DE2632645B2 - Geregelter Transistoroszillator - Google Patents
Geregelter TransistoroszillatorInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen geregelten Transistoroszillator mit einer kapazitiven Dreipunktschaltung
und mit einem Trennverstärker sowie mit einem in Abhängigkeit von der Ausgangswechselspannung
des Oszillators gesteuerten Regelwiderstand und einer Zenerdiode als Referenzspannungsquelle.
Ein derartiger Oszillator ist aus der Zeitschrift »Frequenz« 24 (1970), Seiten 357 bis 363 bekannt.
Aus der DE-OS 24 08 991 ist weiter ein Oszillator mit einem Schwingtransistor in Collpits-Schaltung bekannt.
In dieser liegt dem Schwingkreis ein weiterer Transistor parallel, so daß eine einem Differenzverstärker ähnliche
Anordnung entsteht. In Abhängigkeit von der Basisspannung des weiteren Transistors erfolgt eine Änderung
der Stromaufteilung zwischen den beiden Transistoren, wodurch mit wachsendem Strom durch den
weiteren Transistor die Ausgangsamplitude des Oszillators absinkt, so daß sich diese auf einen konstanten Wert
einregelt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Ortungsoszillator mit geringer Betnebsstromaufnahme
zu schaffen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird gemäß der Erfindung der eingangs genannte Oszillator derart
ausgebildet, daß die Emitter-Kollektorstrecke des Schwingtransistors sowie dessen Emitterwiderstand, die
Emitter-Kollektorstrecke des Transistortrennverstärkers sowie dessen Emitterwiderstand und die Zenerdiode
gieichstrommäßig in Reihe geschaltet sind und daß parallel zu dem aus der Emitter-Kollektorstrecke des
Schwingtransistors und dessen Emitterwiderstand bestehenden Teil der Reihenschaltung der in Abhängigkeit
von der Ausgangswechselspannung des Oszillators gesteuerte Widerstand liegt.
Durch diese Maßnahme erhält man einen Oszillator mit äußerst geringer Betnebsstromaufnahme.
Der gesteuerte Widerstand kann bei einer Weiterbildung der Erfindung die Emitter-Kollektorstrecke eines
weiteren Transistors sein, dessen Basis über einen zusätzlichen Transistor angesteuert ist, wobei die Basis
des zusätzlichen Transistors über einen Spitzenwert-Gleichrichter, an dem eingangsseitig die Ausgangswechselspannung
des Trennverstärkers liegt, angesteuert ist.
Bildet man den Transistoroszillator so aus, daß der Schwingquarz der Oszillatorstufe zwischen der Basis
des Schwingtransistors und dem Emitter des Transistors des Trennverstärkers liegt, so kann man die selektiven
Eigenschaften des Quarzes zur Siebung in der Trennverstärkerstufe mit ausnutzen.
Zweckmäßigerweise wird der Transistoroszillator derart ausgebildet, daß die Basis des Schwingtransistors
am Abgriff eines Spannungsteilers liegt, daß das eine Ende dieses Spannungsteilers mit dem Kollektor und
das andere Ende mit dem Emitter des Schwingtransistors verbunden ist und daß beide Widerstände des
Spannungsteilers gleich groß sind.
Anhand von Ausführungsbeispielen nach den F i g. I und 2 wird die Erfindung näher erläutert.
Der Schwingtransistor Π bildet zusammen mit den Kondensatoren Ci und Cl eine kapazitive Dreipunktschaltung,
die den Schwingquarz Q mit einer Lastkapazität entsprechend der Serienschaltung der Kondensatoren
CX und C2 zieht. Der Schwingquarz Q liegt nicht wie üblich einpolig am Massepotential, sondern am
Emitter des Trennverstärkertransistors T2, dessen Basis über den Kondensator C3 nach Masse abgeblockt
ist. Dieser Verstärker arbeitet demnach in Basisschaltung, wobei am Kollektor ein Schwingkreis mit
kapazitiver Spannungsteilung zur Ankopplung der Last dient.
