DE2603704C3 - Monolithisch integrierter Taktimpulsformer - Google Patents

Monolithisch integrierter Taktimpulsformer

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DE2603704C3
DE2603704C3 DE2603704A DE2603704A DE2603704C3 DE 2603704 C3 DE2603704 C3 DE 2603704C3 DE 2603704 A DE2603704 A DE 2603704A DE 2603704 A DE2603704 A DE 2603704A DE 2603704 C3 DE2603704 C3 DE 2603704C3
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clock pulse
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Wolfgang Dipl.-Ing. 7801 Voerstetten Gollinger
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TDK Micronas GmbH
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Deutsche ITT Industries GmbH
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/15—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors
    • H03K5/151—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs
    • H03K5/1515—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs non-overlapping
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356—Bistable circuits

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Manipulation Of Pulses (AREA)
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Description

In der dynamischen Schaltungstechnik — insbesondere der Zweiphasentechnik — werden MIS-Schaltungen verwendet, d. h. Schaltungen mit Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, ·<?: deren Betrieb Taktsignale erforderlich sind, die sich nicht überJoppen. In diesem Zusammenhang wird verwiesen auf das Buch von D. Becker und H. Mader »Hocniategrierte MOS-Schaltungen«, Stuttgart 1972, Seiten 60 bis 71.
Aus der Zeitschrift »NTZ«, 1973, Heft 1, Seiten 9 bis 15 ist eine integrierte Schaltung mit zwei Isolierschicht-Feldeffekttransistoren bekannt, deren Source-Drain-Strecken über je einen ohmschen Widerstand in Reihe geschaltet sind und bei der der Drain-Anschluß jedes der beiden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren galvanisch über Kreuz mit dem Gate-Anschluß des anderen Isolierschicht-Feldeffekttransistors verbunden ist. Diese Schaltung wird als bistabile Kippstufe verwendet
Aus der DE-OS 18 16 356 ist eine ähnlich aufgebaute monolithisch integrierte Schaltung mit Isolierschicht-Speicherfeldeffekttransistoren bekannt, deren Source-Anschlüsse auf einem Bezugspotential liegen, deren Source-Drain-Strecken über je einen ohmschen Widerstand in Reihe geschaltet sind und bei der die Drain-Anschlüsse der beiden Isolierschicht-Speicherfeldeffekttransistoren jeweils galvanisch über Kreuz mit dem Gate-Anschluß des anderen Isolierschicht-Feldeffekttransistors verbunden sind. Bei dieser als Speicherzelle verwendeten Schaltung werden zum Schreiben bzw. Umschreiben sich nicht überlappende Eingangssignale über als Lastwiderstände verwendete weitere Isolierschicht-Feldeffekttransistoren an die Isolierschicht-Speicherfeldeffekttransistoren gegeben. Die Erfindung betrifft dagegen einen Taktimpulsformer.
Aufgabe der Erfindung ist nämlich, aus einem Paar von sich überlappenden für die Mehrphasen-Technik verwendeten Eingangs-Taktspannungen ein Paar von Ausgangs-Taktspannungen zu gewinnen, deren Überlappung und deren Offset-Spannung bezüglich des Bezugspotentials auf ein Mindestmaß gebracht worden ist. Die Erfindung geht von dem Grundgedanken aus, die bekannte monolithisch integrierte Schaltung mit zwei Isolierschicht-Feldeffekttransistoren zur Lösung dieser Aufgaben zu verwenden.
Aus der US-PS 3448 295 ist zwar ein integrierter Taktimpulsformer mit einer Schaltung aus vier in Reihe liegenden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren bekannt, bei welcher Schaltung die Gate-Anschlüsse der beiden mittleren Feldeffekttransistoren über Kreuz mit den Gate-Anschlüssen der beiden äußeren Feldeffekttransistoren verbunden sind. Bei dieser Schaltung sol-H) len aber aus nicht überlappenden Taktimpulsen sich überlappende Taktimpulse erzeugt werden.
Die Erfindung betrifft dagegen einen monolithisch integrierten Taktimpulsformer nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die vorstehend genannte Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebene Erfindung gelöst
Aus der Zeitschrift »IBM Technical Disclosure Bulletin« Band 17, Nr. 12 (Mai 1975) Seite 3538 ist zwar
eine in monolithisch integrierter Schaltungstechnik ausgeführte Schaltung mit zwei Isolierschicht-Feldeffekttransistoren bekannt, deren Source-Anschlüsse auf einem Bezugspotential liegen, deren Source-Drain-Strecken über je eine Source-Drain-Strecke eines weiteren Isolierschicht-Feldeffekttransistors in Reihe geschaltet sind und £ei der der Drain-Anschluß jeder der beiden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren galvanisch über Kreuz mit dem Gate-Anschluß des anderen Isolierschicht-Feldeffekttransistors verbunden ist Die
jo beiden weiteren Isolierschicht-Feldeffekttransistoren bewirken, daß die Betriebsspannung an den beiden ersten Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, bei denen der Drain-Anschluß galvanisch über Kreuz mit dem Gate-Anschluß des anderen Isolierschicht-Feldeffekt-
