DE2719800C3 - Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung - Google Patents
Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur JustierungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer durch ein Kondensorlinsensystem
gleichmäßig mit einem Korpuskularstrahl beleuchteten Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat,
bei dem ein eine Justiermcrke enthaltender Bereich des Präparates mit einer Korpuskularstrahlsonde abgetastet
wird, die als punktförmige Sonde eine Justieröffnung in der Maske durchsetzt und durch ein in
Strahlrichtung oberhalb der Maske angeordnetes Ablenksystem rasterförmig ausgelenkt wird, und bei
dem das dabei vom Präparat ausgehende Signal zur Bilderzeugung einem Monitor zugeführt wird. Ein
derartiges Gerät, wie es z. B. aus einer Arbeit von Heritage. J. Vac. Sei. Technol., Vol. 12, No. 6, 1975,
Seiten 1135 bis 1140 bekannt ist. dient insbesondere zur
Erzeugung von Mustern auf Halbleiterplättchen (Wafern) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen.
Bei dem bekannten Gerät wird zur relativen Justierung von Maske und Präparat die Erregung des
Kondensorlinsensystems derart erhöht, daß die Strahlquelle — ideale Linsen vorausgesetzt — punktförmig in
die Maskenebene und damit durch das anschließende Projekijonslinsensystem ebenfalls punktförmig in die
Präparatebene abgebildet wird. Oberhalb der Maske
ίο Hegt ein Ablenksystem; es wird so erregt, daß die durch
den Strahl gebildete punktförmige Sonae die Prüföffnung in der Maskenebene abrastert In der Nähe des
Präparates befindet sich ein Detektor, der am Wafer ausgelöste Sekundärelektronen registriert; das Detektorsignal
wird einem Monitor zugeführt. Auf dem Bildschirm des Monitors erscheint dann als Bild die
Überlagerung zweier Abbildungen, von denen die eine die scharfe Abbildung der Oberfläche des Präparates
mit der Justiermarke und den anderen Einzelheiten dieser Oberfläche ist. Die andere Abbildung ist ein
Schattenbild der Prüföffnung in der Maske. Zur Justierung wird die Maske oder das Präparat so lange
verschoben, bis sich das Bild der Prüföffnung und das der Justiermarke decken. Der Rasterbereich braucht
dabei nicht größer als die Prüföffnung zu sein; die Vergrößerung sollte so gewählt sein, daß das Bild der
Prüföffnung den Bildschirm des Monitors ausfüllt.
Bereits beim Einsetzen der Maske und des Präparates in das korpuskularstrahloptische Gerät wird ohne
Bildbetrachiung auf dem Monitor eine mechanische Vorjustierung vorgenommen. Dabei kann die relative
Lage von Maske und Präparat zueinander etwa auf 100 μίτι genau an sich außerhalb des Gerätes befindenden
Verstellelementen abgelesen werden. Bei dem aus dem Aufsatz von Heritage bekannten Justierverfahren
müßten die Justiermarke und die Prüföffnung mindestens so groß gewählt werden, daß sich ihre Bilder auf
dem Monitor nach der beschriebenen Vorjustierung zumindest teilweise überlappen. Wäre das nicht der Fall,
so würde auf dem Bildschirm des Monitors nur das Bild der Prüföffnung erscheinen; das der Justiermarke müßte
erst gesucht werden. Bei dieser Größe von Prüföffnung und Justiermarke läßt sich jedoch die relative Lage der
beiden Monitorbilder zueinander nicht mehr mit genügender Genauigkeit bestimmen. Diese Genauigkeit,
die mindestens dem kleinsten Abstand zwischen den einzelnen Elementen auf dem Wafer, wie Kondensator,
Transistor, Widerstand usw., entsprechen muß, beträgt etwa 0,1 μτη.
