DE2607729A1 - Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleitermaterialstaeben - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleitermaterialstaebenInfo
- Publication number
- DE2607729A1 DE2607729A1 DE19762607729 DE2607729A DE2607729A1 DE 2607729 A1 DE2607729 A1 DE 2607729A1 DE 19762607729 DE19762607729 DE 19762607729 DE 2607729 A DE2607729 A DE 2607729A DE 2607729 A1 DE2607729 A1 DE 2607729A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- capacitors
- plate
- documents
- power supply
- rods
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
- H05B6/105—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/28—Tubular capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
-
- Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von IIalbleiterma-
- terialstäben.
- Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Vorrichtung zuin tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterrialstäben, insbesondere von Siliciumeinkristallstäben mit großen Durcheessern, bei der die Schmelzzone durch eine den Stab ringförmig umgebende InduItionshoizspule erzeugt wird, wobei ein.aus der Spule und einer parallelgeschalteten Kapazität gebildeter Heizkreis über Stromzuführungen an den Ausgangskreis eines Hochfrequenzgenerators angekoppelt ist und die Kapazität durch parallelgeschaltete, mit einem Kühlmittelkreislauf verbundene Keramikkondensatoren gebildet wird.
- Fine solche Vorrichtung ist aus der DT-OS 2.434.136 bekannt.
- 3ei dem hier verwendeten Heizkreis Yl-,t Einzelkapazitäten großer Kapazität läßt sich jedoch in den einzelnen Kondensatoren eine sehr ungleiche Stromdichteverteilung nicht vermeiden. Sie kann bei großer 3elastung, wie sie beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Siliciumeinkristallstäben beim uebergang auf Stabdurchmesser von größer als 50 mm oft auftritt, zur Zerstörung an den Stellen höchster Stromdichte führen; Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegt, besteht deshalb in der Erhöhung der Belastbarkeit des abgestimmten Heizkreises und damit in der Reduzierung von Verlusten.
- Die erfindungsgemäße Aufgabe wird durch eine Vorrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß Keramikkondensatoren verwendet werden, die eine ganzflächige Innen- und Außen-Metallbelegung aufweisen und daß jede Einzelkapazität durch geeignete Stromzuführungen an die Metallbelege in relativ kleine Teilkapazitäten aufgeteilt ist. Auf diese Weise kann die-Strowlrerteilung in jeder Teilkapazität und damit auch für die Gesamtkapazität gleichmäßiger gemacht werden.
- In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, daß die Keramikkondensatoren über zwei Platten (A und B) aus elektrisch gut ieitendem Material miteinander verbunden sind, von denen die den Kondensatoren direkt benachbarte Platte A als Kontaktplatte für die Außenbelege der Kondensatoren und die der Spulenzuführung benachbarte Platte B über durch die Kontaktplatte A hindurchgeführte Stromzuführungen als Kontaktplatte für die Innenbelege dient.
- Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß rotationssymmetrisch ausgebildete Keramlickondensatoren, vorzugsweise aus Bariumtitanatkeramik bestehende und mit Silberbelegen versehene Rohr- und/oder auch Topfkondensatoren verwendet werden.
- An Hand von Ausführungsbeispielen und der Figuren 1 - 3, aus welchen noch weitere Einzelheiten der Erfindung zu entnehmen sind, soll die Vorrichtung näher beschrieben werden.
- Fig. 1 zeigt in perspektivischer Darstellung eine erSindungsgemäße Kondensatoranordnung, Fig. 2 stellt einen Längsschnitt durch die in Fig. 1 dargestellte Anordnung dar und Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Einzelkondensators mit symmetrisch aufgeteilten Stromzuführungen.
- In Fig. 1 ist eine Kondensatoranordnung in Form einer Matrix, bestehend aus 5 x 4 parallelgeschalteten Keramikkondensatoren 2, mit einer Kapazität von je 2000 pF dargestellt. Die vorzugsweise aus Bariumtitanatkeramik bestehenden, mit Silberbelegungen versehenen Topfkondensatoren 2 sind über zwei Platten A und 3 aus versilbertem Kupfer miteinander verbunden. Dabei sind die Kondensatoren 2 an die Platte A über ein Kontaktlot mit ihrem Außenbelag direkt angeflanscht und über Verbindungsstege 3, welche als Stromzuführungen für die Innenbelege dienen, an die Platte B angeschraubt (in der Zeichnung nicht sichtbar). Mit dem Bezugsseichen 4 ist die Zuführung zur Spule gekennzeichnet.
- Durch diese kann die WasserfvErung für den gemeinsamen Kühlmittelkreislauf erfolgen; es ist aber ebenso auch eine getrennte Wasserführung von Spule und Kondensatoranordnung möglich. Mit Hilfe der in der Figur 1 gezeigten Anordnung ist die Möglichkeit gegeben, bei einer Länge des Einzelkondensators von 12 cm, einem Durchmesser von 3 cm, einer Eigenkapazität von 2000 pF und 20 Teilkondensatoren einen 3 MXz--Spulenstrom von 2300A sicher zu führen.