J5 transistors verbunden ist, nicht permanent anliegt Diese bekannte in integrierter Schaltungstechnik ausgeführte Schaltung wird aber als OR-Gatter verwendet
Die Verwendung des monolithisch integrierten Taktimpulsformers nach der Erfindung und dessen
Vorteile werden anhand der Zeichnung erläutert, deren Fi g. 1 die bevorzugte Schaltung zur Verwendung als Taktimpulsformer nach der Erfindung veranschaulicht, deren Fig.2 die zeitliche Abhängigkeit zweier sich
Überlappender Taktimpulszüge und Lage bezüglich des Bezugspotentials am Eingang des Taktimpulsformers der F i g. 1 zeigt und deren
Fi g, 3 die zeitliche. Abhängigkeit der beiden Taktimpulsfolgen und Lage bezüglich des Bezugspotentials am
% Ausgang des Taktimpulsformers veranschaulicht
Der nach der Erfindung verwendete Taktimpulsformer gemäß der Schaltung nach Fig. 1, zu dessen Betrieb keine besondere Spannungsversorgung erforderlich ist, enthält im wesentlichen die beiden galvanisch
über Kreuz gekoppelten M IS-Feldeffekttransistoren 7Ί und T2, welche in herkömmlicher MOS-Technik hergestellt werden, Die Drain-Anschlüsse Oder beiden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren Tx und T2 liegen über je einen Widerstand R\ und R2 an den beiden
μ Takteingängen f, und F2, Diese beiden Widerstände Ki und A2 bilden zusammen mit den beiden pn-Dioden D\ und D2 je eine Schutzschaltung für die an den beiden Ausgängen F\' und F2' liegenden Gates der folgenden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren.
f>5 Während der eine Anschluß der in Sperrichtung gepolten pn-Diode D\ am Drain-Anschluß des ersten Isolierschicht-Feldeffekttransistors T1 in gleicher Weise wie der eine Anschluß der in Sperrichtung betriebenen
pn-Diode D2 am Drain-Anschluß des zweiten Isolierschicht-Feldeffekttransistors T2 liegt, werden die anderen Anschlösse der beiden pn-Dioden P\ und B1 zusammen mit den Source-Anschlüssen S der beiden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren T\ und T2 auf ein Bezugspotential, insbesondere auf das Substrat-Potential, gelegt
Die sich praktisch nicht mehr überlappenden Taktimpulsfolgen F\' und F2' werden als Ausgangssignale an je einem der beiden Drain-Anschlüsse D der Isolierschicht-Feldeffekttransistoren T\ und T2 abgegriffen.
Während die F i g. 2 die zeitliche Abhängigkeit der Eingangstaktspannungen Fj und F2, weiche sich teilweise überlappen, zeigt, werden ausgangsseitig die praktisch sich nicht mehr überlappenden Ausgangstaktspannungen F)' und F2' qemäß der F i g. 3 erhalten.
Die Spannung Vol bedeutet das positivste Taktspannungspotential bei P-Kanal-Feldeffekttransistoren bzw. das negativste Taktspannungspotentiai bei N-Kanal-Feldeffekttransistoren oder auch die Offset-Spannung des Taktsignals bezüglich des Bezugspotentials, Sie beträgt bei üblichen Takttreiberschaltungen an den Eingängen F\ und F2 ca, 1 V, Die Fig,2 und 3 lassen erkennen, daß der Wert Vol der Taktsignale wesentlich vermindert ist Dadurch wird erreicht, daß Vol dem Betrag nach kleiner als die Schwellenspannung der an Fi' und F2' liegenden Feldeffekttransistoren wird, so daß diese sicher gesperrt werden.
Die Verlustleistung bei der Umformung der Taktin spannungen ist sehr gering, weil nur während der kurzen Zeit der Überlappung der Taktspannungen F\ und F2 Strom durch die Transistoren T\ und T2 fließt
Durch die Anordnung nach F i g. 1 wird auch die
Schutzwirkung gegen statische Aufladung erhöht, weil
ι τ nur ein Bruchteil der gleichzeitig an Fi und F2 liegenden Spannung an die an Fi' und F/ liegenden zu schützenden Feldeffekttransistoren gelangt
Typische Werte für die Widerstände Rx und A2 liegen zwischen 1 und 2 IcQ. Die Einschaltwiderstände R0n der beiden Isolierschicht-Feldeffekttransiacoren Ti und T2 sollten zwischen 100 und 200 Ω liegen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche;
1. Monolithisch integrierter Taktimpulsformer mit einer Schaltung aus zwei Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, deren Source-Anschlüsse auf einem Bezugspotential liegen, deren Source-Drain-Strekken Ober je einen ohmschen Widerstand in Reihe geschaltet sind und bei der die Drain-Anschlüsse der beiden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren jeweils galvanisch über Kreuz mit dem Gate-Anschluß des anderen Isolierschicht-Feldeffekttransistors verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß eingangsseitig zwei sich überlappende Eingangs-Taktspannungen (Fu F2) über die beiden Widerstände (Rx, A2) an die Drain-Anschlüsse der beiden Isolierschicht-Feldeffekttransistoren angelegt sind und überlappungsfreie Ausgangs-Taktspannungen (F\, F2') an je einem der beiden Drain-Anschlüsse (D) abgreif bar sind.
2. Taktimymlsformer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß je eine in Sperrichtung geschaltete pn-Diode zwischen jedem Drain-Anschluß (P)\ma dem Bezugspotential geschaltet ist
DE2603704A 1976-01-31 1976-01-31 Monolithisch integrierter Taktimpulsformer Expired DE2603704C3 (de)

