DE2600207A1

DE2600207A1 - Forming relief patterns on materials sensitive to radiation - by chemical reaction under action of electromagnetic or corpuscular radiation

Info

Publication number: DE2600207A1
Application number: DE19762600207
Authority: DE
Inventors: Maxim Timofeevich Kostyshin; Petr Fedorovich Romanenko
Original assignee: INST POLUPROVODNIKOV
Current assignee: INST POLUPROVODNIKOV
Priority date: 1976-01-05
Filing date: 1976-01-05
Publication date: 1977-07-14

Abstract

Relief patterns on materials sensitive to electromagnetic and corpuscular radiation are produced by forming a metal layer on a substrate, followed by a layer of an inorganic material capable of chemically reacting with the metal layer with the formation of reaction products having different physical and chemical properties than the inorganic material and for metal. Image of a pattern is projected onto the coated surface and some parts of the coating and removed. This method is improved in that between the metal layer and the inorganic material layer on intermediate layer is introduced consisting of a material which is inert with respect to the metal and the inorganic material unless exposed to an electromagnetic or corpuscular radiation. The thickness of this intermediate layer is sufficient to prevent any reaction between the metal and the inorganic material in the absence of any activity radiation. After the projection of an image the unwanted parts of this intermediate layer are removed along with the unwanted parts of the other layers. The intermediate layer is pref. formed by contacting the metal surface with an atmos. contg. O2 and/or Fe, Cl2, Br2, I2, S, Se or Te. Alternatively, the intermediate layer can be formed by chemical deposition from a soln. or a melt. The removal of unwanted parts of the intermediate layer can be carried out mechanically or by chemical etching or by sublimation at an elevated temp. During the irradiation an electric field can be applied. Objects with a relief surface pattern can be produced, such as holograms, diffraction gratings, polarisers for electromagnetic waves, photo stencils, elements of microcircuits, printed circuit plates, information storage cells, typographic plates, etc. Electromagnetic or corpuscular radiation having a lower intensity than in the conventional process can be used; red and mean infrared light can be employed.

Description

Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vor- Process for the production of relief products

gegebener Konfiguration Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration mit Hilfe von Materialien, die gegen elektromagnetische und korpuskulare (aktinische) Strahlung empfindlich sind. Das Verfahren kann für die Herstellung von Hologrammen, Beugungsgittern, Polarisatoren elektromagnetischer Strahlung Fotoschablonen, Bauelementen von Mikroschaltungen, gedruckten Schaltungsplatten, Speicherzellen, typographischen Klischees u.a.m. angewandt werden. Given configuration The present invention relates to a process for the production of relief products of a given configuration with the help of materials that are resistant to electromagnetic and corpuscular (actinic) Are sensitive to radiation. The process can be used for the production of holograms, Diffraction gratings, polarizers of electromagnetic radiation, photo stencils, components of microcircuits, printed circuit boards, memory cells, typographic Clichés etc. are used.

Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration unter Verwendung eines gegen die elektromagnetische Strahlung empfindlichen Materials bekannt (US-Patentschrift 3 637 381, eingereicht am 3.7.1969), welches folgende Operationen vorsieht: Aufbringen auf eine Unterlage einer Metallschicht, Aufbringen auf die Metallschicht einer Schicht eines anorganischen Stoffes, der unter der Wirkung der elektromagnetischen Strahlung in chemische mit der metallschicht unter Bildung von Umsetzungsprodukten zu treten vermag, die von den physikalischen und chemischen Eigenschaften der Metallschicht und der Schicht des anorgansichen Stoffes verschiedene physikalische und chemische Eigenschaften aufweisen, wobei man als Material für die Metallschicht ein Element aus der aus Ag, Cu, Pb, cd, Zn, Fe, Sn, As, Bi, Co, Ge, Mg, Hg, Ni, Se, Si, Tl, Te und V bestehenden Gruppe und als Material für die Schicht des anorganischen Stoffes ein Element oder eine Verbindung aus der Gruppe wählt, die aus S, Se, einer Verbindung oder Gemischen M-X und einer Verbindung oder Gemischen M-X-Y, worin M ein Metall, gewählt aus der aus As, Sb, Bi, Se, Te, Cu, Zn, Cd, Hg, Pb, Cr, Ga,, In, Tl, Ge, S, Fe, Co, Ni und Ag bestehenden Gruppe, bedeutet und X-Y für Elemente, gewählt aus der aus den Halogeniden, Schwefel, Selen und Teller bestehenden Gruppe, steht, besteht Projizieren auf die aufgebrachten Schichten eines Bildes der vorgegebenen Konfiguration, Exponieren und Entfernen der überflüssigen Schichtflächen bis zur Erzielung eines Relieferzeugnisses der vorgegebenen Konfiguration. It is a method for the production of relief products specified Configuration using a sensitive to electromagnetic radiation Materials (U.S. Patent 3,637,381, filed July 3, 1969) which provides for the following operations: applying a metal layer to a base, Application of a layer of an inorganic substance to the metal layer, the under the action of electromagnetic radiation into chemical is able to occur with the metal layer with the formation of reaction products that on the physical and chemical properties of the metal layer and the layer the inorganic substance has various physical and chemical properties have, an element from the from being used as the material for the metal layer Ag, Cu, Pb, cd, Zn, Fe, Sn, As, Bi, Co, Ge, Mg, Hg, Ni, Se, Si, Tl, Te and V existing Group and as a material for the layer of the inorganic substance an element or selects a compound from the group consisting of S, Se, a compound or mixtures M-X and a compound or mixtures M-X-Y, wherein M is a metal selected from from As, Sb, Bi, Se, Te, Cu, Zn, Cd, Hg, Pb, Cr, Ga ,, In, Tl, Ge, S, Fe, Co, Ni and Ag group, and X-Y for elements selected from the group consisting of the halides, Sulfur, selenium and plate consisting group, stands, consists projecting on the applied layers of an image of the given configuration, exposing and removing the superfluous layer surfaces until a relief product is obtained the given configuration.

Bei der Anwendung des bekannten Verfahrens zur Herstellung von Relieferzeugnissen muß man zum Exponieren sehr intensive Ströme der elektromagnetischen Strahlung anwenden, da die in diesem Verfahren verwendeten gegen die elektromagnetische Strahlung empfindlichen Materialien, die als Metallschicht ein beliebiges der oben genannten Elemente bis auf Ag und Cu enthalten, sehr niedrige Empfindlichkeit (< 10 J/cm²) besitzen. Die Herstellung von Halogrammen ausreichender Abmessungen (beispielsweise 60x90 mm²) nach dem bekannten Verfahren selbst unter Anwendung noch so leistungsfähiger Laser ist praktisch schwierig. When using the known method for the production of relief products one must use very intense currents of electromagnetic radiation for exposure, because those used in this process are sensitive to electromagnetic radiation Materials that have any of the above elements up as a metal layer contain on Ag and Cu, have very low sensitivity (<10 J / cm²). The production of halograms of sufficient dimensions (for example 60x90 mm²) even more powerful even when using the known method Laser is practically difficult.

Außerdem kann bei der Anwendung des bekannten Verfahrens für die Herstellung von Relieferzeugnissen die elektromagnetische Strahlung des roten und des nahen infrarotbereiches des bpektrums nicht angewande werden. Dies ist damit verbunden, daß die in dem bekannten Verfahren verwendeten chemisch beständigen gegen elektromagnetische Strahlung empfindlichen Materialien nur gegenüber dem Ultraviolett-, Violett-, dem blauen und dem grünen Spektralbereich empfindlich sind, während die gegenüber dem roten und dem nahen Infrarotbereich des Spektrum praktisch unempfindlich sind (beispielsweise As2S3 - Ag, As2S5 - Ag, (AsS - J) - Ag und andere), so daß die Herstellung von Relieferzeugnissen unter Verwendung solcher Materialien nach dem bekannten Verfahren schwer zµ realsieren ist. In addition, when using the known method for the Manufacture of relief products the electromagnetic radiation of the red and of the near infrared range of the spectrum cannot be used. This is so connected that the chemically resistant to used in the known method materials sensitive to electromagnetic radiation only to the ultraviolet, Violet, blue and green spectral ranges are sensitive, while the practically insensitive to the red and near infrared range of the spectrum are (e.g. As2S3 - Ag, As2S5 - Ag, (AsS - J) - Ag and others) so that the manufacture of relief products using such materials is difficult to implement with the known method.

Selbst im Falle der Verwendung als Metallschicht von Silber sind intensive Ströme der elektromagnetischen Strahlung erforderlich, weil die chemisch beständigen Materialien, der anorganische Stoff Silber, eine niedrige Empfindlichkeit aufweisen (# 0,1 bis 1,0 J/cm²). Wenn man als Metallschicht Kupfer verwendet, so sind die erhaltenen gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindlichen Materialien, der anorganische Stoff Kupfer infolge der spontan verlaufenden chemischen Umsetzung zwischen der Kupferschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes zeitlich chemisch unbeständig. Even in the case of use as a metal layer of silver are Intense currents of electromagnetic radiation are required because the chemically resistant materials, the inorganic substance silver, low sensitivity have (# 0.1 to 1.0 J / cm²). If you use copper as the metal layer, then so the received ones are sensitive to electromagnetic and corpuscular radiation Materials, the inorganic substance copper as a result of the spontaneously occurring chemical Implementation between the copper layer and the layer of the inorganic Substance chemically unstable over time.

Der vorliegenden Erfindung wurde die Aufgabe zugrundegelegt, ein Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration zu entwickeln, welches es möglicht macht, nach der Intensität schwächers elektromagnetische und korpuskulare Ströme beim Exponieren anzuwenden, für die Bestrahlung die elektromagnetische Strahlung des roten und des nahen Infrarotspektralbereiches zu benutzen sowie als Material der Schicht des anorganischen Stoffes eine breitere Klasse der anorgansichen Stoffe einzusetzen. The present invention was based on the object To develop processes for the production of relief products of a given configuration, which makes it possible, according to the intensity weaker electromagnetic and Apply corpuscular currents during exposure, and electromagnetic currents for irradiation To use radiation of the red and the near infrared spectral range as well as Material of the layer of inorganic matter a broader class of inorganic matter To use substances.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß amn in dem Verfahren, welches folgende Operationen enthält: Aufbringen auf eine Unterlage einer Metallschicht, Aufbringen auf die Metallschicht einer Schicht eines anorganischen Stoffes, der mit der Metallschicht in chemische Umsetzung zu treten vermag unter Bildung von Umsetzungsprodukten, die von den physikalischen und chemischen Eigenschaften der Metallschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes verschiedene physikalische und chemische Eigenschaften aufweisen, Projizieren auf die aufgebrachten Schichten eines Bildes der vorgegebenen Konfiguration, Exponoeren und Entfernen der überflüssigen Bereiche der Schichten bis zur Erzielung eines Relieferzeugnisses der vorgegebenen Konfiguration, erfindungsgemäß auf die Metallschicht vor dem Aufbringen auf diese der Schicht des anorgansichen Stoffes eine Sperrschicht aus einem von dem Stoff der Metallschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes verschiedenen und gegenüber der Metallschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes beim Fehlen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung inerten Stoff aufbringt, wobei die Dicke der Sperrchicht zur Verhinderung der chemischen Umsetzung zwischen der Metallschicht und der Schicht des anorgansichen Stoffes beim Fehlen der elektromagnetischen und der korpuskularen Strahlung ausreichend ist und eine solche Umsetzung beim Vorliegen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung zuläßt, und im Prozeß der Entfernung der überflüssigen Bereiche der Schichten auch die Entfernung der überflüssigen Bereiche der Sperrschicht vornimmt0 Es können die genannten Operationen auch in einer anderen Reihenfolge durchgeführt werden, daß heißt, man bringt in dem Verfahren, welches folgende Operationen enthält: Aufbringen auf eine Unterlage einer Schicht des anorganischen Stoffes aufbringen auf doe Schicht des anorgansichen Stoffes einer Metallschicht die in chemische Umsetzung mit der Schicht des anorganischen Stoffes unter Bildung von Umsetzungsprodukten zu treten vermag, die von den physikalischen und chemischen Eigenschaften der Schicht des anorgansichen Stoffes und der Metallschicht verschiedene physikalische und chemische Eigenschaften aufweisen, Projezieren auf die aufgebrachten Schichten eines Bildes der vorgegebenen Konfiguration, Exponieren und Entfernen der überflüssigen Bereiche der Schichten bis zur Erzielung eines Relieferzeugnisses der vorgegebenen Konfiguration, wobei man erfindungsgemäß auf die Scicht des aorganischen Stoffes vor dem Aufbringen auf diese der Metallschicht eine Sperrschicht aus einem von dem Material der Metallschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes verschiedenen und gegenüber der Metallschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes beim Fehlen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung inerten Stoff aufbringt, wobei die Dicke der Sperrschicht fur die Verhinderung der chemischen Umsetzung zwischen der Metallschicht und der Schicht des anorganischen Stoffes beim Fehlen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung ausreichend ist und eine solche Umset2;ung belm Vorliegen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung zuläßt, und im Prozeß der Entfernung der überflüssigen Bereiche der Schichten auch die Entfernung der überflüssigen Bereiche der Sperrschicht vornimmt. This object is achieved in that amn in the method which includes the following operations: applying a metal layer to a base, Application of a layer of an inorganic substance to the metal layer, the is able to enter into chemical reaction with the metal layer with the formation of Reaction products that depend on the physical and chemical properties of the Metal layer and the layer of inorganic substance different physical and have chemical properties, projecting onto the applied layers a picture of the given configuration, explanations and removal of the superfluous Areas of the layers to achieve a relief product of the specified Configuration, according to the invention, on the metal layer before it is applied to it the layer of inorganic fabric is a barrier layer of one of the fabric the metal layer and the inorganic matter layer are different and compared to the metal layer and the layer of the inorganic substance in the absence the electromagnetic and corpuscular radiation applies inert substance, wherein the thickness of the barrier layer to prevent chemical reaction between the Metal layer and the layer of inorganic substance in the absence of electromagnetic and the corpuscular radiation is sufficient and such a conversion if present of electromagnetic and corpuscular radiation, and in the process of removal the superfluous areas of the layers also remove the superfluous areas the barrier makes 0 It can do the operations mentioned in another Sequence to be carried out, that is, one brings in the process which includes the following operations: applying to a backing a layer of the inorganic Apply substance to the layer of inorganic substance of a metal layer which in chemical reaction with the layer of inorganic substance under formation of reaction products can occur, those of the physical and chemical Properties of the layer of inorganic substance and the metal layer are different have physical and chemical properties, projecting onto the applied Layering an image of the given configuration, exposing and removing the superfluous areas of the layers until a relief product is achieved the given configuration, according to the invention on the layer of the inorganic substance before it is applied to this the metal layer a barrier layer of one of the material of the metal layer and the layer of the inorganic substance different and opposite the metal layer and the layer of the inorganic substance in the absence of the electromagnetic and corpuscular Radiation applying inert substance, taking the thickness of the barrier layer for the prevention the chemical reaction between the metal layer and the layer of the inorganic Substance sufficient in the absence of electromagnetic and corpuscular radiation is and such a conversion2; in the presence of the electromagnetic and corpuscular Radiation permits, and in the process of removing the superfluous areas of the layers also removes the unnecessary areas of the barrier layer.

Zur Vereinfachung der Technologie der Herstellung bringt man zweckmäßig die Sperrschicht durch Behandlung der Oberflache dar Metallschicht in der Atmosphäre des gasförmigen Sauerstoffes und/oder des Fluors, Chlors, Broms, Jods, Schwefels, Selans, Tellurs auf. To simplify the technology of manufacture, one brings expedient the barrier layer by treating the surface of the metal layer in the atmosphere of gaseous oxygen and / or fluorine, chlorine, bromine, iodine, sulfur, Selans, Tellurs on.

Zur Verbesserung der Qualität der Herstellung des Erzeugnisses bringt man zweckmäßig die sperrschicht durch Abscheidung im Vakuum auf. Brings to improve the quality of the manufacture of the product the barrier layer is expediently applied by vacuum deposition.

Die Sperrschicht kann durch chemische Abscheidung aufgebracht werden. The barrier layer can be applied by chemical deposition.

