DE2141212C3

DE2141212C3 - Process for the production of a layer from compounds of groups II to VI

Info

Publication number: DE2141212C3
Application number: DE19712141212
Authority: DE
Inventors: Kazuo Terakawa Kazuo Yokohama Yoshida Okio Yokosuka Aihara Satoshi Yokohama Shimizu, (Japan)
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1970-08-17
Filing date: 1971-08-17
Publication date: 1977-07-07

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Verbindungen der Gruppen II bis VI mil enger Korngrößenverteilung.The invention relates to a method for producing a layer from compounds of groups II to VI with a narrow grain size distribution.

Eine Schicht mit einer großen Fläche aus einer Verbindung oder eine Schicht aus einer Verbindung, die getrennt auf eine große Fläche aufgebracht ist, ist als üeht-Elektrizitatswandler auf vielen technischen Gebieten, wie bei Sonnenzellen, lichtempfindlichen Vorrichtungen in festem Zustand, um Bilder aufzunehmen und abzubilden, als photoleitfähige Schicht für Röhren, um Bilder aufzunehmen, usw. nützlich. Eine solche Schicht muß nicht nur elektrische Eigenschaften besitzen, die für ihre Verwendung ausreichen, sondern sie soll diese Eigenschaften auch einheitlich über eine große Fläche aufweisen. Beispielsweise verringern örtliche Ungleichheiten in der Photoempfindlichkeit oder in der Lumineszenzintensität eines Schichtelements nicht nur dessen technischen Wert, sondern sind euch sehr nachteilig, was die Gebrauchsdauer des Schaltelements oder eines daraus hergestellten Gegenstands betrifft.A layer with a large area of one Compound or a layer of a compound applied separately over a large area is called üeht electricity converter in many technical fields, As with solar cells, photosensitive devices in a solid state to take pictures and to be mapped as a photoconductive layer for tubes, useful for taking pictures, etc. Such a layer must not only have electrical properties that are sufficient for their use, but they should also have these properties uniformly across a have a large area. For example, reduce local inequalities in photosensitivity or in the luminescence intensity of a layer element, not just its technical value, but is you very disadvantageous, what the service life of the switching element or an object made from it regards.

Jm allgemeinen wird eine Schicht durch Vakuumverdampfung oder durch Gasphasenreaktion auf der Oberfläche einer Substratplatte hergestellt. Um ihre elektrischen Eigenschaften zu verbessern, ist jedoch in vielen Fällen nach der Schichtbildung eine Wärmebehandlung erforderlich. Eine solche Wärmebehandlung ist im allgemeinen vom Wachstum der Körner, die die Schicht ausmachen, begleitet. Die Eigenschaften eines Schichtelements, insbesondere die Einheitlichkeit der Eigtsnuchttfuni innei'httlb einer weiten Fläche, werden oft durch dub K.yriiwachfctuiT) während der Wärmebehandlung beeinflußt. Um bej der Wärmebehandlung _em ■.wütisühonswtjrieb Korn wachstum sicherzustellen, ist ei .5 wichtig, daß man eine geeignete Temperatur auswählt Die oberste Temperatur ist jedoch wegen der Warmewidtu-BtandsfMii^keh des Substratmatenals, der .'möglichen Zersetzung atr Verbindungen, die die Schicht ausmachen, usw. beschrMkt. Man verwendet ίο (daher uft bei bolchen Wärmebehandlungen Zusatzstoffe ibzw. Schmelzmittel.In general, a layer is formed on the surface of a substrate plate by vacuum evaporation or by gas phase reaction. However, in many cases, in order to improve their electrical properties, heat treatment is required after the film formation. Such heat treatment is generally accompanied by the growth of the grains making up the layer. The properties of a layer element, in particular the uniformity of the property in a wide area, are often influenced by the heat treatment. Bej to the heat treatment _em ■ .wütisühonswtjrieb grain growth ensure ei .5 is important that one selects a suitable temperature, the top temperature is, however, because of the Warmewidtu-BtandsfMii ^ KEH of Substratmatenals, the .'möglichen decomposition atr compounds which layer the make up, etc. One uses ίο (therefore additives or fluxing agents are used in the case of more heat treatments.

