DE2607120A1

DE2607120A1 - Optische hohlleiter-koppler

Info

Publication number: DE2607120A1
Application number: DE19762607120
Authority: DE
Inventors: David Franics Lovelace; George Horace Brooke Thompson
Original assignee: International Standard Electric Corp
Current assignee: International Standard Electric Corp
Priority date: 1975-02-27
Filing date: 1976-02-21
Publication date: 1976-09-23
Also published as: IT1055975B; FR2302541B2; ES445527A1; FR2302541A2; NL7601903A; AU498920B2; CH601815A5; US4082419A; ZA7651B; AU1128176A; GB1529451A

Description

Patentanwalt
Dlpl.-Phys. Leo Thul
Postfach 3OO 929

70OO Stuttgart-Feuerbach

G.H.B. Thompson et al 21-3

STSMBSKD ELECTRIC CORPORSTIOSf _t Kew York

Optische Hohlleiter—Koppler ^r"

Ersatz zn Patentanmeldung P 25 32 291.2

Die Priorität der Anmeldung Nr. Ο8244/75 vom 27. 2. 1975 in Großbritannien, wird beansprucht.

Die Erfindung beschäftigt sich mit variabel koppelnden; optischen Hohllelter-Kopplern und stellt eine Verbesserung bzw. Modifikation der Koppler nach der Hauptanmeldung P 25 32 291.2 dar.

In der Hauptanraeldung werden Hohlleiter-Koppler beschrieben, die aus Halbleitermaterial hergestellt sind und bei denen das Ankoppeln zwischen zwei optischen Hohlleitern verändert werden

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19. Februar 1976 Br.Rl/sp

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— Λ ~~

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kann durch Anlegen einer Sperrvorspannraig an. mindestens einen pn—Übergang, der so liegt, daß durch die. Sperrvorspannung eine VerarsKingszone erzeugt wird, die an der n—leitenden Seite sich xvl einen der Hohlleiter hinein oder durch ihn hindurch oder durch den Kopplungsbereich zwischen den Hohlleitern erstreckt. Ein Problem bei der Ausbildung solcher Koppler ist die Wahl der. geeigneten Trägerkonzentration zur Erzielung einer entsprechenden optischen Führung in seitlicher Richtung. Die optische Führung in einer Richtung wird durch zwei HeteroÜbergänge erreicht_x aber die seitliche Führung wird durch Unterschiede int Brechnungsindex zwischen den Bereichen mit relativ hoher.und relativ geringer Konzentration an freien Elektronen bewirkt. Sin großer Koiizentrationsunterschied bewirkt z?rar eine starke Führung*· aber hat den Nachteil, daß die hohe Konzentration an freien !Ladungsträgern unerwünscht hohe optische Verluste verursacht. ..-...::

Bei der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem dadurch umgangen, daß zur optischen Führung in seitlicher Richtung ein anderer Weg eingeschlagen wird. Auch wenn die durch. Entfernung von freien Ladungsträgern hervorgerufenen Brechmigsindexänderungen in signifikanter Weise zur Anwendung kommen sollten, so ist dennoch erforderlich, ein Dotierniveaa auszuwählen, das hoch genug ist_f um nach Ausbildung der ^exarnrangszone eine entsprechende Snderong des Brechungsindexes zu bewirken, aber es ist nicht so hoch, daß es die Verarmungszone im Vergleich zur Stärke der Hohlleiter dünn macht.

Dies Erfindung beschreibt Strukturen von Hohlleiter-Kopplern, bei denen eine seitliche optische Begrenzung, d. h. eine optische Begrenzung senkrecht zur Richtung" der Heterolibergänge, durch eine Struktur aus vorstehenden Rippen erzielt wird.

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Durch die vorliegende Erfindung wird ein optischer Hohlleiter-Koppler mit einer Halbleiter-Doppelheterostruktur geschaffen, die eine Mittelschicht von höherem Brechungsindex besitzt, die für zwei oder mehr optische Hohlleiter-Koppler in einer Richtung eine optische Begrenzung bildet, wobei diese optische Begrenzung in orthogonaler Richtung durch vorstehende Rippen erzeugt wird, ausgebildet auf einer Fläche des Kopplers, und wobei der Koppler einen oder mehrere pn-übergänge in unmittelbarer Nähe der Hohlleiter besitzt, so daß das Anlegen einer Gegenvorspannung daran eine oder mehrere Verarmungszonen erzeugt, die sich in einen oder mehrere der Hohlleiter oder in eine oder mehrere der optischen Kopplungszonen zwischen den Hohlleitern hinein oder hindurch erstrecken.