Zur Vereinfachung der Technologie der Herstellung von Relieferzeugnissen bringt man zvjeckmaßig die Sperrschicht durch eine tauchen in eine den Stoff der Sperrschicht enthaltende Lösung auf Man bringt zweckmäßig die Sperrschicht durch Eintauchen in ein aktives Medium auf, das mit der Metallschicht unter Bildung eienr Sperrschicht in Umsetzung zu treten vermag. Es kann auch die Sperrschicht durch Begießen aufgebracht werden. To simplify the technology of manufacturing relief products brings you zvjeckmessig the barrier layer by dipping into the fabric of the barrier layer The solution containing the barrier is expediently applied by immersion in an active medium that interacts with the metal layer to form a barrier layer able to come into effect. It can also be applied to the barrier layer by pouring will.

In dem Falle, wenn man nach dem Exponieren die in chemische Umsetzung mit der Metallschicht nicht getrente Schicht des anorganischen Stoffes entfernt, entfernt man zweckmäßig für die Herstellung qualitativer Relieferzeugnisse die Sperrschicht an den nicht exponierten Stellen nach der Entfernung der Schicht des anorganischen Stoffes. In the case of chemical conversion after exposure removes the layer of inorganic material that is not separated by the metal layer, it is advisable to remove the barrier layer for the production of high-quality relief products in the unexposed areas after removing the layer of inorganic Substance.

In dem Falle, wenn man nach dem Exponieren die in chemische Umsetzung mit der Schicht des anorgansichen Stoffes nicht getretene Metallschicht entfernt, entfernt man zweckmäßig die Sperrschicht an den nicht exponierten Stellen nach der Entfernung der Metallschicht. In the case of chemical conversion after exposure removes any metal layer not trodden with the layer of inorganic material, it is advisable to remove the barrier layer in the unexposed areas after Removal of the metal layer.

Zur Herstellung hochwertiger Relieferzeugnisse entfernt man zweckmäßig die überflüssigen Bereiche der Sperrschicht durch chemisches Ätzen. For the production of high-quality relief products, it is advisable to remove them the unnecessary areas of the barrier layer by chemical etching.

Zur Vereinfachung der Technologie der Herstellung von Relieferzeugnissen entfernt man zweckmäßigerweise die überflüssigen Bereiche der Sperrschicht auf mechanischem wege. To simplify the technology of manufacturing relief products the superfluous areas of the barrier layer are expediently removed mechanically ways.

Die überflüssigen Bereiche der Sperrschicht können auch thermlsch durch Wärmesublimation entfernt weiden. The superfluous areas of the barrier layer can also be thermally graze away by heat sublimation.

Zur Steigerung der Empfindlichkeit des Systems ist es zweckmäßig, beim Exponieren das elektrische Feld an das Material zu überlagern. To increase the sensitivity of the system, it is advisable to to superimpose the electric field on the material when exposed.

Das Verfahren zur Herstellung von Relieferezeugnissen vorgegebener Konfiguration, ausgeführt nach der vorliegenden Erfindung, besitzt folgende Vorteile. The process for the production of relief products more predetermined Configuration made according to the present invention has the following advantages.

Anwendung bei der Herstellung von Relierferzeugnissen zum Exponieren weniger intensiver als in dem bekannten Verfahren elektromagnetischer und korpuskularer Ströme. Used in the production of relier products for exhibition purposes less intense than in the known method of electromagnetic and corpuscular Currents.

Anwendung der elektromagnetischen Strahlung des roten und des nahen Infrarotspektralbereiches. Application of electromagnetic radiation of the red and near Infrared spectral range.

Verwendung als Schicht des anorganischen Stoffes und der Metallschicht einer ganzen Reihe von Stoffen, die in dem bekannten Verfahren. praktisch nicht verwendet werden konnten infolge intensiv ablaufender spontanter chemischer Reaktionen zwischen der Metallschicht und der Schicht des anorgansichen Stoffes. Use as a layer of the inorganic substance and the metal layer a whole range of substances used in the known process. practically not could be used as a result of intensive spontaneous chemical reactions between the metal layer and the layer of inorganic matter.

Nachstehend wird die Erfindung anhand einer Beschreibung der Beispiele für ihre Durchführung und der Zeichnungen naher erläutert, in denen es erfindungsgemäß im Schnitt zeigen: Fig. 1 die Anordnung der auf die Unterlage aufgebrachten Schichten des gegen die elektromagnetische und Korpuskulare Strahlung empfindlichen Materials; ig. 2 Anordnung der auf die Unterlage in umgekehrter Folge aufgebrachten Schichten des gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindlichen Materials; Fig. 3 Schema der Bestrahlung des in Fig. 1 dargestellten materials; Fig. 4 das Material nach dessen Exponieren mit aktinischer Strahlung; Fig. 5 das Material nach der Entfernung der Schicht das anorganischen Stoffes und der Sperrschicht an den nicht exponierten Stellen; Fig. 6 das Material nach der Entfernung der Metallschicht an den durch die Umsetzungsprodukte nicht geschützten Stellen; Fig. 7 das fertige Relieferzeugnis; Fig. 8 das Schema der Bestrahlung des in Fig. 2 dargestellten Materials; Fig. 9 das Material nach seinem Exponieren mit aktinischer Strahlung; Fig. 10 das fertige Relieferzeugnis aus dem in Fig. 2 dargestellten Material; Fig. 11 ein dem in Fig. 1 dargestellten Material analoges Material und das Schema seiner Bestrahlung durch eine verschiedene Transparenz aufweisende Schablone; Fig. 12 das Material nach seinem Exponieren mit aktinischer Strahlung; Fig. 13 das fertige Relieferzeugnis; Fig. 14 ein Material, bei dem die Schicht des anorganischen Stoffes in der gasförmigen Phase vorliegt, und das Schema der Bestrahlung dieses Materials; Fig. 15 ein dem in Fig. 14 dargestellten Material analoges Material nach seiner Bestrahlung mit aktinischer Strahlung; Fig. 16 das fertige Relieferzeugnis; Fig. 17 ein dem in Fig. 15 dargestellten Material analoges Material nach der Entfernung der Sperrschicht und der Metallschicht an den nicht bestrahlten Stellen; Fig. 18 das fertige Relieferzeugnis; Fig. 19 ein Material, bei dem die Schicht des anorganischen Stoffes in der flüssigen Phase vorliegt, und das Schema der Bestrahlung dieses Materials; Fig. 20 ein dem in Fig. 19 dargestellten Material analoges Material nach seiner Bestrahlung mit aktinischer Strahlung; Fig. 21 das fertige Relieferzeugnis; Fig. 22 die Anordnung der Schichten des Materials, die auf eine unterschicht aufgebracht sind, die ihrerseits auf einer Unterlage liegt; ig. 23 die Anordnung der Schichten des Materials, die sie in Fig. 22 dargestellt ist, und das Schema dar Bestrahlung; Fig. 24 die Anordnung der Schichten des Materials nach dem Exponieren mit aktinischer Strahlung; Fig. 25 die Anordnung der Schichten des Materials nach der Entfernung der Schicht des anorganischen Stoffes und der Sperrschicht an den durch die Umsetzungsprodukte nicht geschützen Stellen. The invention will now be described by way of a description of the examples for their implementation and the drawings explained in more detail in which it is according to the invention show in section: FIG. 1 the arrangement of the layers applied to the base the material sensitive to electromagnetic and corpuscular radiation; ig. 2 Arrangement of the layers applied to the substrate in reverse order the material sensitive to electromagnetic and corpuscular radiation; Fig. 3 Scheme of the irradiation of the material shown in FIG. 1; Figure 4 shows the material after exposure to actinic radiation; Figure 5 shows the material after removal the layer on the inorganic substance and the barrier layer on the unexposed Place; Fig. 6 shows the material after the removal of the metal layer on the through the conversion products not protected places; 7 shows the finished relief product; FIG. 8 shows the scheme of the irradiation of the material shown in FIG. 2; Fig. 9 the material after its exposure to actinic radiation; Fig. 10 the finished Relief product made from the material shown in FIG. 2; Fig. 11 is the one in Fig. 1 material represented analog material and the scheme of its irradiation by a stencil having different transparency; Fig. 12 shows the material after his Exposure to actinic radiation; 13 shows the finished relief product; Fig. 14 a material in which the layer of the inorganic substance is in the gaseous Phase is present, and the scheme of irradiation of this material; Fig. 15 a material analogous to the material shown in FIG. 14 after its irradiation with actinic radiation; 16 shows the finished relief product; Fig. 17 a dem material shown in Fig. 15 is analogous material after removal of the barrier layer and the metal layer in the non-irradiated areas; 18 shows the finished relief product; 19 shows a material in which the layer of the inorganic substance in the liquid Phase is present, and the scheme of irradiation of this material; Fig. 20 a dem Material shown in FIG. 19 is analogous to material after it has been irradiated with actinic radiation; 21 shows the finished relief product; 22 shows the arrangement of the layers of material that are applied to an underlayer, in turn lies on a pad; ig. 23 the arrangement of the layers of material which it is shown in Fig. 22 and the irradiation scheme; 24 shows the arrangement layers of the material after exposure to actinic radiation; Fig. 25 the arrangement of the layers of the material after the removal of the layer of the inorganic substance and the barrier layer to which the reaction products do not protected places.

lig. 26 die Anordnung der Schichten nach der Entfernung der Metallschicht und der Unterschicht an den durch die Umsetzungsprodukte nicht geschützen Stellen; Fig. 27 die Anordnung der Schichten nach der Entfernung der Umsetzungsprodukte; Fig. 28 das fertige Relieferzeugnis. lig. 26 the arrangement of the layers after the removal of the Metal layer and the lower layer in the places not protected by the reaction products; 27 shows the arrangement of the layers after the removal of the reaction products; 28 shows the finished product in relief.

Die Fig. 1 zeigt eine Unterlage 1, auf die erfindungsgemäß eine Metallschicht 2, eine Sperrschicht 3 und eine Schicht 4 eines anorganischen Stoffes aufgebracht ist, der in chemische Umsetzung mit der Metallschicht 2 sowohl unter der Wirkung der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung als auch ohne diese zu treten und Umsetzungsprodukte zu bilden vermag, welche von den physikalischen und chemischen Eigenschaften der Metallschicht 2 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes verschiedene physikalische und chemischen Eigenschaften au£weisen. als Unterlage 1 verwendet man Dielektrika (Glas, Quarz, Glimmer, Keramik u. a. m), Halbleiter, Metalle, organische Filme (beispielsweise Teflon, Lawsan u. a. m.), Papier, Holz u. a. m. Die Dicke und die Abmessungen der Unterlage 1 sind willkurlich und werden in Abhängigkeit von dem konkreten Verwendungszweck und den Abmessungen des herzustellen den Erzeugnisses gewählt. Die Qualität der Bearbeitung der Oberfläche der Unterlage 1, auf die die Metallschicht aufgebracht wird, hängt ebenfalls von dem herzustellenden Erzeugnis ab: Die Oberfläche der Unterlage 1 kann rauch, geschliffen, poliert, geätzt usw. 1 shows a base 1 on which, according to the invention, a metal layer 2, a barrier layer 3 and a layer 4 of an inorganic substance is in chemical reaction with the metal layer 2 both under the effect the electromagnetic and corpuscular radiation as well as without it and is able to form reaction products, which of the physical and chemical Properties of the metal layer 2 and the layer 4 of the inorganic substance are different show physical and chemical properties. used as base 1 dielectrics (glass, quartz, mica, ceramics, etc.), semiconductors, metals, organic Films (e.g., Teflon, Lawsan, etc.), paper, wood, and others. m. the thickness and the dimensions of the pad 1 are arbitrary and dependent on the specific purpose and the dimensions of the product to be manufactured chosen. The quality of the processing of the surface of the base 1 on which the Metal layer is applied also depends on the product to be manufactured ab: The surface of the base 1 can be smoke, sanded, polished, etched, etc.

sein.be.

Als Metallschicht 2 verwendet man Silber, Kupfer und andere Metalle und deren Legerungen und Gemische, die in chemische Umsetzung mit der Schicht 4 des anorganischen Stoffes sowohl unter der Einwirkung der elektromagnetischen und der korpuskularen Srah1ung als auch ohne eine solche Einwirkung unter Bildung von Umsetzungsprodukten treten können. Die Dicke der Metallschicht 2 wählt man in einem Bereich von einigen Dutzend Ångstrom bis zu einigen Millimetern. Besonders geeigneten Dicken der Metallschicht 2 sind Dicken, die in einem Bereich von 300 bis 2000 Å liegen. Die Sperrschicht 3 wird in der Regel aus einem von dem Stoff der Metallschicht 2 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes verschiedenen gegenüber der Metallschicht 2 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes beim Fehlen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung inerten Stoff ausgeführt, wobei die Dicke der Sperrschicht 3 so groß gewählt wird, daß sie für die Verhinderung der chemischen Umsetzung zwischen der Metallschicht 2 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes belm Fehlen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung ausreichend ist und eine solche Umsetzung beim Vorliegen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung zuläßt. Als Sperrschicht 3 können viele anorganische und organische Stoffe verwendet werden Es können beispielsweise für diesen Zweck Metall wie Au und/oder Zn, Cd, Mg, Al, Ga, Te, Sl, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, deren Legierungen sowie Oxyde, Sulfide, Telluride, Halogenide, Phosphide dieser Metalle verwendet werden. Silver, copper and others are used as the metal layer 2 Metals and their alloys and mixtures that are in chemical reaction with the layer 4 of the inorganic substance both under the action of electromagnetic and corpuscular radiation as well as without such an effect with the formation of Implementation products can occur. The thickness of the metal layer 2 is chosen in one Range from a few tens of angstroms to a few millimeters. Particularly suitable Thicknesses of the metal layer 2 are thicknesses ranging from 300 to 2000 Å lie. The barrier layer 3 is usually made of one of the material of the metal layer 2 and the layer 4 of the inorganic substance different from the metal layer 2 and the layer 4 of the inorganic substance in the absence of the electromagnetic and corpuscular radiation inert substance executed, the thickness of the barrier layer 3 is chosen so large that it prevents the chemical reaction between the metal layer 2 and the layer 4 of the inorganic substance in the absence of electromagnetic and corpuscular radiation is sufficient and such Implementation in the presence of electromagnetic and corpuscular radiation allows. Many inorganic and organic substances can be used as the barrier layer 3 For example, metal such as Au and / or Zn, Cd, Mg, Al, Ga, Te, Sl, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, their alloys as well as oxides, sulfides, tellurides, halides, phosphides these metals are used.

Als Sperrschicht 3 können auch organische Stoffe wie Polyäthylen, Polystyrol, Polypropylen, Polymethakrylat, Polycarbonate, Polyvinylchloride, Polytetrafluoräthylen, Epoxydharze, Kolophonium, Anthrazen und andere verwendet werden. Die Dicke der Sperrschicht 3 wählt man in einem Bereich von 20 bis 300 Å. Versuche haben ergeben, daß eine besondere geeignete Dicke der Sperrschicht eine Dicke ist, welche 30 bis 150 Å beträgt. Organic substances such as polyethylene, Polystyrene, polypropylene, polymethacrylate, polycarbonate, polyvinylchloride, polytetrafluoroethylene, Epoxy resins, rosin, anthracene and others can be used. The thickness of the barrier layer 3 is chosen in a range from 20 to 300 Å. Tests have shown that a a particularly suitable thickness of the barrier layer is a thickness which is 30 to 150 Å.

Als Schicht 4 des anorganischen Stoffes wählt man anorganidie Stoffe, vielche Schefel, Seien, Selen und Halogen enthalten (Beispielsweise S, Se, SE-J, Se-Br, Se-Cl, Bi2S3, As2Se3, Bi2Se3, GeSe, GeSe2, As-Se-J, As-Se-Br, Bi-Se-J, Sb-Se-J, KAsSe2, NaAsSe2 und andere). Die Dicke der Schicht 4 des anorganischen Stoffes wählt man in einem intervall von einigen Dutzend Ångström bis zu einigen Millimetern. Besonders geeignete Dicken der Schicht 4 des anorganischen Stoffes sind Dicken, gewählt in einem Intervall von 200 bis 3000 Å. As layer 4 of the inorganic substance, inorganic substances are chosen, contain many sulfur, selenium, selenium and halogen (e.g. S, Se, SE-J, Se-Br, Se-Cl, Bi2S3, As2Se3, Bi2Se3, GeSe, GeSe2, As-Se-J, As-Se-Br, Bi-Se-J, Sb-Se-J, KAsSe2, NaAsSe2 and others). The thickness of the layer 4 of the inorganic material is chosen one in an interval of a few dozen angstroms to a few millimeters. Particularly suitable thicknesses of the layer 4 of the inorganic substance are thicknesses chosen in an interval from 200 to 3000 Å.