Eva typisches Beispiel bülcher Zusatzstoffe, die bei der Wärmetoeihanduuag verwendet werden, ist Cadmiumchlorid. Cadmiumehlorid wird bei der Behandlung von ii Cadmiumsulfid, das man bei phoioJehfähigerj Elementen verwendet, eingesetzt. !Cadmiumsulfid ist ebenfaflis für Cadmiumselemd- oder Cadmiums-ulfoseJenid-Schichlen wirksam. Damit die Wärmebehandlung zwfriedenstel· ilend verläuft, muß man die Zusatzstoff-Konzentration so einheitlich wie möglich machen. Wird jedoch Cadmiurnchloj-id bei der Wärmebehandlung von photo-Mtfähigeri Cadmiumsulfid- ©der CadmiumseJenid-Schichten verwendet, so dringt eine große Menge an Chlor in die photoleitfähige Schicht, und in einigen Fällen kann die Konzentration bis zu 10²⁰ Atome/cm·* betragen. Durch dies.es Chlor wird in dem Cadmiumsulfid oder -selenid ein flaches Donator-Niveau gebildet Das Vorkommen eines bolchen flachen Donator-Niveaus in hoher Konzentration verschlechtert die Photo- y> empfindlichkeit der Filme, und in einigen Fällen wird! das Ansprechen auf Licht veirzogert A typical example of Buchcher additives that are used in heat treatment is cadmium chloride. Cadmium chloride is used in the treatment of ii cadmium sulfide, which is used in the case of phoiojj elements. ! Cadmium sulphide is also effective for cadmium foreign or cadmium sulphose-Jenid layers. In order for the heat treatment to proceed satisfactorily, the additive concentration must be made as uniform as possible. However, when cadmium chloride is used in the heat treatment of photoconductive cadmium sulfide © of the cadmium selenide layers, a large amount of chlorine permeates the photoconductive layer, and in some cases the concentration can be up to 10 ²⁰ atoms / cm * * . Dies.es by chlorine in the cadmium sulfide or selenide a shallow donor level is formed, the occurrence of a Bolchen shallow donor level in a high concentration deteriorates the photo- y> sensitivity of the films, and in some cases! the response to light is delayed

Der Vorteil der oben erwähnten Wärmebehandlung. bei der ein Zusatzstoff verwendet wird, liegt darin, daß die Korngröße nach dem Kornwachstum recht einheitlieh ist Im Gegensatz dazu variiert bei Verfahren, bei denen kein Zusatzstoff verwendet wird, beispielsweise, wenn man einfach zur Aktivierung des Kornwachstums die Temperatur erhöht, die Kornwachstumsgeschwindigkeit von Teil zu Teil, und man erhält eine Schicht mit einer breiten Korngrößenverteilung. Dies ist die Ursache für eine uneinheitliche Schichtstärke, wodurch schwerwiegende Fehler, wie nadelartige Löcher, Abschälen der Schicht usw, eintreten.The advantage of the heat treatment mentioned above. in which an additive is used is that the grain size after grain growth is quite uniform In contrast, in processes in which no additive is used, for example, if one simply increases the temperature to activate the grain growth, the grain growth rate from part to part, and a layer with a broad grain size distribution is obtained. this is the The cause of an inconsistent layer thickness, causing serious defects such as needle-like holes, peeling the shift, etc., enter.

Um bei einer Schicht, die amorphe oder sehr feine Körner enthält, ein einheitliches Kornwachstum zu erreichen, ist es im allgemeinen erforderlich, eine geeignete Anzahl an einheitlich veiteiiten Keimen auf der Oberfläche der Schicht zu bilden.In order to achieve uniform grain growth in a layer containing amorphous or very fine grains achieve, it is generally necessary to have a suitable number of uniformly distributed nuclei the surface of the layer to form.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Verbindungen der Gruppen II bis Vl auf einer Substratplatte und Wärmebehandeln in einer Inertgas und Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Wärmebehandlung in einer Atmosphäre, die ein Inertgas, 0,1 bis 10 Volumen-% Sauerstoff, berechnet auf das Inertgas, und den Dampf von mindestens einem Element aus der Gruppe Schwefel, Selen und Tellur enthält, durchgeführt wird.The invention relates to a method for producing a layer from compounds of Groups II to VI on a substrate plate and heat treatment in an inert gas and oxygen containing atmosphere, which is characterized in that the heat treatment in an atmosphere which an inert gas, 0.1 to 10% by volume of oxygen calculated on the inert gas and the steam of contains at least one element from the group consisting of sulfur, selenium and tellurium.

Anhand der Zeichnung wird die vorliegende Erfindung näher erläutert.The present invention is explained in more detail with the aid of the drawing.