- In Fig. 2 ist ein Längsschnitt durch die erste Reihe der in Fig.
- abgebildeten Kondensatoren dargestellt. Die in Form eines Topfes ausgebildeten Kondensatoren 2 bestehen aus einer Rariumtitanatleram.ik 5, welche sowohl innen als auch außen mit Silberbelegungen 6 und 7 versehen sind. Wie aus der Figur ersichtlich ist, sind die Kondensatoren mit ihrem Außenbelag 6 an ihrer offenen Seite über einen weichen Ringflansch 8, vorzugsweise aus Kupfer, an die Kontaktplatte A mit einem aus einer Blei-Zinnlegierung bestehenden Lot angelötet.
- Der Innenbelag 7 ist über symtnetrisch aufgeteilte, weiche Stromzuführungen 9 und über den Verbindungssteg 3 mit der Platte B verbunden. Die Verbindung erfolgt durch eine Schraube 10. Die Kondensatoren 2 sind in einen Kupferkasten 11 eingebaut, der an einen gemeinsamen Eühlmittelkreislauf mit der in der Figur nicht abgebildeten Spule angeschlossen ist (s. Pfeil 12). Zur zusätzlichen Wasserabdichtung ist beim Übergang Kondensatorrand/Platte A zur sicheren Abdichtung Silikongummi 13 eingegossen. Der mit dem Eezugszeichen 14 gekennzeichnete Bereich an der offenen Seite des Kondensators dient als Isolierstrecke.
- Durch den Pfeil 15 wird der Wasserablauf angezeigt. Die Spulenzuführung 4 sowie die Platte B wird mit einer zusätzlichen Wasserkühlung 21 versehen.
- In Fig. 3 wird ein besonders güstiges Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung dargestellt, bei dem eine sehr gleichmäßige Stromverteilung auch im Einzelkondensator dadurch erreicht wird, daß die Anschlüsse der Stromzuführungen 19 und 20 an den Innen- (7) und auch an den Außenbelegen 6 in der Mitte des Topfkondensators 2 angebracht sind. Damit keine mechanischen Verspannungen entstehen, werden hler versilberte Kupf erringe 16 (innen) und 17 (außen) iiber den Silberbelag 6 und 7 geschoben und mit ihm verlötet. Wie aus der Figur zu ersehen ist, erfolgt eine s metrisch Aufteilung der Stromzuführungen 19 und 20 sowohl für den Innenbelag 7 als auch für den Außenbelag 6. Ansonsten gelten die gleichen Besugszeichen wie in Fig. 1 und 2.
- 10 Patentansprüche 3 Figuren Leerseite
Claims (10)
- P a t e n t a n s p r ü c h e .1.) Vorrichtung zum tiegeifreien Zonenschmelzen von Ilaibleitermaterialstäben, insbesondere von Siliciumeinkristallstäben mit großem Durchmesser, bei der die Schmelzzone durch eine den Stab ringförmige umgebende Induktionsheizspule erzeugt wird, wobei ein aus der Spule und einer parallelgeschalteten Kapazi tät gebildeter Heizkreis über Stromzuführungen an den Ausgangskre s eines Hochfrequenzgenerators angekoppelt ist und die Kapazität durch parallelgeschaltete, mit einem Kühlm:tttelkrei slauf verbundene Keramikkondensatoren gebildet wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß Keramlkkondensatoren verwendet sind, die eine ganzflächige Innen- und Außen-Metallbelegung ausweisen und daß jede Einzelkapazität durch geeingnete Stromzuführungen an die Metallbelege in relativ kleine leilkapazitäten aufgeteilt ist.
- 2.) Vorrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i e h n e t, daß die Kermikkondensatoren über zwei Platten (h und B) aus elektrisch gut leitendem Material mit einander verbunden sind, von denen die den Kondensatoresn direkt benachbarte Platte A als Kontaktplatte für die Außeiibelege der Kondensatoren und die der Spulenzuführung benachbarte Platte B über durch die Kontaktplatte A für die Außonbelege hindurchgeführte Stromzuführungen als Kontaktplatte für die Innenbelege dient.
- 3.) Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h die Verwendung rotationssymmetrisch ausgebildeter Keramikkondensatoren.
- 4.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 3, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß die Stromzuführung für die Außenbelege über einen weichen Ringkontaktflansch, der unmittelbar an der Platte A angelötet ist, erfolgt.
- 5.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Stromzuführung für die Innenbelege durch an die Kontaktplatte B angeschraubte Verbindungsst-eSe, welche durch die Platte X hindurchgefuhrt sind, erfolgt und die Verbindungsstege mit dem Innenbelag durch symmetrisch aufgeteilte Zuführungen verbunden sind.
