auf dem Schutzglas unscharf abgebildet werden, andererseits die durch das Schutzglas bedingte Verzeichnung kleiner ist als die durch das Pr##jektioroobjektiv selbst bedingte Verzeichnung. Dies ist ein erheblicher Vorteil, da bei Verwendung dickerer Schutzgläser, die an sich möglich wäre, eine entsprechende Korrektur des Objektivs erfolgen müßte, welche wiederum die Verwendung herkömmlicher Projektionsmasken ohne Schutzglas im selben Gerät ausschließen würde. Wie anschließend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert wird, ist also eine geringfügige Verschiebung der Projektionsmaske in Richtung der optischen Achse die einzige Veränderung, die an der optischen Anordnung vorgenommen werden muß, wenn man eine Schutzplatte einführt bzw. wegläßt, sofern deren Dicke d ein gewisses Maß nicht überschreitet Andernfalls muß, wie bereits erwähnt eine (geringfügige) Korrektur am Objektiv vorgenommen werden. Weitere Einzelheiten der Erfindung, insbesondere verschiedene Vorschläge für die Art der Zuordnung des Schutzglases zur Maskenschicht, werden anschließend anhand der Zeichnung näher erläutert F i g. 1 stellt schematisch die Anordnung dar, in welcher die erfindungsgemäße Projektionsmaske verwendet wird; F i g. 2 erläutert den Strahlengang im Bereich der Projektionsmaske; F i g. 3 ist die Seitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels der Projektionsmaske, F i g. 4 ein Vertikalschnitt durch einen vergrößerten Teil eines zweiten Ausführungsbeispiels, F i g. 5 ein Vertikalschnitt durch ein drittes Ausführungsbeispiel und F i g. 6 die Draufsicht auf den Schnitt nach der Ebene VII-VII in F i g. 5.
  • F i g. 1 stellt ein Projektionsbelichtungsgerät dar, dessen wesentlicher Teil ein Projektionsobjektiv 4 ist, welches bei Belichtung der Maskenschicht 2 diese auf die Oberfläche eines mit Photolack beschichteten Halbleiters 5 abbildet Die Einrichtung zur Belichtung der Projektionsmaske hat mit der Erfindung nichts zu tun und ist deshalb hier nicht dargestellt Wesentlich für die Erfindung ist, daß die Projektionsmaske nicht nur in üblicher Weise aus einem Trägerglas 1 mit einer dem Projektionsobjektiv 4 zugewandten Maskenschicht 2 besteht, sondern zusätzlich mit einem ebenen Schutzglas 3 versehen ist Die Anwendung der Schutzglasplatte 3 stellt die Einschaltung einer planparallelen Platte in den optischen Strahlengang zwischen Maske 2 und Objektiv 4 dar. Diese planparallele Platte induziert natürlich Abbildungsfehler, die dann nicht ins Gewicht fallen wenn die Glasplatte hinreichend dünn ist Diese Abbildungsfehler sind dann kleiner, als sie ohnehin durch das abbildende Objektiv bedingt sind. Den wesentlichen Fehler stellt hier die Verzeichnung dar.
  • Im Ausführungsbeispiel, bei dem der Objekt-Bild-Abstand 00' ca 1 m, die Brennweite des Objektivs 66,7 mm, der Abbildungsmaßstab 10:1 beträgt, ist bei einer Dicke des Schutzglases 3 von 2 mm die Verzeichnung wo,05 pm in einem Bildfeld von 14,5 mm Durchmesser, wo hingegen die Verzeichnung, die allein durch das Objektiv bedingt ist, i0,3 pm beträgt Prinzipiell können auch dickere Schutzgläser angewendet werden. In diesem Falle muß das Objektiv aber entsprechend korrigiert werden.