Das Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration enthält erfindungsgemäß das aufeinanderfolgende Aufbringen auf die Unterlage 1 (Fig. 1) einer Metallschicht 2, einer Sperrschicht 3 und einer Schicht 4 des anorganischen Stoffes. Die Methoden zum Aufbringen dieser Schichten können verschieden sein (Oxydation der Oberfläche der Metallschicht, Aufbringen im Vakuum, chemisches Abscheidung, Eintauchen für eine Zeitlag in eine Lösung, Begießen usw.). Hier gibt es mehrere Fälle. Man bringt beispielsweise alle drei Schichten hintereinander im Vakuum auf. Das macht es möglich, sehr hochwertige Erzeugnisse zu bereiten. Man bringt zum Beispiel auf eine polierte Glasunterlage im Vakuum (2.10-5 Torr) eine Schicht 2 aus Silber von 2000 Å Dicke, eine 40 Å dicke Schicht 3 aus Arsentrisulfid und eine 700 Å dicke Schicht 4 aus Arsentriselenid auf. The procedure for the production of relief products more predetermined According to the invention, configuration includes sequential application to the Base 1 (Fig. 1) a metal layer 2, a barrier layer 3 and a layer 4 of the inorganic substance. The methods of applying these layers can be be different (oxidation of the surface of the metal layer, application in a vacuum, chemical deposition, soaking in a solution for a period of time, dousing, etc.). There are several cases here. For example, you bring all three layers in a row in the Vacuum on. This makes it possible to prepare very high quality products. Man puts, for example, a on a polished glass surface in a vacuum (2.10-5 Torr) Layer 2 of silver 2000 Å thick, a 40 Å thick layer 3 of arsenic trisulfide and a 700 Å thick layer 4 of arsenic triselenide.

Unter Verwendung einer Vakuumanlage mit drei Erhitzern führt man alle drei Operationen ohne Störung des Vakuums durch0 Dies gewährleistet ein gutes Haften der Schichten aufeinander und verhindert ein Gelangen auf die Zwischengrenzen von Verunreinigungen aus der Umwelt. Using a vacuum system with three heaters, one leads all three operations without disturbing the vacuum by0 This ensures a good Adhesion of the layers to one another and prevents reaching the intermediate boundaries pollution from the environment.

In einem anderen Fall bringt man die Metallschicht 2 auf die Unterlage im Vakuum, die Sperrschicht 3 durch Eintauchen der Unterlage 1 mit der Metallschicht 2 in eine Lösung (beispielswelse eine schwache alkoholische Lösung von Kolophonium) auf und bringt dann im Vakuum die Schicht 4 des anorganischen Stoffes auf. In another case, the metal layer 2 is applied to the base in a vacuum, the barrier layer 3 by immersing the substrate 1 with the metal layer 2 in a solution (e.g. a weak alcoholic solution of rosin) and then applies the layer 4 of the inorganic substance in a vacuum.

In einem dritten Fall bringt man die Metallschicht 2 durch chemische Abscheidung und die Sperrschicht 3 und ate Schicht 4 des anorganischen Stoffes im Vakuum auf. In a third case, the metal layer 2 is applied chemically Deposition and the barrier layer 3 and ate layer 4 of the inorganic substance in the Vacuum on.

Es gibt auch andere Kombinationen von Methoden zum Aufbringen der einzelnen Schichten. There are other combinations of methods for applying the individual layers.

Das Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguretion sieht erfindungsgemäß auch einen Fall vor, wo die Metallschicht 2 recht dick ist (beispielsweise eine metallische Folie, eine Metallplatte) und selbst als Unterlage dient, In diesem Falle fehlt die Unterlage 1 (Fig. 1)o afl bringt beispielsweise auf eine 1 mm dicke Kupferplatte im Vakuum (2.10-5 Torr) eine: 30 Å dicke Sperrschicht 3 aus Chrom und dann eine 650 Å Dicke Schicht 4 aus dem Arsentrisulfid auf, Das Verfahren zur Herstellung von Reliefferzeugnissen vorgegebener Konfiguration sieht erfindungsgemäß auch ein umgekehrtes Aufbringen der Schichten auf die Unterlage vor. In der Fig. 2 ist eine Unterlage 1 dargestellt, auf die zunächst eine Schicht 4 des anorganischen Stoffes, dann eine Sperrschicht 3 und schließlich eine Metallschicht 2 aufgebracht ist. Man bringt beispielsweise auf eine Unterlage 1 aus Glas im Vakuum (1.10-5 Torr) nacheinander eine 2000 Å dicke Schicht 4 aus dem Germaniumdiselenid, eine 50 Å dicke Sperrschicht 3 aus dem Arsentrisulfid und eine 500 Å dicke Schicht aus Silber auf. Die Verwendung des Materials mit umgekehrter Anordnung der Schichten ist nützlich beispielsweise bei der Hestellung von holographischen Diffraktionsgittern, weil man dabei ein Erzeugnis mit einem tiefen Relief und folglich mit einer hohen DiffraktionsvirksarnIit herstellen kann. The procedure for the production of relief products more predetermined According to the invention, configuration also provides a case where the metal layer 2 is quite thick (for example, a metallic foil, a metal plate) and itself serves as a base, in this case the base 1 (Fig. 1) is missing o afl for example on a 1 mm thick copper plate in a vacuum (2.10-5 Torr) a 30 Å thick barrier layer 3 of chromium and then a 650 Å thick layer 4 from the arsenic trisulfide, the process for the production of relief products In accordance with the invention, the predetermined configuration also provides a reverse application of the layers on the substrate. In Fig. 2, a base 1 is shown, on which first a layer 4 of the inorganic substance, then a barrier layer 3 and finally a metal layer 2 is applied. One brings for example on a base 1 made of glass in a vacuum (1.10-5 Torr) successively a thickness of 2000 Å Layer 4 made of germanium diselenide, a 50 Å thick barrier layer 3 made of arsenic trisulfide and a 500 Å thick layer of silver. The use of the material with reverse The arrangement of the layers is useful, for example, in the production of holographic Diffraction gratings because you are doing a product with a deep relief and consequently with a high diffraction efficiency.

Die Fig. 3 zeigt die gleiche Anordnug der Schichten die auch die Abbildung 1 und das Schema des Projizierens des Bildes darauf und des Exponierens. Durch die Schablone 5, welche opake Bereiche 6 und transparente Bereiche 7 hat, bestrahlt man in Übereinstimmung mit der gewünschten Konfiguration des herzustellenden Reliefmaterials das Material mit der aktinischen Strahlung 80 als Schablone 5 kann ein gewöhnliches Photonegativ, eine Metallmaske mit durchgehenden Öffnungen, die sich in freien Zustand befindet oder mit einer für die aktinische Strahlung 8 transparente Unterlage starr befestigt ist. Als elektromagnetische und korpuskulare Strahlung 8 verwendet man Licht (Ultraviolettlicht, sichtbares, Infrarotlicht), Elektronenstrome, Röntgenstrahlen und andere Strahlungen. Das Projizieren des Bildes auf die Anordnung der Schichten, das in der Fig. 1 und 2 dargestellt ist, erfolgt nach der Methode des Kontaktdruckes oder mit Hilfe des optischen Projizierens (beispielsweise mit Hilfe eines Vergrößerungsgerätes oder beim Aufzeichen von Hologramen durch Projizieren eines durch zwei Bündel der Laserstrahlung gebildeten Interferenzbildes), Die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Strahlung der in der Fig. 1 und der Fig. 2 dargestellten Anordnung der Schichten nimmt man sowohl von der Seite der oberen Schichten (der Schicht 4 in der Fig. 1 und der Schicht 2 in der Fig. 2) als auch von der Seite der Unterlage vor, wenn sie für die aktinische Strahlung transparent ist. Fig. 3 shows the same arrangement of layers as the Figure 1 and the scheme of projecting the image on it and exposing it. Through the template 5, which has opaque areas 6 and transparent areas 7, irradiate one in accordance with the desired configuration of the one to be produced Relief material, the material with the actinic radiation 80 as a template 5 can an ordinary photographic negative, a metal mask with openings through it, the is in the free state or with one for the actinic Radiation 8 transparent base is rigidly attached. As electromagnetic and corpuscular radiation 8 one uses light (ultraviolet light, visible, infrared light), Electron currents, X-rays and other radiations. Projecting the image on the arrangement of the layers, which is shown in FIGS. 1 and 2, takes place according to the method of contact printing or with the help of optical projection (for example with the help of an enlarger or when recording holograms by projecting an interference pattern formed by two bundles of laser radiation), The radiation with the electromagnetic radiation shown in FIGS. 1 and 2 The arrangement of the layers is assumed both from the side of the upper layers (the Layer 4 in FIG. 1 and layer 2 in FIG. 2) as well as from the side the base if it is transparent to the actinic radiation.

Erfolgt die Bestrahlung von der Seite der Schicht 4 des anorganischen Stoffes, die diese in der Fig. 3 dargestellt ist, so wählt man eine so große Dicke der Schicht 4, daß die aktinische Strahlung im wesentlichen die Trenngrenze der Schichten 4, 3 und 2 erreicht. Dann bei großeren Dicken der Schicht 4 wird die aktinische Strahlung im wesentlichen fern von den oben genannten Trenngrenzen absorbiert werden und den Prozeß der chemischen Umsetzung zwischen der Schicht 4 und der Schicht 2 stimulieren. Besonders geeignete Dicken der schicht 4 sind in diesem Fälle, Dicken, gewählt in einem Bereich von 100 bis 3000 Å. If the irradiation is carried out from the side of the layer 4 of the inorganic Substance, which this is shown in Fig. 3, one chooses such a large thickness the layer 4 that the actinic radiation essentially the separation limit of the Layers 4, 3 and 2 reached. Then at greater thicknesses of layer 4, the actinic Radiation can be absorbed substantially far from the abovementioned separation limits and the process of chemical conversion between layer 4 and layer 2 stimulate. Particularly suitable thicknesses of the layer 4 are in this case, thicknesses, chosen in a range from 100 to 3000 Å.

Erfolgt die Bestrahlung von der Seite der Metallschicht 2 (beispielsweise für die in der Fig. 2 dargestellte nordnung der Schichten?, so verwendet man eine für die aktinische Strahlung transparente Schicht 2. In diesem Falle wählt man die Dicke der Metallschicht 2 gewöhnlich in einem Bereich von einigen Dutzend Ångstrom bis 600 - 700 Å. If the irradiation takes place from the side of the metal layer 2 (for example for the arrangement of the layers? shown in FIG. 2, one uses a layer 2 which is transparent to actinic radiation. In this case, the is chosen The thickness of the metal layer 2 is usually in the range of several tens of angstroms up to 600 - 700 Å.

Im Prozeß des Exponierens tritt die Schicht 4 des anorganischen Stoffes an den mit der elektromagnetischen oder korpuskularen Strahlung bestrahlten Stellen in chemisches Umsetzung mit der Metallschicht 2 unter Blldu von Umsetzungsprodukten 9, wie dies in der Fig. 4 dargestellt ist. Die Dicke der Umsetzungsprodukte 9 ist proportional der Exposition, das heißt dem Produkt aus der Beleuchtungsintensität und der Bestrahlungszeit. In the process of exposure, the layer 4 of inorganic material occurs at the points irradiated with the electromagnetic or corpuscular radiation in chemical reaction with the metal layer 2 with images of reaction products 9, as shown in FIG. The thickness of the reaction products 9 is proportional to the exposure, i.e. the product of the lighting intensity and the exposure time.

Die Fig. 4 zeigt einen Fall, wo unter der Wirkung der elektromagnetischen Strahlung ein Weil der Schicht 4 des anorganischen Stoffes mit einem Weil der Metallschicht 2 in chemische Umsetzung getreten ist. In Abhängigkeit von der Dicke der Schicht 4 und der Schicht 2 sowie der Exposition werden die Umsetzungsprodukte erforderlichenfalls über die ganze Dicke einer der Schichten 4 und 2 oder der beiden Schichten gebildet. Die Umsetzungsprodukte 9 enthalten in allen Bällen Teile der Sperrschicht 3, die sich an den bestrahlten Stellen befanden. In Abhängigkeit von dem Stoff der Sperrschicht 3 bilden die genannten Teile der Sperrschicht 3 in dem einen Fall gleichzeitig mit der Schicht 4 Umsetzungsprodukte 9 mit der Metallschicht 2, in dem anderen Fall (wenn als Sperrschicht 3 Metall verwendet wird) gleichzeitig mit der Schicht 2 Umsetzungsprodukte 9 mit der Schicht 4 des anorganischen Stoffes in einem drltten Fall, wenn dei1 tof der Sperrschicht 3 keine Fähigkeit besitzt, unter der Wirkung der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung in chemische Umsetzung mit der Schicht 2 und der Schicht 4 zu treten, wird der Stoff der Sperrschicht in die Umsetzungsprodukte 9 eingehaut. Fig. 4 shows a case where under the action of the electromagnetic Radiation because of the layer 4 of the inorganic matter with because of the metal layer 2 has entered into chemical conversion. Depending on the thickness of the layer 4 and layer 2 as well as exposure are the conversion products if necessary formed over the entire thickness of one of the layers 4 and 2 or of the two layers. The reaction products 9 contain parts of the barrier layer 3 in all balls, the were in the irradiated areas. Depending on the material of the barrier layer 3 form said parts of the barrier layer 3 in the one case at the same time the layer 4 reaction products 9 with the metal layer 2, in the other case (when 3 metal is used as the barrier layer) at the same time as the layer 2 reaction products 9 with the layer 4 of the inorganic substance in a third case when the portion of the barrier layer 3 has no capability the effect of electromagnetic and corpuscular radiation in chemical conversion Stepping with layer 2 and layer 4, the fabric of the barrier layer becomes in the reaction products 9 carved.

Die Fig. 5 enthält die gleiche Anordnung der Schichten wie auch die Fig. 4 nach der Entfernung der unter der Wirkung der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung in chemische Umsetzung mit der Schicht 2 nicht getretenen Schicht 4 des anorganischen Stoffes. Die Entfernung der Schicht 4 erfolgt durch chemisches Ätzen, das heißt mit Hilfe einer Lösung, die die Schicht 4 des anorganischen Stoffes auflöst. Verwendet man beispielsweise als Schicht 4 anorganische Verbindungen wie Arsentrisulfid, Arsentriselenid, Germaniumdiselenid, so führt man die Entfernung der in chemische Umsetzung mit der Schicht 2 nicht getretenen Schicht 4 mit Hilfe einer 5 bis 10%igen wässerigen Lösung von Kalium-, Natriumhydroxyd u. a. m. durch. Die Dauer der Entfernung der Schicht 4 hängt von der Dicke der Schicht 4, Konzentration der Lösung, der Temperatur derselben ab und Liegt in einem Bereich von einigen Sekunden bis zu einigen nuten. Wenn beispielsweise die Schicht 4 aus Arsentrisulfid gewählt ist, so beträgt die Dauer ihrer Entfernung, bei einer Dicke derselben von 1000 Å in @@lger wässeriger Lösung von Kaliumhydroxyd einige Sekunden. Fig. 5 contains the same arrangement of layers as that Fig. 4 after the removal of the under the action of electromagnetic and corpuscular Radiation in chemical reaction with the layer 2 not stepped layer 4 of the inorganic substance. Layer 4 is removed by chemical etching, that is, with the aid of a solution which dissolves the layer 4 of the inorganic substance. If, for example, inorganic compounds such as arsenic trisulfide are used as layer 4, Arsenic triselenide, germanium diselenide, this is how one carries out the removal of the in chemical Implementation with the layer 2 not stepped layer 4 with the help of a 5 to 10% strength aqueous solution of potassium hydroxide, sodium hydroxide, etc. m. through. The duration of the removal of layer 4 depends on the thickness of layer 4, concentration of the solution, the temperature the same and lies in a range from a few seconds to a few grooves. If, for example, the layer 4 is selected from arsenic trisulfide, then it is Duration of their removal, with a thickness thereof of 1000 Å in An aqueous solution of potassium hydroxide for a few seconds.

