DE2832969A1 - Leistungshalbleiter-modul - Google Patents

Leistungshalbleiter-modul

Info

Publication number
DE2832969A1
DE2832969A1 DE19782832969 DE2832969A DE2832969A1 DE 2832969 A1 DE2832969 A1 DE 2832969A1 DE 19782832969 DE19782832969 DE 19782832969 DE 2832969 A DE2832969 A DE 2832969A DE 2832969 A1 DE2832969 A1 DE 2832969A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mounting plate
semiconductor module
module according
elements
power semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19782832969
Other languages
English (en)
Inventor
Franz Dipl Phys Dr Gross
Alfred Dipl Phys Jester
Elmar Dipl Ing Mueller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri France SA
Original Assignee
BBC Brown Boveri France SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri France SA filed Critical BBC Brown Boveri France SA
Priority to DE19782832969 priority Critical patent/DE2832969A1/de
Priority to FR7919273A priority patent/FR2433831A1/fr
Priority to SE7906421A priority patent/SE7906421L/xx
Publication of DE2832969A1 publication Critical patent/DE2832969A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

BROWN, BOVERI & CiE ■ AKTIENGESELLSCHAFT
MANNHEIM BRÖWN~BOVERI
Mp.-Nr. 607/78 Mannheim, den 26.JuIi 1978
ZFF./P3-Pp/dr
"Leistungshalbleiter-Modul"
Die Erfindung bezieht sich auf einen Leistungshalbleiter-Modul mit einem oder mehreren, vorzugsweise zwei, auf einer gemeinsamen Montageplatte befestigten Halbleiterelementen in Form von mit Elektroden versehenen, randseitig isolierten bzw. passivier ten, für sich gehäuselosen Tabletten und wahlweise mit Beschaltungselementen in einem gemeinsamen Gehäuse mit Kühleinrichtung wobei die Hauptstromanschlüsse und die gegebenenfalls vorhandenen Steuerstromanschlüsse des bzw. der Halbleiterelemente nach einer einzigen Seite aus dem Gehäuse herausgeführt sind. Ein solcher Leistungshalbleiter-Modul kann zum Aufbau von Strömjrichterschaltungen Anwendung finden.
Bei bekannten derartigen Moduln sind verschiedene innere Schaltungsvarianten möglich (Prospekt "Power Semiconductors" vom März 1974 von der Firma AEI Semiconductors (Publication 111), Seiten 48/49; weiterhin Datenblatt "Thyristormoduln" my F 75/ G 75/ H 75 der Siemens AG, Erlangen). In der gebräuchlichsten Schaltungsvariante enthält der Modul zwei mit gleicher Polung in Reihe geschaltete Thyristoren, deren Verlmdungspunkt zusätzlich nach außen geführt ist. Je nach Verbindung der auf einer Seite befindlichen Anschlüsse des Moduls kann dieser z. B. zum
909886/0371
Aufbau einer Vollweg-Gleichrichterbrücke benutzt werden, wobei die Mittelabgriffe baw. die Anschlüsse tiu den Verbindungspunkten zwischen den einzelnen Thyristoren für den Anschluß der Wechselstromanschlüsse am Ende der Reihe der Hauptstromanschlüsse liegen und somit leicht zugänglich sind, oder auch zum Aufbau einer UmkehrstromrichterscLaltunn iflit jeweils paarweise antiparallel geschalteten Thyristoren dienen. Für den Aufbau derartiger Stromrichterschaltungen ist es von Vorteil, daß die Leistungshalbleiter-Moduln ir.eci.anisch und elektrisch anschlußfertige Punktionseinheiten aus einem oder mehreren diskreten Halbleiterelementen sind, ggf. mit weiteren Beschaltungselementen und/oder der Steuerelektronik.
Ein weiterer Vorteil derartiger Module liegt in der Verbilligung durch Vermeidung der Einuel-Kapselung und Montage von I Halbleiterelementen. j
Von Nachteil ist bei den bekannten Moduln die hohe Wärmestrom- : dichte wegen der hohen Konzentration von wärmeabgebenden Bauelementen, was die Kühlung erschwert und so die Leistungsfähig-; lceit solcher Moduln begrenzt. Um die anfallende Wärme mit vertretbaren Temperaturabfall an die Umgebung;, s.B. über einen . Metallkühler, abgeben zu könne:., ist es erforderlich, den Wärme j widerstand zwischen wärmeabgeliender Fläche des Moduls und wärme*- aufnehmender Fläche des Kühlers klein ku halten. Dabei kann die: bei Hochleistungs-Dioden und -thyristoren übliche Druckkontakt-; Technik wegender aufwendigen Montage nicht problemlos angewandt
