DE2624394A1

DE2624394A1 - PHOTOCONDUCTIVE FISHING ELECTRODE OR TARGET

Info

Publication number: DE2624394A1
Application number: DE19762624394
Authority: DE
Inventors: Yoshiaki Hayashimoto; Isao Nagae; Okio Yoshida
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1976-01-19
Filing date: 1976-05-31
Publication date: 1977-07-21
Also published as: FR2338572B1; DE2624394B2; GB1555136A; JPS5287994A; JPS5814753B2; FR2338572A1; DE2624394C3

Description

Photoleitende Fangelektrode bzw«, TargetPhotoconductive target or target

Die Erfindung betrifft eine photoleitende Fangelektrode bzw. Photokathode oder "Target" zur Verwendung bei einer Bildaufnahmeröhre, etwa einem Vidikon, bestehend aus einer photoelektrischen Konversions- bzw. Umwandlungsschicht aus Kadmiumselenid (CdSe), Kadmiumsulfoselenid (Cd (S, Se)), einem Gemisch aus Kadmiumsulfid (CdS) und Kadmiumselenid (CdSe), einer festen Lösung und/oder einem Gemisch aus Kadmiumtellurid (CdTe) und Kadmiumseienid (CdSe) oder einer festen Lösung und/oder einem Gemisch aus Zinkselenid (ZnSe) und Kadmiumselenid (CdSe), sowie einer Isolierschicht zur Erhöhung des Widerstands der Fangelektrode insgesamt.The invention relates to a photoconductive target electrode or photocathode or "target" for use in an image pickup tube, for example a vidicon, consisting of a photoelectric conversion or conversion layer made of cadmium selenide (CdSe), cadmium sulfoselenide (Cd (S, Se)), a mixture of Cadmium sulfide (CdS) and cadmium selenide (CdSe), a solid solution and / or a mixture of cadmium telluride (CdTe) and cadmium selenide (CdSe) or a solid solution and / or a Mixture of zinc selenide (ZnSe) and cadmium selenide (CdSe), as well an insulating layer to increase the resistance of the target electrode as a whole.

Es ist eine photoleitende Fangelektrode bzw«, Photokathode unter Verwendung von Kadmiumselenid der genannten Art bekannt, wobei zur Ermöglichung der photoelektrischen Umwandlung lediglich durch die CdSe-Schicht letztere so ausgebildet ist, daß sie eine erhebliche Dicke von ζ_βΒ_β 0,5 # oder mehr besitzt. Da hierbei eineA photoconductive target electrode or photocathode using cadmium selenide of the type mentioned is known, the CdSe layer only being designed so that it has a considerable thickness of ζ _β Β _β 0.5 # or owns more. Since this is a

vl/Bl/rovl / bl / ro

- 2- 2

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gewünschte Charakteristik nicht durch die CdSe-Schicht allein erzielt werden kann, weil der Widerstand der erhaltenen Fangelektrode niedrig ist, ist auf der CdSe-Schicht eine Isolierschicht aus Sb₀S,, Sb₀Se,, As₀S,, As₀Se, oder ZnS mit einem spezifischen Widerstand von 10° bis 1O^ Ohm ausgebildet. Diese Fangelektrode besitzt eine hervorragende photoelektrische Empfind· lichkeit, nämlich eine solche entsprechend dem Zwanzigfachen einer Fangelektrode, deren Photoleitschicht aus dem derzeit verbreitet angewandten Antimontrisulfid besteht, und sie ist zudem den Fangelektroden unter Verwendung von Bleioxid erheblich überlegen. Weiterhin zeigt die CdSe-Fangelektrode ein vernachlässigbares Bildeinbrennen (image-burn in), einen niedrigen Dunkelstrom und dgl», so daß sie derzeit mehr und mehr in Erwägung gezogen wird οThe desired characteristic cannot be achieved by the CdSe layer alone, because the resistance of the target electrode obtained is low, an insulating layer of Sb ₀ S ,, Sb ₀ Se ,, As ₀ S ,, As ₀ Se, is on the CdSe layer, or ZnS with a specific resistance of 10 ° to 10 ^ ohms. This target electrode has an excellent photoelectric sensitivity, namely one corresponding to twenty times that of a target electrode whose photoconductive layer consists of the currently widely used antimony trisulfide, and it is also considerably superior to the target electrodes using lead oxide. Furthermore, the CdSe target electrode shows negligible image burn-in, a low dark current and the like, so that it is currently being considered more and more

Aufgabe der Erfindung ist damit die Schaffung einer photoleitenden Fangelektrode, die durch Verbesserung der genannten CdSe-Fangelektrode bezüglich des "Bildnachklingens" (image lag) für die praktische Anwendung noch zweckmäßiger ist_o The object of the invention is thus to create a photoconductive collecting electrode which is even more useful for practical use _o

Diese Aufgabe wird bei einer photoleitenden Fangelektrode bzw. Photokathode, die an einer Frontscheibe montiert ist, erfindungsgemäß gelöst durch eine an der einen Seite der Frontplatte vorgesehene Photoleitschicht mit einer solchen Soll-Dicke, daß sie für sich die photoelektrische Umwandlung des über die Frontscheibe einfallenden Lichts bewirkt, wobei die Photoleitschicht hauptsächlich aus mindestens einem photoleitenden Material, wie Kadmiumselenid, Kadmiumsulfoselenid, einem Gemisch aus Kadmiumsulfid und Kadmiumselenid, einer festen Lösung aus Kadmiumtellurid und Kadmiumselenid, einem Gemisch aus Kadmiumtellurid und Kadmiumselenid, einer festen Lösung aus Zinkselenid und Kadmiumselenid sowie einem Gemisch aus Zinkselenid und Kadmiumselenid, besteht, und durch eine Widerstandsschicht zur Erhöhung des Fangelektrodenwiderstands mit einer auf der Photoleitschicht ausgebildeten Zwischenschicht aus einem Aggregat reiskornartiger TeilchenβThis object is achieved according to the invention in the case of a photoconductive collecting electrode or photocathode which is mounted on a front pane solved by a provided on one side of the front plate photoconductive layer with such a target thickness that they for themselves the photoelectric conversion of the via the windshield incident light, wherein the photoconductive layer mainly consists of at least one photoconductive material, such as Cadmium selenide, cadmium sulfoselenide, a mixture of cadmium sulfide and cadmium selenide, a solid solution of cadmium telluride and cadmium selenide, a mixture of cadmium telluride and Cadmium selenide, a solid solution of zinc selenide and cadmium selenide and a mixture of zinc selenide and cadmium selenide, consists, and by a resistive layer to increase the target electrode resistance with one on the photoconductive layer formed intermediate layer of an aggregate of rice grain-like particles

