DE2802189B2 - Gegentakt-Verstärkerschaltung - Google Patents
Gegentakt-VerstärkerschaltungInfo
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- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
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Description
Die Erfindung betrifft eine Gegentakt-Verstärkerschaltung gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruches.
Eine derartige Schaltung ist u. a. in der integrierten Schaltung vom Typ Nr. TBA 700 der N. V. Philips'
Gloeilampenfabrieken enthalten. Bei dieser Schaltung wird die erste Verstärkerstufe durch einen Differenzverstärker
gebildet, der aus zwei emittergekoppelten Transistoren besteht, deren beide Kollektorströme je
einem der Eingangskreise der genannten Stromspiegel zugeführt werden. Da die Ruheströme in den Ausgangskreisen
dieser Stromspiegel in bezug auf den Ausgangsanschlußpunkt einander entgegengerichtet sind und die
Signalstromkomponenten in bezug auf diesen Ausgangsanschlußpunkt gleichphasig sind, kann dem
Ausgangsanschlußpunkt ein ruhestromfreier Signalstrom entnommen werden. Ein derartiger Ausgang wird
als Klasse-A-Ausgang bezeichnet.
In einer Anzahl von Anwendungen, z. B. in jenen Fällen, in denen eine minimale Verlustleistung erforderlich
ist, ist ein Gegentakt-B-Ausgang, d. h. ein Ausgang, bei dem die beiden zu diesem Ausgang führenden
Kreise keinen oder in bezug auf den Signalstrom verhältnismäßig wenig Ruhestrom führen und je eine
der be;den Richtungskomponenten des Ausgangssignalstroms
führen, erwünscht.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Gegentakt-Verstärkerschaltung der eingangs genannten
Art mit einem Gegentakt-B-Ausgang zu schaffen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im
Kennzeichen des Hauptanspruches angegebenen Maßnahmen gelöst. Verstärkerstufen mit gleichphasig
angesteuerten ruhestromfreien Ausgängen, wie sie bei der Erfindung benutzt werden, sind an sich bekannt
(DE-OS 25 38 362).
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß, wenn ein ruhestromloser Ausgangsstrom des Verstärkers
über den Eingangskreis eines Stromspiegels zu
einem Speisungsanschlußpunkt geführt wird, nur eine der beiden Richtungskomponenten zu dem Ausgangskreis
durchgelassen und gespiegelt wird. Indem zwei solcher Ausgangsströme je einem von zwei komplementären
Stromspiegeln zugeführt werden, wird ein Klasse-B-Ausgang erhalten. Die beiden Stromspiegel
können dabei eine Stromverstärkung aufweisen.
Beide Ausgangskreise können auf verschiedene Weise gleichphasig angesteuert werden. Eine bevorzugte
Ausführungsform ist dazu dadurch gekennzeichnet, daß die erste Verstärkerstufe weiter enthält: einen
ersten Differenzverstärker mit einem ersten und einem zweiten Transistor, deren Steuerelektroden mit einem
ersten bzw. einem zweiten Eingangsanschlußpunkt verbunden sind, wobei der erste Ausgangskreis der
ersten Verstärkerstufe durch den Drainkreis des zweiten Transistors gebildet wird; einen zweiten
Differenzverstärker mit einem dritten und einem vierten Transistor, deren Steuerelektroden mit dem
ersten bzw. dem zweiten Eingangsanschlußpunkt verbunden sind, wobei der zweite Ausgangskreis der
ersten Verstärkerstufe durch den Drainkreis des vierten Transistors gebildet wird; einen dritten Stromspiegel,
dessen Eingangskreis in den Drainkreis des ersten Transistors aufgenommen ist und dessen Ausgangskreis
zu der Drain-Elektrode des zweiten Transistors und zu dem Eingangskreis des ersten Stromspiegels führt, und
einen vierten Stromspiegel, dessen Eingangskreis in den Drainkreis des dritten Transistors aufgenommen ist und
dessen Ausgangskreis zu der Drain-Elektrode des vierten Transistors und zu dem Eingangskreis des
zweiten Stromspiegels führt.
Was beide Differenzverstärker anbelangt, kann es vorteilhaft sein, daß der erste, der zweite, der dritte und
der vierte Transistor von einem ersten Leitungstyp sind, der zweite Stromspiegel mit Halbleitern von diesem
ersten Leitungstyp aufgebaut ist und der erste, der dritte und der vierte Stromspiegel mit Halbleitern von einem
zweiten Leitungstyp aufgebaut sind. Beide Differenzverstärker weisen dann den gleichen Leitungstyp auf.