werden. ■
Daher besteht die derzeit allgemein übliche Lösung darin, j wärmeabgebende Teile, insbesondere Halbleitertabletten auf gut wärmeleitende, metallisierte Keramikplättchen, z.B. Berylliumoxid, zu löten und diese wiederum auf eine gemeinsam Bodenplatte, z.B. Kupfer.
909886/0371
/hE/P 4 F 1 (6i>,riOOO/KE)
BAD ORIGINAL
Diese Anordnung ist anfällig auch gegen leichte Deformationen der Bodenplatte (Bruch der Keraraik- und/oder Halbleiterelemente), sowohl durch mechanische Einwirkung (Montage) als auch durch thermische Einwirkung (Verbiegen durch ungleichmäßige Temperaturverteilung). Wgen der thermischen Deformation sind dicke Bodenplatten nicht günstig, weil hierdurch die Temperaturwechselfestigkeit zu sehr herab-gesetzt wird. Zu dünne Bodenplatten verschlechtern die mechanischen Eigenschaften (Montage) Auch eine Vergrößerung der Halbleitertabletten ist nur in engen Grenzen sinnvoll, weil der durch die Schleusenspannung bedingte Anteil der Verlustleistung von der Tablettengröße unabhängig ist. Außerdem sind größere Tabletten bruchgefährdeter.
Aus diesen Gründen bleibt der den bisher bekannten Moduln entnehmbare Gleichstrom-Mittelwert deutlich unter 100 A.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Wärme von den Bauteilen, insbesondere den Halbleiterelementen, bei geringem Temperaturabfall abzuführen und auf eine so große Fläche zu verteilen, daß die Weiterleitung der Wärme auf einen üblichen Flüssigkeitsoder Luftkühler möglich ist.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht auf der Grundlage des eingang beschriebenen Leistungshalblei-ter-Moduls darin, daß sich erfindungsgemäß auf der den Tabletten abgewandten Seite an die Montageplatte ein durch dieselbe, Seitenwände und die Bodenplatte des Moduls begrenzter Kühlraum als primärer Teil der Kühleinrichtung anschließt, daß dieser eine Isolierflüssigkeit enthält und zv/ecks Wärmetausch mit einem sekundären Flüssigkeit oder Luftkühler in Verbindung steht und daß jedes Halbleiterelement mit einem elektrisch und thermisch leitfähigen, die Montageplatte zum Kühlraum hin durchquerenden Anschlußteil ver· sehen ist.
-6 909886/0371
ZFE/P 4 F 1 (6768000/KE)
BAD OHIGINAW
Vorteilhaft wird gemäß diesen Maßnahmen die Wärme über die Isolierflüssigkeit auf eine große Fläche verteilt und kann dabei in einfacher Weise auf den mit dem Kühlraum im Wärmetausch stehenden Flüssigkeits- oder Luftkühler übertragen werden, so daß gegenüber der bloßen Anordnung von z.B. einer Kupferplatte eine stark verringerte Wärmestromdichte möglich ist.
In einer ersten Ausführungsfora ist die Montageplatte insgesamt thermisch und zweckmäßig mindestens auf der Anschlußseite der Halbleiterelemente mindestens bereichsweise elektrisch leitfähig. Über die leitfähigen Bereiche können also Verbindungen zu weiteren Beschaltungselementen oder weiteren Halbleiterelementen hergestellt v/erden.
In einer weiteren Ausführungsform besteht die Montageplatte ganz oder bereichsweise aus einem elektrisch isolierenden, thermisch jedoch insgesamt leitfähigen Substrat, das die Anschlußteile von nicht miteinander zu verschaltetenden ^aIbleiterelementen oder Beschaltungselementen voneinander isoliert. Diese Ausführungsform ist von Vorteil, wenn eine Mehrzahl von voneinander/isolierenden Schaltelementen in das Gehäuse aufzunehmen ist. Die Verbindung von miteinander zu verbindenden Halbleiterelementen oder Beschaltungselementen geschieht dann über besondere Verbindungsleitungen.
