DE2544907C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Lateraltransistor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Nach dem Stand der Technik sind bipolare Lateral- und Ver­ tikaltransistoren bekannt. Bei einem Lateraltransistor sind dabei im allgemeinen in einem als Basisbereich dienenden Substrat durch Diffusion von der Oberfläche her ein Emitter- und ein Kollektorbereich gebildet, die einen zum Substrat entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp haben. Auf der Ober­ fläche des Basis-, Emitter- und Kollektorbereichs sind je­ weils entsprechende Anschlußelektroden angebracht.

Bei einem Vertikaltransistor ist hingegen in einem als Kollektorbereich dienenden Halbleitersubstrat durch Diffu­ sion von der Oberfläche her ein Basisbereich gebildet, der einen zum Substrat entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp auf­ weist. In diesem Basisbereich ist durch Diffusion von der Oberfläche her ein Emitterbereich geformt, der einen zum Basisbereich entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp besitzt.

Auf den Oberflächen des Kollektor-, Emitter- und Basisbereichs sind jeweils Anschlußelektroden angebracht.

Gegenüber dem Vertikaltransistor hat der bipolare Lateral­ transistor den Vorteil, daß die Emitter- und Kollektorbereiche gleichzeitig in einem Diffusionsschritt in dem als Basisbereich dienenden Substrat gebildet werden können, so daß sich eine leichtere Herstellung ergibt, da beim Vertikaltransistor der Basis- und Emitterbereich nacheinander in getrennten Diffusions­ schritten in den Kollektorbereich eindiffundiert werden müssen.

Da überdies die Basis- und Emitterbereiche des Lateraltransistors einen einer Fotodiode entsprechenden Aufbau aufweisen, kann er neben den üblichen Funktionen als Verstärker oder Schaltelement auch noch die Funktion eines fotoelektrischen Wandlers ausüben. Durch Anordnung einer Vielzahl von bipolaren Lateraltransistoren auf einem gemeinsamen Substrat kann daher entweder ein umfang­ reicher logischer Schaltkreis hergestellt werden oder eine foto­ elektrische Wandleranordnung für eine Bildaufnahmeeinrichtung.

Nachteilig ist bei den herkömmlichen bipolaren Lateraltransistoren jedoch der Umstand, daß die im Betrieb aus dem Emitterbereich in den Basisbereich eindringenden Minoritätsladungsträger in unerwünschter Weise in andere Teile des Transistors als in den zwischen dem Emitter- und Kollektorbereich begrenzten Basisbe­ reich eindringen können und dadurch zerstreut werden. Diese Streuung führt dazu, daß bei mehreren nebeneinander angeordneten Lateraltransistoren eine gegenseitige Beeinflussung durch die Minoritätsladungsträger erfolgt. Wenn also eine logische Schal­ tung mit vielen nebeneinander angeordneten Lateraltransistoren oder eine fotoelektrische Wandleranordnung erzeugt werden sollen, ist es erforderlich, die einzelnen Lateraltransistoren voneinander elektrisch zu isolieren. Dadurch wird nicht nur die Zahl der Her­ stellungsschritte sondern auch die benötigte Gesamtfläche der Anordnung auf der Halbleiterscheibe vergrößert.

Eine Halbleiteranordnung mit einem Lateraltransistor ist aus der DE-OS 19 58 992 bekannt. Bei diesem Lateraltransistor ist ein erster Halbleiterbereich des gleichen Leitfähigkeitstyps wie des Basisbereichs, jedoch mit geringerem Widerstand an der Oberfläche des Basisbereichs zwischen dem Emitter- und Kollektorbereich angeordnet. Dieser erste Halbleiterbereich dient dazu, den von dem Emitterbereich in den Basisbereich injizierten Minoritätsladungsträgerstrom daran zu hindern, zur Oberfläche des Basisbereichs zu fließen. Dabei ist es allerdings nicht vermeidbar, daß sich die Mino­ ritätsladungsträger im Basisbereich an die Außenseite des Emitter- und Kollektorbereichs zerstreuen. Um diese Zerstreuung einzugrenzen, ist der Basisbereich von einem zweiten Halbleiter­ bereich umgeben, dessen Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt zum Basisbereich ist, so daß zwischen diesen Bereichen ein PN-Über­ gang gebildet ist. Bei der Herstellung eines integrierten Halb­ leiterbauelements mit einer Vielzahl von Lateraltransistoren ist es daher erforderlich, das der Basisbereich jedes einzelnen Transistors von einem der zweiten Halbleiterbereich umgeben ist, um den vorstehend erwähnten PN-Übergang zu bilden. Wegen dieses zweiten Halbleiterbereichs ist daher der Platzbedarf groß und es ist ein besonderer Diffusionsschritt erforderlich.

Aus der DE-OS 21 06 119 ist ein Lateraltransistor der eingangs genannten Art be­ kannt, bei dem im Basisbereich an der Oberfläche erste und zweite Halbleiterbereiche vorgesehen sind, die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Basisbereich besitzen, jedoch einen geringeren Widerstand. Diese beiden Bereiche sind jeweils außer­ halb des Emitter- und Kollektorbereichs angeordnet. Durch Anlegen einer Gleichspannung an den ersten und zweiten Halbleiterbereich kann ein vom Emitterbereich in den Basisbereich injizierter Mino­ ritätsladungsstrom in wirksamer Weise in den Kollektorbereich gelenkt werden. Der erste und zweite Halbleiterbereich sind je­ doch derart gestaltet, daß sie den Emitter- und Kollektorbereich nicht völig umgeben und dies wäre bei der beschriebenen Anordnung auch nicht möglich. Es ist daher unvermeidbar, daß sich der Minoritätsladungsträgerstrom bis an die Außenseite des Emitter- und Kollektorbereichs zerstreut, und zwar insbesondere in dieje­ nigen Bereiche hinein, die nicht von dem ersten und zweiten Halb­ leiterbereich bedeckt sind. Aus diesem Grunde ist bei der bekann­ ten Anordnung der Basisbereich von einem dritten Halbleiterbe­ reich umgeben, der vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist und dadurch einen PN-Übergang bildet. Es ergibt sich somit der gleiche Nachteil des großen Platzbedarfs auf der Halbleiter­ scheibe.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine Halbleiteranordnung mit einem Lateraltransistor der im Ober­ begriff des Anspruchs 1 genannten Gattung zu schaffen, bei der die Streuung der Minoritätsladungsträger im Basisbereich ver­ mindert ist.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im Anspruch 1 ge­ nannten Merkmale gelöst.

Durch diese erfindungsgemäße Ausgestaltung wird erreicht, daß die Minoritätsladungsträger im wesentlichen auf den Basisbereich zwischen dem Emitter- und dem Kollektorbereich konzentriert wer­ den, so daß eine Beeinflussung benachbarter Lateraltransistoren auf der gleichen Halbleiterscheibe vermieden wird. Darüber hinaus wird dadurch eine höhere Arbeitsgeschwindigkeit des Lateraltran­ sistors erzielt.

Die erfindungsgemäße Ausgestaltung bewirkt eine Beeinflussung des Ausbreitungswiderstandes in demjenigen Teil des ersten Halblei­ terbereichs, der zwischen dem vierten und fünften Halbleiterbe­ reich liegt, so daß das Potential des zwischen dem Emitter- und Kollektorbereich liegenden Basisbereichs geringer wird als das in anderen Teilen des ersten Halbleiterbereichs. Dadurch wird der Minoritätsladungsträgerstrom in diesem Bereich geringeren Potentials gebündelt und breitet sich nicht in andere Teile des ersten Halbleiterbereichs aus, so daß sichergestellt wird, daß bei einer Vielzahl von in dem ersten Halbleiterbereich nebenein­ ander angeordneten Lateraltransistoren keine gegenseitige Be­ einflussung erfolgt.

Eine besonders bevorzugte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung ist im Anspruch 2 angegeben.

Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise unter Bezug auf die Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 zeigt schematisch eine Draufsicht auf ein Ausführungsbei­ spiel einer Halbleiteranordnung gemäß vorliegender Erfindung.

Fig. 2 zeigt einen Schnitt entlang der Linie II-II′ der Fig. 1.

Fig. 3A bis 3D sind graphische Darstellungen charakteristischer Größen der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1 und 2.

Fig. 3E ist eine graphische Darstellung charakteristischer Größen eines anderen Ausführungsbeispieles einer Halbleiteranordnung die in Fig. 4 gezeigt ist.

Fig. 4 ist ein zur schematischen Dar­ stellung eines anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung.

Die Fig. 1 und 2 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel einer Halb­ leiteranordnung gemäß der Erfindung, die im ganzen mit M bezeich­ net ist. Die Halbleiteranordnung M hat einen ersten Halbleiter­ bereich Q 1, der z. B. aus einer N-leitenden Siliziumunterlage mit einem Widerstand von z. B. etwa 20 bis 500 Ohm cm besteht. Im Bereich Q 1 sind z. B. durch Diffusion von der Seite der oberen Oberfläche der Unterlage her P-leitende zweite und dritte Halb­ leiterbereiche Q 2 und Q 3 gebildet. In diesem Fall wird der Abstand D zwischen den inneren Seiten der Bereiche Q 2 und Q 3 z. B. zu weniger als etwa 10 µm gewählt. Ferner ist im Bereich Q 1 z. B. durch Diffusion von der Seite der oberen Oberfläche der Unterlage her ein N-leitender vierter Halbleiterbereich Q 4 gebildet, der sich zwischen den Bereichen Q 2 und Q 3 erstreckt. Der Widerstand des Bereiches Q 4 ist so gewählt, daß er niedriger als der des Bereiches Q 1 ist und z. B. etwa 5-10 Ohm/cm² Flächen­ widerstand beträgt. Dementsprechend ist der Bereich Q 4 mit N⁺ bezeichnet. Zusätzlich ist im Bereich Q 1 ein N-leitender fünfter Halbleiterbereich Q 5 z. B. durch Diffusion von der oberen Oberfläche der Unterlage her gebildet, um die Bereiche Q 2, Q 3 und Q 4 zu umschließen. In diesem Fall ist der Widerstand des Bereiches Q 5 so gewählt, daß er im wesentlichen gleich dem des Bereiches Q 4 ist, und die vom Bereich Q 5 eingenommene Fläche ist so gewählt, daß sie größer als die des Bereiches Q 4 ist. Die Bereiche Q 1 bis Q 5 sind mit einer Isolierschicht z. B. aus SiO₂ bedeckt, die Fenster O 1, O 2, O 3 und O 4 an den Stellen hat, die den Bereichen Q 2, Q 3, Q 4 und Q 5 entsprechen. Durch diese Fenster O 1, O 2, O 3 und O 4 hindurch sind in der angegebenen Ordnung erste, zweite, dritte und vierte Elektroden E 1, E 2, E 3 und E 4 auf die Bereiche Q 2, Q 3, Q 4 und Q 5 niedergeschlagen und bilden mit diesen einen ohm'schen Kontakt.

Die Bereiche Q 1, Q 2 und Q 3 bilden dem Basis-, dem Emitter- und dem Kollektorbereich eines Bipolar­ transistors in Lateralbauweise und die Elektroden E 1 und E 2 bilden die Emitter- und die Kollektorelektrode. Dem­ gemäß sind im nachfolgenden die Bereiche Q 1, Q 2 und Q 3 als Basis-, Emitter- und Kollektorbereiche bezeichnet, wie auch die Elektroden E 1 und E 2 im nachfolgenden als Emitter- und Kollek­ torelektroden bezeichnet sind. Andererseits ist aufgrund der Tatsache, daß die Elektrode E 4 mit dem N⁺-leitenden Bereich Q 5, der an den N-leitenden Bereich Q 1 anschließt, einen Ohm'schen Kontakt herstellt, ersichtlich, daß diese Elektrode E 4 der Basiselektrode des Bipolartransistors in Lateralquerbauweise entspricht. Demgemäß wird im nachfolgenden auch die Elektrode E 4 als Basiselektrode be­ zeichnet.

Da die Elektrode E 3 im Ohm'schen Kontakt mit dem N⁺- leitenden Bereich Q 4 steht, der an den N-leitenden Basisbereich Q 1 anschließt, wie es bei der Basiselektrode E 4 der Fall ist, ent­ spricht sie der Basiselektrode des herkömmlichen Bipolartransistors in Lateralbauweise. Hingegen ist die Fläche des Bereiches Q 4 mit dem die Elektrode E 3 in Ohm'schen Kontakt steht, in genügendem Ausmaß kleiner als die des N⁺-leitenden Bereichs Q 5, mit dem die Basis­ elektrode E 4 in Ohm'schen Kontakt steht, so daß in dem Fall, daß eine Gleichspannung zwischen den Elektroden E 4 und E 3 angelegt ist, um das Potential der ersteren höher als das der letzteren zu machen, ein zwischen den Bereichen Q 5 und Q 4 des Basisbereiches Q 1 herrschendes elektrisches Feld sich in dem Teil konzentriert, der unter dem Bereich Q 4 liegt. Als Folge hiervon kann man annehmen, daß ein dementsprechender Widerstand, der von dem unter dem Bereich Q 4 liegenden Teil in dreidimensionaler Weise ausgeht an die Elektroden E 4 und E 3 angeschlossen ist. Ein solcher Effekt soll als Verlaufswiderstandseffekt seitens des Bereiches Q 4 bezeichnet werden. Ferner hat der Teil des Bereiches Q 1, der unter dem Bereich Q 4 liegt, das niedrigste Potential im Bereich Q 1 und dieses Potential ist niedriger als das des Bereichs Q 4. Der Teil des Bereichs Q 1, der unter dem Bereich Q 4 liegt, wird nachfolgend als Kanal bezeichnet. Die Elektrode E 3 wird nachfolgend als Steuerelektrode bezeichnet, um sie von der Elektrode E 4 zu unterscheiden, die als Basiselektrode bezeichnet ist. Wenn man die beschriebene Halbleiteranordnung in den gleichen Betriebszustand setzt wie die des herkömmlichen Bipolartransistors in Lateralbauweise und zusätzlich eine Gleichspannung zwischen den Basis- und Steuerelektroden E 4 und E 3 anlegt, um das Potential der letzteren gegenüber dem der ersteren anzuheben, konzentrieren sich die vom Emitterbereich Q 2 zur Seite des Basisbereichs Q 1 eingedrungenen Minoritätsladungsträger im Kanal H in dem Basisbereich Q 1.

Entsprechend ist es bei der in den Fig. 1 und 2 beschriebenen Bauweise einer Halbleiteranordnung möglich, die gleiche Funktion wie die des herkömmlichen Bipolartransistors in Lateralbauweise allein in dem Bereich zu erzielen, der vom N⁺-leitenden Bereich Q 5 um­ geben ist.

Deshalb besteht selbst dann wenn eine Mehrzahl von den beschriebenen Lateraltransistoren auf einer gemeinsamen Halbleiter­ scheibe zusammengefaßt sind, keine Möglichkeit, daß irgend­ eine der Transistoren einen nennenswerten Einfluß auf die anderen hat. Wenn der Widerstand des Basisbereiches Q 1 relativ hoch gewählt wird und daher der Widerstand des Kanals H relativ hoch gewählt wird und daher der Widerstand des Kanals H kurz gewählt wird, erstreckt sich außerdem der Kanal H für die Minoritätsladungs­ träger im Basisbereich Q 1 bis in eine Verarmungsschicht des PN- Übergangs zwischen den Basis- und Kollektorbereichen Q 1 und Q 3 im Betriebszustand des Transistors. Als Folge hiervon werden die in den Kanal H eingedrungenen Minoritätsladungsträger von einem starken elektrischen Feld angetrieben. Dementsprechend können die dem herkömmlichen Bipolartransistor in Lateralbauweise ähnlichen Funktionen mit hoher Ausführungsgeschwindigkeit er­ zielt werden.

Fig. 3A zeigt charakteristische Kurven der in den Fig. 1 und 2 be­ schriebenen Halbleiteranordnung M , denen die Messung der Beziehung zwischen einem Strom I _E von der Emitterelektrode E 1 zum Emitterbereich Q 2 und einer Spannung V _EC der Emitterelektrode E 1 gegenüber der Spannung der Kollektorelek­ trode E 2 zugrunde liegt, wobei als Parameter ein Strom I _G von der Steuerelektrode E 3 zum Bereich Q 4 dient.

Man ersieht aus der Fig. 3A, daß dann, wenn man den Steuerstrom I _G als Basisstrom des herkömmlichen Bipolartransistors in Lateral­ bauweise betrachtet, wenn die Emitter- und Basiselektroden E 1 und E 4 als gemeinsame Elektrode benützt werden, wenn eine Last an die Kollektorelektrode E 2 über eine erforderliche Betriebsgleichs­ spannungsquelle angeschlossen ist und wenn an die Steuerelektrode E 3 eine Signalspannungsquelle über eine erforderliche Betriebs­ gleichvorspannungsquelle angeschlossen ist, die beschriebene Halbleiter­ anordnung M als Verstärker ähnlich wie ein PNP- Bipolartransistor arbeitet.

Fig. 3B zeigt das Meßergebnis der Beziehung zwischen dem Strom I _E in der Emitterelektrode E 1 und einer Spannung V _EC , wobei als Parameter eine Spannung V _GC der Steuerelektrode E 3 gegenüber der Spannung der Kollektorelektrode E 2 dient.

Es ist aus Fig. 3B ersichtlich, daß z. B. für den Fall, daß eine Betriebsvorspannung an die Basiselektrode E 4 und die Kollektor­ elektrode E 2 als gemeinsame Elektrode angeschlossen ist, wenn eine Last an die Emitterelektrode über eine weitere Betriebsvor­ spannung angeschlossen ist und wenn eine Schaltspannungsquelle an die Steuerelektrode E 3 gegebenenfalls über eine weitere Vor­ spannungsquelle angeschlossen ist, die beschriebene Halbeiteranordnung M als Schalter ähnlich wie ein herkömlicher Bipolartransistor in Lateralbauweise arbeitet.

Fig. 3C zeigt die gemessene Beziehung zwischen dem Strom I _G und der Spannung V _GC , wobei der Strom I _E als Parameter dient.

Es kann aus Fig. 3C z. B. auch ersehen werden, daß dann, wenn eine Betriebsvorspannungsquelle an die Basiselektrode E 4 und die Kollektorelektrode E 2 als gemeinsame Elektrode angeschlossen ist, wenn eine Last an die Steuerelektrode E 3 über eine weitere Be­ triebsvorspannungsquelle angeschlossen ist und wenn eine Signal­ spannungsquelle an die Emitterelektrode E 1 über eine weitere Betriebsvorspannungsquelle angeschlossen ist, die beschriebene Halbleiter­ anordnung M als Ver­ stärker arbeitet.

Für den Fall, daß die Kollektorspannung vorliegender Halbleiter­ anordnung gegenüber der Basisspannung hoch in negativer Richtung gewählt wird, erfolgt ein Durchbruch zwischen Emitter und Kollektor. Fig. 3D zeigt charakteristische Kurven der beschriebenen Halbleiteranordnung M, der die Messung der Beziehung zwischen dem Strom I _C von der Kollektor­ elektrode E 2 zum Bereich Q 3 einerseits und der Kollektor­ spannung V _CE gegenüber der Spannung der Emitterelektrode E 1 andererseits zugrundeliegt, wobei als Parameter eine Spannung V _GE dient, die die Spannung der Steuerelektrode E 3 gegenüber der Spannung der Emitterelektrode E 1 ist.

Aus Fig. 3D ist auch ersichtlich, daß z. B. dann, wenn eine Last an die Kollektorelektrode E 2 über eine erforderliche Betriebs­ vorspannungsquelle angeschlossen ist, wobei die Emitter- und die Basiselektrode als eine gemeinsame Elektrode benützt werden und wenn eine Signalspannungsquelle an die Steuerelektrode E 3 ange­ schlossen ist, die beschriebene Halbleiteranordnung M ähnlich wie ein herkömmlicher Bipolartransistor in Lateralbauweise im Durchbruchbetrieb arbeitet.

Es ist ferner offensichtlich, daß dann, wenn der Abstand D zwischen den Emitter- und Kollektorbereichen kurz ist, z. B. weniger als 1 µm beträgt, eine solche Durchbruchscharakteristik, wie sie in Fig. 3D gezeigt ist, selbst dann beobachtet werden kann, wenn die Kollektorspannung im Vergleich zur Basisspannung nicht so hoch in negativer Richtung ist.

Unter Bezugnahme auf Fig. 4 wird nun ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Teile, die denen der Fig. 1 und 2 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Eine ausführliche Beschreibung von diesen wird nicht mehr gegeben. Das gezeigte Ausführungsbeispiel ist gleich der Bauform des Ausführungsbeispieles nach den Fig. 1 und 2 mit der Ausnahme, daß die Elektrode E 2 weggelassen ist, daß ein N-leitender Bereich Q 6, der einen Widerstand hat, der niedriger als der des Bereiches Q 1 ist, in den Bereich Q 3 durch Diffusion von der Seite der oberen Oberfläche gebildet ist und daß eine Elektrode E 5 auf dem Bereich Q 6 zur Bildung eines Ohm'schen Kontaktes mit diesem aufgebracht ist.

Eine derartige Bauweise ist gleich der der Fig. 1 und 2 mit der Ausnahme, daß der Bereich Q 3 der Fig. 1 und 2, der dem Kollektor­ bereich eines Bipolartransistors entspricht, und die Elektrode E 2 des Bereiches Q 3 eine besondere Struktur aufweisen, die die Bereiche Q 3, Q 6 und die Elektrode E 5 umfaßt. Mit dieser Struktur können die gleichen Funktionen wie sie vorstehend in Ver­ bindung mit den Fig. 1 und 2 beschrieben wurden, erzielt werden. Da jedoch der Kollektorbereich die besondere Struktur aufweist, ist es dann, wenn die Halbleiteranordnung M gemäß Fig. 4 als Verstärkerelement benützt wird, möglich, einen hohen Verstärkungsgrad im Vergleich zu dem zu erhalten, der mit der Halbleiteranordnung M der Fig. 1 und 2 erhältlich ist.

Die Fig. 3E zeigt charakteristische Kurven der Halbleiteranordnung M der Fig. 4 die durch Messung der Beziehung eines Stromes I _C′ gegenüber einer Spannung V _CE′ erhalten wurden, wobei der Strom I _E als Parameter diente. In Fig. 3E ist die Spannung V _CE′ die Spannung der Elektrode E 5 gegenüber der Spannung der Emitter­ elektrode E 1 und der Strom I _C′ ist ein Strom, der von der Elektrode E 5 zum Bereich Q 6 fließt.

Aus dieser graphischen Darstellung ist auch ersichtlich, daß z. B. dann, wenn die Basiselektrode E 4 als gemeinsame Elektrode benützt wird, wenn eine Last an die Kollektorelektrode E 5 über eine Betriebsvorspannungsquelle angeschlossen ist, wenn eine weitere Betriebsvorspannungsquelle an die Steuerelektrode E 3 angeschlossen ist und wenn eine Signalspannungsquelle an die Emitterelektrode E 1 über eine weitere Betriebsvorspannungsquelle angeschlossen ist, die Halbleiteranordnung M der Fig. 4 sich wie ein Verstärker verhält, der einen hohen Verstärkungs­ grad im Vergleich zur Halbleiteranordnung M der Fig. 1 und 2 aufweist.

Claims (2)

1. Halbleiteranordnung (M) mit einem Lateraltransistor in einer Halbleiterscheibe mit einem ersten, als Basisbe­ reich dienenden Halbleiterbereich (Q 1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einem zweiten (Q 2) als Emitterbe­ reich und einem dritten (Q 3) als Kollektorbereich die­ nenden Halbleiterbereich (Q 2, Q 3) eines zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps an der Ober­ fläche des Basisbereichs (Q 1) und weiteren Halbleiter­ bereichen des ersten Leitfähigkeitstypes an der Oberfläche des Basisbereichs (Q 1) mit einem spezifischen Widerstand, der kleiner ist als der des Basisbereichs, und mit Kon­ taktelektroden (E 1, E 2) an der Oberfläche der Halbleiter­ scheibe an dem Emitterbereich (Q 2), an dem Kollektorbe­ reich (Q 3) und an den weiteren Halbleiterbereichen, bei dem mittels einer über Kontaktelektroden an zwei der wei­ teren Halbleiterbereiche des ersten Leitfähigkeitstyps an der Oberfläche des Basisbereichs (Q 1) mit einem spezi­ fischen Widerstand, der kleiner ist als der des Basisbe­ reichs, zusätzlich zu den über die Emitter- (E 1), die Kollektor- (E 2) und die Basiselektrode zugeführten Be­ triebsspannungen an den Basisbereich (Q 1) angelegten Gleichspannung in diesem ein elektrisches Feld erzeugt wird, das den von dem Emitterbereich (Q 2) in den Basis­ bereich (Q 1) injizierten Strom aus Minoritätsladungs­ trägern bündelt, dadurch gekennzeichnet, daß ein vierter Halbleiterbereich (Q 4) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einem spezifischen Widerstand, der kleiner ist als der des Basisbereichs, sich an der Oberfläche des Basisbereiches (Q 1) zwischen dem Emitter- (Q 2) und dem Kollektorbereich (Q 3) befindet, daß ein fünfter Halbleiterbereich (Q 5) des ersten Leitfähig­ keitstyps an der Oberfläche des Basisbereichs (Q 1) mit einem spezifischen Widerstand, der kleiner ist als der des Basisbereichs, und mit einem im Vergleich zum vier­ ten Halbleiterbereich (Q 4 ) großen Flächenausmaß das Gebiet mit dem Emitterbereich (Q 2) dem Kollektorbereich (Q 3) und dem vierten Halbleiterbereich (Q 4) seitlich umgibt, und daß die Gleichspannung zur Bündelung des injizierten Minoritätsladungsträgerstromes in dem Basis­ bereich zwischen der Kontaktelektrode (E 3) an dem vier­ ten Halbleiterbereich (Q 4) und der Kontaktelektrode (E 4) an dem fünften Halbleiterbereich (Q 5) anliegt.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß ein sechster Halbleiter­ bereich (Q 6) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einem kleineren spezifischen Widerstand als dem des ersten Halbleiterbereichs (Q 1) an der Oberfläche des dritten Halbleiterbereichs (Q 3) gebildet ist, und daß die als Kollektorelektrode dienende Kontaktelektrode (E 5) nicht auf der Oberfläche des Kollektorbereichs (Q 3) sondern auf der Oberfläche des sechsten Halbleiterbereichs (Q 6) angebracht ist.