Es folgt nun eine Beschreibung der optischen Hohlleiter-Koppler, hergestellt aus Gallium-Aluminium-Arsenid, die die Erfindung in einer bevorzugten Form verkörpern. Die Beschreibung bezieht sich auf die beigefügte Zeichnung. Es stellt dar:

Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch eine erste Ausbildung der optischen Hohlleiter-Koppler,

Fig. 2 und 3 ähnliche schema ti sehe Querschnitte durch zwei weitere Ausbildungen der optischen Hohlleiter-Koppler und

Fig. 4 und 5 ähnliche Querschnitte durch zwei modifizierte Versionen der Ausbildung »ach Fig. 1.

Jeder der zu beschreibenden Koppler besitzt ein Paar Hohlleiter, die optisch gekoppelt sind, aber es ist klar, daß die Grundzüge des Aüfbaus und des Betriebs dergestalt sind, daß Kopplungen zwischen drei oder mehr Hohlleitern ausgeführt werden können.

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Das Anlegen einer Gegenvorspannung an den pn-übergängen des Kopplers erzeugt Änderungen des Brechungsindexes, was sich auch auf das Koppeln zwischen den Hohlleitern auswirkt. Eine derartige Brechungsindexänderung kann teils von einem elektrooptischen Effekt, erzeugt durch das an der Verarmungs zonge auftretende elektrische Feld, herrühren, teils kann sie als Folge das Abwanderns der freien Ladungsträger aus der Verarmungs zone heraus auftreten. Wegen der viel größeren effektiven Menge an Elektronen als an Löchern ist dieser zweite isotrope Effekt in Gallium-Arsenid und Gallium-Aluminium-Arsenid an der η-leitenden Seite des pn-überganges wesentlich stärker ausgeprägt. Aus diesem Grund ist die Verwendung von Ausbildungsformen vorzuziehen, bei denen der Teil der Verarmungs ζ one, der zur Modifikation der Kopplung dient, auf der η-leitenden Seite des pn-überganges liegt. Das Koppeln zwischen zwei Hohlleitern kann durch Veränderung ihres Brechungsindexes oder des Brechungsindexes des dazwischenliegenden Materials oder durch Veränderung des Brechnungsindexes von nur einem der Hohlleiter modifiziert werden, so daß ihr Anpassen gestört wird. Dies ist bereits in der Hauptanmeldung in Zusammenhang mit der Diskussion, ob der elektrooptische Effekt auf der Kristallorientierung und der Polarisation des sich ausbreitenden Lichtes beruht, erörtert worden.

Fig. 1 zeigt eine 0,2 ,um dicke Schiciit 1O von η-leitendem Galliumarsenid, die eine freie Ladungsträgerkonzentration von ca. 3 χ

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10 cm besitzt und auf einem Substrat 11 von n-leitendem

Ga ,,-Al_. _orÄs mit einer Konzentration an freien- Ladungsträgern o,65 0,35 ig _3

von ca. 5 χ 10 cm aufgewachsen ist. Eine weitere n-leitende Schicht 12 aus Ga_n ,-Al _rAs ist auf der Schicht 10 aufgewachsen. Die Schicht 12 ist ebenfalls ca. 0,2 ^um dick und besitzt eine Ladungsträgerkonzentration von ca. 10 cm . Die letzte, auf der Schicht 12 aufgewachsene Schicht ist eine zinkdotierte p-leitende

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Schicht aus Ga_ _C[-Al_ ,[-Äs. mit einer Ladungsträgerkonzentration von 10 cm Diese p-leitende Schicht mit der charakteristischen Stärke von ca. 1 ,um wird maskiert und selektiv zur Ausbildung einer Oxidschicht 13 anodisch oxidiert, durch die zwei Rippen aus p-leitendem Gallium-Aluminium-Arsenid der Breite 2 ,um, die 2 bis 3 ,um voneinander getrennt sind, vorstehen.