Die Erfindung befaßt sich daher mit der Aufgabe, bei einem korpuskularstrahloptischen Gerät der eingangs
genannten Art bei geringem Meßaufwand die Meßgenauigkeit zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Justieröffnung aus einem Einfangbereich und einem innerhalb dieses Bereiches liegenden Feinjustierbereich besteht, daß sowohl der Einfang- als auch der Feinjustierbereich von einem für den Korpuskularstrahl undurchlässigen Rand umgeben sind und daß das
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Justieröffnung aus einem Einfangbereich und einem innerhalb dieses Bereiches liegenden Feinjustierbereich besteht, daß sowohl der Einfang- als auch der Feinjustierbereich von einem für den Korpuskularstrahl undurchlässigen Rand umgeben sind und daß das
to korpuskularstrahloptische Bild des Einfangbereiches in
der Präparatebene so groß ist, daß die Justiermarke bei mechanisch ohne Beobachtung des Bildes auf dem
Monitor erreichbarer Vorjustierung innerhalb dieses korpuskularstrahloptischen Bildes des Einfangsbereichs
Im Gegensalz zu dem aus der Arbeit von Heritage
bekannten Gerät ist es bei dem Gerät nach der Erfindung nicht notwendig, daß das Bild der Justieröff-
nung und das der Justiermarke etwa die gleiche Größe
haben oder darüber hinaus auch noch die gleiche Form. Die Form der Justieröffnung kann bei dem erfindungsgemäßen
Gerät völlig beliebig gewählt werden ohne Rücksicht auf die Form der Justiermarke. Wesentlich ist
nur, daß das korpuskularstrahloptoche Bild der Justieröffnung in der Präparatebene so groß ist, daß die
Justiermarke bei der mechanischen Vorjustierung innerhalb dieses Bildes zu liegen kommt. Erst die Form
des Feinjustierbereiches muß, zumindest bei einem Justierverfahren, bei dem zwei Bilder zur Deckung
gebracht werden, mit der Form der Justiermarke insoweit übereinstimmen, daß die relative Lage der
beiden Bilder auf dem Monitor zueinander bestimmbar ist. is
Abweichend von dem bisher beschriebenen Positionierverfahren wird bei einem anderen bekannten
Verfahren in einem Elektronenstrahlscbreiber kein vollständiges Bild der Präparatoberfläche, sondern
lediglich ein Intensitätsprofil entlang einzelner Rasterzeilen (line scan) quer durch eine Justiermarke aufgenommen
(IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-17, Nor. 6, Juni 1970, Seiten 450 bis 457).
Anhand der Lage des Markensignals relativ zum Rasterfeld kann dort die Abweichung der Marke von
einer Sollage, z. B. der Rasterfeldmitte, bestimmt werden. Wie dazu bereits in einer früheren Patentanmeldung
(DE-OS 27 02 448 vorgeschlagen wurde, kann dieses Verfahren auch zum justieren einer Maske relativ
zu einem Präparat eingesetzt werden. Dabei ist es zur jo
Steigerung der Meßgenauigkeil vorteilhaft, den nur entlang einer Zeile über den Bildschirm des Monitors
geführten Schreibstrahl in dazu senkrechter Richtung proportional zu dem erzeugten Signal auszulenken.
Auch für dieses Positionierverfahren ist das Gerät nach )5
der Erfindung besonders vorteilhaft, insbesondere wenn als Justiermarken auf dem Präparat schmale Gräben
oder entsprechende Erhöhungen vorgesehen sind. Zur Bilderzeugung können dabei sämtliche durch den
Korpuskularstrahl in dem Präparat erzeugten Signale verwendet werden, also entweder die rückgestreuten
Korpuskeln, die Sekundärkorpuskeln oder aber auch der Probenstrom. Die höhere Meßgenauigkeit ergibt
sich bei dem korpuskularstrahloptischen Gerät nach der Erfindung nicht nur, wenn, wie es aus dem Aufsatz von
Heritage bekannt ist, die Maske verkleinert auf das Präparat abgebildet wird, sie ergibt sich ebenfalls bei
einer korpuskularstrahloptischen Schattenprojektion, bei der sich die Maske unmittelbar über dem Präparat
befindet; die Maske wird 1 : 1 auf das Präparat so abgebildet. Gerade bei der korpuskularstrahloptischen
Schattenprojektion wird man vorteilhafterweise den Probenstrom als Signal verwenden, da eine einwandfreie
Registrierung der vom Präparat ausgehenden Sekundär- oder Rückstreukorpuskeln wegen der dicht
darüberliegenden Maske Schwierigkeiten bereitet.
