DE2549947C2

DE2549947C2 - Process for removing selenium-containing layers from metallic substrates

Info

Publication number: DE2549947C2
Application number: DE19752549947
Authority: DE
Inventors: Helmut Manfred Erwin 8500 Nürnberg Ebner
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Filing date: 1975-11-07
Publication date: 1977-03-17

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ablösung von Selen enthaltenden Schichten von metallischen Trägerunterlagen für die Elektrofotografie.The invention relates to a method for removing selenium-containing layers from metallic ones Carrier pads for electrophotography.

In der Elektrofotografie sind die Trägerunterlagen in Form von Platten, zylindrischen Trommeln, starren oder flexiblen Bändern ausgebildet. Als Material ist ein Metall, beispielsweise Aluminium, Messing, Chrom, rostfreier Stahl und ähnliche, verwendet.In electrophotography, the carrier pads are in Form of plates, cylindrical drums, rigid or flexible belts. As material is a Metal such as aluminum, brass, chrome, stainless steel and the like are used.

Auf eine solche Trägerunterlage wird eine fotoleitende isolierende Schicht bzw. auch eine entsprechende Schichtenfolge aufgedampft, aufgegossen, aufgesprüht oder durch ähnliche Verfahren aufgebracht. Die Oberfläche der Trägerunterlage wird vorher auf Hochglanz poliert, um zum einen eine gute Haftung und zum anderen eine äußerst gleichmäßige Verteilung der aufzubringenden Schicht bzw. Schichtenfolge zu gewährleisten. A photoconductive insulating layer or a corresponding one is placed on such a carrier base Layer sequence vapor-deposited, poured on, sprayed on or applied by similar processes. the The surface of the carrier base is previously polished to a high gloss in order to ensure good adhesion and on the other hand, to ensure an extremely uniform distribution of the layer or layer sequence to be applied.

Als fotoempfindliches Material bei der Elektrofotografie zur Herstellung latenter Ladungsbilder wird weitgehend Selen im amorphen Zustand verwendet. Das amorphe Selen wird aus einer Vielzahl der bekannten fotoelektrischen Materialien bevorzugt deshalb verwendet, weil es als der mit Abstand empfindlichste Stoff erkannt ist und zudem seine Herstellung verhältnismäßig einfach ist. Um sowohl die spektrale Breite als auch die Lichtempfindlichkeit der Selenschicht zu erhöhen, setzt man üblicherweise dem Selen Arsen zu.As a photosensitive material in electrophotography Selenium in its amorphous state is largely used to produce latent charge images. The amorphous selenium is preferred among a variety of known photoelectric materials used because it is recognized as by far the most sensitive substance and also its production is relatively easy. About both the spectral width and the light sensitivity of the selenium layer arsenic is usually added to selenium.

Neben dem Arsen können dem Selen bekannterweise zur weiteren Verbesserung seiner fotoelektrischen Eigenschaften weitere Stoffe wie beispielsweise Halogene, Sauerstoff, Phosphor, Schwefel, Antimon, Tellur und andere zugesetzt sein. Dabei kann das Selen als dotiertes Selen, aber auch in Form von Selenverbindungen oder Selenlegierungen als Einzelschicht oder in einer Schichtenfolge vorliegen.In addition to the arsenic, the selenium can be known to further improve its photoelectric Properties of other substances such as halogens, oxygen, phosphorus, sulfur, antimony, tellurium and others can be worried. The selenium can be doped selenium, but also in the form of selenium compounds or selenium alloys are present as a single layer or in a layer sequence.

Nun treten bei Gebrauch über lange Zeiträume hinweg Alterungsersciieinungen dergestalt auf, daß beispielsweise die guten fotoelektrischen Eigenschaften nachlassen oder daß die fotoleitende Schicht brüchig wird oder gar abzuplatzen beginni. Eine Regenerierung ist dann dadurch möglich, daß die fotoleitende Schicht von der Trägerunterlage abgelöst wird und die Trägerunterlage neu beschichtet wird. Dabei tritt nun das Problem auf, die fotoleitende Schicht abzulösen, ohne die Trägerunterlage zu verformen und die hochpolierte Oberfläche der Trägerunterlage zu beschädigen. Dies ist insbesondere dann sehr schwierig, wenn dem Selen, wie dies fast ausschließlich der Fall ist, Arsen zugesetzt ist. Infolge des Zusammenschmelzen von stöchiometrischen Mengen bildet sich Arsenselenid (As2Se3), welches nur sehr schwer zu beseitigen ist.Now, when used for long periods of time, aging deterioration occurs to such an extent that For example, the good photoelectric properties decrease or the photoconductive layer becomes brittle will or even begin to flake off. Regeneration is then possible in that the photoconductive layer is detached from the carrier substrate and the carrier substrate is re-coated. Now occurs the problem of peeling off the photoconductive layer without deforming the base and the to damage the highly polished surface of the carrier base. This is very difficult, in particular, when arsenic is added to the selenium, as is almost exclusively the case. As a result of the merging arsenic selenide (As2Se3) is formed from stoichiometric amounts, which is very difficult to remove.

Bisher wurde eine solche fotoleitende Schicht mittels konzentrierter, heißer Salpetersäure abgelöst. Dabei blieb es jedoch unvermeidlich, daß die hochpolierte Oberfläche der Trägerunterlage angegriffen wurde, so daß eine neue E(esthich»nng nicht mehr gut haften konnte bzw. die Oberflächt der Trägerunterlage von neuem poliert werden mußte.So far, such a photoconductive layer has been removed by means of concentrated, hot nitric acid. Included however, if it remained inevitable that the highly polished surface of the support base would be attacked, so that a new stitching will no longer adhere well could or the surface of the carrier base had to be polished again.