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Eine photoleitende Fangelektrode gemäß einer Ausfilhrungsform der Erfindung umfaßt eine auf der Lichteinfallseite angeordnete Photoleitschicht mit einer vorbestimmten Dicke, so daß sie die photoelektrische Umwandlung selbst durchführt, und bestehend hauptsächlich aus CdSe, Cd(S, Se), einem Gemisch von CdS und CdSe, einer festen Lösung und/oder einem Gemisch aus CdTe und CdSe oder einer festen Lösung und/oder einem Gemisch aus CdTe und CdSe, sowie eine auf der Photoleitschipht angeordnete Widerstands- oder Isolierschicht, welche der Fangelektrode durch Erhöhung des Widerstands der Fangelektrode insgesamt eine vorbestimmte Elektronenladungseigenschaft verleiht und welche eine Zwischenschicht oder eine halbfeste Schicht aus einem Aggregat von reiskornartigen Teilchen aufweist.A photoconductive target according to one embodiment of the invention comprises a arranged on the light incident side photoconductive layer with a predetermined thickness so that they performs the photoelectric conversion itself, and consists mainly of CdSe, Cd (S, Se), a mixture of CdS and CdSe, a solid solution and / or a mixture of CdTe and CdSe or a solid solution and / or a mixture of CdTe and CdSe, as well as a resistive or insulating layer arranged on the photoconductor chip, which is the target electrode by increasing the resistance of the target electrode as a whole gives a predetermined electron charging property and which comprises an intermediate layer or a semi-solid layer composed of an aggregate of rice grain-like particles.

Die genannte Isolierschicht kann weiterhin eine feste Schicht und/oder eine poröse Schicht aufweisen. Auf dieser festen Schicht kann die poröse Schicht ausgebildet sein, auf der wiederum eine "Zwischenschicht" oder "halbfeste Schicht" angeordnet sein kann. Als "Zwischenschicht" oder "halbfeste Schicht" wird dabei eine Schicht mit niedrigerer Dichte als derjenigen der festen Schicht und höherer Dichte als derjenigen der porösen Schicht bezeichnet, und diese Schicht kann typischerweise durch Aufdampfen auf die poröse Schicht unter einem höheren Vakuum als dem für das Aufdampfen der porösen Schicht angewandten ausgebildet werden, nämlich unter einem Vakuum entsprechend oder annähernd entsprechend dem Vakuum, bei welchem die feste Schicht durch Aufdampfen gebildet wird. Wenn die poröse Schicht hierbei dünn ist, wird sie schließlich zu einem Teil der Zwischenschicht, Wenn das Vakuum-Aufdampfen unter Bestimmung der Vakuumbedingungen mit dem Ziel der Bildung einer festen Schicht auf der porösen Schicht durchgeführt wird, wird tatsächlich keine feste Schicht, sondern eine Aggregatschicht bzw. Zwischenschicht aus reiskornartigen Teilchen gebildet, und Untersuchungen haben gezeigt, daß dies darauf zurückzuführen ist, daß bei einem lotrechten Kristallwachstum, wobei ein Teil der porösenSaid insulating layer can furthermore have a solid layer and / or a porous layer. On this solid Layer, the porous layer can be formed, on which in turn an "intermediate layer" or "semi-solid layer" is arranged can be. The "intermediate layer" or "semi-solid layer" is a layer with a lower density than that the solid layer and higher density than that of the porous layer, and this layer can typically by Evaporation is formed on the porous layer under a higher vacuum than that used for the evaporation of the porous layer be, namely under a vacuum corresponding to or approximately corresponding to the vacuum at which the solid Layer is formed by vapor deposition. If the porous layer is thin, it will eventually become part of the intermediate layer, When vacuum deposition is used to determine vacuum conditions with the aim of forming a solid layer is carried out on the porous layer, actually does not become a solid layer, but an aggregate layer or intermediate layer formed from rice grain-like particles, and studies have shown that this is due to the fact that at a perpendicular crystal growth, with part of the porous

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Schoß ht als Keim (nucleus) dient, reiskornartige Teilchen gebildet werden. Wenn eine Fangelektrode, die durch Kombination der durch Ausbildung der Zwischenschicht unter Benutzung der porösen Schicht hergestellten Isolierschicht mit der Photoleitschicht erhalten wird, bei einer Bildaufnahmeröhre verwendet wird, braucht die Target- oder Zielspannung nur in einem praktischen Bereich von 50 V oder weniger zu liegen, mit dem Ergebnis, daß eine Bildaufnahmeröhre mit guter Bildnachkling-Charakte· ristik erzielt werden kann«,"The lap serves as a nucleus, forming rice-grain-like particles will. When a targeting electrode obtained by combining the formation of the intermediate layer using the porous layer made insulating layer with the photoconductive layer is used in an image pickup tube the target or target voltage need only be in a practical range of 50 V or less, with the result that an image pick-up tube with good image reverberation characteristics can be achieved «,"

Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher erläuterte Es zeigen:The following are preferred embodiments of the invention The figures explained in more detail with the aid of the attached drawing show:

Fig. 1 einen schematischen Schnitt durch eine photoleitende Fangelektrode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,1 shows a schematic section through a photoconductive collecting electrode according to an embodiment of the invention,

Figo 2A bis 2C Mikrophotographien eines Teils der Isolierschicht einer photoleitenden Fangelektrode gemäß der Erfindung,2A to 2C are photomicrographs of part of the insulating layer of a photoconductive target according to FIG Invention,

Fig. 2D bis 2F Mikrophotographien eines Teils derselben photoleitenden Fangelektrode mit in Fortfall gekommener poröser Schicht,Figures 2D through 2F are photomicrographs of a portion of the same photoconductive Collecting electrode with the porous layer that has been removed,

Fig. 5 ein Kennliniendiagramm zum Vergleich der Restbildcharakteristik eines Vidikons unter Verwendung der erfindungsgemäßen Fangelektrode mit derjenigen einer bisher verwendeten Fangelektrode,5 is a characteristic diagram for comparing the residual image characteristic of a vidicon using the target electrode according to the invention with that of a previous one used collecting electrode,