Das Bauelement wird dann erhitzt, daß das p-leitende Dotierungsmaterial Zink aus den Rippen 14 in die darunterliegenden Teile der Schicht 12 diffundiert. Das anfängliche Dotierniveau der Rippen ist ca. zehnmal größer als das der Schicht 12 und somit wandelt die Diffusion die Teile 15, die unterhalb der Rippen liegen, in p-leitendes Material um. Gewöhnlich wird die Diffusion so durchgeführt, daß die Diffusionsfront 16 gerade in die Schicht 10 eindringt. Das Vordringen des pn-öberganges wird jedoch an der Grenzfläche zwischen den Schichten 10 und 12 durch das größere Dotierniveau der Schicht 10 abgestoppt.

Die Rippen 14 sind mit einer Metallelektrode 17 versehen, die mit einer nichtgezeigten Elektrode an dem Substrat dazu dient, daß eine Gegenvorspannung an einem oder ein beiden pn-übergängen angelegt werden kann.

Dieser Aufbau läßt sich mit dem der Hauptanmeldung vergleichen, insbesondere im Hinblick auf die Fig. 4 derselben. Der Vorteil, daß durch die Verwendung von niedrigen Dotierniveaus der optische Verlust bei freien Ladungsträgern verringert werden kann, wurde bereits erwähnt. Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Zinkdiffusion viel flacher ist. Bei dem vorliegenden Aufbau wird die Stärke der Schicht 12 durch das Bedürfnis bestimmt, eine geringe Menge an optischer Energie, die sich in den Hohlleitern ausbreitet, in die Zone zwischen diesen eindringen zu lassen und somit die optische Kopplung zu erzielen.

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In dem Bauelement nach Flg. 4 der Ha.uptaniueldung muß die entsprechende Schicht (Schicht 41) viel stärker sein, da sie dick genug sein muß zu verhindern, daß ihre Oberfläche merklich von der optischen Führung in den Hohlleitern angegriffen wird. Ein weiterer Unterschied zwischen den beiden Strukturen liegt darin _r daß in der einen die Führung in der seitlichen Richtung wesentlich stärker gemacht werden kann mit dem Ergebnis, daß die Hohlleiter wesentlich schärfere Krümmungsradien zulassen. Es ist zu bemerken,- daß aus dem Übergang zu engeren Rippen sich die nützliche Folge ergibt, daß beim Aufbau eine entsprechende schmälere Schicht 12 verwendet werden kann mit dem Ergebnis," daß die Probleme einer lateralen Zinkdiffusion nicht merklich größer werden.

Die Struktur des in Fig. 2 gezeigten Kopplers ist im Grunde ähnlich dem Koppler nach Fig. 1 bis auf die weggelassene n-leitende Schicht 12. Bei dem Koppler nach Fig. 1 wird durch die Zone der Schicht 12 zwischen den Rippen erreicht, daß die Kopplung zwischen den Hohlleitern vor sich geht, indem sich die optische Energie in der Schicht IO ausbreiten kann und ein merkliches Stück über die Kanten der Rippen hinaus dringen kann. Bei einem derartigen Koppler geschieht dies durch Begrenzung der anodischen Oxidation der p-leitenden Schicht, so daß der Teil 2 zwischen den zwei Rippen frei bleibt. Dieser Teil ergibt eine unerwünschte elektrische Verbindung zwischen den zwei Rippen, die dadurch unterbrochen wird, daß man die Zone 21 durch ProtonenbeschuB in ein halbisolierendes Material verwandelt. Der Protonenbeschuß kann auch dazu benutzt werden, die Zone 22 in ein halbisolierendes Material zu verwandeln, um kapazitive Effekte zu verringern.

Die Herstellung des Kopplers nach Fig. 2 erfordert keinerlei Diffusionsprozeßschritte, um den pn-übergang in einen HeteroÜbergang zu überführen und damit kann man die GaÄs*-Schicht IO bei einer niedrigen Konzentration an freien Ladungsträgern aufwachsen lassen, da es nicht erforderlich ist, das Vorrücken des pn-überganges auffalten. 6098 3 9/0896

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Der Koppler nach Fig. 3 besitzt einen Aufbau ähnlich dem in Fig. 2} der Hauptunterschied liegt darin, daß die Rippen mit Protonen beschossen wurden, während die dazwischenliegende Zone maskiert ist. Auf die anodisch oxidierte Schicht wird verzichtet, so daß ein direkter elektrischer Kontakt zwischen der Metallisierung 17 und dem Teil 20 zwischen den Rippen besteht. Der sich daraus ergebende Koppler wird in der gleichen Weise betrieben wie der nach Fig. 1 der Hauptanmeldung.