Die Betriebsgüte dieses auf die Schwingfrequenz von z.B. 3,9 MHz abgestimmten Kreises liegt unter 15,
damit die Frequenzen 3,8 MHz und 4,0MHz noch innerhalb der 3-dB-Bandbreite liegen, wodurch ein
Quarzwechsel in diesem Bereich möglich ist. Der dominierende Anteil der Kreisbelastung des Schwingkreises
L, C5, CS entsteht durch die Parallelschaltung
von Widerstand R10 und Widerstand R 9. Diese
Widerstände dienen, wie später noch beschrieben wird, der Vorspannungserzeugung in der Amplitudenregelstufe
mit den Transistoren Γ3 und Γ 4. Der Schwingquarz
ist mit dem Eingangswiderstand der Basisschaltung von ca. 15 Ω abgeschlossen, der etwa um den
Faktor 4 unter dem maximal möglichen Serienresonanzwiderstand liegt.
Die Grundwelle der verklirrten Oszillatorspannung zwischen Masse und der Basis des Schwingtransistors
Tl wird niederohmig über den Quarz in den Emitter des Trennverstärkertransistors 7"2 eingespeist Die Oberwellen
erster und zweiter Ordnung sind jedoch nur über die Parallelkapazität des Schwingquarzen vergleichsweise
hochohmig an diesen Emitter angekoppelt. Das bedeutet, daß der Klirrfaktor des Einitterstromes des
Trennverstärkertransistors 7"2 deutlich unter dem der Oszillatorspannung liegt.
Der Kollektorgleichstrom des Trennverstärkertransistors 7"2 itt im Interesse eines hohen Klirrabstandes
genügend groß gegenüber der Wechselstromamplitude. Durch den Schwingkreis erfolgt eine weitere Selektion
zur Erzielung des geforderten Klirrabstandes (z. B. > 40 dB).
Die Regelung der Schwingstufe erfolgt durch Abwärtsregeln des Betriebsstromes des Schwingtransistors
Ti.
Fig.2 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild zur Erklärung
der Wirkungsweise der Regelung.
Igt ist in erster Näherung konstant, unter der
Voraussetzung, daß der Diodenstrom li><
h. ist und die Diodenspannung Uo konstant ist. Somit ist der
Transistor TT. auch als Konstantslromquelle geschaltet.
Es erfolgt sodann eine Stromteilung zwischen dem Transistor Tl und dem einstellbaren Widerstand R.
Durch die Beschallung von Transistor TX mit zwei gleich großen Spannungsteilerwiderständen R 2 ind R 3
entsteht eine Einprägung der Kollektor-Emitterspannung, die etwa den doppelten Wert der Basis-Emitterspannung
hat.
Wenn der einstellbare Widerstand z. B. so niederohmig wird, daß der Spannungsabfall an ihm
< 1,2 V wird.
dann geht der Strom Ic des Transistors Ti auf Null
zurück.
Für die weitere Betrachtung ist wieder Fig.!
erforderlich. Der Regelwiderstand wird durch den Regeltransistor Γ3 ersetzt.
Die Diode D 3 und der Kondensator C9 bilden den
Spitzenwertgleichrichter, wobei durch die Widerstände R9 und R 10 die Diode in Sperrichtung vorgespannt
wird.
Die Schwellspannungen der Emitter-Basis-Diode des Transistors Γ4 und der Diode D 3 und deren
Temperaturkoeffizienten kompensieren sich.
Die Gleichspannung an dem Widerstand R 10 ist die Referenzspannung der Regelung. Die Ausgangswechselsoannung
wird über den Kondensator ClO an die Referenzspannung angekoppelt.