Die Befestigung der wärmeerzeugenden Elemente, insbesondere der Halbleitertabletten, kann, vorzugsweise in an sich bekannter Weise unter Zwischenschalten von Molybdän-Ronden durch Löten, Einpressen oder Kleben erfolgen, so daß die für die Wärmeabgabe vorgesehenen Anschlußteile (Anoden oder Kathoden-Anschluß) auf der Kühlraumseite des Substrat hervortreten und durch das Substrat hermetisch und gegenseitig isoliert von den anderen Elektroden der Bauteile getrennt werden.
909886/0371
ZFE/P 4 F 1 (6768000/KE)
Das Modulgehäuse besteht aus zwei Teilen, dem bereits beschriebenen Teil, der zusammen mit der Montageplatte den Kühlraum umschließt und einem die Halbleiterelemente enthaltenen Gehäuseteil, der aus einer elektrisch isolierenden Verguß- oder Preßmasse bestehen kann. Vorteilhaft sind dabei die Halbleitertabletten völlig gegen aggressive Medien und Staub abgesichert. Es ist an sich bereits ein luftgekühlter Stromrichter mit mehreren Halbleiterelementen bekannt, bei dem das Gehäuse ebenfalls zwei unterschiedliche Räume enthält und der eine Raum mit den Halbleiterelementen staubdicht ist (DE-OS 22 26 057). Im bekannten Fall sind jedoch gemäß der dortigen Figur 1 für sich mil Gehäusen^ersehene bzw. gekapselte Halbleiterbauelemente eingesete wogegen bei einem Modul gemäß vorliegender Erfindung für sich gehäuselose Halbleiterelemente verwendet werden. Außerdem werdet im bekannten Fall die in den Kühlraum ragenden Anschlußteile forciert mit Luft gekühlt, wogegen erfindungsgemäß eine Übertragung der Wärme über die Isolierflüssigkeit zum sekundären Flüssigkeits- oder Luftkühler vorgesehen ist und beide Gehäuseteile abgedichtet sind.
Für die Abdichtung des Gehäuses insgesamt ist es von Vorteil, wenn die Seitenwände des Kühlraumes teilweise in die Vergußoder Preßmasse, die die Halbleiterelemente umgibt, ragen.
Weiterhin sollte zweckmäßig die Montageplatte randseitig von einer Dichtung umschlossen und in die Seitenwände eingelassen sein.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.
Als Hauptwärmequellen sind die nur schematisch dargestellten Halbleitertabletten 1 und 2 anzusehen. Diese Halbleiter-
909886/0371
ZFE/P 4 F 1 (676B000/KE)
tabletten 1 und 2 besitzen verschiedene Zonen abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps und können auch mindestens eine Steuerzone besitzen. Sie sind auf ihren Hauptoberflächen mit
I Metallisierungen versehen und an ihren abgeschrägten Randseiten mit einer Isolierung, z.B. einer Glaspassierung. Im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 sind die beiden Tabletten gegeneinander j um 180° verdreht. An die beiden Hauptoberflächen jeder Silizium-Tablette 1, 2 schließen sich Molybdän-Ronden 3 bis 6 an. Jeweils eine Molybdän-Ronde 3 bzw. 5 jedes Halbleiterelementes 1 bzw. 2 ist mit einem äußeren Anschlußkontakt, einem Kathodenanschluß K1 bzw. einem Anodenanschluß A, verbunden. Die Anordnung in~ dieser Polarität ist nur als beispielhaft anzusehen. Die Tabletten können mit beliebiger Orientierung eingesetzt und be- : liebig kontaktiert werden. An jede andere Molybdän-Ronde 4 bzw.' 6 schließt sich ein Anschlußteil 7 bzw. 8, vorzugsweise aus j Kupfer, an. Die Anschlußteile 7 und 8 sind im Ausführungsbei- ' spiel als Sockelteile ausgeführt. Sie durchqueren eine Montageplatte 9, die beispielsweise aus glasfaserverstärktem Epoxidharz bestehen und mindestens auf einer Seite mit einer Metallisierung versehen sein kann. Bei dieser Ausführungsform , die der eingangs erwähnten ersten Variante entspricht, sind die in der Montageplatte 9 gehaltenen Halbleiterbauelemente über die ; Molybdän-Ronden 4 und 6, die Anschlußteile 7 und 8 und die i Metallisierung 10 der Montageplatte 9 elektrisch miteinander verbunden. Damit sind ungleichnamige Hauptelektroden der bei- ; den Halbleiterelemente 1 und 2 miteinander verbunden. Von der ! Metallisierung 10 aus, die sich auch nur auf der den Halbleiterelementen 1 und 2 zugewandten Seite der Montageplatte 10 zu j
befinden braucht, verläuft eine weitere Verbindungsleitung zu ; einem weiteren äußeren Anschlußstück AK2, d.h. die Verbindung '