- 6.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 3, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß die Strpmzuführungen für die innen und Außenbelege symmetrisch aufgeteilt sind und durch Kotaktflansche mit den Belegen im Mittelbereich des Koudensato:s verbunden sind.
- 7.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 6, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h die Verwendung von aus Bariumtitanatk@ramik bestehenden, mit Silberbelegen versehenen Rohr- und/oder Topfkondensatoren.
- 8.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 7, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h die Verwendung weicher versilberter Kontaktflansche zu den Belegen.
- 9.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 8, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h die Anordnung der parallelgeschalteten Kermikkondensatoren von je 2000 pF Kapazität in Form einer I¢atrix.
- 10.) Vorrichtung nach Anspruch 1 - 9, d a d ii r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Platte 3 mit einer zusätzlichen Wasserkühlung versehen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762607729 DE2607729C2 (de) | 1976-02-25 | 1976-02-25 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterialstäben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762607729 DE2607729C2 (de) | 1976-02-25 | 1976-02-25 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterialstäben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2607729A1 true DE2607729A1 (de) | 1977-09-01 |
DE2607729C2 DE2607729C2 (de) | 1985-07-04 |
Family
ID=5970866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762607729 Expired DE2607729C2 (de) | 1976-02-25 | 1976-02-25 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterialstäben |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2607729C2 (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1079741B (de) * | 1957-01-25 | 1960-04-14 | Siemens Ag | Anordnung elektrisch parallel zueinander geschalteter Kondensatoren |
DE2434136A1 (de) * | 1974-07-16 | 1976-01-29 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleitermaterialstaeben |
-
1976
- 1976-02-25 DE DE19762607729 patent/DE2607729C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1079741B (de) * | 1957-01-25 | 1960-04-14 | Siemens Ag | Anordnung elektrisch parallel zueinander geschalteter Kondensatoren |
DE2434136A1 (de) * | 1974-07-16 | 1976-01-29 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleitermaterialstaeben |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Neues aus der Technik, 01.09.54, S. 2 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2607729C2 (de) | 1985-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2009012868A1 (de) | Plasmaversorgungseinrichtung | |
EP0215286B1 (de) | Hochleistungs-Impulsübertrager für kurze Impulse hoher Spannung und/oder hoher Ströme | |
DE2855784A1 (de) | Hochstrom-filter-steckverbinder mit entfernbaren kontaktgliedern | |
DE4412761A1 (de) | Leiterdurchführung für ein Wechselstromgerät mit Supraleitung | |
CH662454A5 (de) | Anordnung zur verbindung zweier schichtkabel im stirnteil der staenderwicklung eines hochspannungsgenerators. | |
DE112012002360T5 (de) | Hochfrequenzenergiequellenerzeugungsvorrichtung | |
EP0403788A2 (de) | Suchspulenanordnung | |
DE102013112325B4 (de) | Ringspule und Herstellungsverfahren für eine Ringspule | |
DE1925064A1 (de) | Transformator | |
DE2607729A1 (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleitermaterialstaeben | |
DE102014110683A1 (de) | Elektromagnetische Spule, Treiberschaltkreis für eine Gasentladungslampe, Lampen-Anordnung und Prozessieranordnung | |
DE102019217976B4 (de) | Folienkondensator für Leistungselektronik | |
DE1936899A1 (de) | Baugruppentraeger fuer Steuer- bzw. Regelanlagen | |
DE2140071B2 (de) | Hochspannungs-halbleitergleichrichter | |
DE2364920B2 (de) | Spannungsvervielfacher-Gleichrichtervorrichtung in Kaskadenschaltung zur Erzeugung der Hochspannung für Kathodenstrahlröhren, insbesondere in Fernseh- | |
DE102023112550A1 (de) | Kondensator | |
DE102016210152A1 (de) | Hochfrequenzleitung und Verwendung einer solchen | |
DE1925064C (de) | Transformator | |
EP3032118B1 (de) | Anschlussadapter für ein hochspannungsbauteil sowie eine hochspannungsbaugruppe | |
DE19627817A1 (de) | Flachspule | |
CH368236A (de) | Elektrische Wickelanordnung, insbesondere für Transformatoren und Kondensatoren | |
DE4204092A1 (de) | Aus mindestens einer wicklungskammer bestehender spulenkoerper fuer wickelgut insbesondere fuer einen hochspannungstransformator | |
DE19843087A1 (de) | Induktor zur Erzeugung eines elektromagnetischen Wechselfeldes | |
DE2131498A1 (de) | Kondensator | |
DE1902215C3 (de) | Kondensatorbaugruppe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8126 | Change of the secondary classification |
Ipc: C30B 29/06 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |