DE2531722C2 - Stützfeld für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen - Google Patents

Stützfeld für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen

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DE2531722C2
DE2531722C2 DE2531722A DE2531722A DE2531722C2 DE 2531722 C2 DE2531722 C2 DE 2531722C2 DE 2531722 A DE2531722 A DE 2531722A DE 2531722 A DE2531722 A DE 2531722A DE 2531722 C2 DE2531722 C2 DE 2531722C2
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  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

h/l> Λ'//'mit/)'//'< 1.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die weichmagnetische Schicht (15) unmittelbar auf einem Substrat (17) aufliegt.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Domänenweiterleitungsbild (18) mit hierüber angebrachter Einzelwanddomänenschicht (10) unmittelbar auf einem Substrat (17) aufliegt.
4. Anordnung mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beziehung
4 <Λ//< 10
gilt.
5. Anordnung mindestens nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Beziehung
h'/l'< 0,5
gilt.
6. Anordnung mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei mit / nahezu gleichem /' die Dicke der Einzelwanddomänenschicht (10) etwa dem vierfachen Betrag der Dicke der weichmagnetischen Schicht (15) entspricht.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung wie sie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 beschrieben ist.
Schon seit geraumer Zeit befaßt sich die Fachwelt mit Datenverarbeitung unter Anwendung von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen. Hierzu ist es in der Regel erforderlich, daß zur Stabilisierung von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in der jeweils vorgesehenen Magnetschicht ein äußeres Stützfeld angelegt werden muß. Insbesondere dient ein solches externes magnetisches Stützfeld dazu, eine Linzelwanddomänenerzeugung in reproduzierbarer Weise sicherzustellen und darüber hinaus auch die Weitcrlpilnri' nnri dir
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len ist jedoch hinderlich für die Bemessung und die Konstruktion entsprechender Systemstrukturen, und führt darüber hinaus zu einem Bedarf nach einer entsprechenden Stromquelle für diese Feldspule, wobei für besondere Anwendungsfälle sogar Kühlmaßnahmen zum Kühlen dieser Feldspulen vorgesehen werden müssen.
Es sind nun bereits mehrere Vorschläge gemacht worden, die darauf abzielen, das Anlegen eines solchen
ίο äußeren Magnetfeldes unter Beibehalten einer zuverlässigen Betriebsweise zu vermeiden. Es sei hierzu auf die US-Patentschriften 35 29 303, 37 14 640 und 36 78 478 verwiesen, ebenso wie auf den Artikel »Internal Bias Effect of Double Layer Epitaxial Garnet Films« erschienen in »IEEE Transactions on Magnetics«, Bd. MAG-9, Nr. 3, September 1973, Seiten 381 ff. von Uchishiba u. a.
Die in der US-Patentschrift 35 29 303 vorgeschlagene Lösung des Problems erfordert eine permanent
magnetische Überzugsschicht, die den magnetischen Film zur Aufbewahrung der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen überdeckt. Hierbei ist jedoch nachteilig, daß der permanente Magnetismus der überdeckenden Schicht störend in den Betrieb zur Weiterleitung der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen eingreift und außerdem, daß die hierdurch bedingte magnetische Feldstärke bei weitem nicht ausreicht, magnetische zylindrische Einzelwanddomänen optimaler Abmessungen zu unterhalten. Für eine möglichst wirksame Anwendung ist es jedoch erforderlich und auch erstrebenswert, daß der Durchmesser der magnetischen zylindrischen Einzelwanddornänen so klein wie möglich gehalten wird. Wegen der engen Beziehung zwischen Materialeigenschaften und Filmdicke ist hierzu im allgemeinen jedoch eine relativ große Filmdicke erforderlich, wobei sich bei derartigen Filmdicken zur Aufrechterhaltung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen gezeigt hat, daß die permanent magnetische Schicht, wie oben erwähnt, nur eine völlig unzulängliche magnetische Feldstärke bereitzustellen vermag.
Die US-Patentschrift 36 78 478 beschreibt eine Anordnung, bei der eine Vielzahl aufeinanderliegender Schichten bestehend aus Materialien, in denen magnetisehe zylindrische Einzelwanddomänen aufrechterhalten und weitergeleitet werden können, vorgesehen ist. Dies erscheint jedoch völlig unangemessen, wenn lediglich eine einzige Einzelwanddomänenschicht erforderlich ist, und wobei dann eine Vielschichtstruktur lediglich zu Komplikationen bedingt durch hierbei erforderliche Zwischenverbindungen führen muß.