F i g. 1 ist ein Diagramm, das die Korngrößenverteilung der erfindungsgemäß hergestellten Schicht und von bekannten Schichten zeigt;F i g. 1 is a diagram showing the grain size distribution of the layer produced according to the invention and of known layers;

F i g. 2 ist eine Mikrophotographie (x 5000) einer Schicht, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde;F i g. 2 is a photomicrograph (x 5000) of a layer formed by the method of the invention was produced;

Fig.3 ist eine Mikrophotographie einer Schicht, die nach einem bekannten Verfahren hergestellt wurde, inFig. 3 is a photomicrograph of a layer containing was prepared by a known method, in

gleicher Vergrößerung.same magnification.

Im folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung, die Herstellung eines photoleitfähigen Elements, beschrieben. Ein dünner Film bzw. eine Schicht aus Cadmiumselenid, beispielsweise 5 Mikron dick, wird auf die Oberfläche einer Substratplatte bei )50°C im Vakuum durch ein Verfahren, bei dem im Vakuum verdampft wird, hergestellt. De:· so erhaltene Film wird in einem Inertgas, wie Stickstoff, das 5 Volumen-% Sauerstoff enthält, bei 500⁰C während 1 Stunde behandelt, wobei Selendampf entsprechend dem Sättigungsdampfdruck von Selen bei 500^cC ebenfalls vorhanden ist. Dieser Selendampf kann mit dem Sauerstoff vor der Wärmebehandlung vermischt werden, oder er kann in situ nach geeigneten Verfahren gebildet werden. Gemäß dieser Wärmebehandlung steigt die Korngröße in dem ursprünglich abgeschiedenen Film von ungefähr 1000 Ä auf ungefähr 1,5 μιτι, und man erhält einen Film, der eine recht einheitliche Korngröße besitzt. Dieses Kornwachstum ist das gleiche wie das Kornwachstum, das man bei einem Verfahren erhält, bei dem man 20 Mol-% Cadmiumchlorid mit Cadmiumselenid vermischt, eine Substratplatte damit beschichtet und die abgeschiedene Schicht in einer Stickstoffatmosphäre wärmebehandeh.One embodiment of the invention, the manufacture of a photoconductive element, will now be described. A thin film or a layer of cadmium selenide, for example 5 microns thick, is produced on the surface of a substrate plate at) 50 ° C. in a vacuum by a process in which it is evaporated in a vacuum. The film obtained in this way is treated in an inert gas, such as nitrogen, which contains 5% by volume of oxygen, at 500 ^° C. for 1 hour, selenium vapor corresponding to the saturation vapor pressure of selenium at 500 ^° C. being also present. This selenium vapor can be mixed with the oxygen prior to the heat treatment, or it can be formed in situ by suitable methods. According to this heat treatment, the grain size in the originally deposited film increases from approximately 1000 Å to approximately 1.5 μm, and a film is obtained which has a fairly uniform grain size. This grain growth is the same as that obtained by a method in which 20 mol% of cadmium chloride is mixed with cadmium selenide, a substrate plate is coated therewith, and the deposited layer is heat-treated in a nitrogen atmosphere.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es wesentlich, daß eine beschränkte Sauerstoffmenge zusammen mit Selendampf bei der Wärmebehandlung als Atmosphäre verwendet wird. Die Wärmebehandlung von Cadmiumselenid mit Selendampf ist bekannt und wurde in der Vergangenheit durchgeführt. Diese Behandlung wurde jedoch durchgeführt, um die Selenhohlräume in dem Cadmiumselenid-Film zu füllen und um die elektrischen Eigenschaften des Films zu modifizieren. Oft wird auch eine Wärmebehandlung mit Luft durchgeführt, wobei man eine Sauerstoff enthaltende Atmosphäre verwendet. Luft ist eine Mischung aus Sauerstoff und Stickstoff. In der japanischen Patentanmeldung 23 456/65 wird eine Stickstoffatmosphäre, die 0,2 bis 1,7% Sauerstoff enthält, als eine Atmosphäre, die eine beschränkte Menge an Sauerstoff enthält, beschrieben. Dieses Verfahren bezieht sich jedoch auf eine Wärmebehandlung, bei der Cadmiumselenid zusammen mit einem Zusatzstoff bzw. einem Schmelzmittel wärmebehandeh wird, und die Atmosphäre enthält Sauerstoff, Stickstoff und Cadmiumhalogenid-Dämpfe, wobei das Kornwachstum durch den Cadmiumhalogenid-Zusatzstoff bewirkt wird, und der Sauerstoff wird nur als Hilfsmittel zugegeben, um die Selen-Leerstellen zu füllen.In the process of the invention, it is essential that a limited amount of oxygen is used as the atmosphere together with selenium vapor in the heat treatment. The heat treatment of cadmium selenide with selenium vapor is known and has been carried out in the past. This However, treatment was carried out to fill the selenium voids in the cadmium selenide film and to modify the electrical properties of the film. Often a heat treatment is also used Air performed using an atmosphere containing oxygen. Air is a mixture of Oxygen and nitrogen. In Japanese Patent Application 23 456/65 a nitrogen atmosphere is used which 0.2 to 1.7% oxygen is described as an atmosphere containing a limited amount of oxygen. However, this method refers to a heat treatment in which cadmium selenide is combined is heat-treated with an additive or a flux, and contains the atmosphere Oxygen, nitrogen and cadmium halide vapors, with grain growth due to the cadmium halide additive is effected, and the oxygen is only added as an aid to the selenium vacancies to fill.