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US05/754,925 US4097771A (en) 1976-01-31 1976-12-28 Integrated clock pulse shaper
IT19623/77A IT1076304B (it) 1976-01-31 1977-01-26 Circuito integrato formatore di impulsi di orologio
FR7702443A FR2339996A1 (fr) 1976-01-31 1977-01-28 Circuit integre conformateur d'impulsions d'horloge
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4161663A (en) * 1978-03-10 1979-07-17 Rockwell International Corporation High voltage CMOS level shifter
US4370570A (en) * 1980-11-24 1983-01-25 Dash Glen R Circuit for minimizing radiation
ATE14261T1 (de) * 1980-12-22 1985-07-15 British Telecomm Elektronische taktsignalgeneratoren.
EP0067464B1 (de) * 1981-06-12 1985-03-13 Deutsche ITT Industries GmbH Dynamischer Synchron-Binärzähler mit identischem Aufbau der Stufen
US4456837A (en) * 1981-10-15 1984-06-26 Rca Corporation Circuitry for generating non-overlapping pulse trains

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448295A (en) * 1966-07-26 1969-06-03 Gen Instrument Corp Four phase clock circuit
US3382455A (en) * 1967-04-03 1968-05-07 Rca Corp Logic gate pulse generator
GB1256068A (en) * 1967-12-07 1971-12-08 Plessey Co Ltd Improvements in or relating to logic circuit arrangements
US3535699A (en) * 1968-01-15 1970-10-20 Ibm Complenmentary transistor memory cell using leakage current to sustain quiescent condition
US3636530A (en) * 1969-09-10 1972-01-18 Litton Systems Inc Nonvolatile direct storage bistable circuit
US3801831A (en) * 1972-10-13 1974-04-02 Motorola Inc Voltage level shifting circuit

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Publication number Publication date
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DE2603704B2 (de) 1979-05-17
DE2603704A1 (de) 1977-08-04
JPS5294057A (en) 1977-08-08
US4097771A (en) 1978-06-27

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