Die Ausbildung des Kopplers, die anhand der Fig. 4 und 5 beschrieben wird, ist im wesentlichen eine Abänderung des Kopplers, der zuvor anhand von Fig. 1 beschrieben wurde. Die Ausbildung nach Fig. 1 erfordert die Verwendung eines sehr beweglichen p-leitenden Dotiermaterials, das aus dem Material der Rippen ausdiffundieren kann, um die pn-übergänge auf den Bereich der Oberfläche der Schicht 10, der Führungsschicht isit dem höheren Brechungsindex, zu übertragen. Ein für diesen Zweck geeignetes Dotiermaterial ist Zink, aber die verhältnismäßig hohe Flüchtigkeit desselben legt den Bedingungen des epitaktischen Aufwachsens aus der flüssigen Phase einige unerwünschte Beschränkungen auf. Die Ausbildungen nach den Fig. 4 und 5 sind so, daß sie bei der Verwendung eines beweglichen Dotiermaterials diesen ausweichen.

Die Ausbildung des Kopplers nach Fig. 4 ist identisch mit der nach Fig. 1 bis auf drei Ausnahmen. Erstens besitzt die Schicht 12' eine niedrigere Ladungsträgerkonzentration als die entsprechen-

16 —3 de Schicht 12, für gewöhnlich nicht Hsehr als 10 cm anstelle

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von ca. 10 cm . Zweitens besteht das Material der zwei Rippen aus einem mit Germanium dotierten Material anstelle eines zinkdotierten Materials. Drittens ist zur Verschiebung der pn-Übergänge nach unten wie bei der Ausbildung der Fig. 1 ein Aufheizen nicht vorgesehen.

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Da bei dieser Ausbildung die pn-übergänge der Schicht 10, der optischen Führungsschicht mit dem höheren Brechungsindex, durch die Zwischenschicht 12' räumlich getrennt bleiben, wird in Schicht 12' anstelle von Schicht 10, wo es ursprünglich erforderlich war, etwas von dem elektrischen Feld erzeugt, das mit der Anlegung einer Gegenvorspannung an diesen Übergängen verbunden ist. Durch die Verwendung eines niedrigen Dotierniveaus für die Schicht 12' besteht jedoch eine geringe Verringerung des Feldes in der Schicht 12' und das in Schicht 10 erzeugte Feld kann mindestens 10 %, typischerweise so um 5 %, geringer sein als das Feld nahe an dem pn-übergang.

Die Ausbildung des Kopplers nach Fig. 5 ist ähnlich der nach Fig. 4; er ist so ausgebildet, daß von dem elektrooptischen Effekt eines Überganges mit Gegenvorspannung Gebrauch gemacht wird. Zu diesem Zweck ist die Substratschicht 11'', die verhältnismäßig

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hochdotiert ist, und zwar 5 χ 10 cm , von der Führungsschicht durch eine Zwischenschicht 50 mit niedriger Dotierung, die die gleiche Zusammensetzung hat die wie Substratschicht 11 ' ', jedoch

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eine Ladungsträgerkonzentration von ca. 10 cm besitzt, räumlich getrennt. Diese Schicht besitzt charakteristischerweise die gleiche Stärke wie die Führungsschiebt 10'' und die Deckschicht 12'' die beide ebenfalls eine Ladungsträgerkonzentration von ca. 10 cm besitzen.

Die Anwendung dieser niedrigen Ladungsträgerkonzentration in den drei dünnen Schichten 12*', 10'' und 50, zusammengehalten durch das höher dotierte Material des Substrats 11^Ir, stellt sicher, daß beim Anlegen einer Gegenvorspannung an den Übergang die Führungsschicht im Bereich eines verhältnismäßig hohen elektrischen Feldes liegt. Ist die Verarmungszone durch Anlegen dieser Gegenvorspannung erzeugt, hat das Entfernen der freien Ladungsträger aus dem darunterliegenden Teil der Schicht 10'' eine verhältnis-

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mäßig geringe Wirkung auf den Brechxmgsindex dieser Zone, da die Zahl der entfernten Ladungsträger durch die von Anfang an niedrige Konzentration an Ladungsträgern Iseschränkt wird. Bei dieser Ausbildungsform besteht der Hauptbeitrag zur Änderung des Brechungsindexes für Licht, das sich in den Hohlleitern ausbreitet, anstelle der Ausbildung in dem Beitrag, den der elektrooptische Effekt liefert.