Dabei können Transistoren eingespart werden, dadurch, daß der erste und der dritte Transistor, glei h wie die
Eingangskreise des dritten und des vierten Stromspiegels, gemeinsam sind.
Bei den Ausführungsformen, bei denen die beiden Differenzverstärker den gleichen Leitungstyp aufweisen,
ist es in bezug auf den Gleichspannungspegel des zweiten Ausgangskreises vorteilhaft, daß in dem
Drainkreis des vierten Transistors zwischen seiner Drain-Elektrode und dem zweiten Ausgangskreis ein
fünfter Stromspiegel vom /weilen Leitungslyp, dessen Eingangskreis in den Drainkreis des vierten Transistors
aufgenommen ist, und ein sechster Stromspiegel vom ersten Leitungstyp, dessen Eingangskreis in den
Ausgangskreis des fünften Stromspiegels aufgenommen ist und dessen Ausgangskreis zu dem Eingangskreis des
zweiten Stromspiegels führt, angeordnet sind.
Der Eingangsspannungsbereich der bevorzugten Ausführungsform kann dadurch vergrößert werden, daß
der erste und der zweite Transistor von einem ersten Leitungstyp sind, der erste und der dritte Stromspiegel
mit Halbleiterbauelementen von einem zweiten Leitungstyp aufgebaut sind, der dritte und der vierte
Transistor vom zweiten Leitungstyp sind und der zweite und der vierte Stromspiegel mit Halbleiterbauelementen
vom ersten Leitungstyp aufgebaut sind.
Die Erfindung wird nunmehr beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine erste Ausführungsform der Erfindung, und F i g. 2 eine zweite Ausführungsform der Erfindung.
Das AusführungsPeispiel in F i g. 1 ist mit MOS-Transistoren
ausgeführt. Die erste Verstärkerstufe ist aus zwei Differenzverst'irkern aufgebaut. Der erste Differenzverstärker
enthalt einen n-Kanal-Tiansistor Ts und
einen n-Kanal-TranSistor Tt, wobei die Gateelektroden
der Transistoren T^ und Tb mit Eingangsanschlußpunkten
3 bzw. 2 und die Source-Elektroden mit der Drain-Elektrode eine's n-Kanal-Transistors T% der als
Stromquelle wirkt, verbunden sind. Dazu ist die Source-Elektrode des Transistors Tq mit einem negativen
Speisungsanschlußpunkt — Vb und die Gate-Elektrode mit der Gate-Elektrode eines n-Kanal-Transistors
Tin verbunden, dessen Source-Elektrode mit dem Speisungsanschlußpunkt — Vg und dessen Drain-Elektrode
mit seiner Gate-Elektrode verbunden ist. Die
Transistoren Tg und Tio bilden also zusammen einen Stromspiegel. Der Eingangsstrom für diesen Spiegel
wird dadurch erhalten, daß die Drain-Elektrode aes Transistors Tio über einen Widerstand 9 mit dem
positiven Speisungsanschlußpunkt + Vb verbunden wird. Die Auskopplung von Signalstrom findet dadurch
statt, daß der Drain-Strom des Transistors T5 in bezug
auf den positiven Speisungsanschlußpunkt + Vs zu dem
Drainkreis des Transistors Tt reflektiert wird. Dazu
enthält der erste Differenzverstärker einen p-Kanal-Transistor Τη, dessen Drain-Elektrode mit der Drain-Elektrode
des Transistors Ts verbunden ist. Die Gate-Elektrode des Transistors Ti ist mit seiner
Drain-Elektrode und mit der Gate-Elektrode eines p-Kanal-Transistors Te verbunden. Die Source-Elektroden
der Transistoren Ti und Tg sind mit dem positiven
Speisungsanschlußpunkt + Vs verbunden. Die Drain-
Elektrode des Transistors Tg ist mit einem Ausgangsanschlußpunkt
4 verbunden, mit dem auch die Drain-Elektrode des Transistors Tf, verbunden ist.
Sind die Transistoren Tj und Tg identisch, so ist der
Ruhestrom im Drainkreis des Transistors Ts gleich dem
-'3 Ruhestrom in dem Drainkreis des Transistors Te und
sind die Signalströme gegenphasig. Am Ausgang 4 kann also ein ruhestromfreier Ausgangsstrom fließen. Eine
geringe Ungleichheit der Transistoren Tj und Te setzt
dem Ausgangsstrom eine geringe Gleichstromkompo-
H) nente zu, die erwünscht sein kann, um die Verzerrung herabzusetzen.
Der zweite Differenzverstärker ist mit dem ersten Differenzverstärker identisch, mit der Maßgabe, daß die
entsprechenden Transistoren der beiden Differenzver-
-ir> stärker vom entgegengesetzten Leitungstyp sind und
daß die Speisungsanschlußpunkte verwechselt sind. Den Transistoren Ts, Tf1, Tj, Tg, Tg und T10, dem Widerstand 9,
den Eingängen 2 und 3 und dem Ausgang 4 des ersten Differenzverstärkers entsprechen die Transistoren T^,
Tit,, T\j, Tie, Tig bzw. T20, der Widerstand to, Eingänge 2
und 3 und Ausgang 5. Ebenso wie bei dem ersten Differenzverstärker kann am Ausgang 5 ein nahezu
ruhestromfreicr Ausgangsstrom gleichphasig zu einem Signal am Eingangsanschlußpunkt 2 und also gleichpha-
■ίΓ>
sig zu dem Ausgangsstrom am Ausgang 4 fließen.
Die zweite Verstärkerstufe ist aus zwei zueinander komplementären Stromspiegeln aufgebaut. Ein erster
Stromspiegel enthält p-Kanal-Transistoren T, und T2.
Die Source-Elektroden dieser Transistoren Ti und T2
w sind mit dem positiven Speisungsanschlußpunkt + V8
und die Gate-Elektroden sind mit der Drain-Elektrode des Transistors T1 verbunden, die mit dem Ausgang 4
verbunden ist.
Da der Transistor T1 nur Strom in einer Richtung
rir) führen kann, fließt nur eine der beiden Richtungskomponenten
des Stroms, der am Ausgang 4 fließen kann, durch den Transistor Ti und wird zu der Drain-Elektrode
des Transistors T2 reflektiert. Die andere Richtungskomponente wird dadurch unterdrückt, daß die
w) Spannung über dem Transistor Ti niedriger als die
Schwellwertspannung wird, wodurch der Transistor Tf
in den gesättigten Zustand gelangt (Source-Drain-Spannung kleiner als die Source-Gate-Spannung).
Der zweite Stromspiegel des zweiten Verstärkers
t>">
enthält die n-Kanal-Transistoren Tj und T4. Die
Source-Elektroden dieser Transistoren Tj und T4 sind mit dem negativen Speisungsanschlußpunkt — Vb und
die Gate-Elektroden sind mit der Drain-Elektrode des
Transistors Tj verbunden, die mit dem Ausgang 5
verbunden ist.
Ebenso wie bei dem ersten Spiegel Ti, Γ2 wird der
Transistor T3 nur eine der beiden Richtungskomponenten
des Signalstroms, der am Ausgang 5 fließen kann, führen. Da dieser Spiegel zu dem Spiegel Ti, T2
komplementär ist, ist diese Komponente derjenigen des Transistors 71 entgegengerichtet. Die Drain-Elektroden
der Transistoren 7} und 7} führen also wechselweise
eine Polarität des aus der Eingangsspannung erhaltenen Signalstroms. Dadurch, daß die Drain-Elektroden der
Transistoren T2 und Ta mit einem Ausgang 8 verbunden
sind, fließt durch den Ausgang 8, vorausgesetzt, daß dieser mit einer Belastung R] verbunden ist, ein Strom,
in dem wieder beide Polaritäten vorhanden sind. Auf diese Weise bilden die Transistoren T1 und Ti eine
Gegentakt-B-Ausgangsstufe. Dadurch, daß die Stromverstärkungsfaktoren der Spiegel Tj, Tg und Tu und Tie
etwas kleiner als 1 gewählt werden, fließt in der Ausgangsstufe ein geringer Ruhestrom, wodurch die
Verzerrung herabgesetzt wird.
Wegen des in bezug auf Leitungstypen und Speisespannungen symmetrischen Aufbaus der Schaltung
nach Fig. 1 ist der Eingangsspannungsbereich maximal.
F i g. 2 zeigt ein anderes Ausführen gsbeispiel nach der
Erfindung. Dieses Ausführungsbeispiel enthält, ebenso wie die Verstärkerschaltung nach Fig. 1, die zweite
Verstärkerstufe, die aus einem ersten und einem zweiten Stromspiegel mit Transistoren 7Ί, Γ2, Tz und Ta und dem
Ausgang 8 besteht. Ebenso enthält dieser einen ersten Differenzverstärker mit T5. 7"6, T7, Ts, T9, T10 und 9, der
mit dem nach F i g. 1 identisch ist. Der zweite Differenzverstärker wird durch einen mit dem ersten
Differenzverstärker identischen Differenzverstärker, also mit Transistoren vom entsprechenden Leitungstyp,
gebildet. Dieser zweite Differenzverstärker ist möglichst mit dem ersten kombiniert und wird durch die
Stromquelle 9, Ti0, T9 und die Transistoren T$ und 7"n
gebildet, wobei die Source-Elektrode des Transistors Ti 1 mit der Source-Elektrode des Transistors T6 und
dessen Gat;-Elekirode mit der Gate-Elektrode des Transistors T6 verbunden ist. Wenn der Transistor Γη
mit dem Transistor 7ä identisch ist. ist der Drain-Strom
des Transistors Tn nahezu gleich dem Drain-Strom des
Transistors T6.
Da der Ausgangsstrom des zweiten Differenzverstärkers in der zweiten Verstärkerstufe gegenüber der
negativen Speisespannung — Vbgespiegelt wird und der
minimale Drain-Elektrodenspannungspegel des Transi stors 711 dafür zu hoch ist, ist die Drain-Elektrode de;
Transistors 711 mit der Drain-Elektrode eines p-Kanal
Transistors Γ12 verbunden, dessen Drain-Elektrode mii
ι der Gate-Elektrode eines p-Kanal-Transistors 71;
verbunden ist, wobei die Source-Elektroden mit derr positiven Speisungsanschlußpunkt + V« verbunden sind
Dadurch wird der Drain-Strom des Transistors Tu ir bezug auf den positiven Speisungsanschlußpunkt + Vj
zu der Drain-Elektrode des Transistors 7I3 reflektiert
Auf ähnliche Weise wird der Drain-Strom des Transistors Γι3 über einen Spiegel, der aus der
n-Kanal-Transistoren Γ|4 und Γ21 besteht, in bezug aul
den negativen Speisungsanschlußpunkt - V« zu der Drain-Elektrode des Transistors Γ21 reflektiert. 1st die
ocsarnt ve rs tarnung
Spie
M 1.13 Z. W I5V.I ICl
den Drain-Elektroden der Transistoren Tw und T2]
gleich 1, so ist der Drain-Strom des Transistors T21
gleich dem Drain-Strom des Transistors 7~n und somii
2u gleich dem Transistor Tf1.
Die Strcmspiegelauskopplung des zweiten Differenz
Verstärkers Γ5, 71t erfolgt dadurch, daß ein p-Kanal
Transistor Γ22 in den Drainkreis des Transistors T2
aufgenommen wird. Die Gate-Elektrode dieses Transi stors ist mit der Gate-Elektrode des Transistors Ti unc
die Source-Elektrode dieses Transistors ist mit den positiven Speisungsanschlußpunkt + Vb verbunden. Au
diese Weise wird der Drain-Strom des Transistors Γ5 zi der Drain-Elektrode des Transistors Γ22 reflektiert.
Die Drain-Elektroden der Transistoren Γ21 und Γ2;
sind mit dem Ausgangsanschlußpunkt 5 verbunden, derr ein ruhestromfreier Signalstrom entnommen werder
kann. Die Wirkung der zweiten Verstärkerstufe Ti, T2 Tt,, Ti ist gleich der bei der Schaltung nach F i g. 1.