Im genannten Fachzeitschriftenartikel werden lediglich einige spezielle Materialzusammensetzungen genannt, für die sich herausgestellt hat, daß die interne Vormagnetisierung ausreichend sein kann, um hierin magnetische zylindrische Einzelwanddomänen aufrechtzuerhalten. Dieser Artikel kann jedoch nicht als Basis zur Verwendung von Materialien dienen, die nicht hierin genannt sind. Mit anderen Worten, es ist weder
fto eine Lehre für eine systematische Grundlage angegeben, noch sind Auswahlkriterien geeigneter Materialien ,ungeführt; darüber hinaus fehlen Angaben über n;ir;in ic/ für eine Selbstvormngnetisieninessmiknii ■iL /ur Aulrechierhylitin)! von niasMieiiM-licii /vlindii
'■'■ ■, inn j· iii/L'lwiiiiddomiinen dienen kjini.
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lindrischer Einzelwanddomänen in einer Einzelwanddomänenschicht geeignet ist und ferner für eine Vielzahl von Materialien vorgesehen sein kann, sowohl kristallin als auch amorph. Hierbei soll die interne Vormagnetisierung völlig ausreichend sein, Einzelv/anddomänen optimaler Abmessungen aufrechterhalten zu können.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe, wie im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegeben, gelöst.
Erfindungsgemäß wird auf einem geeigneten Substrat eine Vormagnetisierungsschicht niedergeschlagen. Die EinzelwaniWomänenschicht ist dabei vergleichbar den magnetischen Filmen, wie sie bisher zum Aufrechterhalten magnetischer zylindrischer Einzelvanddomänen dienen, wo hingegen die Vormagnetisierungsschicht uniaxialen magnetischen Materials die magnetischen Feldkräfte bereitstellt, die als Ersatz für das sonst erforderliche Magnetfeld zur Aufrechterhaltung stabiler, magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen optimaler Abmessungen dienen. Dicke und charakteristische Länge dieser Vormagnetisierungss.jhicht sind in entsprechender Relation zur Dicke und charakteristischen Länge der Einzelwanddomänenschicht gewählt, so daß das Verhältnis von Dicke und charakteristischer Länge der Vormagnetisierungsschicht geringer ist als das Verhältnis der Dicke und charakteristischen Länge der Einzelwanddomänenschicht. Die charakteristische Länge ist eine wesentliche Charakteristik des verwendeten Materials und ist definiert in der US-Patentschrift 35 08 221, woraus hervorgeht, daß die charakteristische Länge nicht mit der geometrischen Länge der Einzelwanddomänenschicht zu verwechseln ist, sondern in »Domänendurchmessern« ausgedrückt wird. Sie entspricht einem Wert, bei dem eine magnetische zylindrische Einzelwanddomäne im Ansprechen auf ein stetig ansteigendes Vormagnetisierungsfeld zusammenbricht. Der Zusammenbruchsdurchmesser einer magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne kann experimenteil ermittelt werden. Darüber hinaus ist speziell das Verhältnis von Dicke zu charakteristischer Länge in der Vormagnetisierungsschicht geringer als 1, wohingegen das Verhältnis der Dicke und charakteristischen Länge der Einzelwanddomänenschicht im Bereich zwischen 4 und 10 liegt. Vorzugsweise beträgt das Verhältnis der Dicke zu charakteristischer Länge der Vormagnetisierungsschicht <0,5.
Auf dieser Einzelwanddomänenschicht ist dann wie üblich ein geeignetes Domänenweiterleitungsbild angebracht.
Der Grund dafür, daß die Vormagnetisierung in den genannten US-Patentschriften 35 29 303 und 37 14 640 völlig unzureichend ist, um magnetische zylindrische Einzelwanddomänen optimaler Abmessungen in der Einzelwanddomänenschicht aufrechtzuerhalten, beruht auf der Tatsache, daß eine permanente Magnetschicht als magnetische Feldquelle herangezogen wird. Die hohe Koerzitivkraft des permanent magnetischen Filmes zwingt die Domänenschnittstelle dazu, in der Einzelwanddomänenschicht zu verbleiben.
Bei der Erfindung jedoch wird durch zweckmäßige Einstellung der Parameter die Vormagnetisierungsschicht im Einzeldomänenzustand unterhalten. Aufgrund der größeren charakteristischen Länge der Vormagnetisierungsschicht im Vergleich zu der der Einzelwanddomänenschicht verbleibt gemäß der Erfindung die Domänenschnittstelle in der Vormagnetisierungsschicht. Hierdurch bedingt führt die Austauschkopplung zur gleichen Wirkung wie ein von außen angelegtes Magnetfeld, und was noch wichtiger ist. sie gewahrleistet eine ausreichende Feldstärke, um stabile magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in der Einzelwanddomänenschicht unter optimalem Einzelwanddomänendurchmesser aufrechtzuerhalten.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird in einer Ausführungsbeispielsbeschreibung anhand der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert Es zeigt
Fig. 1 einen ausschnittsweisen Querschnitt einer perspektivischen Ansicht einer selbstvormagnetisierenden Domänenschichtstrukiur gemäß der Erfindung;
Fig. 2 einen ausschnittsweisen Querschnitt einer perspektivischen Ansicht einer Anordnung ähnlich wie in Fig. 1, jedoch in vergrößertem Maßstab, um die Stelle einer Domänenschnittstellenwandung hervorzuheben;
F i g. 3 eine graphische Darstellung, bei der die normalisierte Vormagnetisierung in Abhängigkeit von der normalisierten Domänenhöhe für den Stand der Technik aufgetragen ist;
Fig.4 eine graphische Darstellung, bei der die normalisierte Vormagnetisierung und das Verhältnis der charakteristischen Längen als Funktion der normalisierten Domänenhöhe für vorliegende Erfindung aufgetragen ist, und
Fig.5 eine graphische Darstellung, bei der der normalisierte Domänendurchmesser als Funktion normalisierter Domänenhöhe für vorliegende Erfindung aufgetragen ist.
Der in F i g. 1 gezeigte Ausschnitt einer sich selbst vormagnetisierenden Schicht ist Teil einer Einzelwanddomänenschicht, die in der Lage ist, magnetische zylindrische Einzelwanddomänen im Bereich optimaler Domänendurchmesser, in stabiler Weise aufrechtzuerhalten. Im einzelnen ist eine Schicht magnetischen Materials 10 zur Aufrechterhaltung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen unter Einwirkung eines geeigneten Magnetfeldes vorgesehen, wie es allgemein bekannt ist. Im einzelnen kann dabei die Schicht 10 aus uniaxialem kristallinen oder amorphen magnetischen Material bestehen. Diese magnetische Schicht 10, wird als Einzelwanddomänenschicht bezeichnet, da der bei weitem größte Teil einer jeweiligen magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne hierin enthalten ist. Es versteht sich aber, daß die Anwendung des Ausdrucks Einzelwanddomänenschicht kein Hinweis darauf sein kann, daß die Erfindung lediglich auf Informationsspeicherzwecke eingeschränkt ist. Vielmehr ist die Erfindung auf alle Vorrichtungen gerichtet, die sich auf Weiterleitung oder Abfühlung einzelner magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen beziehen.
Der Einzelwanddomänenschicht 10 ist eine Vormagnetisierungsschicht 15 unmittelbar überlagert und steht mit ihr in Austauschkopplung. Diese Schicht besteht ebenfalls aus uniaxialem magnetischen Material, das gemäß der Erfindung weich-magnetisch ist und dessen charakteristische Länge größer ist als die der Einzelwanddomänenschicht 10. Zur Vervollständigung der Schichtstruktur ist ein geeignetes Substrat 17 vorgesehen. Mit 18 sind geeignete Schichtauflagen in Form eines Weiterleitungsbildes für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in der Einzelwanddomänenschicht t>5 vorgesehen. Das spezielle Weiterleitungsbild ist weiter nicht gezeigt, da derartige Mittel einmal allgemein bekannt sind, und zum anderen in vielerlei Arten vorliegen. Alle diese Arten lassen sich in Verbindung mit
der Erfindung verwenden.
Im einzelnen geht aus der Anordnung nach Fig. 1 hervor, daß die Einzelwanddomanenschicht IO mit der Vormagnetisierungsschicht 15 längs der Ebene 14 in Berührung steht. Die Höhe bzw. Dicke h dieser > Einzelwanddomanenschicht ist dabei größer dargestellt als die Höhe bzw. Dicke h' der Vormagnetisierungsschicht 15. Auf der Vormagnetisierungsschicht ist die Einzelwanddomanenschicht 10 niedergeschlagen, deren Höhe h größer ist als die Höhe h'der Vormagnetisie- κι rungsschicht 15 und deren charakteristische Länge / kleiner ist als die der Vormagnetisierungsschicht 15. Im Anschluß an das Aufbringen der Einzelwanddomanenschicht 10, wird das Domänenweiterleitungsbild 18 hierauf angebracht entweder unmittelbar oder oberhalb einer noch dazwischenliegenden besonderen Isolierschicht. Es liegt innerhalb des Rahmens der Erfindung, die Reihenfolge des Niederschiagens der Schichten so umzukehren, daß das Domänenweiterleitungsbild 18 oberhalb des Substrats 17 aufgebracht wird, wobei dann die Einzelwanddomanenschicht 10 das Weiterleitungsbild 18 niedergeschlagen und zum Schluß die Vormagnetisierungsschicht 15 auf die Einzelwanddomanenschicht 10 aufgetragen wird. Die relative Lage des Weiterleitungsbildes 18 zur Vormagnetisierungsschicht 15 hängt natürlich von der jeweils gewählten Struktur bzw. Art des Weiterleitungsbildes für den jeweiligen Verwendungszweck ab. Ganz abgesehen davon, brauchte das Weiterleitungsbild 18 auch überhaupt nicht hierauf niedergeschlagen zu werden. Weiterleitungs- iti maßnahmen für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen sind zwar erforderlich, können aber auch außerhalb des Speicherchips angebracht sein.
Die Charakteristik einer nach dem Stand der Technik bekannten Struktur ist im Diagramm nach F i g. 3 dargestellt. Hierin ist das durch Schnittstellenwandung bereitgestellte äquivalente interne Vcrmagnetisierungsfeld in Abhängigkeit von der normalisierten Domänenhöhe aufgetragen. Die normalisierte Domänenhöhe stellt das Verhältnis von tatsächlicher Höhe (also der Dicke der Einzelwanddomanenschicht) und der charakteristischen Länge der Einzelwanddomanenschicht dar. Weiterhin ist der Mittelwert des erforderlichen externen Vormagnetisierungsfeldes als Funktion der normalisierten Domänenhöhe aufgetragen, um in stabiler Weise magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in der Einzelwanddomanenschicht aufrechtzuerhalten. Es läßt sich zeigen, daß die Struktur nach dem Stand der Technik ein internes Vormagnetisierungsfeld bereitstellt, das gleich oder größer ist als das erforderliche Vormagnetisierungsfeld für normalisierte Einzelwanddomänenhöhen. die kleiner oder gleich 2,8 sind. Wie sich unier Bezugnahme auf die graphische Darstellung nach F i g. 5 ergibt, gelten normalisierte Höhen von 2,8 für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen, deren Durchmesser größer als das Optimum ist Vom Standpunkt der Wirtschaftlichkeit und der Effizienz her betrachtet, sind jedoch Einzelwanddomänendurchmesser minimaler Abmessung anzustreben. Beim gegenwärtigen Stand der Technik «J liegen optimale Einzelwanddomänendurchmesser vor, wenn die normalisierte Höhe angenähert im Bereich zwischen 4 bis 10 liegt. Daraus läßt sich erkennen, daß die bekannte Anordnung lediglich angenähert 30% des erforderlichen Vormagnetisierungsfeldes zur Aufrechterhaltung von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen mit einem Durchmesser im optimalen Bereich bereitstellt. Daher sollte angestrebt werden, das über die Domänenwandung zugeführte effektive interne Vormagnetisierungsfeld zwecks besserer Wirkung der Austauschkopplung zu erhöhen.
Es hat sich nun gezeigt, daß eine Struktur, bei der die Schnittstellenwandung nicht in der Einzelwanddomanenschicht, sondern in der Vormagnetisierungsschicht liegt, eine erhöhte Vormagnetisierung aufgrund der Austauschkopplung bereitzustellen vermag. Um diesen Effekt herbeizuführen, wird eine Vormagnetisierungsschicht relativ weich-magnetischen Materials vorgesehen, d. h. eine deren charakteristische Länge größer als die der Einzelwanddomanenschicht ist. Jedoch ist es außerdem wesentlich, diese Vormagnetisierungsschicht im Einzeldomänenzustand zu halten. Um dies zu erreichen, muß die Vormagnetisierungsschicht hinreichend dünn sein, so daß keine größere Anzahl von magnetischen zylindrischen Eiiizelwanduoniäiieii in dieser Vormagnetisierungsschicht erzeugt werden kann.