Gemäß »Zeitschrift für Physik«, 159 (1960), Seite 495 bis 504 wird ein Cadmiumsulfid-Einkristall in einer Schwefelatmosphäre wärmebehandeh, um dessen Spektralempfindlichkeit zu variieren. Demgegenüber dient erfindungsgemäß der Schwefeldampf zum wirksamen Erhalt eines einheitlichen Kornwachstums aus den Verbindungen der Gruppen II bis VI.According to "Zeitschrift für Physik", 159 (1960), pages 495 to 504, a cadmium sulfide single crystal in a Heat treated sulfur atmosphere to vary its spectral sensitivity. In contrast, serves according to the invention the sulfur vapor to effectively obtain uniform grain growth from the Compounds of groups II to VI.

Bei der vorliegenden Erfindung müssen, wie in dem obigen Beispiel erläutert wurde, Sauerstoff- und Selendampf gleichzeitig während der Wärmebehandlung in der Atmosphäre vorhanden sein, d. h., wenn in der Atmosphäre einer der beiden Stoffe fehlt, kann man keine erfindungsgemäßen Schichten erhalten. Wenn man beispielsweise das oben beschriebene Beispiel in einer Atmosphäre durchführt, die keinen Selendampf enthält, so verläuft das Kornwachstum nicht so, wie es aus Fig. 1 ersichtlich ist, wo die Kurve 1 die Korngrößenverteilung vor der Wärmebehandlung und die Kurve 2 die Korngrößenverteilung nach der Wärmebehandlung darstellen. Eine solche Wärmebehandlung ist für das Kornwachstum ohne Bedeutung. Wenn andererseits Sauerstoff in der Atmosphäre nicht vorhanden ist, wird die Korngrößenverteilung nach der Wärmebehandlung durch die Kurve 3 in Fig. 1 dargestellt. In diesem Fall ist der Bereich der Korngrößenverteilung noch vergrößert.In the present invention, as explained in the above example, oxygen and Selenium vapor coexist in the atmosphere during the heat treatment, d. i.e. if in If one of the two substances is absent from the atmosphere, no layers according to the invention can be obtained. When for example, the example described above is carried out in an atmosphere that does not contain selenium vapor contains, the grain growth is not as it can be seen from Fig. 1, where the curve 1 the Grain size distribution before the heat treatment and curve 2 the grain size distribution after Represent heat treatment. Such a heat treatment is irrelevant for grain growth. On the other hand, when oxygen is absent in the atmosphere, the grain size distribution becomes according to the Heat treatment represented by curve 3 in FIG. 1. In this case the area is the Grain size distribution increased.

Im Gegensatz dazu zeigt Kurve 4 die Korngrößenverteilung, wenn eine Schicht in einer Atmosphäre, die Sauerstoff- und Selendampf gleichzeitig enthält, erfindungsgemäß behandelt wird.In contrast, curve 4 shows the grain size distribution, when a layer in an atmosphere containing oxygen and selenium vapor simultaneously, according to the invention is treated.