@e aus der Fig. 5 zu ersehen ist, ist die Sperrschicht 3 an den nicht bestrahlten Stellen ebenfalls entfernt. Ijie Entfernung der Sperrschicht 3 kann sowohl gleichzeitig mit der Schicht 4 als auch getrennt erfolgen. Wenn man beispielsweise als Schicht 4 Arsentriselenid und als Sperrschicht 3 Germaniumselenid verwendet, so entfernt man mit Hilfe einer 5%igen wässerigen Lösung von Kaliumhydroxyd gleichzeitig sowohl die Schicht 4 als auch die Sperschicht 3. @e can be seen from FIG. 5, the barrier layer 3 is not on the irradiated areas also removed. Ijie removal of the barrier layer 3 can take place both simultaneously with layer 4 and separately. For example, if you arsenic triselenide as layer 4 and germanium selenide as barrier layer 3, so one removes with the help of a 5% aqueous solution of potassium hydroxide at the same time both layer 4 and spar layer 3.

Wenn man in dem Verfahren zum Erzeugen von Relief@@@@@@ vorgegebener Konfiguration eine in der Fig. 2 dargestellte Anordnung der Schichten anwendet, so entfernt man nach dem exponieren, zunächst die Metallschicht 2, die in chemische Umsetzung mit der Schicht 3 das anorganischen Stoffes nicht getreten ist. Zur Entfernung der Metallschicht 2 verwendet man Lösungen von Säuren wie Schwefel-, Salpeter-, Fluorwasserstoff, Salzsäure und andere. If in the process of creating relief @@@@@@ specified Configuration uses an arrangement of the layers shown in FIG. 2, after exposure, you first remove the metal layer 2, which is in chemical Implementation with the layer 3 the inorganic substance has not occurred. To the distance the metal layer 2 uses solutions of acids such as sulfur, nitric, Hydrogen fluoride, hydrochloric acid and others.

Wenn man als Schicht 2 Silber verwendet, so nimmt man die Entfernung der Bereiche dieser Schicht mit Hilfe eines Säure-Chrom-Gemisches (H2SO4 + K2Cr2O7) vor.If you use silver as layer 2, you take the distance the areas of this layer with the help of an acid-chromium mixture (H2SO4 + K2Cr2O7) before.

Die Sperrschicht 3 entfernt man an den nicht bestrahlten Stellen in Abhängigkeit davon, aus welchen Stoff sie gewählt ist, gleichzeitig mit der Schicht 2 oder getrennt. Wenn die Sperrschicht 3 aus Metall hergestellt ist, so entfernt man diese gleichzeitig mit der Schicht 2 mit Hilfe von Lösungen von Säuren Wie Schwefel-, Salpeter-, Fluorwasserstoff, Salzsäuren und anderer. Wenn die sperrschicht 3 aus glasartigen Chalkogenidstoffen gewählt ist, so entfernt man diese mit Hilfe wässeriger Lösungen von Kaliumhydroxyd oder Natriumhydfroxyd, Ammoniumhydroxyd und anderer. The barrier layer 3 is removed from the non-irradiated areas depending on what fabric it is chosen from, at the same time as the layer 2 or separately. If the barrier layer 3 is made of metal, so removed you can do this at the same time as layer 2 with the help of solutions of acids As Sulfuric, nitric, hydrogen fluoride, hydrochloric acids and others. When the barrier layer 3 is selected from vitreous chalcogenide substances, these are removed with the help aqueous solutions of potassium hydroxide or sodium hydroxide, ammonium hydroxide and another.

In dem Falle, wenn man als Sperrschicht 3 organische Stoffe verwendet, so entfernt man die Sperrschicht 3 an den nicht bestrahlen Stellen mit Hilfe von organischen Lösungsmitteln (Benzol, Azeton, Alkohol, Äther, Tetrachlorkohlenstoff, Terpentinöl und andere). Wenn beispielsweise die Sperrschicht 3 aus Polyäthylen ausgeführt ist, so entfernt man diese mit Hilfe von Tetrachlorkohlenstoff, wenn aus Kolophonium, so mit Hilfe von Äthylalkohol usw. In the event that 3 organic substances are used as the barrier layer, so you remove the barrier layer 3 at the non-irradiated areas with the help of organic solvents (benzene, acetone, alcohol, ether, carbon tetrachloride, Turpentine oil and others). For example, if the barrier layer 3 is made of polyethylene is carried out, this is removed with the help of carbon tetrachloride, if from rosin, so with the help of ethyl alcohol, etc.

Die Fig. 5 kann als fertiges Relieferzeugnis im Schnitt angesehen werden. Das Relief ist gebildet durch die Umsetzungsprodukte 9, die über die Oberfläche der Metallschicht 2 hervorragen. 5 can be viewed as a finished relief product in section will. The relief is formed by the reaction products 9, which over the surface the metal layer 2 protrude.

Auf diese Weise wurden Amplituden-Phasen-Holograme von Raumgegenständen, Diffraktionsgitter und andere holographische Erzeugnisse erhalten.In this way, amplitude-phase holograms of spatial objects, Diffraction gratings and other holographic products obtained.

Holographische Amplitude-Phaasen-Diffraktionsgitter erhielt man durch Projizieren auf die Anordnung der Schichten, die in der Fig. 1 oder 2 dargestellt ist, eines Interferenzbildes, gebildet durch zwei kohärente Laserstrahlen, Exponieren und Entfernen nach dem Exponieren der Schicht 4 des anorganischen Stoffes und der Bereiche der Spe rrschicht 3 an den nicht bestrahlten Stellen. Holographic amplitude phase diffraction gratings were obtained by Project onto the arrangement of layers shown in Fig. 1 or 2 is exposing an interference pattern formed by two coherent laser beams and removing after exposing layer 4 the inorganic matter and the Areas of the Spe rrschicht 3 in the non-irradiated areas.

Durch die Veränderung des Winkels zwischen den Laserstrahlen veränderte man die Raumfrequenz der Diffraktionsgitter. Eine solche Methode der Herstellung von Diffraktionsgittern ist einfach und erfordert keine komplizierten Ausrüstungen. Changed by changing the angle between the laser beams one is the spatial frequency of the diffraction grating. Such a method of manufacture diffraction gratings is simple and does not require complicated equipments.

Es können erfindungsgemäß Diffraktionsgitter mit Hilfe von Lasern, die die Strahlung nicht nur im Ultravioleet, im blauen und grünen Spektralbereich, sondern auch im roten und im nahen Infrarotspektralbereich aussenden, beispielsweise von Helium-Neon-Laser (6328 Å) hergestellt werden. Das ist sehr günstig, weil die Helium-Neon-Lager eine große Lebensdauer haben und eine recht stabile Strahlung besitzen. Das Aufbringen der Sperrschicht 3 auf die metallschicht 2 vor dem ufbringen auf dlese der Schicht 4 des anorganischen Stoffes machte es möglich, in dem Verfahren zur Herstellung von nützlichen Erzeugnissen der vorgegebenen Konfiguration erfindungsgemäß als Schicht 4 eine ganze Reihe anorganischer Stoffe zu verwenden, die zusammen mit der Metallschicht ein Material bilden, das auch gegen den roten und nahen Infrarotspektralbereich empfindlich ist. Ohne Aufbringen der Sperrschicht 3 stiieß die Herstellung von Diffraktionsgittern mit Hilfe von Helium-Neon-Laser auf große Schwierigkeiten, verbunden mit der chemischen instabilität des Materials, das gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindlich ist. According to the invention, diffraction gratings with the help of lasers, the radiation not only in the ultraviolet, in the blue and green spectral range, but also emit in the red and near infrared spectral range, for example by helium-neon laser (6328 Å). This is very cheap because the Helium-neon bearings have a long service life and a fairly stable radiation own. Applying the barrier layer 3 to the metal layer 2 before applying on the layer 4 of the inorganic substance made it possible in the process for the manufacture of useful articles of the given configuration according to the invention to use a whole range of inorganic substances as layer 4, which together with the metal layer form a material that also opposes the red and near infrared spectral range is sensitive. Without the application of the barrier layer 3, diffraction gratings were produced with the help of helium-neon laser on great difficulties connected with the chemical instability of the material against electromagnetic and corpuscular radiation is sensitive.

Es sei bemerkt, daß die Umsetzungsprodukte 9, die das Relief des in der Fig. 5 dargestellten Erzeugnisse bilden, im Prozeß der Lagerung und Verdrehung des Relieferzeugnisses Teilweise ihre Eigenschaften verändern, was zu einer Verschlechterung der Qualität des Relieferzeugnisses mit der Zeit führt. Zur Herstellung eines Relieferzeugnisse vorgegebener Konfiguration das stabilere Eigenschaften in der Zeit und in einigen Fällen ein tieferes Relief aufweist, nimmt man ein weiteres Ätzen des in der Fig. 5 dargestellten Relieferzeugnisses, beispielsweise durch die Entfernung der Metallschicht 2 an den durch die Umsetzungsprodukte 9 nicht geschützen Stellen (Fig. 6) vor. Die Umsetzungsprodukte 9 verwendet man in diesem Falle als Schutzmaske beim Ätzen der Metallschicht 2. Die Entfernung der Metallschicht 2 nimmt man mit Hilfe von Lösungen von Säuren wie Schwefel-, Salpeter-, Fluorwasserstoff-, Salzsäure, Chrom-Säure-Gemisch (H2SO4 + K2Cr2O7) u. a. m. vor. Man entfernt beispielsweise die Silberschicht mit Hilfe einer 1%igen wässerigen Lösung von Salpetersäure oder chrom-Säure-Gemisch (H2SO4 + K2Cr2O7). It should be noted that the reaction products 9, the relief of the Form products shown in Fig. 5, in the process of storage and rotation of the relief certificate Partly theirs Change properties, which leads to a deterioration in the quality of the relief product over time. For the production of a relief product of a given configuration the more stable one Properties in time and in some cases has a deeper relief, takes a further etching of the relief product shown in FIG. 5, for example by removing the metal layer 2 from the reaction products 9 not protected places (Fig. 6). The reaction products 9 are used in this Trap as a protective mask when etching the metal layer 2. The removal of the metal layer 2 one takes with the help of solutions of acids such as sulfur, nitric, hydrogen fluoride, Hydrochloric acid, chromic acid mixture (H2SO4 + K2Cr2O7) and others. m. before. For example, one removes the silver layer with the help of a 1% aqueous solution of nitric acid or chromium-acid mixture (H2SO4 + K2Cr2O7).

Nach der Entfernung der Metallschicht 2 an den durch die Umsetzungsprodukte nicht geschützen Stellen entfernt man die Umsetzungsprodukte 9. After the removal of the metal layer 2 by the reaction products The reaction products are removed from areas that are not protected 9.

Die Fig. 7 zeigt ein fertiges Relieferzeugnis nach den Entfernung der Umsetzungsprodukte 9, dargestellt in der Fig. 6, 1)ie Umsetzungsprodukte 9 entfernt man durch chemisches Ätzen, mechanisches Abreiben, thermisch u. a. m. Die Entfernung der Umsetzungsprodukte 9 durch chemisces Ätzen nimmt man mit Hilfe konzentrierter wässeriger Lösungen von Alkalien, Ammoniumhydroxyd, u. a. m. vor. In einigen Fällen entfernt man die Umsetzungsprodukte 9 auf mechanischem Wege Abreiben mit Gewebe oder thermisch durch deren Erhitzen auf eine Temperatur, bei der sie von der Oberfläche der Metallschicht 2 sublimieren. 7 shows a finished relief product after removal of the reaction products 9, shown in FIG. 6, 1) ie the reaction products 9 removed chemical etching, mechanical abrasion, thermal, etc. m. The distance the reaction products 9 by chemical etching are taken with the help of more concentrated aqueous solutions of alkalis, ammonium hydroxide, and others. m. before. In some cases the reaction products 9 are removed mechanically Ways rubbing off with tissue or thermally by heating them to a temperature at which they are sublime from the surface of the metal layer 2.

Das in der Fig. 7 dargestellte Relieferzeugnis besteht aus der Unterlage 1 und den Bereichen der Metallschicht 2 an den mit der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung bestrahlten Stellen. Auf diesem Wege wurden Relieferzeugnisse solche wie Diffraktionsgitter, Polarisatoren der elektromagnetischen Strahlung, Fotoschablonen, Druckplatten, elektrisch leitende Elemente der mikroschaltungen u. a. m. hergestellt. The relief product shown in FIG. 7 consists of the base 1 and the areas of the metal layer 2 at the electromagnetic and corpuscular Radiation exposed areas. In this way relief products became such as Diffraction gratings, electromagnetic radiation polarizers, photo templates, Printing plates, electrically conductive elements of the microcircuits, etc. m. manufactured.

wenn man bei der Herstellung eines Relieferzeugnisses die in der Fig. 2 dargestellte umgekehrte Anordnung der Schichten anwendet, entfernt man in diesem Falle nach der Entfernung der unter der wirkung der elektromagnetischen und derkorpuskularen Strahlung in chemische Umsetzung mit der Schicht 4 des anorganischen Stoffes nicht getretenen Metallschicht 2 und der Sperrschicht 3 an den nicht bestrahlten Stellen die Schicht 4 des anorganischen Stoffes an den Stellen, die durch die Umsetzungsprodukte 9 nicht gesohutzt sind, die man als Schutzmaske verwendet. Danach entfernt man erforderlichenfalls die Umsetzungsprodukte 9. Das Relieferzeugnis ist in diesem Falle dem in der Fig. 6 dargestellten Erzeugnis (die Produkte sind nicht entfernt) oder den in der Fig. 7 dargestellten Erzeugnis (die Produkte sind entfernt) analog mit dem Unterschied aber, daß es statt der Bereiche der Metallschicht 2 Bereiche der Schicht 4 des anorganischen Stoffes aufweist. if, in the production of a relief product, the 2 applies the reverse arrangement of the layers shown in FIG this case after the removal of the electromagnetic and the corpuscular radiation in chemical reaction with the layer 4 of the inorganic Substance not trodden metal layer 2 and the barrier layer 3 on the non-irradiated Place the layer 4 of the inorganic substance at the points caused by the reaction products 9 are not used that are used as a protective mask. Then remove if necessary the conversion products 9. The relief product in this case is the one shown in FIG. 6 (the products are not removed) or the product shown in Fig. 7 (the products are removed) analogous with the difference but that instead of the areas of the metal layer 2 areas of the layer 4 of the inorganic Has substance.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration macht es möglich, Erzeugnisse mit einer Tiefe des Reliefs bis zu einigen Tausenden Angström herzustellen. The method according to the invention for the production of relief products predetermined configuration makes it possible to produce products with a depth of relief up to several thousand angstroms.

Die Fig. 8 zeigt die Anordnung der Schichten und das schema des Projizierens des Bildes auf diesen, die analog zur Fig. 9 sind, mit dem Unterschied aber, daß die Dicke der Metallschicht 2 bedeutend großer als die Dicke der Schicht 4 des anorganischen Stoffes ist. In diesem Falle erhält man nach dem Exponieren das in der Fig. 9 dargestellte Bild. Da die Dicke der Metallschicht 2 bedeutend größer als die Dicke der Schicht 4 des anorganischen Stoffes ist, erstrecken sich die Umsetzungsprodukte 9 in diesem Falle über die ganze Tiefe der Schicht 4 des anorganischen Stoffes und nur über einen Teil der Dicke der Metallschicht 2. Wenn man beispielsweise als Metallschicht 2 eine einige Tausend Ångström dicke Silberschicht, als Sperrschicht 3 eine 30 Å dicke Arsentrisulfid und als Schicht 4 des anorganischen Stoffes eine 600 Å dicke Arsentriselenidschicht verwendet, so tritt nach dem Exponieren einr solchen Anordnung der Schichten mit der Strahlung einer Quecksilberdampflampe (von 250 W Leistung), die sich in einem Abstand von 30 cm befindet, während 2 Minuten die ganze Schicht 4 in chemische Umsetzung mit der schicht 4, während nur eine Teil der Schicht 2 mit der Schicht 4 chemisch umgesetzt wird. Fig. 8 shows the arrangement of the layers and the scheme of projecting of the image on these, which are analogous to FIG. 9, with the difference, however, that the thickness of the metal layer 2 is significantly greater than the thickness of the layer 4 of the inorganic Substance is. In this case, after exposure, that shown in FIG. 9 is obtained Image. Because the thickness of the metal layer 2 is significantly greater than the thickness of the layer 4 of the inorganic substance, the reaction products 9 extend in this Fall over the full depth of the layer 4 of inorganic matter and only over part of the thickness of the metal layer 2. If, for example, as a metal layer 2 a several thousand angstroms thick silver layer, as barrier layer 3 a 30 Å thick arsenic trisulfide and, as layer 4 of the inorganic substance, a thickness of 600 Å If an arsenic triselenide layer is used, such an arrangement occurs after exposure the layers with the radiation of a mercury vapor lamp (of 250 W power), which is at a distance of 30 cm, for 2 minutes the whole shift 4 in chemical reaction with layer 4, while only part of layer 2 is chemically reacted with the layer 4.