Eines der Merkmale, die tatsächlich ausnahmlos auf dem elektrooptischen Effekt beruhen, besteht darin, daß die Anwendung einer Gegenvorspannung die Durchlässigkeit der darunterlxegenden Führungsschicht kaum merklich berührt. Wenn von der durch die Entfernung der freien Ladungsträger hervorgerufenen Veränderung des Brechnungsindexes merklich Gebrauch gemacht wird, so ist das wegen der Absorptionseffekte der freien Ladungsträger nicht länger der Fall. Dieser Unterschied wird deutlich, wenn das Ankoppeln durch eine Gegenvorspannung an dem mit einem Hohlleiter verbundenen pn-übergang gesteuert wird, ohne Anlegen einer gleichen Gegenvorspannung an dem anderen pn-übergang. In diesem Fall erzeugt die Erregung eine Fehlanpassung zwischen den Hohlleitern, wodurch es nicht länger möglich ist, den Koppler zwischen einem ersten Zustand, in dem eine der Eingangsöffnungen ausnahmslos mit einer der Ausgangsöffnungen gekoppelt ist, und einem zweiten Zustand, in dem diese Eingangsöffnung ausnahmslos mit der anderen

koppelt, zu schalten. Es ist möglich, eine der Ausgangsöffnungen in dem nicht erregten Zustand (Durchlässigkeit angepaßt) zu entkoppeln, aber in dem anderen Zustand wird immer eine Restkopplung mit der anderen Ausgangsöffaung vorhanden sein.

Die gleichen Überlegungen lassen sicli auf den in Zusammenhang mit Fig. 2 zuvor beschriebenen Koppler übertragen und ferner kann es Anwendungsformen geben, die eine modifizierte Form erfordern, bei der eine dünne Unterschicht mit niedriger Ladungs-

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trägerkonzentration, entsprechend der Schicht 50, zwischen einer Führungsschicht mit niedriger Ladungsträgerkonzentration und hohem Brechungsindex und einem Substrat mit hoher Ladungstragerkonzentration und niedrigem Brechungsindex eingeschoben ist. Die gleichen Überlegungen treffen auf die Ausbildungsform nach Fig. 3 nicht zu, da die Beseitigung der Absorption der freien Ladungsträger in der Koppelzone zwischen den zwei Hohlleiterkanälen eine Anpassung der Durchlässigkeit der Kanäle selbst nicht vereitelt.

In den Ausbildungsformen des Kopplers nach den Fig. 1,2 und 3 liegt das Dotierniveau der optischen Führungsschicht mit dem höheren Brechungsindex unmittelbar unter dem pn-übergang bzw. den pn-Übergängen und wird bezüglich seiner Stärke vorzugsweise so gewählt, daß seine freien Ladungsträger bei einer Gegenvorspannung unmittelbar unterhalb des Durchbruchwertes tatsächlich vollkommen entfernt sind. Es hat sich jedoch gezeigt, daß durch Verwendung einer dünneren stärker dotierten Schicht etwas mehr Ladungsträger entfernt werden können und daß deshalb durch die Verwendung einer optischen Schicht mit zusammengesetztem Brechungsindex eine bessere Wirkung der freien Ladungsträger erreicht werden kann. Diese zusammengesetzte Schicht besitzt die gleiche Zusammensetzung, hat aber einen höher dotierten Oberteil neben dem pn-übergang bzw. den pn-Übergängen und darunter einen geringer dotierten Teil. Der höher dotierte Teil besitzt eine charaktertistische Ladungsträgerkonzentration von 1O cm und der geringer dotier- · te Teil eine Konzentration von 1O cm

Bei diesen oben beschriebenen Kopplern, die so ausgebildet sind, daß sie von den Brechungsindexänderuiigen Gebrauch machen, die durch das Entfernen der freien Ladungsträger bewirkt werden, besteht eine bevorzugte Kristallorientierung in den (100)-Ebenen, in denen die Heteroübergänge liegen, und die Hohlleiter erstrek-