Fig. k eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Betriebsspannung und der Belegung der Photoleiteroberfläche mit einem Kadmiumselenitfilm,FIG. K is a graph showing the relationship between the operating voltage and the coverage of the photoconductor surface with a cadmium selenite film;

Fig. 5 und β Schnittansichten von photoleitenden Fangelektroden gemäß abgewandelten Ausfuhrungsformen der Erfindung,Figures 5 and 6 are sectional views of photoconductive target electrodes according to modified embodiments of the invention,

Fig. 7A bis 7C Mikrophotographien des in Figo 5 dargestellten Teil der Isolierschicht der photoleitenden Fangelektrode und7A to 7C are photomicrographs of the portion of the insulating layer of the photoconductive target shown in FIG and

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Pig. 7D bis 7F Mikrophotographien eines Teils der Isolierschicht derselben Fangelektrode nach Fortfall der porösen Schicht.Pig. 7D to 7F are photomicrographs of part of the insulating layer the same collecting electrode after the porous layer has been removed.

In Fig. 1 ist bei 10 die Frontplatte oder -scheibe eines nicht dargestellten Vidikons angedeutet, die aus einem lichtdurchlässigen Glasmaterial hergestellt und an ihrer Innenfläche mit einer transparenten Elektrode 11 aus einem Nesa-Film belegt ist«, Auf dieser transparenten Elektrode 11 ist eine photoleitende Fangelektrode bzw. Photokathode 12 ausgebildet, die aus einer Photoleitschicht 15 und einer Isolierschicht 14 mit hohem spezifischen Widerstand besteht, die nacheinander auf die Elektrode aufgedampft worden sind. Die Photoleitschicht 13 wird durch Vakuum-Aufdampfen von Kadmiumselenid bis zu einer so großen Dicke gebildet, daß die Schicht 13 selbst effektiv die Photoleitwirkung bzw. die photoelektrische Umwandlung des durch die Frontscheibe 10 und die Elektrode 11 durchgelassenen Lichts durchzuführen vermag, z.B. bis zu einer Dicke von 0,5 Ά und mehr, vorzugsweise von 1 - 2 yu. Auf dieser Schicht 13 wird nach einem noch näher zu erläuternden Verfahren ein Kadmiumselenitfilm 15 ausgebildet. Dieser dünne Film 15 kann entweder vollständig über die eine Seitenfläche der photoleitenden Schicht hinweg oder aber in Form von Inseln aufgetragen werden, derart, daß die CdSe-Schicht 13 stellenweise freiliegt. Die Isolierschicht 14 besitzt einen mehrlagigen Aufbau in Form einer festen Schicht 16, einer porösen Schicht 17 und einer Zwischenschicht 18, die nacheinander durch Aufdampfen von Arsentriselenid auf die CdSe-Schicht 13 hergestellt werden. Die erste ASgSe^-Schicht (ASj^SegQ-Schicht) 16 wird unter einem Hochvakuum von z.B. 2 χ 10"^ Torr in einer Dicke von etwa 0,5 M aufIn Fig. 1 at 10 the front plate or pane of a vidicon, not shown, is indicated, which is made of a translucent glass material and covered on its inner surface with a transparent electrode 11 made of a Nesa film. On this transparent electrode 11 is a photoconductive Trapping electrode or photocathode 12 formed, which consists of a photoconductive layer 15 and an insulating layer 14 with high resistivity, which have been vapor-deposited successively on the electrode. The photoconductive layer 13 is formed by vacuum vapor deposition of cadmium selenide to such a great thickness that the layer 13 itself can effectively carry out the photoconductive effect or the photoelectric conversion of the light transmitted through the front pane 10 and the electrode 11, for example up to a thickness from 0.5 Ά and more, preferably from 1 to 2 yu. A cadmium selenite film 15 is formed on this layer 13 by a method to be explained in more detail. This thin film 15 can either be applied completely over one side surface of the photoconductive layer or else in the form of islands, in such a way that the CdSe layer 13 is exposed in places. The insulating layer 14 has a multilayer structure in the form of a solid layer 16, a porous layer 17 and an intermediate layer 18, which are produced one after the other by vapor deposition of arsenic triselenide on the CdSe layer 13. The first ASgSe ^ layer (ASj ^ SegQ layer) 16 is applied under a high vacuum of, for example, 2 × 10 "^ Torr to a thickness of about 0.5 M

die PhotGleitschicht 13 aufgedampft. Die zweite ASgSe^ 17 wird auf die erste Schicht 16 unter einem niedrigen Vakuum von z.B. 0,2 Torr in einer Argongasatmosphäre bis zu einer Dicke von etwa 0,3 u aufgedampft. Das Aufdampfen der dritten As₂Se,-Schicht 18 auf die zweite Schicht 17 erfolgt unter einem hohenthe phot sliding layer 13 is evaporated. The second ASgSe ^ 17 is vapor-deposited on the first layer 16 under a low vacuum of, for example, 0.2 Torr in an argon gas atmosphere to a thickness of about 0.3 u. The vapor deposition of the third As ₂ Se, layer 18 onto the second layer 17 takes place at a high level

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Vakuum von z.B. 2 χ 10 ^D Torr bis zu einer Dicke von etwa 1,5yu. Diese drei Schichten 16, 17 und 18 besitzen dabei die Struktur gemäß den Fig. 2A bis 2C. Genauer gesagt: die unter Hochvakuum auf die CdSe-Schicht 13 aufgedampfte erste Schicht \£> stellt eine feste Schicht dar, bei welcher die Teilchen in großer Dichte angeordnet sind. Die zweite Schicht 17 ist eine poröse Schicht, in welcher die Teilchen vergleichsweise locker angeordnet sind, und die dritte Schicht 18 besteht aus einem Teilchenaggregat, dessen Teilchen,die zu schlanken, reiskornartigen Gebilden gewachsen sind, praktisch senkrecht zur(Ebene der) zweiten Schicht 17 stehen. Die Dichte der dritten Schicht 18 ist daher niedriger als diejenige der ersten Schicht 16 und höher als diejenige der zweiten Schicht 17«Vacuum of, for example, 2 χ 10 ^D Torr to a thickness of about 1.5 yu. These three layers 16, 17 and 18 have the structure according to FIGS. 2A to 2C. More specifically, the vapor-deposited under high vacuum on the CdSe film 13 first layer \ £> represents a fixed layer in which the particles are arranged in high density. The second layer 17 is a porous layer in which the particles are arranged relatively loosely, and the third layer 18 consists of a particle aggregate whose particles, which have grown into slender, rice-grain-like structures, are practically perpendicular to the (plane of) second layer 17 stand. The density of the third layer 18 is therefore lower than that of the first layer 16 and higher than that of the second layer 17 "