  • In jedem Falle aber muß bei Einsatz einer Schutzglasplatte der Abstand 00' verlängert werden, damit der Abbildungsmaßstab erhalten bleibt Dies wird aus der F i g. 2 ersichtlich. AA sei die optische Achse. Ein Strahl gehe von dem Detail P' auf der Maske aus und treffe unter dem Winkel £' in R auf die brechende Grenzfläche der Schutzglasscheibe mit der Dicke d(der Spalt zwischen Maske und Schutzglas wird vernachlässigt). Unter dem Winkel s verläßt der Strahl die Glasplatte und schneidet die optische Achse in F. Wäre nun die Glasplatte nicht vorhanden, so müßte das Detail P' zum Ort P verschoben werden, damit es unter dem gleichen Winkel S gegen die optische Achse erscheint wie mit der Glasplatte, damit der Abbildungsmaßstab gewahrt bleibt Die Distanz x, um die die Maskenebene verschoben werden muß (also die Distanz zwischen der Objektweite Os mit Schutzglas und der Objektweite Oo ohne Schutzgks), ergibt sich nach dem Brechungsgesetz und trigonometrischen Formeln aus der Dicke dund den Brechungsindizes n und n' Die Erfindung beschränkt somit die Verwendung eines bestimmten Projektionsbelichtungsgerätes keineswegs auf die Verwendung von erfindungsgemäßen Projektionsmasken oder auf die Verwendung von Projektionsmasken mit einem Schutzglas bestimmter Dicke. Die Projektionsmasken eines zur Belichtung desselben Substrats dienenden Satzes wird man aber mit Gläsern derselben Dicke versehen, um zwischen den einzelnen Belichtungsvorgängen nicht axiale Verstellungen des Auflagers für die Projektionsmasken vornehmen zu müssen.
  • Die in F Ig. 3 dargestellte Projektionsmaske umfaßt als wesentliche Teile ein Trägerglas 1, eine Maskenschicht 2 und ein Schutzglas 3, welche durch Klammern 9 zusammengehalten werden. Das Trägerglas 1 besteht dabei am dargestellten Fall aus einer quadratischen Platte von etwa 0,6 cm starkem Borosilikatglas, das wegen seines geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten gewählt wird Die relativ große Stärke des Trägermaterials führt dazu, daß diese sich bei mechanischer Belastung nur geringfügig durchbiegt.
  • Das völlig plane Trägerglas trägt an seiner Unterseite die ein Muster bildende Maskenschicht 2, deren- Dicke in der Darstellung natürlich übertrieben werden muß.
  • Unmittelbar auf der Maskenschicht 2 liegt das Schutzglas 3 auf, das vorzugsweise aus dem gleichen Material besteht wie das Trägerglas 1, um gegenseitige Verschiebungen der Teile 1 und 3 bei Erwärmung und Abkühlung zu vermeiden Trägerglas 1 und Schutzglas 3 sind so eben, daß der Zwischenraum, in dem sich die Maskenschicht befindet, staubdicht versiegelt ist.
  • Statt durch Klammern 9 kann, wie dies in F i g. 4 dargestellt ist, die Verbindung zwischen Trägerglas 1 und Schutzglas 3 durch eine Kleberschicht 10 hergestellt werden. Diese muß natürlich durchsichtig sein und besteht im dargestellten Fall aus Canadabalsam, von dem in der Optik deshalb gerne Gebrauch gemacht wird, da er denselben Brechungsindex wie Glas aufweist Um zu verhindern, daß eine derartige Kleberschicht 10 durch Lösungsmittel angegriffen wird, welche zum Reinigen der Projektionsmaske angewendet werden, ist im Ausführungsbeispiel nach Fig.4 die Fuge zwischen Trägerglas 1 und Schutzglas 3 durch eine lösungsmittelunempfindliche Lackschicht 6 in Form eines Dichtstreifens abgedeckt. Die geringe Temperaturbeständigkeit von Canadabalsam stellt sich in der vorliegenden Anwendung als Vorteil dar, weil sie eine einfache Zerlegung der Anordnung durch Erwärmen erlaubt Wie in F i g. 5 und 6 dargestellt, kann zwischen Maskenschicht 2 und Schutzglas 3 ohne weiteres auch ein geringfügiger Zwischenraum bestehen. In diesem Fall dient ein Randstreifen 7 als Dichffläche für das Schutzglas 3, der bei der Herstellung der Maskenschicht als geschlossener Arbeitsmuster und Justiermarken umgebender Rahmen erzeugt wird. Der Dichtrand kann durchaus labyrinthartige Kanäle 8 aufweisen, welche durchlässig für Luft- und Wassermoleküle sind, nicht jedoch für Staubteilchen. Auf diese Weise kann ein Luftdruck- und Feuchtigkeitsausgleich mit der Außenatmosphäre stattfinden. Der Druckausgleich ist besonders dann wichtig, wenn das eingeschlossene Volumen relativ groß ist, da durch Druckunterschiede Durchwölbungen des Schutzglases hervorgerufen werden, die optisch nachteilig wirken können Zum Unterschied von der Ausführung nach F i g. 4 ist es bei der distanzierten Anordnung des Schutzglases 3 besonders wichtig, dieses beidseitig, insbesondere auf der Belichtungswellenlänge, zu entspiegeln. Die Entspiegelung, etwa durch Aufbringen einer Aufdampfschicht, verhindert bzw. vermindert die Entstehung schädlicher Interferenzen, die an sich freie Öffnungen in der Projektionsmaske dunkler erscheinen lassen können. Das beste Ergebnis erhält man dabei, wenn nicht nur das Schutzglas 3, sondern auch das Trägerglas 1 beidseitig entspiegelt wird Befinden sich kleine Venim#gen auf dem Schutzglas 3 einer der Projektionsmasken nach F i g. 3 bis 6, so werden diese nur sehr unscharf abgebildet. Bei einer numerischen Apertur von 0,35 beträgt nämlich die Rayleigh-Tiefe des Projektionsobjektivs 4 nach Fig. 1 nur 360 , so daß bei einer Dicke des Schutzglases von 2mm die Verunreinigungen einen Abstand von der Maskenschicht 2 aufweisen, der etwa der sechsfachen Rayleigh-Tiefe entspricht

Claims (11)

  1. Patentansprüche: 1. Projektionsmaske mit einem Trägerglas und einer ein Muster aus durchsichtigen und undurchsichtigen Flächen bildenden Maskenschicht für ein Projektionsbelichtungsgerät, bei dem ein mit Fotolack beschichteter Halbleiter partiell belichtet wird, indem die Projektionsmaske über ein Projektionsobjektiv auf diesen, insbesondere mehrmals hintereinander und auf verschiedene Partien des schrittweise verschobenen Halbleiters, abgebildet wird, d a -durch gekennzeichnet, daß auf der dem Trägerglas (1) abgewandten, im Verwendungszustand dem Projektionsobjektiv (4) zugewandten Seite der Maskenschicht (2) ein ebenes Schutzglas (3) befestigt ist.
  2. 2. Projektionsmaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Schutzglases (3) größer, vorzugsweise mindestens dreimal größer als die Rayleigh-Tiefe des Projektionsobjektivs im Bereich der Projektionsmaske ist.
  3. 3. Projektionsmaske nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Schutzglases (3) jenen Wert unterschreitet, bei dem die durch das Schutzglas (3) bedingte Verzeichnung gleich der durch das Projektionsobjektiv (4) allein bedingten Verzeichnung ist.
  4. 4, Projektionsmaske nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzglas (3) beidseits, insbesondere durch aufgedampfte Schichten, für die Belichtungswellenlänge entspiegelt ist
  5. 5. Projektionsmaske nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzglas (3) unmittelbar an der Maskenschicht (2) anliegt und mit dem Trägerglas verklammert ist.
  6. 6. Projektionsmaske nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzglas (3) mit der Maskenschicht (2) durch Canadabalsam verklebt ist 7. Projektionsmaske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fuge zwischen Trägerglas (i) und Schutzglas (3) durch eine lösungsmittelun.
  7. empfindliche Lackschicht (6) abgedeckt ist.
  8. 8. Projektionsmaske nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzglas (3) längs eines staubdichten, die Maskenschicht (2) umgebenden Randstreifens (7) aufliegt
  9. 9. Projektionsmaske nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Randstreifen (7) aus dem Material der Maskenschicht (2) besteht.
  10. 10. Projektionsmaske nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Randstreifen (7) Labyrinthdichtungen (8) aufweist.