zwischen der Anode des ersten Halbleiterelementes 1 und der Kathode des zweiten Halbleiterelementes 2 ist nach außen ge- j führt. Die Halbleiterelemente 1 und 2 mit den Molybdän-Ronden 3 bis 6 und den Anschlußteilen 7 und 8, soweit sie auf '
9098 8 6/0371
angeordnet sind ! der einen Seite der Montageplatte 10 / ., befinden sich zusammen mit eventuell notwendigen Beschaltungselementen, z.B. einem RC-Glied aus einem Kondensator 11 und einem Widerstand , 12, in einer Verguß- oder Preßmasse 13, in die auch die äußeren Anschlußstücke K1, AK2 und A teilweise eingelassen sind.
Auf der anderen Seite der Montageplatte 9 ragen die Anschlußteile 7 und 8 sowie der in einem entsprechenden Becher 14 be- ;
findliche Widerstand 12 in einen Kühlraum 15, der mit einer ; Isolierflüssigkeit wie Öl, Fluorkohlenstoff usw. ausgefüllt und von Seitenwänden 16 und einer Bodenplatte 17 begrenzt ist. €)ie . Bodenplatte 17 besitzt Anschlußbohrungen 18 für den Anschluß ; desModuls. Die Seitenwände 16 ragen in die Verguß- bzw. Preß- j masse 13 hinein. Sie besitzen in diesem Bereich eine Nut 19, die den von einer Dichtung 20 umschlossenen Rand der Montage- = platte 9 aufnimmt. Die Montageplatte 9 kann gegenüber den Seitenwänden 16 elektrisch isoliert sein, in^dem ihre Metallisierung 10 vor d£sen Seitenwänden endet. Bei der Variante der Montageplatte 9 aus elektrisch isolierendem, thermisch jedoch leit- I fähigem Substrat ist die Isolierung gegenüber den Seiten-wänden 16 ohnehin gegeben. Es versteht sich, daß der eine längliche Form aufweisende Modul auch im Bereich seiner Längsseiten mit Seitenwänden 21 abgeschlossen ist. Die Seitenwände 16 und 21 ι sowie die Bodenplatte 17 bilden somit ein Gefäß für die Isolierflüssigkeit. Dieses Gefäß kann einstückig sein und aus Aluminium bestehen. :
Im Fall eines gescEossenen Gefässes ist ein kompressibler Körper 22, z.B. ein gasgefüllter Kühlkörper aus Gummi, vorzusehen, der die Ausdehnung der Isolier- und Kühlflüssigkeit bei Erwärmung gestattet. j
Das Gefäß kann gleichzeitig den sekundären Luftkühler dar- \ stellen, wenn die Seitenwände 16 und/oder 21 mit Kühlrippen 23
- 10 - i
909886/0371
- ίο -
(in der Zeichnung lediglich schematisch durch Striche angedeutet) versehen sind. Die Seitenwände 16 und/oder 21 können auch einen Montageflansch mit planierter Fläche zur Montage an einem sekundären Flüssigkeits- oder Luftkühler aufweisen, der für mehrere Module gemeinsam für Kühlung sorgt (nicht dargestellt).
Alternativ kann das Gefäß mit je einem Anschluß für/Ein- und austritt der Kühlflüssigkeit eines externen sekundären Flüssig-! keitskühlersversehen werden. I
! Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Anschlußteile 7 ;
und 8 als Wärmerohre auszubilden. Der Einsatz solcher Wärme- j rohre ist bereits aus der DE-OS 22 26 057 bekannt, dort aller- : dings nicht in direkter Wärmekopplung mit den Halbleiterelementen, sondern an der Lufteintrittsseite des dortigen Kühlraumes. Bei Einsatz von Wärmerohren können die aus dem Substrat bzw. : der Montageplatte 9 ragenden Wärmerohre und/oder Metallmantel bzw. Metallbecher,ähnlich wie Becher 14» weniger belasteter Bauteile in entsprechende Ausnehmungen eines Massivkörpers eintauchen und gegen diesen, z.B. durch Siliconkautschuk, elektrisch isoliert werden. Da ein Wärmerohr die Wärmestromdichte extrem stark herabsetzt, ist der thermische Kontakt ausreichend. Die geringe spezifische thermische Leitfähigkeit des Kautschuks wird durch die große übertragende Fläche kompensiert. Die zuletzt beschriebene Anordnung kann sowohl in Kombination mit einem völlig abgeschlossenen, mit Isolierflüssigkeit gefüllten Gefäß als auch in Kombination mit einem mit einem externen Flüssigkeitskühler im Flüssigkeits-Umlauf-Kühlsystem verbundenen Gefäß angewandt werden.
909886/0371