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ken sich in (100)-Richtung. Der Grund hierfür liegt darin, daß der elektrooptische Effekt im allgemeinen auf Polarisation anspricht, aber bei der genannten Orientierung erzeugt der elektrooptische Effekt keine Änderung im Brechungsindex bei Licht, das sich entlang der Hohlleiter aus (100)-Richtung unabhängig von der Polarisierung ausbreitet. Natürlich ist eine unterschiedliche Kristallorientierung bei den Kopplern erforderlich, die ausgebildet sind, von dem elektrooptischen Effekt Gebrauch zu machen.

Jede der oben beschriebenen Schichten 1O in den Strukturen kann aus Gallium-Aluminium-Arsenid hergestellt sein, vorausgesetzt, daß die anderen Schichten eine merklich höhere Aluminiumkonzentration besitzen, um den erforderlichen unterschiedlichen Brechungsindex zu gewährleisten.

11 Patentansprüche
2 Blatt Zeichnung
mit 5 Figuren

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE

Optischer Hohlleiter-Koppler mit einer Halbleiter-Doppelheterostruktur,, die eine Mittelschicht mit höherem Brechungsindex aufweist, die für zwei optisch verbundene, in dem Koppler ausgebildete optische Hohlleiter eine optische Begrenzung bildet, wobei nach der Hauptanmeldung P 25 32 291.2 das wechselseitige Ankoppeln zwischen den Hohlleitern geändert werden kann durch Anlegen einer Sperrvorspannung an den pn-übergängen zur Erzeugung einer Verarmungszone, die sich durch mindestens einen der Hohlleiter oder durch'die optische Ankoppelzone zwischen den optischen Hohlleitern an der η-leitenden Seite des pn-Übergangs erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß vorstehende Rippen auf der Oberfläche der Halbleiter-Doppelheterostruktur ausgebildet sind, daß die Halbleiter-Doppelheterostruktur einen oder mehrere pn-Übergänge in unmittelbarer Nähe der Hohlleiter besitzt, so daß das Anlegen einer Gegenvorspannung daran eine oder mehrere Verarmungszonen erzeugt, die sich in einen oder mehrere·der Hohlleiter oder in eine oder mehrere der optischen Kopplungszonen zwischen den Hohlleitern hinein oder hindurch erstrecken.
2. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 1, dadurch.gekennzeichnet, daß der Teil der Verarmungszone oder der Verarmungszonen auf der n-leitenden Seite des pn-überganges oder der pn-übergänge sich in einen oder mehrere der Hohlleiter oder in eine oder mehrere der optischen Kopplungszonen zwischen

' den Hohlleitern hinein oder hindurch erstreckt.
3. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Schichten aus Gallium-Aluminium- Arsenid oder Galliumarsenid/Gallium-Aluminium-Arsenid hergestellt sind.

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4. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich an jeden Hohlleiter ein pnübergang anschließt, der von anderen pn-übergängen durch halbisolierendes Material getrennt ist.
5. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den Ansprüchen 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittelschicht mit hohem Brechungsindex im Bereich jedes Hohlleiters halbisolierend ist.
6. Optischer Hohlleiter-Koppler nadi den Ansprüchen 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das halbisolierende Material ein protonenbeschossenes halbisolierendes Material ist.
7. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang oder die pn-übergänge an der Oberfläche der durch einen hohen Brechungsindex ausgezeichneten Mittelschicht liegen.
8. Optischer Hohlleiter-Koppler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die durch einen hohen Brechungsindex ausgezeichnete Mittelschicht zwei Zonen besitzt, eine erste Zone mit einer bestimmten Ladungsträgerkoazentration, die sich in Richtung auf die Oberfläche erstreckt, welche den pn-übergang oder die pn-übergänge enthält, und die durch eine zweite Zone mit niedriger Ladungsträgerkonzentration gestützt wird, die sich zur entgegengesetzten Oberfläche der Schicht erstreckt.
9. Optischer Hohlleiter-Koppler nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die durch einen höheren Brechungsindex ausgezeichnete Mittelschicht von dem pn-übergang oder den pn-übergängen durch eine Schicht mit einer niedrigen Ladungsträgerkonzentration als die der Mittelschicht getrennt ist.

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