Von den Fig. 2A bis 2C zeigt Fig. 2A ein Schliff- bzw. Schnittbild eines Teils der bei der photoleitenden Fangelektrode zu ver· wendenden Isolierschicht. Diese Mikrophotographie zeigt als schwarzen Abschnitt ein Glassubstrat mit einer anschließenden festen Schicht, während eine obere Schicht, in welcher weiße rechteckige Parallelepipedons oder reiskornartige Teilchen quer verlaufend angeordnet sind, eine Zwischenschicht und eine zwischen dieser Zwischenschicht und der festen Schicht befindliche, schwärzliche Schicht eine poröse Schicht darstellen« Fig. 2B ist eine Mikrophotographie der Isolierschicht von der Oberseite her gesehen, während Fig. 2C die Isolierschicht in einer gegenüber der Waagerechten angehobenen Position zeigt. Dabei ist darauf hinzuweisen, daß die poröse Schicht, wenn sie dünn ist, zu einem Teil der Zwischenschicht wird und schließlich strukturell verlorengeht. Diese Zustandsänderung ist aus den Fig. 2D bis 2F ersichtlich, welche den Fig. 2A bis 2C ähneln.From FIGS. 2A to 2C, FIG. 2A shows a micrograph or sectional view part of the insulating layer to be used in the photoconductive collecting electrode. This photomicrograph shows as black section a glass substrate followed by a solid layer, while a top layer in which white rectangular parallelepipedons or rice-grain-like particles are arranged running transversely, one intermediate layer and one between the blackish layer located between this intermediate layer and the solid layer represent a porous layer «Fig. 2B Fig. 2C is a photomicrograph of the insulating layer viewed from the top, while Fig. 2C shows the insulating layer in an opposite direction the horizontal raised position. It should be noted that the porous layer, if it is thin, becomes part of the intermediate layer and is ultimately structurally lost. This change of state is from FIGS. 2D through 2F, which are similar to FIGS. 2A through 2C.

Wenn die photoleitende Fangelektrode mit der vorstehend beschriebenen Konstruktion in einem Vidikon verwendet wird, zeigt sie gemäß Fig. 3 erheblich bessere Bildnachkling-Eigenschaften (image lag characteristics) als eine bisher übliche · „ photoleitende Fangelektrode oder Photokathode, die mit einerWhen the photoconductive target with the one described above Construction is used in a vidicon, it shows, according to FIG. 3, significantly better image lingering properties (image lay characteristics) than a previously common photoconductive targeting electrode or photocathode, which is equipped with a

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Isolierschicht in Form nur einer festen Schicht mit einer Dicke von 1,5/* und ohne die zweite oder poröse Schicht 17 und die dritte oder Zwischenschicht 28 versehen ist. In Fig. ist das Verhältnis des Restbilds auf der Ordinate aufgetragen, während die Feldzahl (field number) auf der Abszisse aufgetragen ist. Die ausgezogenen Linien a, b bezeichnen dabei die Kennlinien der Fangelektrode gemäß der Erfindung, während die gestrichelten Linien c, d die Kennlinien einer bisher verwendeten photoleitenden Fangelektrode angeben. Außerdem geben die Linien a, c die Anstiegskennlinien und die Kurven b, d die Ausschwingkennlinien an. Zu beachten ist, daß diese Kennlinien für den Fall gelten, daß die Fangelektrode in eine i8-mm-Röhre eingebaut ist und mit einem angelegten Signalstrom von 50 mA betrieben wird. Gemäß Fig. 3 liegen bei der erfindungsgemäßen Fangelektrode die Ausschwingkennlinie im dritten Feld bei etwa 10$ und die Anstiegskennlinie im dritten Feld bei etwa 65$, während für die bisher übliche Fangelektrode entsprechende Werte von etwa 15$ bzw. etwa 20$ gelten. Die erfindungsgemäße Fangelektrode ist somit der bisher verwendeten Fangelektrode insbesondere bezüglich des Verhältnisses des Restbilds in der Anstiegskennlinie erheblich überlegen.Insulating layer in the form of only one solid layer with a thickness of 1.5 / * and without the second or porous layer 17 and the third or intermediate layer 28 is provided. In Fig. The ratio of the remaining image is plotted on the ordinate, while the field number is plotted on the abscissa. The solid lines a, b denote the Characteristic curves of the target electrode according to the invention, while the dashed lines c, d the characteristic curves of a previously used Specify the photoconductive target. In addition, the lines a, c give the rise characteristics and the curves b, d the decay characteristics at. It should be noted that these characteristics apply in the event that the target electrode is in an i8 mm tube is built in and operated with an applied signal current of 50 mA. According to Fig. 3 are in the invention Trapping electrode the decay characteristic in the third field at about 10 $ and the rise characteristic in the third field at about 65 $, while corresponding values of approximately $ 15 and approximately $ 20 apply to the previously common target electrode. The collecting electrode according to the invention is thus the target electrode previously used, particularly with regard to the ratio of the residual image in the rise characteristic considerably superior.

Nachstehend ist ein Verfahren zur Herstellung der photoleitenden Fangelektrode gemäß Fig. 1 erläutert.A method of manufacturing the photoconductive target shown in Fig. 1 will now be explained.