Ein vorteilhaftes Verfahren zur Justierung einer Maske relativ zu einem Präparat mit dem erfindungsgemäßen
Gerät besteht darin, daß durch eine Grobjustierung die Marke auf dem Präparat in den Feinjustierbe- t>o
reich der Maske geschobc:. vw;\i, in dem nach einer
Erhöhung der Vergrößerung die Feinjustierung vorgenommen wird. Wie bereits ausgeführt, soll sich die
Justiermarke nach der mechanischen Vorjustierung bereits innerhalb des korpuskularstrahloptischen Bildes
des Einfangsbereiches der Maske befinden. Zur Grobjustierung wird dann der Rasterbereich und die
Vergrößerung auf dem Monitor so gewählt, daß der Einfangbereich etwa den Bildschirm dieses Monitors
ausfüllt Bei dieser Einstellung wird das Präparat oder die Maske mechanisch derart verschoben, daß die
Justiermarke innerhalb des Feinjustierbereiches der Mask« zu liegen kommt Anstelle der mechanischen
Verschiebung, z. B. mit Piezokristallen, ist auch eine Verschiebung des Korpuskularstrahls durch ein magne-'.isches
oder elektrisches Gleichfeld denkbar. Zur anschließenden Feinjustierung wird die Vergrößerung
des Monitors so gesteigert und gegebenenfalls auch der Rasterbereich so geändert, daß nun das Bild dieses
Feinbereiches die gesamte Fläche des Bildschirmes des Monitors ausfüllt — im line scan-Betrieb soll die Breite
des Feinjustierbereiches entlang der abgetasteten Zeile etwa auf die Breite einer Bildschirmzeile vergrößert
werden. Bei dieser Einstellung wird dann die Feinjustierung vorgenommen, d. h. die Maske so lange verschoben,
bis Justiermarke und Feinjustierbereich die geforderte relative Lage zueinander zeigen.
Ein besonders einfacher Aufbau des Feinjustierbereiches ergibt sich dadurch, daß dieser aus einer oder
mehreren Maschen eines innerhalb des Einfangbereiches aufgespannten Gitters besteht. Sollen auch andere
Formen des Feinjustierbereiches als die einer Gittermasche zugelassen sein, so empfiehlt es sich, daß der Rand
des Feinjustierbereiches über ein Stützgitter mi! dem Rand des Einfangbereiches verbunden ist. Hierbei
können sowohl der Einfangbereich als auch der Feinjustierbereich völlig beliebige Formen annehmen.
Eine vorteilhafte Weiterbildung besteht darin, daß der Rand des Feinjustierbereiches breiter als die Stegbreite
des Stützgitters ist. Dadurch unterscheidet sich der Feinjustierbereich deutlicher von den ihn umgebenden
Bereichen, so daß er bereits während der Grobjustierung leichter zu erkennen ist. Insbesondere im
line scan-Betrieb bekommt man dadurch einen deutlicheren Intensitätssprung an diesem Rand, der wiederum
das sichere Auffinden des Feinjustierbereiches erleichtert.
Anhand der F i g. 1 bis 4 werden im folgenden Ausführungsbespiele nach der Erfindung beschrieben.
Dabei zeigt
Fig. 1 ein elektronenstrahloptisches Gerät als Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
F i g. 2a und 2b unterschiedliche Ausführungen von Masken, wie sie bei dem Gerät nach Fig. 1 vorteilhaft
eingesetzt werden können, und
F i g. 3b den Probenstrom für verschiedene in F i g. 3a dargestellte Justiermarken.
