DE2607120A1 - Optische hohlleiter-koppler - Google Patents
Optische hohlleiter-kopplerInfo
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Description
260712Π
G.H.B. Thompson et al 21-3
10. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die durch einen hohen Brechungsindex ausgezeichnete Mittelschicht eine Ladungsträgerkonzentration
aufweist, die zehnmal größer ist als die der Schicht mit geringerer
Ladungs trägerkonzentration.
11. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ladungsträgerkonzentration der durch einen hohen Brechungsindex ausgezeichneten Mittelschicht
und des Materials zwischen dieser Schicht und dem pn-übergang oder den pn-übergängen so niedrig ist, daß die
Änderung im Brechungsindex einer Zone der durch einen höheren Brechungsindex ausgezeichneten Mittelschicht aus der Verarmung
an Ladungsträgern herrührt, bewirkt durch Anlegen einer Gegenvorspannung an den pn- Übergang oder an die pn-Übergänge,
und daß diese Änderung gering ist verglichen mit der Änderung im Brechungsindex, der aus einem elektrooptischen
Effekt herrührt, verursacht durch das begleitende elektrische Feld.
609839/0896
/ff
Leerseite
Claims (9)
- - 12 -G.H.B. Thompson et al 21-3PATENTANSPRÜCHEOptischer Hohlleiter-Koppler mit einer Halbleiter-Doppelheterostruktur,, die eine Mittelschicht mit höherem Brechungsindex aufweist, die für zwei optisch verbundene, in dem Koppler ausgebildete optische Hohlleiter eine optische Begrenzung bildet, wobei nach der Hauptanmeldung P 25 32 291.2 das wechselseitige Ankoppeln zwischen den Hohlleitern geändert werden kann durch Anlegen einer Sperrvorspannung an den pn-übergängen zur Erzeugung einer Verarmungszone, die sich durch mindestens einen der Hohlleiter oder durch'die optische Ankoppelzone zwischen den optischen Hohlleitern an der η-leitenden Seite des pn-Übergangs erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß vorstehende Rippen auf der Oberfläche der Halbleiter-Doppelheterostruktur ausgebildet sind, daß die Halbleiter-Doppelheterostruktur einen oder mehrere pn-Übergänge in unmittelbarer Nähe der Hohlleiter besitzt, so daß das Anlegen einer Gegenvorspannung daran eine oder mehrere Verarmungszonen erzeugt, die sich in einen oder mehrere·der Hohlleiter oder in eine oder mehrere der optischen Kopplungszonen zwischen den Hohlleitern hinein oder hindurch erstrecken.
- 2. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 1, dadurch.gekennzeichnet, daß der Teil der Verarmungszone oder der Verarmungszonen auf der n-leitenden Seite des pn-überganges oder der pn-übergänge sich in einen oder mehrere der Hohlleiter oder in eine oder mehrere der optischen Kopplungszonen zwischen' den Hohlleitern hinein oder hindurch erstreckt.
- 3. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Schichten aus Gallium-Aluminium- Arsenid oder Galliumarsenid/Gallium-Aluminium-Arsenid hergestellt sind.6 0 9839/0896- 13 -G.H.B. Thompson et al 21-3
- 4. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich an jeden Hohlleiter ein pnübergang anschließt, der von anderen pn-übergängen durch halbisolierendes Material getrennt ist.
- 5. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den Ansprüchen 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittelschicht mit hohem Brechungsindex im Bereich jedes Hohlleiters halbisolierend ist.
- 6. Optischer Hohlleiter-Koppler nadi den Ansprüchen 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das halbisolierende Material ein protonenbeschossenes halbisolierendes Material ist.
- 7. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang oder die pn-übergänge an der Oberfläche der durch einen hohen Brechungsindex ausgezeichneten Mittelschicht liegen.
- 8. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die durch einen hohen Brechungsindex ausgezeichnete Mittelschicht zwei Zonen besitzt, eine erste Zone mit einer bestimmten Ladungsträgerkoazentration, die sich in Richtung auf die Oberfläche erstreckt, welche den pn-übergang oder die pn-übergänge enthält, und die durch eine zweite Zone mit niedriger Ladungsträgerkonzentration gestützt wird, die sich zur entgegengesetzten Oberfläche der Schicht erstreckt.
- 9. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die durch einen höheren Brechungsindex ausgezeichnete Mittelschicht von dem pn-übergang oder den pn-übergängen durch eine Schicht mit einer niedrigen Ladungsträgerkonzentration als die der Mittelschicht getrennt ist.609839/0896- 14 -
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