J5 Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die gezeigter
Ausführungsbeispiele. Es gibt verschiedene Verfahrer zum Erhalten zweier gleichphasig angesteuerter unc
nahezu ruhestromfreier Ausgangssignalstromkreise Auch die unterschiedlichen Stromspiegel lassen sich au
vielerlei Weise herstellen; z. B. ist es möglich, Wider stände in die Source-Kreise der unterschiedlicher
Strornspiegeitransistoren aufzunehmen, in bezug auf die
gezeigten Ausführungsbeispiele kann es vorteilhaft sein die Schaltungen nach den Fig. 1 und 2 dadurch zi
kombinieren, daß zwei Schaltungen nach F i g. 2, die mii zueinander komplementären Transistoren ausgefühn
sind, auf gleiche Weise wie bei der Schaltung nacr F i g. 1 zusammengebaut werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Gegentakt-Verstärkerschaltung mit einer ersten Verstärkerstufe zur Verstärkung eines Eingangssignals,
das einer zweiten Verstärkerstufe zugeführt wird, die einen ersten und einen zweiten
Stromspiegel enthält, wobei der zweite Stromspiegel (Ti, Ti) in bezug auf seine Funktion zu dem ersten
Stromspiegel (Ty, Tt) komplementär ist — insbesonder durch Verwendung von Halbleitern entgegenge- ·ο
setzten Leitfähigkeitstyps — und wobei die Ausgangskreise beider Stromspiegel in Reihe zwischen
den Speisespannungsanschlußpunkten (+Vb, — Vb) angeordnet und an einen gemeinsamen Ausgangsanschluß
(8) geführt sind, dadurch gekenn- '5 zeichnet, daß die erste Verstärkerstufe so
ausgebildet ist, daß ihre beiden Ausgänge ruhestromfrei sind und gleichphasig angesteuert werden.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Verstärkerstufe
weiter enthält: einen ersten Differenzverstärker mit einem ersten und einem zweiten Transistor (T5, T6)
deren Gate-Elektroden mit einem ersten bzw. einem zweiten Eingangsanschlußpunkt verbunden sind,
wobei der erste Ausgangskreis der ersten Verstärkerstufe durch den Drainkreis des zweiten
Transistors gebildet wird; einen zweiten Differenzverstärker mit einem dritten und einem vierten
Transistor (Ti5, /ie), deren Gate-Elektroden mit dem
ersten bzw. dem zweiten Eingangsanschlußpunkt -JO
verbunden sind, wobei der zweite Ausgangskreis der ersten Verstärkerstufe durch den Drainkreis des
vierten Transistors gebildet wird; einen dritten Stromspiegel (Tj, T8), dessen Eingangskreis in den
Drain-Kreis des ersten Transistors (T5) aufgenom- «
men ist und dessen Ausgangskreis zu der Drain-Elektrode des zweiten Transistors und zu dem
Eingangskreis des ersten Stromspiegels (Ty, T2) führt, und einen vierten Stromspiegel (Ti7, Ti8)
enthält, dessen Eingangskreis in den Drain-Kreis des *> dritten Transistors (Ti5) aufgenommen ist und
dessen Ausgangskreis zu der Drain-Elektrode des vierten Transistors und zu dem Eingangskreis des
zweiten Stromspiegels führt.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch <tr>
gekennzeichnet, daß der erste, der zweite, der dritte und der vierte Transistor von einem ersten
Leitungstyp sind, der zweite Stromspiegel mit Halbleitern von diesem ersten Leitungstyp aufgebaut
ist und der erste, der dritte und der vierte Γ><
> Stromspiegel mit Halbleitern von einem zweiten Leitungstyp aufgebaut sind.
4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der dritte
Transistor gemeinsam durch einen Transistor « gebildet werden und daß die Eingangskreise des
dritten und des vierten Stromspiegels gemeinsam durch einen Kreis gebildet werden.
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß in den Drain-Kreis des f>o
vierten Transistors zwischen seiner Drain-Elektrode und dem Eingangskreis des zweiten Stromspiegels
ein fünfter Stromspiegel vom zweiten Leitungstyp, dessen Eingangskreis in den Drain-Kreis des vierten
Transistors aufgenommen ist, und ein sechster M Stromspiegel vom ersten Leitungstyp, dessen
Eingangskreis in den Ausgangskreis des fünften Stromspiegels aufgenommen ist und dessen Ausgangskreis
zu dem Eingangskreis des zweiten Stromspiegels führt, angeordnet sind.
6. Verstärkerschaltung nacii Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor von einem ersten Leitungstyp sind, der
erste und der dritte Stromspiegel mit Halbleiterbauelementen von einem zweiten Leitungstyp
aufgebaut sind, der dritte und der vierte Transistor vom zweiten Leitungstyp sind, und daß der zweite
und der vierte Stromspiegel mit Halbleiterbauelementen vom ersten Leitungstyp aufgebaut sind.
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