Die Körner wachsen beachtlich und sind in ihrer Größe einheitlich, wodurch die Wirkung der vorliegenden Erfindung klar zu erkennen ist. Ein Vergleich der F i g. 2 und 3, die Mikrophotographien einer erfindungsgemäßen Schicht und einer bekannten Schicht sind, zeigt die Überlegenheit der erfindungsgemäßen Schicht im Vergleich mit der bekannten Schicht bezüglich der Korngröße und der Korngrößenverteilung. Die erfindungsgemäße photoleitfähige Schicht, die in Fig. 2 dargestellt ist, ist so in ihrer photoelektrischen Empfindlichkeit gleichmäßig.The grains grow considerably and are uniform in size, which gives the effect of the present Invention can be clearly seen. A comparison of FIGS. 2 and 3, the photomicrographs of a Layer and a known layer, shows the superiority of the layer according to the invention in comparison with the known layer in terms of grain size and grain size distribution. The inventive photoconductive layer, which is shown in Fig. 2, is so in its photoelectric Sensitivity evenly.

Im Verlauf der Wärmebehandlung, wenn die Temperatur der Substratplatte erhöht wird, reagieren auf der Schichtoberfläche Sauerstoff und Cadmium aus dem Film, wobei ein Zwischenoxyd, beispielsweise Cadmiumselenii (CdSeO3) gebildet wird, d. h. ein Salz einer Oxysäure. Diese Verbindung wird dann bei höheren Temperaturen wieder zersetzt, und daher findet im Laufe des Temperaturanstiegs eine Übergangsbildung und Zersetzung des Zwischenoxyds statt. Dadurch werden Keime bzw. Kerne gebildet, die Stellen ergeben, an denen das Kornwachstum initiiert wird, und an der Oberfläche beginnt eine Umlagerung der Struktur, und dies schreitet in die inneren Teile vor. Solche Zwischenstufen aktivieren das Kornwachstum und bringen eine enge Verteilung der Korngröße mit sich.In the course of the heat treatment, when the temperature of the substrate plate is increased, react on the Layer surface oxygen and cadmium from the film, with an intermediate oxide, for example Cadmiumselenii (CdSeO3) is formed, i.e. H. a salt one Oxy acid. This compound is then decomposed again at higher temperatures, and therefore takes place in the As the temperature rises, transition formation and decomposition of the intermediate oxide take place. Through this nuclei or cores are formed, which result in places where grain growth is initiated and where Surface begins a rearrangement of structure, and this progresses into the inner parts. Such Intermediate stages activate the grain growth and bring about a narrow distribution of the grain size.

Wenn die Atmosphäre, in der die gewünschte Umsetzung durchgeführt wird, größere Mengen an Sauerstoff enthält, als es dem gleichzeitigen Vorhandensein der Selendämpfe entspricht, so beispielsweise, wenn die Umsetzung in gewöhnlicher Luft durchgeführt wird, wird die Oxydation zu stark verlaufen, und es bildet sich ein Zwischenoxyd, dessen Wachstum durch die Bildung eines Kerns beendigt wird, wobei sich auf der behandelten Schicht auf der Oberfläche Abscheidungen ergeben, die eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften der Schicht mit sich bringen. Dies ist der Grund, weshalb die Sauerstoffmenge in der Atmosphäre bei der Wärmebehandlung beschränkt sein muß, wenn man die synergistische Wirkung von Sauerstoff und Selen erzielen will, Diese Grenze liegt bei 10 Volumen-%, berechnet auf das Volumen des Grund- oder Trägergases, wie Argon oder Stickstoff. Eine geringe Menge Sauerstoff ist nicht wirksam. Um ein glattes Kornwachstum der Keimstellen sicherzustellen, müssen mindestens 0,1 Volumen-% Sauerstoff vorhanden sein.If the atmosphere in which the desired reaction is carried out, larger amounts of Contains oxygen than corresponds to the simultaneous presence of selenium vapors, for example, if the reaction is carried out in ordinary air, the oxidation will be too severe, and so will it An intermediate oxide is formed, the growth of which is terminated by the formation of a nucleus, whereby on of the treated layer on the surface result in deposits that deteriorate the Bring electrical properties of the layer with it. This is why the amount of oxygen in the Atmosphere during heat treatment must be limited in order to take advantage of the synergistic effect of Wants to achieve oxygen and selenium, this limit is 10% by volume, calculated on the volume of the Base or carrier gas, such as argon or nitrogen. A small amount of oxygen is not effective. Around To ensure smooth grain growth of the nucleation sites, at least 0.1% by volume of oxygen must be used to be available.