Claims (7)

BC BROWN, BOVERI & CIE · AKTIENGESELLSCHAFT MANNHEIM BROWN BOVERI Mp.-Nr. 607/78 Mannheim, den 26. Juli 1978 ZFE/P3-Pp/dr Patentansprüche;
1.) leistungshalbleiter-Modul mit einem oder mehreren, vorzugsweise zwei, auf einer gemeinsamen Montageplatte befestigten Halbleiterelementen in Form von mit Elektroden versehenen, randseitig isolierten bzw. passivierten, für sich gehäuselosen Tabletten und wahlweise mit Beschaltungselementen in einem gemeinsamen Gehäuse mit Kühleinrichtung, wobei die Hauptstromanschlüsse und die gegebenenfalls vorhandenen Steuerstromanschlüsse des bzw. der Halbleiterelemente nach einer einzigen Seite aus dem Gehäuse herausgeführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf der den Tabletten (1,2) abgewandten Seite an die Montageplatte (9) ein durch dieselbe, Seitenwände (16, 21) und die Bodenplatte (17) des Moduls begrenzter Kühlraum (15) als primärer Teil der Kühleinrichtung anschließt, daß dieser eine Isolierflüssigkeit enthält und zwecks Wärmetausch mit einem sekundären Flüssigkeits- oder Luftkühler in Verbindung steht daß jedes Halbleiterelement (1, 2) mit einem elektiL sch und thermisch leit· fähigen, die Montageplatte (9) zum Kühlraum (15) hin durchquerenden Anschlußteil (7, 8) versehen ist.
- 2
909886/0371
ZFE/P4(67ti 1000/Kt)
2. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Montageplatte (9) insgesamt thermisch und mindestens auf der Anschlußseite der Halbleiterelemente (1, 2) mindestens bereichsweise elektrisch leitfähig ist.
3. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Montageplatte (9) ganz oder bereichsweise aus einem elektrisch isolierenden, thermisch jedoch insgesamt leitfähigem Substrat besteht, das die Anschlußteile von nicht miteinander zu verschaltenden Halbleiterelementen oder Beschaltungselementen voneinander isoliert.
4. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der die Halbleiterelemente (1, 2) enthaltende Gehäuseteil (13) aus einer elektrisch isolierenden Vergußmasse besteht.
5. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der die Halbleiterelemente (1, 2) enthaltende Gehäuseteil (13) aus einer elektrisch isolierenden Preßmasse besteht.
6. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Seitenwände (16, 21) des Kühlraumes (15) teilweise in die Verruß- oder Preßmasse ragen.
7. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Montageplatte (9) randseitig von einer Dichtung (20) umschlossen und in die Seitenwände (16, 21) eingelassen ist.
-D-
909886/0371
'P A l· I ibft.HOUU-KE)
DE19782832969 1978-07-27 1978-07-27 Leistungshalbleiter-modul Withdrawn DE2832969A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782832969 DE2832969A1 (de) 1978-07-27 1978-07-27 Leistungshalbleiter-modul
FR7919273A FR2433831A1 (fr) 1978-07-27 1979-07-26 Module a semi-conducteurs de puissance comprenant un dispositif de refroidissement
SE7906421A SE7906421L (sv) 1978-07-27 1979-07-27 Effekthalvledarmodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782832969 DE2832969A1 (de) 1978-07-27 1978-07-27 Leistungshalbleiter-modul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2832969A1 true DE2832969A1 (de) 1980-02-07