Nach dem Exponieren entfernt man die in chemische Umsetzung mit der Schicht 2 nicht getretene Teile der Schicht 4, die nach der Entfernung der Bereiche der Schicht 4 freigelegten Bereiche der Sperrschicht 3 und die Umsetzungsprodukte. Die Entfernung all dieser Schichten führt man entweder mit einem Ätzmittel oder mit mehreren Ätzmitteln, gewählt für jede Schicht, aus. Zur Entfernung dieser Schichten verwendet man Ätzmittel, welche oben bei der Beschreibung der ig. 4-7 genannt sind0 Das fertige Relieferzeugnis, erhalten nach Entfernung dieser Schichten, ist in der Fig. 10 dargestellt. Dieses Erzeugnis stellt eine Unterlage 1 dar, zur der sich eine Metallschicht 2 mit Vorsprüngen 10 und Vertiefungen 11 in Übereinstimmung mit der vorgegebenen Konfiguration befindet. Auf diese Weise wurden Phasenholograme (Diffraktionsgitter), polygraphische Flisches u. a. m. After exposure, the chemical reaction is removed with of the layer 2 not trodden parts of the layer 4, which after the removal of the areas the layer 4 exposed areas of the barrier layer 3 and the reaction products. The removal of all these layers is carried out either with an etchant or with multiple etchants chosen for each layer. To remove these layers one uses etching agents, which are described above in the description of the ig. 4-7 are named 0 The finished relief product, obtained after removing these layers, is in the Fig. 10 shown. This product represents a document 1 to which a metal layer 2 with projections 10 and depressions 11 in correspondence with the given configuration. In this way, live holograms became (Diffraction grating), polygraphic fishes and others. m.

hergestellt. Die Relieftiefe in solchen Relieferzeugnissen erreicht 1000 bis 5000 Å.manufactured. The relief depth reached in such relief products 1000 to 5000 Å.

Solche Diffraktionsgitter wurden zum Beispiel auf einer 3000 Å dicken Silber schicht sowie auf einer 5000 Å dicken Kupfer schicht hergestellt. Such diffraction gratings were, for example, 3000 Å thick Silver layer and made on a 5000 Å thick copper layer.

Die Fig. 11 zeigt eine der in der Fig. 1 dargestellten analoge Anordnung der Schichten und das Schema der Bestrahlung der Schichten durch die Schablone 5', die unterschiedliche Transparenz in verschiedenen Punkten derselben aufweist. Die Schablone 5' weist opake Bereiche 6, transparente Bereiche 7, halbdurchsichtige Bereiche 12 und Bereiche 13 mit wechselnder Transparenz. Ein solches Schema der Bestrahlung wird bei der Bestrahlung der Anordnung der Schichten durch ein gewöhnliches Halbtonnegativ oder bei der Aufzeichnung von holographischen Bildern von Objekten realisiert. FIG. 11 shows an arrangement analogous to that shown in FIG. 1 of the layers and the scheme of the irradiation of the layers through the stencil 5 ', which has different transparency in different points of the same. the Template 5 'has opaque areas 6, transparent areas 7, semi-transparent Areas 12 and areas 13 with changing transparency. Such a scheme of Irradiation is used in the irradiation of the arrangement of the layers by an ordinary halftone negative or when recording holographic ones Realized images of objects.

In der Fig. 12 ist die Anordnung der Schichten nach deren Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung durch die Schablone 5' dargestellt, die unterschiedliche Transparent in verschiedenen Punkten derselben aufweist. Da die Dicke der Umsetzungsprodukte 9 der Exposition proportional ist, so ist aus der Fig. 12 zu ersehen, daß die Dicke der Umsetzungsprodukte 9 in veschiedenen Punkten in Abhängigen von der Transparenz der Bereiche der Schablone 5' unterschiedlich ist. FIG. 12 shows the arrangement of the layers after they have been irradiated represented with electromagnetic radiation through the template 5 ', the different Has transparent in different points of the same. As the thickness of the reaction products 9 is proportional to the exposure, it can be seen from FIG. 12 that the thickness of the implementation products 9 in various points depending on the transparency the areas of the template 5 'is different.

Nach der Entfernung der Schicht 4 des anorganischen Stoffes, die in chemische Umsetzung mit der Metallschicht nicht getreten ist, sowie der Sperrschicht 3 an den mit der elektromagnetischen Strahlung nicht bestrahlten Stellen erhält man ein in der Fig. 13 dargestelltes fertiges Relieferzeugnis. Auf diese Weise wurden Holograme von Diffraktions-Streuobjekten hergestellt. Die Aufzeichnung der holographischen Bilder erfolgte in der Strahlung e1 nes Helium-Neon-Lasers und die Reduktion der Bilder in der Strahlung von Lasern (Argon-Laser, Helium-Neon-Laser), Quecksilberdampflampen unter Anwendung von Filter und anderer Quellen. After removing the layer 4 of the inorganic substance, the has not entered into chemical reaction with the metal layer, as well as the barrier layer 3 at the points not irradiated with the electromagnetic radiation a finished relief product shown in FIG. 13 is obtained. That way were Holograms made from diffraction scattering objects. The recording of the holographic Images took place in the radiation of a helium-neon laser and the reduction of the Images in the radiation of lasers (argon laser, helium-neon laser), mercury vapor lamps using filters and other sources.

Die Fig. 14 zeigt die Anordnung der Schichten eines gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindlichen Materials, in dem die Metallschicht 2 und die Sperrschicht 3 auf die Unterlage 1 aufgebracht sind und die Schicht 4' des anorganischen Stoffes in der gasförmigen Phase vorliegt und mit der Sperrschicht 3 kontaktiert. Hier ist auch die Schablone 5" dargestellt durch die die Bestrahlung vorgenommen wird. Dieser Fall wird realisiert durch das Einbringen der Unterlage 1 mit der Schicht 2 und der Sperrschicht 3 in ein hermetisch abgedichtetes Gefäß, welches Dämpfe des anorganischen Stoffe enthält. Das wird durch die Erhitzung des Gefäßes mit dem anorganischen Stoff auf eine Temperatur, die die notwendige Elastizität der Dämpfe des Stoffes zu erzielen gestattet, erzielt. in dem Falle, wenn man beispielsweise als Schicht 4 Arsentrisulfid verwendet, erhitzt man das Quarzgefäß zusammen mit diesem Stoff auf eine Temperatur von 250 bis 200°C. 14 shows the arrangement of the layers one against the electromagnetic and corpuscular radiation sensitive material in which the metal layer 2 and the barrier layer 3 are applied to the base 1 and the layer 4 'of the inorganic Substance is present in the gaseous phase and contacted with the barrier layer 3. The template 5 "is also shown here through which the irradiation is made. This case is realized by introducing the pad 1 with the layer 2 and the barrier layer 3 in a hermetically sealed vessel, which contains vapors of inorganic substances. This is done by heating the Vessel with the inorganic substance at a temperature that has the necessary elasticity the vapors of the substance allowed to achieve achieved. in the case when, for example arsenic trisulfide is used as layer 4, the quartz vessel is heated together with this substance to a temperature of 250 to 200 ° C.

Unter der Wirkung der durch die transparenten Bereiche 7 der Schablone 5" getretenen elektromagnetischen Strahlung 8 tritt die Schicht 4 des in der gasförmigen Phase befindlichen anorganischen Stoffes in chemische Umsetzung mit der Metallschicht 2 unter Bildung von umsetzungsprodukten 9, wie dies in der Fig. 15 dargestellt ist. Beim Fehlen der elektromagnetischen Strahlung verhindert die Sperrschicht 3 die chemische LJmsetzung zwischen der Schicht 4' und der Schicht 2. iNach dem iExpollLQrten wird die Unterlage 1 mit der Schicht 2, der Sperrschicht 3 und den Umsetzungsprodukten 9 aus dem gasförmigen Medium herausgenommen und eine solche anordnung der Schichten stellt bereits ein fertiges Relieferzeugnis dar. Erforderlichenfalls führt man eine weitere Bearbeitung dieses Erzeugnisses, beispielsweise durch die Entfernung der Umsetzungsprodukte 9 durch, wie dies in der Fig. 16 dargestellt ist. Die Sperrschicht kann nicht entfernt werden besonders in den Fällen, wenn man als diese einen Stoff verwendet, der gegen die Einwirkung deer Umwelt beständig ist (beispielsweise Cr, Au u. a. m.). Under the effect of the transparent areas 7 of the template 5 "entered electromagnetic radiation 8 enters the layer 4 of the in the gaseous Phase of the inorganic substance in chemical reaction with the metal layer 2 with the formation of reaction products 9, as shown in FIG. In the absence of electromagnetic radiation, the barrier layer 3 prevents the chemical decomposition between layer 4 'and layer 2. After the explosion becomes the base 1 with the layer 2, the barrier layer 3 and the reaction products 9 taken out of the gaseous medium and such an arrangement of the layers is already a finished relief certificate. If necessary, one carries one further processing of this product, for example by removing the Reaction products 9 through, as shown in FIG. The barrier cannot be removed especially in the Cases when one as this uses a substance that is resistant to the effects of the environment (e.g. Cr, Au, etc.).

Das Relieferzeugnis besitzt Vorsprünge 14 und Vertiefungen 1.The relief product has projections 14 and depressions 1.

In einem anderen Fall entfernt man zunächst die Umsetzungs produkte 9' (Fig. 17) nicht, sondern verwendet sie als Schutzmaske bei de Entfernung der Bereiche der Sperrschicht 3 und der Metallschicht 2 an den nicht bestrahlen Stellen 16, entfernt dann die Umsetzungsprodukte 9' und erhält ein in der jig. 18 da gestelltes fertiges Relieferzeugnis. In another case, the conversion products are first removed 9 '(Fig. 17) not, but uses it as a protective mask when removing the Areas of the barrier layer 3 and the metal layer 2 at the non-irradiated areas 16, then removes the reaction products 9 'and receives an in the jig. 18 put there finished relief product.

In einigen Fällen, wenn sich flüchtige Umsetzungsprodukte bilden, bildet sich das fertige Erzeugnis im Prozeß der Bestrahlung ohne zusätzliche Bearbeitung. In some cases, when volatile reaction products are formed, the finished product is formed in the irradiation process without additional processing.

Die Fig. 19 zeigt die Anordnung der Schichten eines gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindlichen Materials, in dem die Metallschicht 2 und die Sperrschicht 3 auf die Unterlage 1 aufgebracht sind und die Schicht 4" des anorganischen Stoffes in der flüssigen Phase vorliegt. Dieser Fall wird durch das Einbringen der Unterlage 1 mit der Metallschicht 2 und der Sperrschicht 3 in eine kanne 17, in der sich der geschmolzene anorganische Stoff befindet realisiert. Die flüssige Schicht 4" des anorganischen Stoffes wird auf die Sperrschicht 3 auch durch das Überziehen der Oberfläche der Sperrschicht mit einer dünnen Schicht des pulverförmigen anorganischen Stoffes (zum Beispiel mit dem Pulver von in einem Mörser fein gemahlenen Arsentriselenid uhd anschließendes Erhitzen der Unterlage 1 mit der Schicht 2, der Schicht 9 und der Schicht 4" auf den Schmelzpunkt des anorganischen Stoffes aufgebracht. Dabei schmilzt der anorganische Stoff und breitet sich über die Oberfläche der Sperrschicht 3 in dünner Schicht aus. 19 shows the arrangement of the layers one against the electromagnetic and corpuscular radiation sensitive material in which the metal layer 2 and the barrier layer 3 are applied to the base 1 and the layer 4 ″ of the inorganic Substance is in the liquid phase. This case is made possible by the introduction of the Base 1 with the metal layer 2 and the barrier layer 3 in a can 17 in where the molten inorganic substance is located. The liquid layer 4 "of the inorganic material is applied to the barrier layer 3 also by overlaying it the surface of the barrier layer with a thin layer of the powdery inorganic Substance (for example with the powder of arsenic triselenide finely ground in a mortar uhd subsequent heating of the base 1 with the layer 2, the Layer 9 and layer 4 ″ applied to the melting point of the inorganic substance. The inorganic substance melts and spreads over the surface of the barrier layer 3 in a thin layer.

Unter der Wirkung der durch die transparentBereiche 7 der Schablone 5" getretenen elektromagnetischen Strahlung 8 (Fig. 19) setzt sich die Schicht 4" des in der flüssigen Phase vorliegenden anorganischen Stoffes mit der Metallschicht 2 unter Bildung von Umsetzungsprodukten 9" um. Beim Fehlen der elektromagnetischen Strahlung verhindert die Sperrschicht 3 die chemische umsetzung zwischen der Schicht 4" und der Schicht 2. Nach dem Exponieren nimmt man die Unterlage 1 mit der Schicht 2, der Sperrschicht 3 und den Umsetzungsprodukten 9" (Fig. 20) aus dem flüssigen Medium heraus und wäscht mit einer Lösung, die die abgeschiedenen und in chemische Umsetzung mit der Metallschicht 2 nicht getretenen Teilchen des anorganischen Stoffes entfernt0 Auf diese weise erhält man ein fertiges Relieferzeugnis, das in der Fig. 20 dargestellt ist. Erforderlichenfalls entfernt man die Umsetzungsprodukte 9" und erhält ein Relieferzeugnis, das in der Fig. 21 dargestelLt ist. Under the effect of the transparent areas 7 of the stencil 5 "entered electromagnetic radiation 8 (Fig. 19), the layer 4" the inorganic substance present in the liquid phase with the metal layer 2 with the formation of reaction products 9 ". In the absence of the electromagnetic Radiation prevents the barrier layer 3 from chemical conversion between the layer 4 "and layer 2. After exposure, support 1 with the layer is taken 2, the barrier layer 3 and the reaction products 9 ″ (FIG. 20) from the liquid Medium out and washes with a solution that separates and turns into chemical Reaction with the metal layer 2 particles of the inorganic substance which have not been trodden on removed0 In this way, a finished relief product is obtained, which is shown in Fig. 20 is shown. If necessary, remove the reaction products 9 "and receives a relief product, which is shown in FIG.