Wenn beim Anschwingvorgang die Amplitude am Schwingkreis den Wert der Spannung am Widerstand
R 10 überschreitet, beginnt die Diode D3 zu leiten. Der
Transistor 7*4, der über den Widerstand R 8 durchgeschaltet war, wird gesperrt, wodurch der Kollektorstrom
absinkt. Gleichzeitig wird der Transistor Γ3 leitend und sein Kollektorstrom steigt, was wiederum
zur Folge hat, daß der Kollektorstrom des Transistors T\ und seine Verstärkung sinken. Somit wird erreicht,
daß sich die Schwingamplitude des Transistors Ti auf ihren stationären Wert begrenzt. Der Widerstand R 7
und der Kondensator CS sind eine Wechselspannungsgegenkopplung
mit niederer Grenzfrequenz zur Erzielung einer ausreichenden Stabilität der Amplitudenregelung.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Geregelter Transistoroszillator mit einer kapazitiven Dreipunktschaltung und mit einem
Trennverstärker sowie mit einem in Abhängigkeit von der Ausgangswechselspannung des Oszillators
gesteuerten Regelwiderstand und einer Zenerdiode als Referenzspannungsquelle, dadurch gekennzeichnet,
daß die Emitter-Kollektorstrekke des Schwingtransistors (Tl) sowie dessen
Emitterwiderstand (Ri), die Emitter-Kollektorstrecke des Transistortrennverstärkers (T2) sowie
dessen Emitterwiderstand (R 4) und die Zenerdiode (Z) gleichstrommäßig in Reihe geschaltet sind und
daß parallel zu dem aus der Emitter-Kollektorstrekke des Schwingtransistors (Tl) und dessen Emitterwiderstand
(R 1) bestehenden Teil der Reihenschaltung der in Abhängigkeit von der Ausgangswechselspannung
des Oszillators gesteuerte Widerstand (R) liegt.
2. Geregelter Transistoroszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der gesteuerte
Widerstand (R) die Emitter-Kollektorstrecke eines weiteren Transistors (T3) ist, dessen Basis über
einen zusätzlicher Transistor (TA) angesteuert ist, und daß die Basis des zusätzlichen Transistors (T4)
über einen Spitzenwert-Gleichrichter (D3, C9), an
dem eingangsseitig die Ausgangswechselspannung des Trennverstärkers liegt, angesteuert ist.
3. Geregelter Transistoroszillator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schwingquarz (Q) der Oszillatorstufe zwischen der Basis des Schwingtransistorc (TX) und
dem Emitter des Transistors (T2) des Trennverstärkers
liegt.
4. Geregelter Transistoroszillator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basis des Schwir.gtransistors (TX) am Abgriff eines Spannungsteilers (R 2, R 3) liegt, daß
das eine Ende dieses Spannungsteilers (R 2, R 3) mit dem Kollektor und das andere Ende mit dem Emitter
des Schwingtransistors (Ti) verbunden ist und daß beide Widerstände des Spannungsteilers (R 2, R 3)
gleich groß sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2632645A DE2632645B2 (de) | 1976-07-20 | 1976-07-20 | Geregelter Transistoroszillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2632645A DE2632645B2 (de) | 1976-07-20 | 1976-07-20 | Geregelter Transistoroszillator |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2632645A1 DE2632645A1 (de) | 1978-01-26 |
DE2632645B2 true DE2632645B2 (de) | 1980-05-22 |
DE2632645C3 DE2632645C3 (de) | 1981-01-22 |
Family
ID=5983501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2632645A Granted DE2632645B2 (de) | 1976-07-20 | 1976-07-20 | Geregelter Transistoroszillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2632645B2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4132920A1 (de) * | 1991-10-04 | 1993-04-08 | Funkwerk Koepenick Gmbh I A | Schaltungsanordnung fuer einen rauscharmen amplitudengeregelten hf-oszillator |
-
1976
- 1976-07-20 DE DE2632645A patent/DE2632645B2/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4132920A1 (de) * | 1991-10-04 | 1993-04-08 | Funkwerk Koepenick Gmbh I A | Schaltungsanordnung fuer einen rauscharmen amplitudengeregelten hf-oszillator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2632645A1 (de) | 1978-01-26 |
DE2632645C3 (de) | 1981-01-22 |
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