Family

ID=6045532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782832969 Withdrawn DE2832969A1 (de) 1978-07-27 1978-07-27 Leistungshalbleiter-modul

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE2832969A1 (de)
FR (1) FR2433831A1 (de)
SE (1) SE7906421L (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0038510B1 (de) 1980-04-21 1985-07-10 ALSTHOM-ATLANTIQUE Société anonyme dite: Aufbau für Leistungshalbleiter mit Transformatoren und mit Zünd- und Sicherheitsschaltkreis

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0038510B1 (de) 1980-04-21 1985-07-10 ALSTHOM-ATLANTIQUE Société anonyme dite: Aufbau für Leistungshalbleiter mit Transformatoren und mit Zünd- und Sicherheitsschaltkreis

Also Published As

Publication number Publication date
SE7906421L (sv) 1980-01-29
FR2433831A1 (fr) 1980-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60119865T2 (de) Elektrische Energie(um)wandlungsvorrichtung
DE112015005257B4 (de) Halbleitervorrichtung und leistungsmodul
EP0688053B1 (de) Niederinduktives Leistungshalbleitermodul
DE102012218579B4 (de) Niederinduktives Kondensatormodul und Leistungssystem mit einem solchen
DE2825582A1 (de) Waermeabfuehreinrichtung fuer halbleitermodul
DE2607403A1 (de) Luftgekuehlte packung fuer halbleiterschaltungen hoher packungsdichte
DE102013102829B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Anordnung hiermit
DE112012004244T5 (de) Diodenzellenmodule
DE112014001491T5 (de) Halbleitermodul
DE112011104406T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE4101205A1 (de) Gekuehltes hochleistungshalbleiterbauelement
DE112018002625T5 (de) Leistungshalbleitervorrichtung und Leistungsumsetzungseinrichtung, die diese enthält
DE112018003628T5 (de) Leistungsumsetzungsvorrichtung
DE2832969A1 (de) Leistungshalbleiter-modul
DE10303103B4 (de) Halbleiterbauteil, insbesondere Leistungshalbleiterbauteil
DE112016007419B4 (de) Halbleitermodul und Halbleitervorrichtung
EP0268081B1 (de) Vorrichtung zur Kühlung von Halbleiterbauelementen
DE102016215982A1 (de) Leistungsmodul, Verfahren zur Herstellung und Leistungselektronikschaltung
DE3905875A1 (de) Anordnung zur kuehlung von leistungshalbleitern ueber waermerohre
DE102019213956A1 (de) (Leistungs-)Elektronikanordnung mit einer effizienten Kühlung
DE102007005234B4 (de) Leistungselektronisches Modul mit einer Keramikumhüllung
DE102014203310A1 (de) Elektronikmodul
DE3501732C2 (de)
DE7146301U (de) Kuehlvorrichtung fuer eine halbleiteranordnung
DE8108938U1 (de) Baueinheit für Geräte der Nachrichtentechnik

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee