DE1804794C3

DE1804794C3 - Process for the production of thin-film patterns with high resolving power on a carrier

Info

Publication number: DE1804794C3
Application number: DE19681804794
Authority: DE
Inventors: Auf Nichtnennung Antrag
Original assignee: NCR Corp
Current assignee: NCR Voyix Corp
Priority date: 1967-10-26
Filing date: 1968-10-24
Publication date: 1976-04-29

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von aus metallischem, dielektrischem oder halbleitendem Material bestehenden Dünnschichtmustern hohen Auflösungsvermögens, wie sie für die Herstellung von miniaturisierten und integrierten Schaltungen Verwendung finden können.The invention relates to a method for producing from metallic, dielectric or semiconducting Material existing thin-film patterns of high resolution, such as those used for the production of miniaturized and integrated circuits can be used.

Derartige Dünnschichtmuster wurden bisher durch Anwendung von Lichtdruckverfahren, ähnlich den Ätzverfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen, erzeugt. Da jedoch viel kleinere Muster mit erheblich größerem Auflösungsvermögen verlangt werden, waren diese Verfahren nicht immer zufriedenstellend und in jedem Falle mit großen Kosten verbunden.Such thin-film patterns have heretofore been made using collotype printing processes similar to those of Etching process for the production of printed circuits. However, since much smaller patterns with significantly higher resolution are required, these methods have not always been satisfactory and in in each case associated with great costs.

Ein verbessertes Verfahren wird in dem älteren Patent 15 71088 der Patentinhaberin vorgeschlagen. Dort werden an Stelle der heikömmlichen Abdeckmittel für die Ätzvorgänge beim Lichtdruckverfahren dünne Schichten aus Spiropyranverbindungen verwendet, um Muster hohen Auflösungsvermögens von dünnen Schichten verschiedener Stoffe zu erhalten.An improved method is suggested in the assignee's earlier patent 15 71088. There are in place of the traditional covering material thin layers of spiropyran compounds are used for the etching processes in the collotype process, to obtain patterns of high resolution from thin layers of different materials.

In der deutschen Patentschrift 6 62 741 wird ein Verfahren zur Herstellung von Strichplatten beschrieben, bei dem auf die Glasfläche eine Abdeckschicht •ufgebracht und in dieser die Zeichnung ausgespart wird. Auf die mit der ausgesparten Abdeckschicht versehene Glasfläche wird eine metallische Schicht ■ufgebracht, die nur an den ausgesparten Stellen am Glas haftet und sich im übrigen mit der Abdeckschicht ablöst. Nachteilig bei diesem Verfahren ist, daß die Konturenschärfe des hergestellten Strichmusters zu wünschen übrigläßt.In the German patent specification 6 62 741 a method for the production of reticules is described, in which a cover layer is applied to the glass surface and the drawing is left out in this will. A metallic layer is applied to the glass surface provided with the recessed cover layer ■ applied, which only adheres to the recessed areas on the glass and otherwise with the cover layer replaces. The disadvantage of this method is that the contour definition of the line pattern produced increases leaves something to be desired.

Zur Vermeidung dieses Nachteils wird in der deutschen Patentschrift 11 91 592 vorgeschlagen, zwei Abdeckschichten mit unterschiedlichen Lösungseigentchaften zu verwenden. Vor dem Aufbringen der leichenbildenden Schicht wird die der Trägeroberfläche unmittelbar benachbarte Abdeckschicht in unmittelbarer Umgebung der zeichenaufnehmenden Flächenschicht des Trägers so weit weggelöst, daß für die Bildung der Randbegrenzungen der Zeichen beim Aufbringen der zeichenbildenden Schicht allein die Ränder der darüberliegenden, nicht angegriffenen Abdeekächicht zur Wirkung kommen.To avoid this disadvantage, German patent 11 91 592 proposes two Cover layers with different solution properties to use. Before the corpse-forming layer is applied, that of the carrier surface immediately adjacent cover layer in the immediate vicinity of the surface layer that accepts the characters of the carrier so far removed that for the formation of the margins of the characters at Applying the character-forming layer only the edges of the overlying, not attacked Abdeekächicht come into effect.

Dieses bekannte Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß es sehr kostspielig ist, da eine Vielzahl vonHowever, this known method has the disadvantage that it is very expensive because a large number of

Verfahrensschritien nacheinander durchgeführt werdenProcedural steps are carried out one after the other

müssen.have to.

In der deutschen Auslegeschrift 12 27 366 im ein aus mehreren Schichten bestehender Prägestreifen be-S schrieben. Auf einem plastisch verformbaren Trüger befindet sich eine spröde Überzugsschicht, auf der ihrerseits ein Klebestreifen haftet. Durch den Prägevorgang wird an den verformten Stellen die Überzugsschicht zertrümmert. Durch Abziehen des Klcbestrei- In the German Auslegeschrift 12 27 366 im ein aus several layers of existing embossing strips described. On a plastically deformable support there is a brittle coating on which an adhesive strip adheres. Through the embossing process the coating layer is shattered at the deformed points. By pulling off the Klcbestrei-

fens können dann die zertrümmerten Teilchen der Überzugsschichl von dem Prägestreifen entfernt werden. Bei dieser bekannten Vorrichtung wurde der eigentliche Ablösevorgang der zu entfernenden Bereiche der Übei/ugsschicht bereits durch den beimThe shattered particles of the coating layer can then be removed from the embossing strip. In this known device, the actual stripping process of the areas to be removed was carried out the practice shift already through the at

Prägevorgang auftretenden Druck durchgeführt, d. h.. durch diesen Druck wurden die zu entfernenden Schichtbereiche bereits von den nicht zu entfernenden und von dem Träger abgelöst, so daß beim Hochziehen des Klebestreifens keine wesentlichen BindungskrafteEmbossing process occurring pressure carried out, d. H.. Due to this pressure, the layer areas to be removed were already separated from the areas that were not to be removed and detached from the carrier so that when the adhesive strip is pulled up, there are no substantial binding forces

zwischen den zerbrochenen Teilchen und der unbeschädigten Schicht bzw. dem Träger zu überwinden sind.between the broken particles and the undamaged layer or the carrier have to be overcome.

Eine völlig andere Situation liegt der vorliegenden Erfindung zugrunde. Auf der als Maske dienenden photochromen Schicht ist eine weitere kontinuierlicheThe present invention is based on a completely different situation. On the one that serves as a mask Photochromic layer is another continuous one

Schicht aus dem für die Bildung des endgültigen gewünschten Musters erforderlichen Materials vorgesehen. Aufgabe der Erfindung war es nun. diese kontinuierliche Schicht möglichst konturenscharf von den für das Muster erforderlichen Teüen abzutrennen und darüber hinaus die auf dem Träger haftende photochrome Schicht mit abzulösen. Die Erfindung beruht auf der Feststellung, daß ein aus metallischem, dielektrischem oder halbleitendem Material bestehendes Dünnschichtmuster hohen Auflösungsvermögens erzeugt werden kann, in dem die relativ größere Haftfähigkeit dieser Materialien an einem geeigneten Träger gegenüber der Haftfähigkeit photochrc.mer Spiropyranverbindungen ausgenutzt wird.Layer of material required to form the final desired pattern is provided. It was the task of the invention. this continuous layer as sharply defined as possible from to separate the part required for the pattern and also the part adhering to the support photochromic layer to be removed. The invention is based on the finding that a metallic, thin-film pattern consisting of dielectric or semiconducting material with high resolving power can be generated in which the relatively greater adhesiveness of these materials to a suitable Carrier against the adhesiveness of photochrc.mer spiropyran compounds is exploited.

Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zumThe invention thus relates to a method for

Erzeugen von Dünnschichtmustern hohen Auflösungsvermögens auf einem Träger, bei dem eine auf den Träger aufgebrachte amorphe Schicht photochromer Spiropyranverbindungen dem gewünschten Muster entsprechend mit UV-Licht belichtet wird und dieProduction of thin-film patterns of high resolution on a carrier, in which one on the Amorphous layer of photochromic spiropyran compounds applied to the carrier in the desired pattern is exposed accordingly with UV light and the

belichteten Bereiche der photochromen Schicht vomexposed areas of the photochromic layer from

Träger entfernt werden und der Träger mit einerCarrier are removed and the carrier with a

dünnen Schicht des für die Bildung des endgültigen Musters gewünschten Materials überzogen wird.a thin layer of the material desired to form the final pattern.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß auf diese Schicht ein druckempfindlicher Klebestreifen aufgebracht und wieder entfernt wird, wobei sich die auf dem photochromen Muster befindlichen Bereiche der dünnen Schicht mit dem Klebestreifen vom Träger ablösen.The invention is characterized in that a pressure-sensitive adhesive strip is applied to this layer is applied and removed again, the areas on the photochromic pattern being Remove the thin layer from the carrier with the adhesive strip.

Besonders bemerkenswert an dem erfindungsgemäßen Verfahren ist, daß durch einen einfachen unkritischen Verfahrensschritt, nämlich durch Aufbringen und Entfernen des druckempfindlichen Klebebandes, Dünnschichtmuster mit einem ebenso hohen Auflösungsvermögen erzielt werden können, wie bei Anwendung des wesentlich kritischeren Ätzverfahrens, das in der eingangs erwähnten Patentschrift beschrieben wird.What is particularly noteworthy about the process according to the invention is that a simple, non-critical Process step, namely by applying and removing the pressure-sensitive adhesive tape, thin-layer pattern can be achieved with a resolution that is just as high as when using the much more critical etching process, which is described in the patent mentioned at the beginning.

Das hier angewendete photochrome Material besteht aus einer organischen. Spiro-Kohlenstoff enthaltenden Verbindung bzw. aus einer Mischung von ähnlichen oder unterschiedlichen Verbindungen, die im amorphen festen Zustand beim Einwirken von UV-Licht ihre Molckularstruktur verändern. Diese Veränderung istThe photochromic material used here consists of an organic one. Containing spiro carbon Compound or from a mixture of similar or different compounds in the amorphous solid state change their molecular structure when exposed to UV light. This change is

durch Wärmeeinwirkung, ζ. Β. infolge der Umgebungstemperatur, wieder umkehrbar. Diese photochromen Stoffe können sowohl allein als auch in Kombination als sehr dünne kontinuierliche amorphe Schichten auf einem Träger abgelagert werden, z. B. aus einer Lösung des photochromen Stoffes in einem leicht verdampfbaren Lösungsmittel oder durch Aufdampfen des phoiochromen Stoffes auf den Träger. Da eine photochrome Beschichtung dieser An ohne optische Körr.igkeit hergestellt werden kann, kann darauf ein Bildmuster mit einem sehr hohen Auflösungsvermögen hergestellt werden, was wiederum die Erreichung eines photoqhromen Musters sehr hohen Auflösungsvermögens durch die in der eingangs genannten Patentschrift beschriebene spezielle Behandlung möglich macht.by exposure to heat, ζ. Β. due to the ambient temperature, reversible again. These photochromic substances can be used either alone or in combination very thin continuous amorphous layers are deposited on a support, e.g. B. from a solution of the photochromic substance in an easily evaporable solvent or by vapor deposition of the photochromic On the carrier. Since a photochromic coating of this type has no optical graininess can be produced, an image pattern having a very high resolution can be produced thereon will, in turn, be the achievement of a photoqhromen Pattern with very high resolving power due to that described in the patent mentioned at the beginning makes special treatment possible.

Claims

Claim:

Process for producing thin film patterns with high resolving power :; on a carrier, in which an amorphous layer of photochromic spiropyran compounds applied to the carrier is exposed to the desired pattern with UV light and the exposed areas the photochromic layer can be removed from the carrier and the carrier with a thin layer of the for the formation of the final pattern desired material is coated, characterized in that, that on this layer a pressure-sensitive adhesive strip is applied and removed again, the on the Photochromic pattern located areas of the thin layer with the adhesive strip from the carrier peel off.