Andererseits ist es recht schwierig, die genaue Menge oder Konzentration an Selendampf zu bestimmen, da der Partialdruck des Selendampfes bei der Wärmebehandlung in Beziehung zu den elektrischen Eigenschaften des fertigen Produkts steht. Aber mindestens 1 mm Hg reicht aus. Bei der Wärmebehandlung ist mindestens eine Wärmebehandlungstemperatur von 450°C erforderlich, da die Wärmebehandlung ohne die Hilfe eines Schmelzstoffes bzw. eines HilfsstoffesOn the other hand, it is quite difficult to determine the exact amount or concentration of selenium vapor because the partial pressure of the selenium vapor during the heat treatment in relation to the electrical properties of the finished product. But at least 1 mm Hg is enough. When heat treatment is at least a heat treatment temperature of 450 ° C is required, since the heat treatment without the The help of a melting material or an auxiliary material

durchgeführt wird.is carried out.

Die Erfindung wurde insbesondere unter Bezugnahme auf eine Cadmiumselenid-Schicht erläutert. Sie ist auf Verbindungen der Gruppen II und VI anwndbar, wie Cadmiumsulfid, Cadmiumtellurid, Zinksulfid, Zinkselenid, Zinktellurid und eine Mischung (eine feste Lösung oder eine heterogene Mischung), und auf Schichten, die vielschichtige Strukturen dieser Verbindungen enthalten. Die Schichten dieser Verbindungen können Verunreinigungen enthalten. Die inerten Gase, die in der Atmosphäre bei der Wärmebehandlung die Hauptbestandteile sind, sind Argon, Stickstoff oder eine Mischung davon. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß man auf der Oberfläche einer Schicht Keimlinge erzeugt, die für ein einheitliches Kornwachstum erforderlich sind, indem man auf der Oberfläche der Schicht im Verlauf der Wärmebehandlung ein Zwischenoxiyd, wie ein Salz einer Oxydsäure, bildet und zersetzt.The invention was explained in particular with reference to a cadmium selenide layer. she is applicable to compounds of groups II and VI, such as cadmium sulfide, cadmium telluride, zinc sulfide, zinc selenide, Zinc telluride and a mixture (a solid solution or a heterogeneous mixture), and on Layers that contain multi-layered structures of these compounds. The layers of these compounds may contain impurities. The inert gases that are present in the atmosphere during heat treatment The main components are argon, nitrogen or a mixture thereof. The method according to the invention is characterized by the fact that seedlings are produced on the surface of a layer that ensure uniformity Grain growth is required by looking at the surface of the layer in the course of the heat treatment an intermediate oxide, like a salt of an oxydic acid, forms and decomposes.

Durch die vorliegende Erfindung ist es möglich, ein Kornwachstum zu erzielen, ohne Schmelzmittel zu verwenden, so daß die Schicht durch ein SchmelzmittelWith the present invention it is possible to achieve grain growth without using flux use so that the layer through a flux

ίο bzw. einen Zusatzstoff nicht verunreinigt wird und die Steuerung des Gehalts an Verunreinigungen wesentlich vereinfacht wird.ίο or an additive is not contaminated and the Control of the level of impurities is made much easier.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. A process for Heratellung a layer of compounds of groups ti to VI on a substrate plate and heat-treating in an inert gas and oxygen containing atmosphere, dadurchge; ke η in ζ calibration η et that the heat treatment in an atmosphere containing inert gas a, 0.1 to 10% by volume of oxygen, calculated on the inert gas, and then contain at least one element from the group consisting of sobwaiel, brine and tellurium, duKdhgfiiühm wind.

2- The method according to claim 1, characterized in that "compounds of the groups II i> is Vi CdSe, ZnSe, CdS, ZnS, CdTe i and ZnTe" are used.

3. V "rfiihr" ng.eimä: ß claim! "Characterized in that that as an inert gas, Aj-goxi and 'fuel wenw ^ eodet w-erden.

4. Ferries for the production of "iner Söhichl" from yejibindwrjgßo of the group M ibis Vi. on a substrate plate and heat treatment in an atmosphere containing an inert gas and oxygen, characterized in that a CdSe layer is formed on a substrate plate and in an atmosphere containing an inert gas. 0.1 to 10% by volume of oxygen, calculated on the inert gas, and contains selenium vapor, heat-treated at a temperature above 450 ° C

5. The method according to claim 4, characterized in that that the partial pressure of selenium vapor in the heat treatment is not less than 1 mm Hg amounts to