Das erfindungsgemäße Vefahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener konfiguration macht es möglich, Relieferzeugnisse nicht nur aus den das gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindliche Material zusammensetzenden Schichten (das heißt aus der Metallschicht 2 oder der Schicht 4 des anorganischen Stoffes), sondern auch aus einer von der Schicht 2 und der Schicht 4 verschiedenen Unterschicht zu erhalten. Die Fig. 22-28 zeigen die Etappen der Herstellung von Relieferzeugnissen erfindungsgemäß aus der Unterschicht 18, die ihrerseits auf die Unterlage 1 aufgebracht ist. Hier verwendet man das gegen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindliche Material als Fotowiderstandsmaterial zur Bildung von Schutzmaske geforderter Konfiguration für das anschließende Ätzen der Unterschicht 18. The method according to the invention for the production of relief products The predefined configuration makes it possible to produce relief products not only from the the material sensitive to electromagnetic and corpuscular radiation composing layers (i.e. from the metal layer 2 or the layer 4 des inorganic substance), but also from one of the layer 2 and layer 4 to get different sub-layers. Figures 22-28 show the stages of the production of relief products according to the invention from the lower layer 18, which in turn is applied to the base 1. Here you use that against the electromagnetic and corpuscular radiation sensitive material as photoresist material for the formation of a protective mask of the required configuration for the subsequent etching the lower layer 18.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration sieht exElnduR;sesemäß ein stufenweise Aufbringen auf die Unterlage 1 (Fig. 22) der Unterschicht 18, der Metallschicht 2, der Sperrschicht 3 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes vor. Als Stoff der Unterschicht 18 kommen Metalle, besonders die gegenwärtig in der Mikroelektronik und in anderen Gebieten breit verwendeten Metalle (beispielsweise Chrom, Nickel, Titan, Aluminium und andere). Dielektrika, Halbleiter (Silizium, Germanium, Galliumarsenid), organische Filme u. a. m. in Frage. Die Unterschicht 18 kann auf die Unterlage 1 als Schicht aufgebracht werden, die kann aber selbst als Unterlage dienen, wenn sie fest genug ist. In dem letzteren Fall fehlt die Unterlage 1. Das aufbringen der Unterschicht 18 auf die Unterlage 1 erfolgt nach einer beliebigen bekannten Methode (Abscheidung im Vakuum, chemische Abscheidung, Aufschmolzen u. a. m.). Das Aufbringen der Schicht 2, der Sperrschicht 3 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes erfolgt nach denselben Methoden, die früher bei der Behandlung der Fig. 1 und der Fig. 2 erwähnt wurden. Zur Herstellung eines hochwertigen Erzeugnisses bringt man die Unterschicht 18, die Metallschicht 2, die Sperrschicht 3 und die Schicht 4 das anorganischen Stoffes im Vakuum auf. in einem anderen Fall bringt man die Unterschicht 18 und die Schicht 4 durch Abscheidung im Vakuum auf. In einen dritten Fall bringt man die Unterschicht 18 durch chemische Abscheidung, die Schicht 2 und die Schicht 4 durch abscheidung im Vakuum und die Sperrschicht 3 duch Eintauchen in eine den Stoff der Sperrschicht enthaltende Lösung auf. Es sind auch andere Kombination der Methoden zum Aufbringen der Schichten möglich. The method according to the invention for the production of relief products According to the given configuration, exElnduR; ses applies a step-by-step application the base 1 (Fig. 22) of the sub-layer 18, the metal layer 2, the barrier layer 3 and the layer 4 of the inorganic substance. As the fabric of the lower layer 18 come metals, especially those presently in microelectronics and others Areas of widely used metals (e.g. chromium, nickel, titanium, aluminum and other). Dielectrics, semiconductors (silicon, germanium, gallium arsenide), organic Films and others m. in question. The lower layer 18 can be applied to the base 1 as a layer can be applied, but it can serve as a base itself if it is firm enough is. In the latter case, the base 1 is missing. The application of the sub-layer 18 on the substrate 1 is carried out by any known method (deposition in vacuum, chemical deposition, melting, etc. m.). Applying the layer 2, the barrier layer 3 and the Layer 4 of the inorganic material takes place according to the same methods that were used earlier in the treatment of FIG. 1 and FIG Fig. 2 were mentioned. To produce a high quality product one brings the underlayer 18, the metal layer 2, the barrier layer 3 and the layer 4 das inorganic substance in a vacuum. in another case you bring the lower class 18 and layer 4 by vacuum deposition. Brings into a third case the sub-layer 18 by chemical deposition, the layer 2 and the layer 4 by deposition in a vacuum and the barrier layer 3 by immersion in a den Substance of the barrier layer containing solution. There are also other combinations of the Methods for applying the layers are possible.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Relieferzeugnissen vorgegebener Konfiguration sieht auch einen Fall vor, wo man auf die Unterschicht 18 zunächst die Schicht 4 des anorganischen ;;;toffes, dann die Sperrschicht 3 nach einem beliebigen bekannten Verfahren und erst danach die Metallschicht 2 aufbringt. The method according to the invention for the production of relief products The given configuration also provides a case where you click on the lower layer 18 first the layer 4 of the inorganic ;;; toffes, then the barrier layer 3 after any known method and only then applies the metal layer 2.

Als Stoff der Schicht 2, der Sperrschicht 3 und der Schicht 4 des anorganischen Stoffes verwendet man die oben bei der Behandlung der Fig. 1 und der Fig. 2 genannten Stoffe.As the fabric of the layer 2, the barrier layer 3 and the layer 4 of the inorganic substance is used as described above in the treatment of FIG. 1 and Fig. 2 mentioned substances.

Die Abbildung 23 zeigt die gleiche Anordnung der Schichten wie auch in der Fig. 22 und das Schema des Projizierens des Bildes, welches eine Schablone 5, die opake Bereiche 6 und transparente Bereiche 7 aufweist, und die elektromagnetische oder korpuskulare Strahlung 8 enthält. Das Bild auf den Schichten kann nach einem beliebigen bekannten Verfahren Kontaktdruck, konventionelles optisches System, nach dem holographischen Verfahren u. a. m.) er-£-ugt werden Unter dor Wirkung der durch die transparenten Bereiche 7 der Schablone 5 getretenen elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung 8 (Fig. 23) tritt die Schicht 4 des anorganischen Stoffes in chemische Umsetzung mit der Metallschicht 2 unter Bildung von Umsetzungsprodukten 9 (Fig. 24). Beim Fehlen der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung 8 verhindert die Sperrschicht 3 die chemische Umsetzung zwischen der Schicht 4 und der Schicht 2. Figure 23 shows the same arrangement of layers as well in Fig. 22 and the scheme of projecting the image which is a template 5, which has opaque areas 6 and transparent areas 7, and the electromagnetic or corpuscular radiation 8 contains. The image on the layers can look like a any known methods contact printing, conventional optical system, after the holographic Procedure i.a. m.) can be generated under the effect of the transparent Areas 7 of the template 5 passed electromagnetic and corpuscular radiation 8 (Fig. 23), the layer 4 of the inorganic substance undergoes chemical conversion with the metal layer 2 with the formation of reaction products 9 (FIG. 24). At the The barrier layer prevents the absence of electromagnetic and corpuscular radiation 8 3 the chemical conversion between layer 4 and layer 2.

Such dem Exponieren entfernt man die Schicht 4 des in chemische Umsetzung mit der Metallschicht 2 nicht getretenen anorganischen Stoffes und die Sperrschicht 3 an den mit der elektromagnetischen und korpuskularen Strahlung 8 nicht bestrahlten stellen (fig. 25).For the purpose of exposure, layer 4 of the chemical reaction is removed with the metal layer 2 not trodden inorganic substance and the barrier layer 3 to those not irradiated with the electromagnetic and corpuscular radiation 8 set (fig. 25).

Die Entfernung dieser Schichten erfolgt nach den bei der Beschreibung der Fig. 4, 5, 12, 13 genannten Methoden (chemisches Ätzen, mecanisch, thermisch usw.).These layers are removed as described in the description 4, 5, 12, 13 mentioned methods (chemical etching, mechanical, thermal etc.).

Wenn man zum Beispiel als Schicht 4 Arsentriselenid und als Sperrschicht 3 Arsentrisulfid verwendet, so führt man die Entfernung dieser beiden Schichten mit Hilfe einer 5 bis 10%igen wässerigen Lösung von Kaliumhydroxyd durch. For example, if you have arsenic triselenide as layer 4 and as a barrier layer If arsenic trisulfide is used, these two layers are removed with the help of a 5 to 10% aqueous solution of potassium hydroxide.

In der Fig. 26 tst; die Anordnung der Schichten nach der Entfernung der Metallschicht 2 und der Unterschicht 18 an den durch die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung 8 nicht bestrahlten Stellen dargestellt. Wenn die Unterschicht 18 aus Metall ausgefürt ist, so erfolgt die Entferung sowohl der Bereiche der Schicht 2 als auch der Bereiche der Unterschicht 18 mit Hilfo von Lösungen von Säuren, die Schwefel-, Salz-, Fluorwasserstoff-, Salpetersäure, Chrom-Säure-Gemisch n.a.m. wen belspleisweise die Underschicht 18 aus Chrom und die Schicht 2 aus Silber ausgefünrt ist, so entfernt man mit Hilfe einer 1%igen wässerigen Lösung von balpetersäure die Bereiche der Listallschicht 2 aus Silber und mit milfe einer 15%igen wässerigen Lösung von Salzsäure die Bereiche der Untershicht 18 aus Chrom. Die Umseuzungsprodukte 9 verwendet man in diesem Fall als, Schutzmaske beim Ätzen der Schicht 2 und der Unterschicht 18. In Fig. 26 tst; the arrangement of the layers after removal the metal layer 2 and the sub-layer 18 to the by the electromagnetic and corpuscular radiation 8 non-irradiated areas shown. When the underclass 18 made of metal is, both the Areas of the layer 2 as well as the areas of the lower layer 18 with the aid of solutions of acids, the sulfuric, hydrochloric, hydrofluoric, nitric acid, chromic acid mixture n.a.m. whom belspleisweise the underlayer 18 made of chromium and the layer 2 made of silver is carried out, it is removed with the help of a 1% aqueous solution of balpetric acid the areas of the Listall layer 2 made of silver and with a 15% aqueous Solution of hydrochloric acid, the areas of the lower layer 18 made of chromium. The conversion products 9 is used in this case as a protective mask when etching layer 2 and the Lower layer 18.

Nach der Lurohfrührung dieser Operation entternt man die Umsetzungsprodukte 9 und erhält eine in der Fig. 27 dargestellte Anordnung der schichten, entfernt dann die unter den Umsetzungsprodukten 9 befindlichen Bereiche der Schicht 2 und erhält ein in der Fig. 28 dargestelltes fertiges Relieferzeugnis. Die Entfernung der Umsetzungsprodukte # erfolgt durch chemisches Ätzen, mechanisch oder thermisch. Die Entfernung der metallschicht 2 erfolgt durch chemisches Ätzen oder nach einem anderen bekannten Verfahren. Wern man belspielsweise als Unterschicht 18 Chrom, als Schicht 2 Silber, als Sperrschicht 3 Germaniumdisulfid, als Schicht 4 Arsentriselenid verwendet, so nimmt man dis Entfernung der in chemische Umsetzung mit der Schicht 2 nicht getretenen Schicht 4 und der Bereiche der Sperrschicht 3 an den nicht bestrahlten Stellen mit hilfe einer 5 bis 10%igen wässerigen Lösung von Natriumhydroxid, die Entfernung der Bereiche der schicht 2 an den durch die Umsetzungsprodukte 9 nicht geschützen Stellen mit Hilfe einer 1%igen wässerigen Lösung von Salpetersäure vor. Die freigelegten Bereiche der Unterchicht 18 entfernt man mit Hilfe einer 15%igen wässerigen Lösung von Schwefelsäure, midt Hilfe von konzentrierter wässeriger Lösung von Ammoniumhydroxid entfernt man die Umsetzungsprodukte 9, mit Hilfe einer 1%igen wässerigen Lösung von Salpetersäure entfernt man die unter den Umsetzungsprodukten befindlichen Bereiche der Schicht 2 und erhält ein in der Fig. 28 dargestelltes Erzeugnis. Auf diese Weise wurden Fotoschablonen aus Uhrom, Nickel, Kupfer hergestellt. Das errindungsgemaße Verfahlen mach es möglich, optische Elemente wie Diffraktionsgitter, Polaristoren der elektromagnetischen Strahlung, meßmikroskalen und -netze, Elemente der mikroschaltungen typografische Elischees herzustelien. After this operation has been carried out, the reaction products are removed 9 and receives an arrangement of the layers shown in FIG. 27, removed then the areas of layer 2 and under the reaction products 9 receives a finished relief product shown in FIG. The distance the reaction products # takes place by chemical etching, mechanically or thermally. The metal layer 2 is removed by chemical etching or after a other known methods. If, for example, the lower layer is 18 chrome, as layer 2 silver, as barrier layer 3 germanium disulfide, as layer 4 arsenic triselenide is used, one takes the removal of the chemical reaction with the layer 2 not stepped layer 4 and the areas of the barrier layer 3 on the not irradiated Make with the help of a 5 to 10% aqueous solution of sodium hydroxide that distance the areas of the layer 2 to those caused by the reaction products 9 unprotected areas with the help of a 1% aqueous solution of nitric acid before. The exposed areas of the lower layer 18 are removed with the aid of a 15% strength aqueous solution of sulfuric acid, with the help of concentrated aqueous solution the reaction products 9 are removed from ammonium hydroxide with the aid of a 1% strength aqueous solution of nitric acid is removed from the reaction products located areas of the layer 2 and receives one shown in FIG Product. In this way photo stencils were made from watchom, nickel, copper. The errindungsgemaße process makes it possible to use optical elements such as diffraction gratings, Electromagnetic radiation polaristors, measuring microscales and networks, elements to produce typographical Elischees of the microcircuits.

Zum besseren Verständnis des wesens des vorgeschlagenen Verfahrens werden nachstehend konkrette Beispiele für seins Durchführung angeführt. To better understand the nature of the proposed method concrete examples of its implementation are given below.

Beispiel 1. Auf eine Onterlage 1 (Fig. 1), die eins planparallele isolierte Platte aus Glas mit Abmessungen 90 x 60 mm² und einer Dicke von 2 mm darstellt, brachte man im Vakuum (2.10-5 Torr) hintereinander eine 4000 # dicke Schicht 2 aus Silber, eine 60 # dicke Sperrschicht 3 aus Arsentrisulfid, eine 600 # dicke Schicht 4 des anorganischen Stoffes aus Arsentriselenid auf. Dann projizierte man auf das empfindliche Material ein Interferenzbild mit einer Raumfrequenz von 1200 Linien/mm, gebildet aurch zwei kohärente Lichtbundei von einem Helium-Neon-Laser ( # = 6328 #). Example 1. On a support 1 (Fig. 1), the one plane-parallel represents an insulated sheet of glass with dimensions 90 x 60 mm² and a thickness of 2 mm, a 4000 # thick layer 2 was applied in a vacuum (2.10-5 Torr) one after the other Silver, a 60 # thick barrier layer 3 of arsenic trisulfide, a 600 # thick layer 4 of the inorganic substance from arsenic triselenide. Then you projected onto that sensitive material an interference pattern with a spatial frequency of 1200 lines / mm, formed by two coherent bundle of light from a helium-neon laser (# = 6328 #).

in der Fig. 3 ist das bedingt als Strahlung; durch die Schablons 5 angedeutet, die opake Bereiche 6 und transparente Bereiche 7 aufweist. Bei einer Leistung der auf die Oberfläche des empfindlichen Materials einfallenden Laserstranlung von 3.10-4 W/cm² betrung die Expositionszeit, die für die Erzielung einer der maximalen Diffraktionswirksamkeit entsprechenden Schwärzung notwendig ist, 30 bis 40 Sekunden. Unter der wirkung der elektromagnetischen Strahlung 8 kam es zu chemischen Umsetzung der Schicht 3 und der Schicht 4 nut der Silberschicht 2 unter Bildung von Umsetzungsprodukten 9 (Fig. 4). Nach dem Exponieren tauchte man die Unterlage 1 mit den Schichten 2, 3 und 4 in eine 10%ige wässerige Lösung von Kaliumhydroxid ein, mit deren Hilfe die in chemische Umsetzung mit der Silberschicht 2 nicht getretene n Teile der Schicht 4 des Arsentriselenids und der Sperrschicht 3 des Arsentrisulfids entferent wurden (Fig. 5). Dann wusch man die Unterlage 1 mit den Schichten in destilliertem wasser und trocknete. Auf diese weise erhielt man ein Amplitude-Phasenhologramm, das ein auf der Reflexion arbeitendes Diffraktionsgitter darstellt.in Fig. 3 this is conditionally as radiation; through the templates 5 indicated, which has opaque areas 6 and transparent areas 7. At a Power of the laser radiation incident on the surface of the sensitive material of 3.10-4 W / cm² is the exposure time required to achieve one of the maximum Diffraction efficiency corresponding blackening is necessary, 30 to 40 seconds. Chemical conversion occurred under the effect of the electromagnetic radiation 8 the layer 3 and the layer 4 with the silver layer 2 with the formation of reaction products 9 (Fig. 4). After exposure, the base 1 was dipped with the layers 2, 3 and 4 in a 10% aqueous solution of potassium hydroxide, with the help of which the n parts of the layer that have not entered into chemical reaction with the silver layer 2 4 of the arsenic triselenide and the barrier layer 3 of the arsenic trisulfide were removed (Fig. 5). Then the base 1 with the layers was washed in distilled water and dried. In this way one obtained an amplitude phase hologram, the a represents diffraction grating working on reflection.