Mit Hilfe der F i g. 4a bis 4c soll das Justierverfahren schrittweise erläutert werden.
Fig. 1 zeigt ein elektronenstrahloptisches Gerät 1, bestehend aus einer Elektronenquelle 2, einem dreistufigen
Kondensorlinsensystem 3 mit den Linsen a, b und c und einem Projektionslinsensystem 6, das aus einer
langbrennweitigen Zwischenlinse 7 und einer kurzbrennweitigen Abbildungslinse 8 zusammengesetzt ist.
Die Linsen 7 und 8 sind als magnetische Linsen ausgebildet. Sie sind vorzugsweise entgegengesetzt
gleich erregt; das bedeutet, daß sie dieselbe Amperewindungszahl besitzen und daß die Richtungen ihrer
Magnetfelder zueinander entgegengesetzt sind. Durch diese Art der Erregung in Verbindung mit einem
telezentrischen Strahlengang (der gegenseitige Abstand der beiden Linsen 7 und 8 ist gleich der Summe ihrer
Brennweiten) wird erreicht, daß im Projektionslinsensystem der Verdrehungsfarbfehler, der Vergrößerungsfarbfehler und die isotrope Verzeichnung zu Null
werden und die verbleibenden Fehler zumindest teilweise aufgehoben sind.
Mit 4 ist eine Maske bezeichnet, die verkleinert auf ein Präparat 11. z. B. ein Halbleiterplättchen, abgebildet
wird. Der Strah ngang des Projektionslinsensystems 6 ist telezentrisch; die hintere Brennebene der Zwischenlinse
7 und die vordere Brennebene der Abbildungslinse 8 fallen zusammen, die Maske 4 liegt in der vorderen
Brennebene der Zwischenlinse 7 und das Präparat 11 in
der hinteren Brennebene der Abbildungslinse 8. Der Verkleinerungsmaßstab, unter dem die Maske auf das
Präparat abgebildet wird, entspricht dem Verhältnis der Brennweiten beider Linsen.
Zur integralen Abbildung der Maske 4 auf das Präparat 11 sind die Linsen des Kondensorlinsensy- i"j
stems 3 derart erregt, daß die Maske 4 gleichmäßig mit einem Elektronenstrahl beleuchtet wird. Dieser Fall ist
hier nicht dargestellt. Zum Justieren wird die Erregung der Linse c des Kondensorlinsensystems 3 derart
gesteigert, daß der Elektronenstrahl auf die Maske 4 fokussiert wird. Zwischen den Linsen b und c des
Kondensorlinsensystems 3 befindet sich ein Ablenksystem 9, durch welches der Elektronenstrahl um einen
Punkt gekippt wird, der am vorderen Brennpunkt der Linse c liegt. Dadurch wird die Maske 4 von dem y-,
Elektronenstrahl in senkrechter Richtung durchstrahlt.
Der auf die Maske 4 fokussierte Elektronenstrahl bildet die Sonde, die mit Hilfe des Ablenksystems 9
rasterförmig über die Maske 4 geführt werden kann. Die Maske 4 weist eine Prüföffnung 4a auf, das Präparat 11 in
eine Justiermarke 11a. In dem Ausführungsbeispiel nach
F i g. 1 wird als durch den einfallenden Elektronenstrahl im Präparat 11 erzeugtes Signal der Probenstrom
verwendet, der über einen Verstärker 12 auf die V-Platten 13 eines Monitors 14 gegeben wird. Die r>
Platten 15 für die X-Ablenkung werden synchron mit
der entsprechenden X-Ablenkung des Ablenksystems 9 angesteuert. Diese Signalverarbeitung eignet sich
speziell für den line scan-Betrieb, bei dem die Intensität des Probenstromes über dem Ort auf dem Bildschirm 1«
des Monitors 14 aufgezeichnet wird. Ebenso wäre es möglich, durch Registrierung der Sekundär- bzw.