  11. 11. Projektionsmaske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Trägerglas (i) und Schutzglas (3) aus demselben Material bestehen.
    Bei der Herstellung integrierter Schaltungen geht man so vor, daß eine Anzahl von Masken mit verschiedenen Konfigurationen auf ein Substrat abgebildet wird, dessen Oberfläche durch Belichtung verändert wird. Zwischen aufeinanderfolgenden Abbildungen wird das Substrat physikalischen und chemischen Änderungen unterworfen, die beispielsweise darin bestehen können, daß der belichtete oder der unbelichtete Teil des auf das Substrat aufgebrachten Photolacks entfernt und darunterliegende Schichten geätzt werden.
    Während es nun früher üblich war, während des Belichtungsvorganges die mit dem abzubildenden Muster versehene Maske in unmittelbaren Kontakt mit dem Substrat zu bringen, ging man wegen der inzwischen gestiegenen Anforderungen an die Genauigkeit in jüngster Zeit weitgehend dazu über, die das abzubildende Muster tragende Maske unter Zwischenschaltung eines Objektivs zwischen Maske und Substrat auf letzteres abzubilden. Dabei besteht neuerdings die Tendenz, die Vielzahl identischer Muster, die auf dem als Wafer bezeichneten Substrat entstehen sollen, nicht durch eine Maske herzustellen, die mit der entsprechenden Vielzahl von Mustern versehen ist, sondern ein und dasselbe Muster an der Maske mehrfach auf das schrittweise verschobene Substrat abzubilden (step and repeat). Die erfindungsgemäße Projektionsmaske ist insbesondere mit dem letztgenannten Verfahren vorteilhaft, ohne auf die Verwendung bei diesem eingeschränkt zu sein.
    Photomasken bestehen üblicherweise aus einem quadratischen Trägerglas mit im Zollmaßstab genormten Kantenlängen zwischen etwa 6,25 cm und 15 cm, mit Dicken von 0,15 cm bis 0,6 cm. Auf diesem Trägerglas befindet sich entweder eine Photoemulsionsschicht (feinkörniges Filmmaterial) oder ein sogenannter »hard film«, d. i. eine Aufdampfschicht von ca 1 ,wm Dicke aus Chrom, Eisenoxid oder anderen Materialien. In dieser Schicht wird das eigentliche Maskenmuster auf photographischem bzw. photolithographischem Wege erzeugt. Diese Masken werden nun so wie sie sind in das Projektionsbelichtungsgerät mit der Schichtseite in Richtung zum Projektionsobjektiv gelegt bzw. aufbewahrt. Staubpartikel und andere Verunreinigungen haben also direkten Zugang zur eigentlichen Maskenschicht Dies ist bei einem Step- and Repeat-Belichtungsgerät besonders kritisch, weil bei einer Maskenstörung systematisch alle auf dem Wafer befindlichen Belichtungsfelder betroffen werden. Daher muß vor jedem Maskeneinsatz die jeweilige Maske sorgfältig überprüft und gereinigt - zumindest aber »abgeblasen« ~werden. Bei diesen Reinigungsschritten und über haupt bei allen Manipulationen besteht die Gefahr der Verletzung der Maske. Gegen das Absetzen von Staub auf der Schicht während des Betriebes besteht sogar überhaupt kein Gegenmittel.
    Für Kontaktbelichtungsmasken, welche beim Belichtungsvorgang einer mechanischen Beanspruchung ausgesetzt sind, ist es aus der DE-AS 16 14 677 bekanntgeworden, die Maskenschicht mit einer höchstens 3 Am starken Schicht aus transparentem, hartem Material abzudecken. Diese Schicht soll auch Beugungs- und Interferenzerscheinungen verhindern. Beschädigungen dieser Schicht, beispielsweise Kratzer, oder Verunreinigungen führen bei der Belichtung jedoch ebenfalls zu den beschriebenen Fehlern.
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GB7935831A GB2036367A (en) 1978-10-17 1979-10-16 Masks for the Projection Exposure of Semiconductor Substrates
NL7907643A NL7907643A (nl) 1978-10-17 1979-10-16 Fotomasker.
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