Erforderlichenfalls entfernte man mit lilife einer 10 g K2Cr2O7, 50 g H2SO4, 500 ml H2O enthaltenden Lösung die Silberschicht 2 an den durch die Umsetzungsprodukte 9 nicht geschützten Stellen (Fig. 6). Erforderlichenfalls entfernte man die Umsetzungsprodukte 9 mit einer 15%igen wässerigen Lösung von NH4OH. Durch diese Operationen erhielt man auf der Unterlage 1 ein Reliefbild, das aus Streifen der Silberschicht 2 besteht (Fig.7).Nach dem Überziehen des in der Fig. 7 dargestellten Bildes mit einer 2000 Å dicken Aluminiumschicht erhielt man ein reines Phasengitter, das hohe Stabilität aufweist. If necessary, 10 g of K2Cr2O7 were removed with lilife, 50 g H2SO4, 500 ml H2O containing solution the silver layer 2 to the through the Reaction products 9 unprotected places (Fig. 6). Removed if necessary the reaction products 9 with a 15% aqueous solution of NH4OH. By these operations resulted in a relief image on the base 1, the consists of strips of the silver layer 2 (Fig.7). After covering the in the 7 with a 2000 Å thick aluminum layer was obtained a pure phase grating that has high stability.

Beispiel 2. Auf eine 3 mm dicke Unterlage 1 (Fig. 1) aus Kunststoff mit Abmessungen 80 x 80 mm² brachte man im Vakuum (3.10-5 Torr) hintereinander eine 1500 Å dicke Silberchicht 2, eine 40 Å dicke Sperrschicht 3 aus Germaniumdisulfid und eine 700 Å dicke Schicht 4 aus Arsentriselenid auf. Mit Hilfe der Strahlung eines Helium-Neon-Lasers ( # = 6328Å ) führte man die Aufzeichnung eines holographischen. Bildes eine # Diffusions-Streuobjektes (Teilhalter) durch. In der Fig. 11 ist das bedingt als Bestrahlung durch die Schablone 5' dargestellt, welche anverschiedenen Stellen unterschiedliche Transparenz aufweist. Das Objekt beleuchte man mit einem mit Hilfe eines Kollimators (auf 70 mm) erweiterten parallelen Bündel der Laserstrahlung (Leistung um 6.10-4 W/cm²). Das von dem Objekt reflektierte Licht fiel auf die Anerdnung der Schichten ein. Auf dieselbe Anordnung der Schichten richtete man mit Hilfe von Q.iegeln ein Stützbündel, das von ener in das Hauptbündel unter einem Winkel von 45° eingebrachten Glasplatte reflektiert wurde. Auf dem gagen die elektromagnetische und korpuskulare Strahlung empfindlichen Material registrierte man ein von der Stützwelle und der von dem Objekt reflektierten Welle gebildetes Interferenzbild. Die Expositionszeit betrug 2 bis 3 Minuten. Unter der Wirkung der elektromagnetischen Strahlung 8 kam es zur chemischen Umsetzung der Schichten 3 und 4 mit der Silber schicht 2 unter Bildung von Umsetzungsprodukten 9 (Fig. 12). Da die Expositionszeit für die ganze Oberfläche konstant war, so ist die Dicke der Umsetzungsprodukte 9 der Intensität der einfallenden Strahlung proportional. Dann entfernte man mit Hilfe einer 10%igen wässerigen Lösung von Natriumhydroxid die in chemische Umsetzung mit der Silberschicht 2 nicht getretenen Teile der Schicht 4 des Arsentrisulfids und der prrschicht 3 des Germaniumdisulfids. Danach wurde die Probe in destilliertem Wasser gewaschen und getrocknet. Auf diese weise erhielt man ein Heliefbild, das ein Amplitude-Phasenhologramm des Objektes darstellt (Fig. 13). Es wurden hochwertige holographische Bilder der Objekte erhalten. Diese Bilder wurden sowohl mit Hilfe der Laserstrahlung als auch der Strahlung der Quecksilberdampflampen unter Anwendung von Filter reduziert. Example 2. On a 3 mm thick base 1 (Fig. 1) made of plastic with dimensions 80 x 80 mm² one brought one behind the other in a vacuum (3.10-5 Torr) 1500 Å thick silver layer 2, a 40 Å thick barrier layer 3 of germanium disulfide and a 700 Å thick layer 4 of arsenic triselenide. With the help of radiation a helium-neon laser (# = 6328Å) was used to record a holographic. Image a # diffusion scattering object (part holder) through. In Fig. 11 this is conditionally shown as irradiation through the template 5 ', which at different Make has different levels of transparency. You illuminate the object with one with the help of a collimator (to 70 mm) extended parallel beams of the laser radiation (Power around 6.10-4 W / cm²). The light reflected from the object fell on the ground of the layers. The same arrangement of the layers was established with the help of Q. seal a support bundle that passes from ener into the main bundle at an angle of 45 ° introduced glass plate was reflected. On the gagen the electromagnetic and corpuscular radiation-sensitive material was registered by the support shaft and the interference pattern formed by the reflected wave from the object. The exposure time was 2 to 3 minutes. Under the action of the electromagnetic radiation 8, layers 3 and 4 were chemically reacted with silver layer 2 with the formation of reaction products 9 (FIG. 12). Since the exposure time for the Whole surface was constant, the thickness of the reaction products 9 is the intensity proportional to the incident radiation. Then you removed with the help of a 10% aqueous solution of sodium hydroxide which in chemical reaction with the silver layer 2 parts of the layer 4 of arsenic trisulphide that have not been trodden on and of the preliminary layer 3 of germanium disulfide. The sample was then washed in distilled water and dried. In this way, a relief image was obtained, which is an amplitude phase hologram of the object (Fig. 13). There were high quality holographic images of the Obtain objects. These images were taken both with the help of laser radiation as well the radiation from mercury vapor lamps is reduced by using filters.

Beispiel 3. Auf eine Unterlage 1 (Fig. 1), die eine 2 mm dicke planparallele Platte aus geschmolzenem Quarz mit Abmessungen 50 x 50 mm² darstellt, brachte man im Vakuum (4.10-5 Torr) hintereinander eine 2000 Å dicke kupferschicht 2, eine 40 Å dicke Sperrschicht 3 aus Silber und eine 450 Å dicke Schicht 4 aus Arsentrisulfid auf. Dan projizierte man auf die Anordung der Schichten ein Interferenzbild mit einer Raumfreyuenz von 1800 Linien/mm, gebildet durch zwei kohärente Lichtbündel vom Argonlaser (#=4880 Å). In der Fig. 3 ist dies bedingt als Bestrahlung durch die Scha- -blone 5 dargestellt, die opake Bereiche 6 und transparente Bereiche 7 aufweist. Bei der Leistung der auf die Oberfläche der Schichten einfallenden Laserstrahlung von 2.10-3 W/cm² betrung die Expositionszeit, die zur Erzielung einer der maximalen Diffraktionswirksamkeit entsprechenden Schwärzung erforderlich ist, 2 bis 3 Minuten. Unter der wirkung der elektromagnetischen Strahlung 8 (Fig. 3) kam es zur chemischen Umsetzung der Schicht 4 mit den Schichten 3 und 2 unü'-er Bildung von Umsetungsprodukten 9 (Fig. 4). Example 3. On a base 1 (Fig. 1), which has a 2 mm thick plane-parallel A plate made of fused quartz with dimensions 50 x 50 mm² was brought in a vacuum (4.10-5 Torr) a 2000 Å thick copper layer 2, a 40 A thick barrier layer 3 of silver and a 450 Å thick layer 4 of arsenic trisulfide on. Then one projected an interference image onto the arrangement of the layers a spatial frequency of 1800 lines / mm, formed by two coherent light beams from the argon laser (# = 4880 Å). In FIG. 3, this is due to irradiation the stencil 5 shown, the opaque areas 6 and transparent areas 7th having. With the power of the laser radiation incident on the surface of the layers of 2.10-3 W / cm² is the exposure time required to achieve one of the maximum Diffraction efficiency corresponding blackening is required 2 to 3 minutes. Under the action of the electromagnetic radiation 8 (Fig. 3) it came to the chemical Implementation of layer 4 with layers 3 and 2 with the formation of reaction products 9 (Fig. 4).

Nach dem Exponieren entfernte man mit Hilfe einer 2%igen wässeriger Lösung von Kaliumhydroxid die in chemische Umsetzung mit den Schichten 3 und 2 nicht getretenen Teile der Schicht 4 des Arsentrisulfids. Dann entfernte man mit Hilfe winer 10 g K2Cr2O7, 50 g H2SO4, 500 ml H2O enthaltenden Lösung die Sperrchicht 3 aus Silber und die Kupferschicht 2 an den durch die Umsetzungsprodukte 9 nicht geschützten Stellen. Auf diese Weise erhielt man ein Reliefbild auf der Unterlage (Fig. 6), das ein Diffraktionsgitter darstellt. Erforderlichenfalls entfernte man die Unsetzungsprodukte mit Hilfe einer 25%igen wässerigen Lösung von NH4OH. Dann ershielt man auf der Unterlage 1 ein Reliefbild aus Kupfer.After exposure, it was removed using a 2% aqueous solution Solution of potassium hydroxide which does not react chemically with layers 3 and 2 trampled parts of layer 4 of arsenic trisulfide. Then you removed with help winer 10 g K2Cr2O7, 50 g H2SO4, 500 ml H2O containing solution the barrier layer 3 of silver and the copper layer 2 on the not protected by the reaction products 9 Place. In this way a relief image was obtained on the base (Fig. 6), which represents a diffraction grating. If necessary, the reaction products were removed using a 25% aqueous solution of NH4OH. Then you got on the pad 1 a relief image made of copper.

Beispiel 4. Auf eine. Unterlage 1 (Fig. 14), die eine 5 mm dicke planparallele polierte Platte aus geschmolzenem Quarz mit Abmessungen 60 x 60 mm² darstellet, brachte man im Vakuum (2.10-5 Torr) hintereinander eine 3000 Å dicke kupferschicht 2, eine 40 Å dicke Sperrschicht 3 aus Chrom auf. Dann brachte man die Unterlage 1 zusammen mit den Schichten 2 und 3 in ein Quarzgefäß ein, das mit einem bei einer Temperatur von 260 bis 270°C eun atmosphärischem Druck vorliegenden gasförmigen medium aus Arsentrisulfid gefüllt ist. Mit Hilfe eines fotographischen Vergrößerungsgeräte projizierte man auf das System der Schichten ein Bild der Schablone 5" (Fig. 14). Als Strahlunsgquelle verwendete man eine Hochdruck-Queksilberdampflampe (250 W). An den bestrahlten Stellen kam es zur chemischen Umsetzung des gasförmigen Mediums (der Schicht 4') mit der Schicht 2 unter Bildung vom Umsetzungsprodukten 9'. Die Sperrschicht 3 verhinderte die Spontane chemische Umsetzung der gasförmigen Schicht 4' mit der Schicht 2 an den mit der elektromagnetischen Strahlung nicht bestrahlten Stellen. Example 4. On a. Pad 1 (Fig. 14), which is a 5 mm thick plane-parallel polished plate made of fused quartz with dimensions 60 x 60 mm² represents, one brought a 3000 Å thick in a vacuum (2.10-5 Torr) one after the other copper layer 2, a 40 Å thick barrier layer 3 of chromium. Then one brought the base 1 together with the layers 2 and 3 in a quartz vessel, which is with one at a temperature of 260 to 270 ° C eun atmospheric Pressure present gaseous medium is filled from arsenic trisulfide. With help a photographic enlarger was projected onto the system of layers a picture of the template 5 "(Fig. 14). A high-pressure mercury vapor lamp was used as the radiation source (250 W). Chemical conversion of the gaseous occurred at the irradiated areas Medium (the layer 4 ') with the layer 2 with the formation of the reaction products 9 '. The barrier layer 3 prevented the spontaneous chemical conversion of the gaseous Layer 4 'with the layer 2 on the one with the electromagnetic radiation not irradiated areas.

Die Expositionszeit betrug 1,5 bis 2 Minuten. Danach wurde die Unterlage 1 mit den Schichten 2,3 und den Umsetzungsprodukten 9' aus dem Gefäß herausgenommen. Dann entfernte man mit Hilfe einer 25% igen wässerigen Lösung von NH3OH die Umsetzungsprodukte 9' und erhielt ein in der Fig. 16 dargestelltes Reliefbild. In einer etwas abgewandelten Variante entfernte man zunächst die Umsetzungsprodukte 9' nicht (Fig. 13? und sie dienten als Schutzmaske für das Ätzen der Teile der Sperrschicht 3 und der Schicht 2 an den durch elektromagnetische Strahlung nicht bestrahlten Stellen (Fig. 17).The exposure time was 1.5 to 2 minutes. After that, the underlay was 1 with the layers 2, 3 and the reaction products 9 'removed from the vessel. The reaction products were then removed with the aid of a 25% strength aqueous solution of NH3OH 9 'and received a relief image shown in FIG. In a slightly modified form In the variant, the reaction products 9 'were initially not removed (FIG. 13? And they served as a protective mask for etching the parts of the barrier layer 3 and the layer 2 at the points not irradiated by electromagnetic radiation (FIG. 17).

Die Entfernung der Teile der Sperrschicht 3 aus Chrom erfolgte in 15%iger wässeriger Lösung von Salzsäure und die Entfernung der Teile der Kupferschicht 2 mit einer 10 g K2Cr2O7, 50 g H2SO4, 500 ml H2O enthaltenden Lösung. Danach entfernte man auch die Umsetzungsprodukte 9' selber mit Hilfe des oben in diesem Beispiel genannten Ätzmittels. Auf diese Weise erhielt man ein in der Fig. 18 dargestelltes Relieferzeugnis.The removal of the parts of the barrier layer 3 made of chrome took place in 15% aqueous solution of hydrochloric acid and the removal of parts of the copper layer 2 with a solution containing 10 g K2Cr2O7, 50 g H2SO4, 500 ml H2O. Then removed one also the reaction products 9 'itself with the help of the above in this example called etchant. In this way, one shown in FIG. 18 was obtained illustrated Relief certificate.

Beispiel 5. Auf eine Unterlage 1 (Fig. 19), welche eine 3 mm dicke planparallels polierte Platte aus Glas mit bemessungen von 50 x 50 mm darstellt, brachte man im Vakuum (3#10-5 Torr) hintereinander eine 2500 Å dicke Silberschicht 2, eine 30 Å dicke Sperrschicht 3 aus Chrom auf. Dann brachte man die Unterlage 1 mit den Schichten 2 und 3 in ein Quarzbad 17 ein, ordnete sie horizontal und in der Weise an, daß die Schichten 3 und 2 oben zu liegen kommen. Die Oberfläche der Sperrschicht @ wurde mit einer dünnen Schicht des pulverförmigen Arsentriselenid überzogen. Danach erhitzte man (durch Erhitzung des Bades 17) die Unterlage 1 mit den Schichten 2 und 3 und dem Pulver auf den Schmelzpunkt des Arsentriselenide (360°C). Bei dieser Temperatur schmolz das Arsentriselenid und breitete sich in Form einer flüssigen Schicht 4" über die Oberfläche der Sperrschicht 3 aus. Dann projizierte man mit Hilfe eines fotographischen Vergrößerungsgerätes auf das System der Schichten ein Bild der Schablone 5" (Fig. 19). Als Strahlungsquelle verwendete man eine Hochdruck-Xenonlampe (5000 W). Example 5. On a base 1 (Fig. 19) which is 3 mm thick represents a plane-parallel polished plate made of glass with dimensions of 50 x 50 mm, a 2500 Å thick layer of silver was placed one after the other in a vacuum (3 # 10-5 Torr) 2, a 30 Å thick barrier layer 3 of chromium. Then you brought the document 1 with layers 2 and 3 in a quartz bath 17, arranged them horizontally and in the way that layers 3 and 2 come to lie on top. The surface of the Barrier layer @ was made with a thin layer of the powdered arsenic triselenide overdrawn. Thereafter, the substrate 1 was heated (by heating the bath 17) layers 2 and 3 and the powder to the melting point of the arsenic triselenide (360 ° C). At this temperature the arsenic triselenide melted and spread in the form of a liquid layer 4 "over the surface of the barrier layer 3. Then projected one on the system of layers with the help of a photographic enlarger an image of the template 5 "(FIG. 19). A high-pressure xenon lamp was used as the radiation source (5000 W).