Rückstreuelektronen die zwei überlagerten Bilder von Prüföffnung 4a und Justiermarke 1 la zu erhalten.
Direkt unterhalb der Maske 4 ist gestrichelt ein Präparat 11' eingezeichnet. Bei dieser Stellung des
Präparates handelt es sich um eine Schattenprojektion; das Projektionslinsensystem 6 kommt dabei nicht zum
Einsatz. Die Maske 4 wird im Verhältnis 1 : 1 auf das Präparat 11' abgebildet. Ansonsten bleibt alles unverän- ίο
dert. Auch hier ist wiederum gestrichelt der Probenstrom auf den Verstärker 12 und von dort auf dem
Monitor 14 gegeben. Gerade bei der Schattenprojektion eignet sich der Probenstrom besonders zur
Erkennung der Justiermarke, da wegen der direkt oberhalb des Präparates 11' angeordneten Maske 4 die
Sekundär- bzw. Rückstreuelektronen nur schwer vollständig zu registrieren sind.
Die Fig. 2a und 2b zeigen die Ausschnitte aus der
Maske 4, die die Prüföffnung 4a enthalten. F i g. 2a zeigt mi
als Beispiel eine runde Prüföffnung, in der sich ein Gitter 16 befindet. Der breite Rand 17 der Prüföffnung ist Teil
der Maske 4 und nur in dieser Darstellung der Form der Prüföffnung angepaßt. Jede Masche dieses Gitters 16
kann der Feinjustierbereich darstellen. Vorzugsweise h5
wird man jedoch die mittlere Masche 16a dazu verwenden.
F i g. 2b zeigt eine quadratische Prüföffnung, wiederum von einem Rand 17 umgeben. Innerhalb dieser
Prüföffnung befindet sich als Feinjustierbereich ein Ring 18, der von einem Stützgitter 19 getragen wird. Im
Gegensatz zur F i g. 2a ist in dem Beispiel nach F i g. 2b auch der Feinjustierbereich von einem breiten, für
Elektronen durchlässigen Rand umgeben.
Für den Elektronenstrom im Präparat kann man folgende Bilanzgleichung aufstellen:
Ie = Ire + /.« + Ipr,
wobei Ie den Strom der auftreffenden Elektronen, Ire
den der rückgestreuten, lsi.den der Sekundärelektronen und IrR den Probenstrom darstellt. Um ein charakteristisches
Signal von der Justiermarke zu erhalten, muß diese — konstantes Ie vorausgesetzt — einen oder
mehrere dieser Teilströme typisch verändern. Übliche Justiermarken sind deshalb z. B. aufgedampfte andere
Substanzen mit unterschiedlichem Rückstreuvermögen oder Gräben, in deren Bereich die Sekundärelektronenausbeute
verändert wird. Aus der obigen Bilanzgleichung ergibt sich, daß dann auch der Probenstrom, und
zwar gegenläufig, verändert wird.
In F i g. 3 ist der Verlauf des Probenstromes für einen
Einfachgraben und für einen Doppelgraben aufgezeigt. Im mittleren Abschnitt dieser Figur ist zur Verdeutlichung
des Entstehens des Probenstromsignals an einem Doppelgraben der Fall aufgezeichnet, in dem zwei
Einzelgräben ohne gegenseitige Beeinflussung nebeneinanderliegen. Wie man an diesem Teil der Fig. 3
ersehen kann, überlagern sich die Signale der beiden Einzelgräben in einem mittleren Bereich und führen zu
einem schärferen größeren Signalpik an dieser Stelle. Der Doppelgraben verbessert dadurch wesentlich die
Genauigkeit, mit der man seine Lage relativ zur Prüföffnung bestimmen kann.