Ein Kolben mit einer Frontscheibe 10 aus durchsichtigem Glas wird evakuiert, worauf auf der Innenfläche der Frontscheibe eine als Fangelektrode bzw. Photokathode dienende durchsichtige Signalelektrode 11 ausgebildet wird. Anschließend wird die mit der Elektrode 11 versehene Frontscheibe 10 bei einer Temperatur von 200°C in eine ein Inertgas, wie Argongas, enthaltende Atmosphäre eingebracht, in welcher Kadmiumselenid zur Bildung einer Photoleitschicht 13 auf die Elektrode 11 aufgedampft wird«, Sodann vtfrd die Kadmiumselenidschicht 13 bei einer Temperatur von 600°C mit Selendampf mit einem Partialdruck von 1 mm Hg bisA piston with a front plate 10 made of transparent glass is evacuated, whereupon on the inner surface of the front plate a transparent signal electrode 11 serving as a collecting electrode or photocathode is formed. Then the with the electrode 11 provided front panel 10 at a temperature of 200 ° C in an atmosphere containing an inert gas such as argon gas, in which cadmium selenide is formed a photoconductive layer 13 is evaporated onto the electrode 11 «, Then vtfrd the cadmium selenide layer 13 at a temperature of 600 ° C with selenium vapor with a partial pressure of 1 mm Hg to

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Sattdampfdruck in Berührung gebracht (allowed to coexist), und zwar in einer Normaldruckatmosphäre eines Inertgases, wie Stickstoff, mit 0,1 - 10$ Sauerstoff. Die Schicht 13 wird dabei 10 bis 50 min lang einer Wärmebehandlung bei der angegebenen Temperatur unterworfen. Beim Abkühlvorgang, bei dem die Kadmiumselenidschicht 13 von der zum Abschlußzeitpunkt der Wärmebehandlung herrschenden Temperatur wieder auf Raumtemperatur abgekühlt wird, wird ein Atmosphärenaustausch vorgenommen.Saturated steam pressure brought into contact (allowed to coexist), and in a normal pressure atmosphere of an inert gas, such as nitrogen, with 0.1-10 $ oxygen. Layer 13 becomes 10 to Subjected to a heat treatment at the specified temperature for 50 minutes. During the cooling process in which the cadmium selenide layer 13 from that at the time of completion of the heat treatment the prevailing temperature is cooled back to room temperature, an exchange of atmosphere is carried out.

Bezüglich der Atmosphäre für die Bildung des Kadmiumselenitfilms 15 sind die vorhandenen Mengen an Sauerstoff und Selendampf in dieser Atmosphäre von besonderer Bedeutung, was sich auch anhand des Mengenanteils an Kadmiumselenit (CdSeO^) erkennen läßt. Wenn nämlich die Kühlung unter solchen Bedingungen erfolgt, bei denen in der Atmosphäre ausreichend Sauerstoff und Selendampf vorhanden sind, bildet sich auf der Kadmiumselenidschicht 13 ein diese Schicht vollständig bedeckender Kadmiumselenitfilm. Erfolgt dagegen die Abkühlung unter Bedingungen, bei denen äußerst geringe Mengen an Sauerstoff und Selendampf in dieser Atmosphäre zu finden sind, so wird nur ein geringer Kadmiumselenitfilm auf der Kadmiumselenidschicht I3 gebildet. Wenn daher Sauerstoff und Selendampf in einer zwischen dieser genügenden Menge und dieser äußerst geringen Menge liegenden Menge vorhanden sind, muß der Kadmiumselenitfilm gleichmäßig dünn gebildet werden. In vielen Fällen zeigt jedoch der resultierende Kadmiumselenitfilm eine ungleichmäßige und intermittierende bzw. unterbrochene Verteilung solcher Form, daß die Kadmiumselenidschicht 13 stellenweise freiliegt.Regarding the atmosphere for the formation of the cadmium selenite film 15 the amounts of oxygen and selenium vapor present in this atmosphere are of particular importance, which is can also be recognized by the proportion of cadmium selenite (CdSeO ^) leaves. Namely, if the cooling takes place under such conditions, in which there is sufficient oxygen and in the atmosphere If selenium vapor is present, a cadmium selenite film completely covering this layer is formed on the cadmium selenide layer 13. If, on the other hand, the cooling takes place under conditions in which extremely small amounts of oxygen and selenium vapor are found in this atmosphere, only a small film of cadmium selenite is formed on the cadmium selenide layer I3. Therefore, if oxygen and selenium vapor are between this sufficient amount and this extremely small amount Are present, the cadmium selenite film must be made uniformly thin. In many cases, however, the resulting one shows Cadmium selenite film has an uneven and intermittent distribution of such a shape that the cadmium selenide layer 13 is exposed in places.

Wenn also der Partialdruck von Sauerstoff und Selendampf durch ZeB. augenblicklichen Atmosphärenaustausch nach Abschluß der Wärmebehandlung auf Null eingestellt wird, bildet sich überhaupt kein Kadmiumselenitfilm. Wird der Partialdruck von Sauerstoff und Selendampf dagegen durch allmählichen Atmospharenaustausch in z.B. 1 min auf Null eingestellt, so erhält derSo if the partial pressure of oxygen and selenium vapor is reduced by ZeB. the instantaneous atmosphere exchange is set to zero after the completion of the heat treatment, no cadmium selenite film is formed at all. If, on the other hand, the partial pressure of oxygen and selenium vapor is set to zero by a gradual exchange of atmosphere in, for example, 1 minute, the

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Kadmiumselenitfilm eine gleichmäßige Dicke. Erfolgt andererseits diese Null-Einstellung des Partialdrucks von Sauerstoff und Selen in einer zwischen den genannten Werten liegenden Zeitspanne von z.B. 30 s, wird der Kadmiumselenitfilm in lokaler Verteilung gebildet. Zu beachten ist, daß die jeweiligen Partialdrücke von Sauerstoff und Selendampf entweder gleichzeitig oder wahlweise auf Null eingestellt werden können. Wenn sich einer dieser Partialdrücke oder beide Drücke Null nähern, findet keine Bildung von Kadmiumselenitfilm mehr statt.Cadmium selenite film has a uniform thickness. On the other hand, this zero adjustment of the partial pressure of oxygen takes place and selenium in a period of time of, for example, 30 seconds between the aforementioned values, the cadmium selenite film becomes more local Distribution formed. It should be noted that the respective partial pressures of oxygen and selenium vapor either simultaneously or optionally can be set to zero. When either or both of these partial pressures approach zero, find cadmium selenite film no longer forms.

Der eigentliche Grund dafür, weshalb der Kadmiumselenitfilm auf beschriebene Weise in lokaler Verteilung bzw. fleckförmig gebildet wird, ist noch nicht genau bekannt. In einem Teil der Kadmiumselenidschieht sind Stellen vorhanden, an denen eine Wahrscheinlichkeit für die Bildung von Kadmiumselenit besteht, wobei dieses Kadmiumselenit heranwächst, während diese Stellen jeweils als Keime wirken«, Diese Kadmiumselenitbildung wird als Dampfphasenwachstum angesehen, das in einem Mischgas aus Sauerstoff und Selendampf unter Heranziehung des Kadmiumselenids als Substrat vor sich geht. Wenn der Atmosphärenaustausch innerhalb einer längeren Zeitspanne geschieht, bildet sich das Kadmiumselenit von den lokalen Abschnitten ausgehend zu den diese umgebenden Flächen hin, um schließlich die Gesamtfläche der Kadmiumselenidschieht zu bedecken. Wenn die Gesamtmenge an Kadmiumselenit klein ist, ist letzteres in unregelmäßiger Abstandsverteilung an lokal verteilten Stellen vorhanden. Mit wachsender Zahl der Kadmiumselenitabschnitte gehen jedoch diese Abschnitte in verschiedenen Fällen ineinander über. Insbesondere dann, wenn Kadmiumselenit an einer Vielzahl von Stellen gebildet wird, wird die Zahl der freiliegenden Flächen der Kadmiumselenidschieht klein, so daß sich ein Zustand ergibt, in welchem Kadmiumselenitabschnitte die freiliegenden Flächen umschließen.The actual reason why the cadmium selenite film in the manner described in local distribution or in spots is not yet exactly known. In part of the cadmium selenide layer there are places where a There is a likelihood of the formation of cadmium selenite, with this cadmium selenite growing during these sites each act as germs «, This cadmium selenite formation is viewed as vapor phase growth that occurs in a mixed gas of oxygen and selenium vapor proceeds using the cadmium selenide as a substrate. When the atmosphere exchange within happens over a longer period of time, the cadmium selenite is formed from the local sections to those surrounding them Areas towards finally the total area of the cadmium selenide to cover. When the total amount of cadmium selenite is small, the latter is in an irregular spacing distribution available at locally distributed locations. However, as the number of cadmium selenite intercepts increases, those intercepts go into each other in different cases. Especially when cadmium selenite is formed in a large number of places, the number of exposed faces of the cadmium selenide becomes small, so that there is a state in which cadmium selenite portions enclose the exposed areas.

Auch bei der Ausbildung der Photoleitschicht aus (Cd (S, Se)), einem Gemisch von CdS und CdSe, einer festen Lösung und/oderEven with the formation of the photoconductive layer from (Cd (S, Se)), a mixture of CdS and CdSe, a solid solution and / or

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einem Gemisch von GdTe und CdSe oder einer festen Lösung und/oder einem Gemisch von ZnSe und CdSe könnte ein Kadmiumselenitfilm der vorstehend geschilderten Art nach dem gleichen Verfahren hergestellt werden.a mixture of GdTe and CdSe or a solid solution and / or a mixture of ZnSe and CdSe could be a cadmium selenite film of the type described above by the same method getting produced.

Anschließend wird die Schicht 14 aus einem Material hohen Widerstands durch nachfolgendes Aufdampfen der festen Schicht 16, der porösen Schicht 17 und der Zwischenschicht 18 nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet.Then the layer 14 is made of a high resistance material by subsequent vapor deposition of the solid layer 16, the porous layer 17 and the intermediate layer 18 according to the above described method formed.

Bei dieser photoleitenden Fangelektrode ist die "A'nderungsrate" oder Breite ^V der Betriebsspannung vorzugsweise positiv. Fig.4 veranschaulicht die auf Untersuchungen beruhende Beziehung zwischen der Betriebsspannungsbreite ^V und dem Belegungsverhältnis des Kadmiumselenitfilms auf der Oberfläche der Kadmiumselenidschichte In Fig. 4 ist auf der Abszisse das Belegungsverhältnis (in %) des Kadmiumselenitfilms auf der Kadmiumseienidschicht aufgetragen, während die Ordinate einen Mittelwert (V) der Betriebsspannungsbreite ^V angibt. Der Prozentwert am linken Ende der Abszisse entspricht einem Zustand, in welchem auf der Kadmiumselenidschicht kein Kadmiumselenit vorhanden ist; entsprechend bedeutet der Wert von 100^ am rechten Ende der Abszisse einen Zustand, in welchem der Kadmiumselenitfilm die Gesamtoberflächs der Kadmiumselenidschicht bedeckt. Wie aus Fig. 4 hervorgeht, wird die Betriebsspannungsbreite ^V negativ, wenn überhaupt kein Kadmiumselenit vorhanden ist. Beträgt das Belegungsverhältnis des Kadmiumselenitfilms etwa 5^, so liegt die Betriebsspannungsbreite bei 0, während sie bei einem Belegungsverhältnis von etwa 1C$ etwa 4 V und bei einem Belegungsverhältnis von mehr als etwa Λ0% ebenfalls etwa 4 V beträgt und sich stabilisiert. In the case of this photoconductive target electrode, the "rate of change" or width ^ V of the operating voltage is preferably positive. 4 illustrates the based on studies relationship between the operating voltage width ^ V and the occupation ratio of the Kadmiumselenitfilms on the surface of Kadmiumselenidschichte In Fig. 4 is plotted on the abscissa, the occupation ratio (in%) of the Kadmiumselenitfilms on the Kadmiumseienidschicht, while the ordinate a mean (V) indicates the operating voltage range ^ V. The percentage at the left end of the abscissa corresponds to a state in which there is no cadmium selenite on the cadmium selenide layer; accordingly, the value of 100 ^ at the right end of the abscissa means a state in which the cadmium selenite film covers the entire surface of the cadmium selenide layer. As can be seen from Fig. 4, the operating voltage range ^ V becomes negative if no cadmium selenite is present at all. If the occupancy ratio of the cadmium selenite film is about 5 ^, then the operating voltage range is 0, while at an occupancy ratio of around 1C $ it is around 4 V and at an occupancy ratio of more than around Λ0% it is also around 4 V and stabilizes.

Im folgenden ist eine abgewandelte Ausführungsform der erfindungsgemäßen photoleitenden Fangelektrode beschrieben.The following is a modified embodiment of the invention photoconductive targeting electrode described.

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Bei der Fangelektrode bzw. Photokathode 12 gemäß Fig. 5 ist die Photoleitschicht 1j5, welche für sich die photoleitende Wirkung gegenüber dem durch die Frontscheibe 10 und die durchsichtige Elektrode 11 durchgelassenen Licht besitzt, auf der Elektrode 11 ausgebildet, während die poröse Schicht 17 unmittelbar auf dem Kadmiumselenitfilm 15 gebildet und die Zwischenschicht 18 durch Vakuum-Aufdampfen auf der Schicht 17 ausgebildet ist. Demzufolge besteht diese Widerstandsschicht 14 nur aus den Schichten 17 und 18, während überhaupt keine feste Schicht vorhanden ist, in welcher die Teilchen in dichter Anordnung vorhanden sind.In the case of the collecting electrode or photocathode 12 according to FIG the photoconductive layer 1j5, which for itself has the photoconductive effect opposite to the light transmitted through the front panel 10 and the transparent electrode 11, on the electrode 11, while the porous layer 17 is formed directly on the cadmium selenite film 15 and the intermediate layer 18 is formed on the layer 17 by vacuum evaporation. Accordingly, this resistance layer 14 consists only of the Layers 17 and 18 while no solid layer at all in which the particles are present in a close arrangement.

Bei Betrachtung dieser Isolierschicht unter dem Mikroskop ergibt sich das Aussehen gemäß den Fig. 7 A bis 7c. Wenn die poröse Schicht dünn ist, verschwindet sie schließlich, so daß sich die Isolierschicht gemäß den Fig. 7D bis 7F ergibt. Die Fig. 7A und 7D sind dabei Schnitt- oder Schliffbilder der Isolierschicht, die Fig. 7B und 7E sind entsprechende Mikrophotographien der Isolierschicht von ihrer Oberseite her, und die Fig. 7C und 7F sind Mikrophotographien der Isolierschicht in einer gegenüber einer horizontalen Linie erhöhten Position.When this insulating layer is viewed under the microscope, the appearance is shown in FIGS. 7A to 7c. When the porous Layer is thin, it eventually disappears, so that the insulating layer results as shown in FIGS. 7D to 7F. the FIGS. 7A and 7D are sectional or micrographs of the insulating layer, FIGS. 7B and 7E are corresponding microphotographs of the insulating layer from the top thereof, and Figs. 7C and 7F are photomicrographs of the insulating layer in FIG an elevated position compared to a horizontal line.

Bei der Fangelektrode 12 gemäß Fig« 6 sind eine weitere poröse Schicht 17 und eine weitere Zwischenschicht 18 auf der Zwischenschicht 18 der Fangelektrode gemäß Fig. 1 ausgebildet. Die Widerstandsschicht 14 der Fangelektrode 12 gemäß Fig. 6 besitzt somit einen mehrlagigen Aufbau in Form der festen Schicht, der porösen Schicht, der Zwischenschicht, der (weiteren) porösen Schicht und der (weiteren) Zwischenschicht.In the case of the collecting electrode 12 according to FIG. 6, a further porous layer 17 and a further intermediate layer 18 are on the intermediate layer 18 of the collecting electrode according to FIG. 1 is formed. The resistance layer 14 of the collecting electrode 12 according to FIG. 6 has thus a multi-layer structure in the form of the solid layer, the porous layer, the intermediate layer, the (further) porous layer Layer and the (further) intermediate layer.

Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beziehen sich auf den Fall, daß die Photoleitschicht aus Kadmiumselenid besteht. Die gleiche Wirkung kann jedoch auch dann erzielt werden, wenn die Photoleitschicht aus Cd (S, Se), einem Gemisch aus CdS und CdSe, einer festen Lösung und/oder einem Gemisch aus CdTe und CdSe, einer festen Lösung und/oder einem GemischThe embodiments described above relate to the case where the photoconductive layer is made of cadmium selenide. However, the same effect can also be obtained when the photoconductive layer is made of Cd (S, Se), a mixture of CdS and CdSe, a solid solution and / or a mixture of CdTe and CdSe, a solid solution and / or a mixture

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aus ZnSe und CdSe oder einer Verbundmasse aus diesen Stoffen und dgl. besteht. Die Photoleitschicht kann aus mindestens zwei laminierten Schichten aus den beschriebenen photoleitenden Materialien aufgebaut werden. Beispielsxueise kann die Photoleitschicht aus einer CdS-Schicht mit einer Dicke von 2 11 und einer 2yU dicken CdSe-Schicht, einer 0,6yu dicken CdTe-Schicht und einer 1,5/U dicken CdSe-Schicht oder einer 0,3 ax dicken ZnSe-Schicht und einer 2yu dicken CdSe-Schicht bestehen. Die Photoleitschicht kann ein oder mehrere Fremdatome, z.B. von Thallium, Kupfer, Gold, Indium, Gallium, Aluminium, Halogenen, Tellur, Antimon, Wismuth, Blei, Zinn, Alkalimetall und Erdalkalimetall, enthalten, sofern sie nur in der Hauptsache aus der vorher angegebenen Substanz besteht. Weiterhin kann der Kadmiumselenitfilm Kadmiumoxid oder eine komplizierte Zwischenverbindung aus Kadmium, Selen und Sauerstoff, wie Cd-JSe^O. . (3>CdSeO.,«SeOp), enthalten.made of ZnSe and CdSe or a composite material made of these substances and the like. The photoconductive layer can be built up from at least two laminated layers of the photoconductive materials described. For example, the photoconductive layer can consist of a CdS layer with a thickness of 2 11 and a 2 yU thick CdSe layer, a 0.6 yu thick CdTe layer and a 1.5 / U thick CdSe layer or a 0.3 ax thick ZnSe Layer and a 2yu thick CdSe layer. The photoconductive layer can contain one or more foreign atoms, for example from thallium, copper, gold, indium, gallium, aluminum, halogens, tellurium, antimony, bismuth, lead, tin, alkali metal and alkaline earth metal, provided that they are mainly based on the above Substance exists. Furthermore, the cadmium selenite film may contain cadmium oxide or a complicated intermediate compound of cadmium, selenium and oxygen such as Cd-JSe ^ O. . (3> CdSeO., «SeOp) included.