Es ist Aufgabe der Ei findung, ein Verfahren zu schaffen, durch welches sich mit einfachen Mitteln ein Ablösen der seleuhaltigen Beschichtung von metallisehen Trägerunterlagen bewerkstelligen läßt, ohne dabei die hochpolierte Oberfläche der Trägerunterlagen zu beschädigen.It is the task of the egg finding to create a process through which one can use simple means Removal of the seleu-containing coating from metal Can accomplish carrier pads without affecting the highly polished surface of the carrier pads to damage.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Trägerunterlage auf eine TemperaturThis object is achieved according to the invention in that the carrier substrate is heated to a temperature

is dicht unterhalb des Schmelzpunktes der selenhaltigen Schicht erhitzt wird, und danach die beschichtete Oberfläche der Trägerunterlage mit Wasser besprüht wird.is just below the melting point of those containing selenium Layer is heated, and then sprayed the coated surface of the support substrate with water will.

Hiermit ist ein mit äußerst einfachen Mitteln zu bewerkstelligendes Verfahren zur Ablösung der selenhaltigen Schicht geschaffen. Durch eine plötzliche Abkühlung mit Wasser löst sich die Schicht vollständig ab, ohne die Trägerunterlage zu beschädigen oder zu verformen. Die hochpolierte Oberfläche der Träger-This is a process for removing the selenium-containing substances that can be carried out with extremely simple means Layer created. Sudden cooling with water completely dissolves the layer without damaging or deforming the base. The highly polished surface of the carrier

2s unterlage bleibt dabei völlig unbeschädigt.2s base remains completely undamaged.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert:The invention is explained in more detail below using exemplary embodiments:

Auf einer metallischen Trägerunterlage, welche eine polierte Oberfläche aufweist, befindet sich eine selenhaltige, fotoleitende, isolierende Schicht. Die Trägerunterlage ist in Form einer Platte, einer zylindrischen Trommel oder als starres oder flexibles Band ausgebil det. Als Material für die Trägerunterlage ist vorzugsweise Aluminium verwendet. Es lassen sich aber auch andere Metalle, wie beispielsweise Messing, Kupfer, Chrom, rostfreier Stahl und ähnliche verwenden. Die Oberfläche der Trägerunterlage ist auf Hochglanz poliert, um eine gute Haftung und gleichmäßige Verteilung der fotoleitenden Schicht zu gewährleisten.On a metallic support base, which has a polished surface, is a selenium-containing, photoconductive, insulating layer. The support base is in the form of a plate, a cylindrical one Drum or as a rigid or flexible belt det. Aluminum is preferably used as the material for the support base. But it can also be use other metals such as brass, copper, chrome, stainless steel, and the like. the The surface of the backing pad is polished to a high gloss to ensure good adhesion and uniformity Ensure distribution of the photoconductive layer.

Die fotoleitende Schicht ist aus undotiertem, dotiertem Selen, einer Seleriverbindung oder einer Selenlegierung gebildet; vorzugsweise ist dem Selen Arsen zugesetzt. Es kann auch anstelle nur einer Selenschicht eine entsprechende Schichtenfolge vorgesehen sein.The photoconductive layer is made of undoped, doped selenium, a selenium compound or a selenium alloy educated; arsenic is preferably added to the selenium. It can also be used instead of just a selenium layer a corresponding sequence of layers can be provided.

Zum Ablösen der fotoleitenden Schicht von der metallischen Trägerunterlage wird die beschichtete Trägerunterlage auf eine Temperatur bis kurz unterhalb der Schmelztemperatur der fotoleitenden Schicht erhitzt. Danach wird die beschichtete Oberfläche der Trägerunterlage mit Wasser besprüht.To detach the photoconductive layer from the metallic carrier substrate, the coated Carrier base to a temperature up to just below the melting temperature of the photoconductive layer heated. The coated surface of the support base is then sprayed with water.

Die Erhitzungstemperatur der beschichteten Trägerunterlage ergibt sich jeweils aus der Zusammensetzung der fotoleitenden Schicht. Sie ist so zu wählon, daß sie unterhalb des Schmelzpunktes der Schicht bleibt. Das Erhitzen der beschichteten Trägerunterlage wird üblicherweise bei Temperaturen von 200" C bis 250° C vorgenommen.The heating temperature of the coated carrier base results in each case from the composition the photoconductive layer. It is to be chosen so that it remains below the melting point of the layer. The The coated carrier substrate is usually heated at temperatures of 200 "C to 250 ° C performed.

Das auf die Oberfläche der Trägerunterlage gesprühte Wasser weist dabei vorzugsweise Raumtempera'ur auf.The water sprayed onto the surface of the support base preferably has room temperature on.

Durch das Besprühen mit Wasser erfährt die fotoleitende Schicht eine plötzliche Abkühlung,,so daß sie sich ohne Verformung oder Beschädigung der hochpolierten Oberfläche der Trägerunterlage vollständig ablöst. Auch eine Schicht aus Arsenselenid läßt sich damit ohne Schwierigkeiten ablösen; die hochpolierte Oberfläche der Trägerunterlage bleibt dabei völlig unbeschädigt.By spraying with water, the photoconductive layer experiences a sudden cooling, so that they can be completely removed without deforming or damaging the highly polished surface of the support base replaces. A layer of arsenic selenide can also be removed with it without difficulty; the highly polished The surface of the base remains completely undamaged.

Claims

Patent claims:

1. Process for removing selenium-containing layers from metallic carrier substrates for the Electrophotography, characterized in that that the support substrate to a temperature just below the melting point of the selenium-containing Layer is heated, and then the coated surface of the carrier substrate is sprayed.

2. The method according to claim 1, characterized in that that the support base a "f is brought to a temperature of 200 ° C to 250 ° C.