An den bestrahlten Stellen kam es zur chemischen Umsetzung der flüssigen Schicht 4" mit der Schicht 2 unter Bildung von Umsetzungsprodukten 9" (Fig. 20). Die Sperrschicht 3 verhinderte die spontane chemische Umsetzung zwischen der flüssigen Schicht 4" und der Schicht 2 an den mit der elektromagnetischen Strahlung nicht bestrahlten Stellen. Die Expositionszeit betrug 20 bis O Sekunden.Chemical conversion of the liquid occurred at the irradiated areas Layer 4 ″ with layer 2 with the formation of reaction products 9 ″ (FIG. 20). The barrier layer 3 prevented the spontaneous chemical reaction between the liquid Layer 4 ″ and layer 2 on the one with the electromagnetic radiation not irradiated areas. The exposure time was 20 to 0 seconds.

Nach der Bestrahltwg wurde das System der Schichten aus dem Bad 17 herausgenommen. Mit Hilfe einer 25%igen wässerigen lösung von NH4OH entfernte man die Umsetzungsprodukte 9" und erhielt ein in der Fig. 21 dargestelltes Relieferzeugnis.After the irradiation, the system of layers from bath 17 taken out. The reaction products were removed with the aid of a 25% aqueous solution of NH4OH 9 "and received a relief product shown in FIG.

Beispiel 6. Auf eine Unterlage 1 (Fig. 1), die eine 1 mm dicke Folie aus Nickel darstellt, brachte man im Vakuum (1.10-5 Torr) eine 1500 Å dicke Schicht 2 aus einer Ag70Mn30-Legierung auf. Dann tauchte man die Unterlage 1 mit der Schicht 2 in eine 1%ige alkoholische Lösung von Kolophenium ein, nahm aus der Lösung heraus und trocknete, wobei sich eine dünne Sperrschicht 3 bildete. Dann brachte man im Vakuum (3.2ß10-5 Torr) eine 700 Å dicke Schicht 4 aus Chalkogenidglas As55Se55J10 auf. Auf das System der Schichten prodizierte man ein Interferenzbild (mit einer Raumfrequenz von 1600 Linien/mm), gebildet durch zwei kohärente Lichtbündel von einem Helium-Neon-Laser (# = 5328 Å=-Bei einer Leistung der auf der Oberfläche der Schicht 4 einfallenden Laserstrahlung von 3.10-4W/cm² betrug die Expositionszeit 3 bis 4 Minuten. Nach der Bestrahlung entfernte man mit Hilfe einer 5%igen wässerigen Lösung von Kaliumhydroxyd die in chemische Umsetzung mit der Schicht 2 nicht getretenen Teile der Schicht 4. Example 6. On a base 1 (Fig. 1), which is a 1 mm thick film is made of nickel, a 1500 Å thick layer was applied in vacuo (1.10-5 Torr) 2 made of an Ag70Mn30 alloy. Then one dipped the base 1 with the layer 2 in a 1% alcoholic solution of colophenium, took out of the solution and dried to form a thin barrier layer 3. Then you brought the Vacuum (3.2β10-5 Torr) a 700 Å thick layer 4 of chalcogenide glass As55Se55J10 on. An interference pattern (with a Spatial frequency of 1600 lines / mm), formed by two coherent bundles of light from a helium-neon laser (# = 5328 Å = -With a power of the on the surface of the Layer 4 incident laser radiation of 3.10-4W / cm² was the exposure time 3 to 4 minutes. After the irradiation, it was removed with the aid of a 5% aqueous solution Solution of potassium hydroxide which did not react chemically with layer 2 Parts of layer 4.

Auf diese Weise erhielt man ein Amplitude- Phasenhologramm, das ein Diffraktionsgitter darstellt.In this way, an amplitude phase hologram was obtained, which is a Represents diffraction grating.

Beispiel 7. Auf eine 4 mm dicke Kupferplatte mit Abmessungen 80 x 80 mm² brachte man im Vakuum (2.10-5 Torr) hintereinander eine 40 Å dicke Sperrschicht 3 aus SiO, eine 650 Å dicke Schicht von Germaniumdiselenid auf. Auf das System der Schichten projivierte man ein interferenzbild, gebildet analog zu Beispiel 6 durch Laserbündel. Die Expositionszeit betrug 5 bis 6 Minuten. Example 7. On a 4 mm thick copper plate with dimensions 80 x 80 mm² was applied in a vacuum (2.10-5 Torr) a 40 Å thick barrier layer 3 made of SiO, a 650 Å thick layer of germanium diselenide. On the system of Layers projected one an interference pattern, formed analog to Example 6 by laser beam. The exposure time was 5 to 6 minutes.

Nach der Bestrahlung entfernte man mit Hilfe einer 10%igen wässeringen Lösung von Kaliumhydroxid die in chemische Umsetzung mit dem Kupfer nicht getretenen Teile der Schicht des Germaniumdiselenids. Auf diese Weise erhielt man ein Amplitude- Phasenhologramm, das ein Diffraktionsgitter darstellt.After the irradiation, it was removed with the aid of a 10% aqueous ring Solution of potassium hydroxide which did not react chemically with the copper Parts of the layer of germanium diselenide. In this way one obtained an amplitude Phase hologram that represents a diffraction grating.

Beispiel 8. Auf eine Unterlage 1 (Fig. 22), die eine 4 mm dicke planparallele polierte Glasplatte mit Abmessungen von 70 x 70 mm2 darstellt, brachte man durch chemische Abscheidung eine 2000 Å dicke Unterschicht 28 aus Chrom auf. Dann brachte man in Vakuum (2.10-5 Torr) hintereinander eine 1200 Å dicke Silberschicht 2, eine 50 Å dicke Sperrschicht 3 aus Arsenpentasulfid und ene 500 Å dicke Schicht 4 aus Arsentriselenid auf. Example 8. On a base 1 (Fig. 22), which has a 4 mm thick plane-parallel A polished glass plate with dimensions of 70 x 70 mm2 was brought through chemical deposition applies a 2000 Å thick underlayer 28 of chromium. Then brought one in a vacuum (2.10-5 Torr) one behind the other a 1200 Å thick silver layer 2, a 50 Å thick barrier layer 3 made of arsenic pentasulfide and a 500 Å thick layer 4 Arsentriselenid on.

Dann nahm man Bestrahlung durch die Schablone 3 vor, wie dies in der Fig. 23 dargestellt its. Als Lichtquelle verwendete man eine Queksilberdampflampe (von 250 W Leistung), angeordnet in einem Abstand von den Schichten von 20 cm. Ule Expositionszeit betrug 10 bis 20 Sekunden. An den bestrahlten Stellen bildeten sich Umsetzungsprodukte 9 (Fig. 24). Dann entfernte man mit Hilfe eir 10%igen wässerigen lösung von Kaliumhydroxid die in chemische Umsetzung mit der Silberschicht 2 nicht getretenen Teile der Schicht 4 des Arsentriselenids und der Sperrschicht 3 aus Arsenpentasulfid (Fig. 25). Danach entfernte man mit Hilfe einer 1%igen wässerglen Lösung von Salpetersäure dei Teile der Silberschicht 2 an den durch die Umsetzungsprodukte 9 nicht geschützten Stellen und dann mit Hilfe einer 15%igen wässerigen Lösung von Salzsäure die Teile der Unterschicht 18 an denselben Stellen (Fig. 26). Auf diese Weise wurde eine Fotoschablone hergestellt, welche transparente und opake Bereiche aufweist.Irradiation was then carried out through the template 3, as shown in FIG Fig. 23 is shown. A mercury vapor lamp was used as the light source (of 250 W power), placed at a distance of 20 cm from the layers. Ule Exposure time was 10 to 20 seconds. Formed in the irradiated areas Reaction products 9 (Fig. 24). Then it was removed with the help of a 10% aqueous solution solution of potassium hydroxide which in chemical reaction with the silver layer 2 does not Stepped parts of the layer 4 of arsenic triselenide and the barrier layer 3 of arsenic pentasulfide (Fig. 25). It was then removed with the aid of a 1% strength aqueous solution of nitric acid the parts of the silver layer 2 to the by the conversion products 9 unprotected areas and then with the help of a 15% aqueous solution of Hydrochloric acid the parts of the sub-layer 18 in the same places (Fig. 26). To this A photo stencil was made, which has transparent and opaque areas having.

Erforderlichenfalls entfernte man mit Hilfe einer 30%igen wässrigen Lösung von Ammoniumhydroxid die Umsetzungsprodukte 9 (Fig. 27). Mit Hilfe einer 1%igen wässeringen Lösung von Salpetersäure entfernte man auch die erhaltengeblieben Teile der Silberschicht 2 und erhielt eine in der jig. 28 dargestellte sehr stabile Chromfotoschablone. If necessary, it was removed with the aid of a 30% strength aqueous solution Solution of ammonium hydroxide, the reaction products 9 (Fig. 27). With the help of a The 1% aqueous solution of nitric acid was also removed Parts of the silver layer 2 and received one in the jig. 28 shown very stable Chrome photo template.

Beispiel 9. Auf eine 2 mm dicke planparallele Platte aus Glas mit Abmessungen 40 x 40 mm² brachte man in Vakuum (3.10-5 Torr) eine 1500 Å dicke Goldschicht über eine das abschirmen des 174 Teils der Platte gesicherte Maske auf, dann wurde die Maske in das andere Ende der Unterlage verschoben und eine 3000 Å dicke Arsentriselenidschicht aufgebracht, die das freie Teil der Unter-Luge und das größte Teil der Goldschicht überzog. Weiterhin wurde das freie Teil des Goldes und ein Teil von Arsentriselenidschicht, die auf der Goldschicht untergebracht wurde, mittels der Maske überzogen, dann würde eine 200 Å dicke Aluminiumschicht, danach eine 250 Å dicke Silberschicht aufgebracht. Mit Hilfe der Silberpaste wurden da/die Silberschicht und an das freie Teil der Goldschicht Kontakte zur Zufuhr des elektrischen Feldes angeschlossen. Danach projizierte man auf das material das Bild der Schablons. Als Strahlungsquelle verwendete man einen Helium-Neon-Laser mit einer Strahlungsleistung von 40 mV. Beim Fehlen des elektrisches Feldes wies das Material eine niedrige Strahlungsempfindlichkeit auf, da bei keiner elektromagnetischen Strahlung die Aluminium Sperrschicht die chemische Umsetzung zwischen der Schicht von Arsentriselenid und der Schicht von Silber verhinderte und diese Umsetzung beim Vorliegen, der elektromagnetischen Strahlung abschwächte. Bei der Überlagerung des elektrischen Feldes an das Material stieg die Empfindlichkeit des Systems gegen die Strahlung des Helium-Neon-Lasers stark an, da sich der Einfluß der Sperrschicht dabei verminderte und das Bild der Schablone während einiger Sekunden aufgezeichnet wurde. Es sei bemerkt, daß die Steigerung der Empfindlichkeit des Materials nur in dem Falle nachgewiesen wurde, wo an die obere Elektrode (Aluminium-Silber) ein positives Potential angelegt wurde. Die Größe der den Elektroden von der Gleichstromquelle zugeführten Spannung betrug 8 bis 10 V. Wach dem Exponieren mit Hilfe en Lösung enthaltend 15 g K2Cr2O7, 60 g H2SO4 und 500 ml H2O, entfernte man die in chemische Umsetzung mit der Schicht des Arsentriselenids nicht getretene Silberschicht, dann mit Hilfe einer 5%igen KOH-Lösung entfernte man die an den durch Umsetzungsprodukte nicht geschützten Stellen Aluminiumschicht und ätzte bis zur Erzielung einer bestimmten Tiefe (je nach der Ätzdauer) die Schicht des Arsentriselenide. Auf diese Weise wurde ein Erzeugnis mit einem tiefen Relief erhalten. Example 9. On a 2 mm thick plane-parallel plate made of glass with Dimensions 40 x 40 mm², a 1500 Å thick layer of gold was placed in a vacuum (3.10-5 Torr) via a mask secured to shield the part of the plate, then was the mask moved to the other end of the pad and a 3000 Å thick arsenic triselenide layer applied, which is the free part of the Unter-Luge and most of the gold layer covered. Furthermore, the free part of the gold and part of the arsenic triselenide layer, which was placed on the gold layer, then coated by means of the mask a 200 Å thick aluminum layer, then a 250 Å thick silver layer is applied. With the help of the silver paste, the silver layer and the free part of the Gold layer contacts connected to supply the electrical field. Then projected one on the material the image of the stencil. As a radiation source a helium-neon laser with a radiation output of 40 mV was used. At the In the absence of an electric field, the material showed a low radiation sensitivity on, since the aluminum barrier layer does not die when there is no electromagnetic radiation chemical reaction between the layer of arsenic triselenide and the layer of Silver prevented this conversion in the presence of electromagnetic radiation weakened. When the electric field was superimposed on the material increased the sensitivity of the system to the radiation of the helium-neon laser is strong because the influence of the barrier layer and the image of the stencil were reduced was recorded for a few seconds. It should be noted that the increase the sensitivity of the material has only been demonstrated in the case where the upper electrode (aluminum-silver) a positive potential was applied. The size the voltage applied to the electrodes from the DC power supply was 8 to 10 V. Wake up to exposure with the aid of a solution containing 15 g of K2Cr2O7, 60 g of H2SO4 and 500 ml H2O, one removed the chemical reaction with the layer of the arsenic triselenide untrodden silver layer, then removed with the aid of a 5% KOH solution the aluminum layer at the points not protected by the reaction products and etched the layer to a certain depth (depending on the etching time) des Arsentriselenide. In this way, a product with a deep relief was created obtain.

Claims

Method for the production of relief products predetermined configuration using an anti-electromagnetic and corpuscular Radiation sensitive material by placing a metal layer on a base and a layer of an inorganic substance is applied to the metal layer, which can be chemically reacted with the metal layer to form reaction products is determined by the physical and chemical properties of the metal layer and the layer of the inorganic substance has various physical and chemical properties have an image of the predetermined configuration on the applied layers is projected, is exposed and excess areas of the layers up to Obtaining a relief certificate of the given configuration are removed, d a d u r c h e k e n n -z e i c h n e t that on the metal layer (2) before on this the layer (4) of the inorganic substance is applied, a barrier layer (3) one of the substance of the metal layer (2) and the layer (4) of the inorganic Substance different and opposite the metal layer (2) and the layer (4) of the inorganic substance in the absence of electromagnetic and corpuscular radiation (8) inert material is applied, the thickness of the barrier layer (3) to prevent a chemical reaction between the metal layer (2) and the layer (4) of the inorganic substance in the absence of electromagnetic and corpuscular radiation (8) is sufficient, however, such an implementation in electromagnetic and corpuscular Radiation (8) allows, and that when removing the excess areas of the layers the excess areas of the barrier layer (3) are also removed.

2. The method according to claim 1, characterized in that the barrier layer (3) by treating the surface of the metal layer (2) in a gaseous atmosphere Oxygen and / or fluorine, chlorine, bromine, iodine, sulfur, selenium and tellurium is applied.

3. The method according to claim 1, characterized in that the barrier layer (3) is applied by vacuum deposition.

4. The method according to claim 1, characterized in that the barrier layer (3) is applied by chemical deposition.

5. The method according to claim 1, characterized in that the barrier layer (3) applied by immersion in a solution containing the substance of the barrier layer (3) will,

6. The method according to claim 1, characterized in that the barrier layer (3) is applied by immersion in a chemically active liquid medium.

7. The method according to claim 1, characterized in that the barrier layer (3) is applied by pouring.

8. The method of claim 1, wherein after exposure with the Metal layer not chemically converted layer of the inorganic substance removed is, characterized in that the barrier layer (3) at the unexposed areas is removed after the layer (4) of the inorganic substance has been removed.

9. The method according to claim 8, characterized in that the excess areas of the barrier layer (3) are removed by chemical etching.

10. The method according to claim 8, characterized in that the excess Areas of the barrier layer (3) are mechanically removed.

11. The method according to claim 8, characterized in that the excess Areas of the barrier layer (3) can be removed thermally by heat sublimation.

12. The method according to claim 1, characterized in that during exposure an electric field is superimposed on the material.