Die erwähnte Widerstandsschicht kann aus einer Arsen-Schwefelverbindung, z.B. Arsentrisulfid, sowie aus einer Arsen-Selenverbindung, wie dem erwähnten Arsentriselenid, bestehen. Weiterhin kann diese Widerstandsschicht aus Germaniumsulfid, Germaniums el enid, Thalliumsulfid, Thalliumselenid, Wismuthtri sulfid, Wismuthtriselenid, Zinkselenid, Zinksulphid, Kadmiumtellurid, Antimontrisulfid, Antimontriselenid, Calciumfluorid, Magnesiumfluorid, Aluminiumfluorid, Natriumfluorid sowie Cryolit und/oder Bleioxid bestehen,,The mentioned resistance layer can be made of an arsenic-sulfur compound, e.g. arsenic trisulfide, as well as from an arsenic-selenium compound, like the mentioned arsenic triselenide. Furthermore, this resistance layer made of germanium sulfide, germanium el enid, thallium sulfide, thallium selenide, bismuth tri sulfide, Bismuth triselenide, zinc selenide, zinc sulphide, cadmium telluride, antimony trisulfide, antimony triselenide, calcium fluoride, magnesium fluoride, Aluminum fluoride, sodium fluoride and cryolite and / or Lead oxide,

Die feste Schicht, die poröse Schicht und die Zwischenschicht der genannten Widerstandsschicht können jeweils aus dem gleichen Material oder aus verschiedenen Materialien bestehen. Dies gilt auch für den Fall, daß diese Schicht wie bei der .Ausführungsform z.B. gemäß Fig. 6 doppellagig ausgebildet wird. Die die Widerstandsschicht darstellende Verbindung kann auch mit entsprechender Einstellung des Molverhältnisses zwischen den Bestandteilen dieser Verbindung angewandt werden. Im Fall von z.B.The solid layer, the porous layer and the intermediate layer of the aforesaid resistance layer may each be made of the same Material or consist of different materials. This also applies in the event that this layer is as in the embodiment for example, according to Fig. 6 is formed in two layers. The connection representing the resistance layer can also be connected to a corresponding Adjustment of the molar ratio between the components of this compound can be used. In the case of e.g.

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der Selen-Arsenverbindung können nicht nur das Ar-sentriselenid (As₂I₀Se^₀), bei dem das Mol verhältnis von As su Se gleich 4O:6o beträgt, sondern auch As₆₀Se₁^₀, As₅₀Se₅₀, As₅₀Se₇₀, As₃₀Se₈₀ usw. angewandt werden. Falls jedoch der Gehalt an As größer ist als der Gehalt an Se, setzt sich As nicht zufriedenstellend mit Se um, so daß in manchen Fällen As als reine Substanz freigesetzt wird, was schädlich sein kann. Aus diesem Grund wird in der Praxis eine Selen-Arsenverbindung bevorzugt, bei welcher der As-Gehalt, bezogen auf das Molverhältnis, 6O$2 beträgt. Falls das Molverhältnis des Se-Gehalts außerordentlich hoch ist, wirft die Freisetzung von As als reine Substanz keine Schwierigkeiten auf, vielmehr ergibt sich hierbei ein Problem bezüglich der Bildverschlechterung aufgrund des Auskristallisierens von Selen nach der Schichtbildung. Aus diesem Grund wird im Hinblick auf die Verhinderung eines Kristallisierens des Se in der Praxis eine Selen-Arsen-Verbindung bevorzugt, bei welcher der As-Gehalt mindestens 2% beträgt.The selenium-arsenic compound can contain not only ar-sentriselenide (As ₂ I ₀ Se ^ ₀ ), in which the molar ratio of As su Se is 40: 6o, but also As ₆₀ Se ₁ ^ ₀ , As ₅₀ Se ₅₀ , As ₅₀ Se ₇₀ , As ₃₀ Se ₈₀ etc. can be used. However, if the content of As is larger than the content of Se, As does not react satisfactorily with Se, so that in some cases As is released as a pure substance, which can be harmful. For this reason, a selenium-arsenic compound in which the As content in terms of the molar ratio is 60 $ 2 is preferred in practice. If the molar ratio of the Se content is extremely high, the release of As as a pure substance poses no problem, but there arises a problem of image deterioration due to crystallization of selenium after film formation. For this reason, from the viewpoint of preventing Se from crystallizing, a selenium-arsenic compound in which the As content is at least 2% is preferred in practice.

Für die Bildung der porb'sen Schicht der- vorgenannten ■;!>:'srstandsschicht erweist sich das Aufdampfen in einer Argongasatmosphäre, wie bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform angegeben, als zweckmäßig. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, vielmehr kann die Ausbildung der porösen Schicht auch durch Aufdampfen in einer Atmosphäre aus Stickstoff oder anderen Inertgasen oder in einer sauerstoffhaltigen Inertgasatmosphäre erfolgen.For the formation of the porous layer of the above-mentioned residue layer If the vapor deposition proves to be in an argon gas atmosphere, as indicated in the embodiment described above, as appropriate. However, the invention is not limited to rather, the formation of the porous layer can also be achieved by vapor deposition in an atmosphere of nitrogen or other inert gases or in an oxygen-containing inert gas atmosphere take place.

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Claims

ρ · JPhotoconductive target electrode or photocathode, which is mounted on a ^ - ^ front panel, characterized by a photoconductive layer provided on one side of the front panel with a nominal thickness such that it effects the photoelectric conversion of the light incident through the front panel wherein the photoconductive layer is mainly composed of at least one photoconductive material such as cadmium selenide, cadmium sulfoselenide, a mixture of cadmium sulfide and cadmium selenide, a solid solution of cadmium telluride and cadmium selenide, a mixture of cadmium selenide and cadmium selenide and a solid solution of zinc and cadmium selenide and cadmium selenide, and a resistive layer for increasing the target electrode resistance with an intermediate layer of an aggregate of rice grain-like particles formed on the photoconductive layer.

2. collecting electrode according to claim 1, characterized in that the photoconductive layer has a thickness of 0.5 / u or more,

j5. Collecting electrode according to Claim 2, characterized in that a cadmium selenite film is arranged between the photoconductive layer and the resistive layer.

4. collecting electrode according to claim 3, characterized in that the cadmium selenite film is partially interrupted with partial exposure of the photoconductive layer.

5. collecting electrode according to claim 2, characterized in that the resistive layer further comprises a solid layer arranged between the photoconductive layer and the intermediate layer having a density greater than that of the intermediate layer.

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βο collecting electrode according to claim 5 * characterized in that the resistive layer is a porous layer with a smaller thickness arranged between the solid layer and the intermediate layer Has density than that of the intermediate layer,

7. collecting electrode according to claim 1, characterized in that the photoconductive layer comprises at least two laminated layers.

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