Anhand der Fig.4 soll nun das Justierverfahren in
drei Schritten näher erläutert werden. Im oberen Teil der F i g. 4 sind die jeweiligen Sekundärelektronenbilder
dargestellt, im unteren Teil die entsprechenden Probenstromsignale. Der obere Teil der Fig.4a zeigt
dabei die Justieröffnung, in der sich der von einem Stützgitter getragene Feinjustierbereich 20 befindet
Dieser besteht aus fünf ein Kreuz bildenden Quadraten die von einem Rand umgeben sind, dessen Breite
wesentlich größer als die Stegbreite des Stützgitters 19 ist. Außerdem zeigt dieses Bild die zufällige Lage der
Justiermarke 21 nach der mechanischen Vorjustierung Dabei handelt es sich wiederum um einen Doppelgraben
entsprechend dem rechten Teil der F i g. 3, der sich durch eine erhöhte Sekundärelektronenausbeute an der
beiden äußeren Randern des Doppeigrabens und ir
dessen Mitte bemerkbar macht (gegenläufig zurr Probenstromsignal entsprechend F i g. 3b, rechte Bildseite).
Durch die Pfeile 22 ist angedeutet, entlang welcher Linie im line scan-Betriebabgerastert wird.
Im unteren Teil der Fig.4a ist der entsprechendt
Probenstrom über dem Ort aufgetragen. Außerhalb dei Prüföffnung ist der Probenstrom Nuil, innerhalb de:
Prüföffnung springt er auf einen bestimmten Wert Beirr Oberfahren jedes Steges des Stützgitters wird dei
einfallende Elektronenstrahl abgeschirmt, d.h. dei Probenstrom sinkt ab. Wegen der Zeitkonstante dei
Verstärker und wegen der geringen Breite dei Stützgitterstäbe sinkt er jedoch nicht ganz auf NuI
herunter. Beim Überqueren des Doppeigrabens ander sich der Probenstrom entsprechend F i g. 3b, wegen dei
geringen Vergrößerung ist jedoch die Auflösung füi eine genaue Lagebestimmung noch zu schlecht.
Im mittleren Bild 4b ist die Grobjustierung bereits durchgeführt. Der Doppelgraben wurde in die Mitte des
Einfangbereiches geschoben. Durch den Aufbau der Justieröffnung erscheint der Doppelgraben 21 nun im
Feinjustierbereich. Bei dieser Einstellung wird die Vergrößerung so weit erhöht, daß nur noch ein Quadrat
des Feinjustierbereiches 20 den Bildschirm des Monitors ausfüllt. Auch der Rasterbereich kann dabei derart
geändert werden, daß nur noch über dieses eine Quadrat des Feinjustierbereiches gerastert wird. Der breite Rand
der einzelnen Quadrate des Feinjustierbereiches bietet dabei den Vorteil, daß das Probenstromsignal in diesem
Bereich auf Null zurückgeht. Dadurch ist auch am Probenstromsigna! eindeutig feststellbar, daß wirklich
über den Feinjustierbereich gerastert wird und nicht über eine andere Masche des Stützgitters. Wie in
F i g. 4c dargestellt, kann nach dieser Vergrößerungserhöhung die Feinjustierung vorgenommen werden.
Wie Versuche am Schattenprojekt ergeben haben, ist bei Verwendung einer Sondengröße von 0,5 μπι und
eines Sondenstromes von 5 ■ 10-10A die geforderte
Genauigkeit der Lageerkennung möglich.
Im Beispiel nach der F i g. 4 ist im line scan-Betrieb
die Justierung in einer Richtung vorgenommen worden. In der dazu senkrechten Richtung muß das Verfahren
entsprechend wiederholt werden.
Die spezielle Form des Feinjustierbereiches 20 entsprechend Fig.4 bietet -dabei einen wesentlichen
Vorteil. Im Prinzip könnte der Feinjustierbereich allein aus dem mittleren Quadrat bestehen. Zur Justierung in
beiden Richtungen müßten jedoch sich kreuzende Gräben verwendet werden, wodurch im Kreuzungspunkt
eine unerwünschte Störung der Grabenstruktur auftreten würde. Daher ist es vorteilhaft, außerhalb
dieses Kreuzungsbereiches die Gräben zu überfahren und dazu beispielsweise, wie in F i g. 4 dargestellt, in
einer Richtung das untere Quadrat des Feinjustierbereiches zu benutzen, in der dazu senkrechten Richtung das
rechte oder linke Quadrat.
Neben den hier in den Ausführungsbeispielen gezeigten Justieröffnungen in einer Maske sind andere,
beliebig geformte öffnungen sowohl für den Einfangbereich als auch für den Feinjustierbereich möglich.
Die Erfindung ist nicht nur bei Elektronenstrahlgeräten, sondern auch bei Ionenstrahlgeräten dieser Art
anwendbar.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion
einer durch ein Kondensorlinssensystem gleichmäßig mit einem Korpuskularstrahl beleuchteten
Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat, bei dem ein eine Justiermarke enthaltender Bereich des
Präparates mit einer Korpuskularstrahlsonde bestrahlt wird, die als punktförmige Sonde eine
Justieröffnung in der Maske durchsetzt und durch ein in Strahlrichtung oberhalb der Maske angeordnetes
Ablenksystem rasterförmig ausgeienkt wird, und bei dem das dabei vom Präparat ausgehende
Signal zur Bilderzeugung einem Monitor zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die
Justieroffnung (Aa) aus einem Einfangbereich und einem innerhalb dieses Bereichss liegenden Feinjustierbereich
(16a, 18, 20) besteht, daß sowohl der Einfang- als auch der Feinjustierbereich (16a, 18,20)
von einem für den Korpuskularstrahl undurchlässigen Rand umgeben sind und daß das korpuskularstrahloptische
Bild des Einfangbereiches in der Präparatebene so groß ist, daß die Justiermarke (11a,
21) bei mechanisch ohne Beobachtung des Bildes auf dem Monitor (14) erreichbarer Vorjustierung innerhalb
dieses korpuskularstrahloptischen Bildes des Einfangbereiches liegt.
2. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspiuch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Feinjustierbereich
(16ajaus einer oder mehreren Maschen eines innerhalb des Einfangbereiches aufgespannten
Gitters (16)besteht (F i g. 2a).
3. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Rand des
Feinjustierbereiches (18) über ein Stützgitter (19) mit dem Rand (17) des Einfangbereiches verbunden ist
(Fig. 2b).
4. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Rand des
Feinjustierbereiches (18) breiter als die Stegbreite des Stützgitters (19) ist.
5. Verfahren zur Justierung einer Maske relativ zu einem Präparat mit einem Gerät nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Grobjustierung die Marke (IbJ auf dem
Präparat (11) in den Feinjustierbereich (16a, 18, 20) der Maske (4) geschoben wird, in dem nach einer
Erhöhung der Vergrößerung die Feinjustierung vorgenommen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772719800 DE2719800C3 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772719800 DE2719800C3 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2719800A1 DE2719800A1 (de) | 1978-11-02 |
DE2719800B2 DE2719800B2 (de) | 1980-02-14 |
DE2719800C3 true DE2719800C3 (de) | 1980-10-23 |
Family
ID=6007928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772719800 Expired DE2719800C3 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2719800C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4370554A (en) | 1979-09-27 | 1983-01-25 | International Business Machines Corporation | Alignment system for particle beam lithography |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4263514A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-21 | Hughes Aircraft Company | Electron beam system |
DE2942990A1 (de) * | 1979-10-24 | 1981-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur automatischen justierung von strukturen in zwei parallelen ebenen, insbesondere bei der herstellung von integrierten halbleiterschaltungen |
-
1977
- 1977-04-28 DE DE19772719800 patent/DE2719800C3/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4370554A (en) | 1979-09-27 | 1983-01-25 | International Business Machines Corporation | Alignment system for particle beam lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2719800A1 (de) | 1978-11-02 |
DE2719800B2 (de) | 1980-02-14 |
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