Die graphische Darstellung nach Fig.4 zeigt das effektive interne Vormagnetisierungsfeld als Funktion der normalisierten Domänenhöhe. Weiterhin ist das Verhältnis der charakteristischen Längen in Abhängigkeit von der normalisierten Domänenhöhe aufgetragen, woraus die Bedingung der vollständigen Eliminierung des äußeren Vormagnetisierungsfeldes hervorgeht.
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung, bei der der normalisierte Domänendurchmesser mit Bezug auf die normalisierte Domänenhöhe aufgetragen ist. Hieraus ist leicht zu entnehmen, daß zur Erzielung relativ kleiner Einzelwanddomänendurchmesser eine normalisierte Höhe von angenähert wenigstens 4 angewendet werden muß, vorzugsweise aber der Bereich zwischen 4 und 10 ausgenutzt werden sollte. Wird nochmals auf die graphische Darstellung nach Fig. 3 zurückgegriffen, dann dürfte es offensichtlich sein, daß bei angestrebter normalisierter Domänenhöhe von angenähert 4, das interne äquivalente Vormagnetisierungsfeld ungeeignet ist, die erforderliche Vormagnetisierung bereitzustellen.
Fig. 1 zeigt außerdem andeutungsweise eine in der Einzelwanddomanenschicht 10 auftretende magnetische zylindrische Einzelwanddomäne 11. Bekanntlich stellt die magnetische zylindrische Einzelwanddomäne 11 einen Bereich dar, dessen Magnetisierung entgegengesetzt gerichtet ist zur Magnetisierung der sie umgebenden Einzelwanddomanenschicht 10. Die magnetische zylindrische Einzelwanddomäne 11 besitzt eine Domänenwandung, durch die die Abgrenzung der Domäne gegenüber der Einzelwanddomanenschicht 10 definiert ist. Entsprechend allgemein anerkannter Theorie ist die Magnetisierung über irgendeinem elementaren Materialbezirk gleichförmig. Demgemäß also ändert sich die Magnetisierung über der Domänenwaridui'ig kontirrüicriiCii von auiWsris gcriCiitctcr Magnetisierung, z. B. in der sie umgebenden Einzelwanddomanenschicht 10, zur abwärts gerichteten Magnetisierung innerhalb der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne 11. Die magnetische zylindrische Einzelwanddomäne 11 besitzt weiterhin Domänenwandungsbereiche, die parallel zur Längserstreckung der Einzelwanddomanenschicht 10 verlaufen, also wie in F i g. 1 dargestellt, horizontal. Der obere dieser Domänenwandungsbereiche wird definiert durch die obere Grenze der Einzelwanddomanenschicht 10, der untere dieser Domänenwandbereiche, nämlich Wandbereich 12. liegt, wie aus Fig. 1 hervorgeht, bereits innerhalb der Vormagnetisierungsschicht 15. Dieser Domänenwandbereich 12 liegt zwangsläufig in der Vormagnetisierungsschicht 15, und zwar aufgrund der größeren
charakteristischen Länge der Vormagnetisierungsschicht 15 im Vergleich zu der der Domänenspeicherschicht JO.
Im in Fig. 2 gezeigten vergrößerten Ausschnitt der Struktur läßt sich der Domänenwandbereich 12 in seiner Lage zur Schnittstelle 14 der Einzelwanddomänenschicht 10 und der Vormagnetisierungsschicht 15 erkennen.
Um das Ziel vorliegender Erfindung, nämlich einen optimalen Bereich für Domänendurchmesser zu erhalten, welcher bei normalisierter Domänenhöhe zwischen 4 bis 10 vorliegt, sollten die normalisierten Domänenhöhen größer als die normalisierte.· Höhe der Vormagnetisierungsschicht sein, die kleiner oder gleich I sein sollte. Bei einem Versuchsaufbau wird eine Vormagnetisierungsschicht, bestehend aus Gdo.i, Yi ? Ybo.7 Gao.« Fe4.cH5 Öi2, auf ein Substrat aufgewachsen, um anschließend eine Einzelwanddomänenschicht, bestehend aus Euot, Y24 Ga, Fe4 O|2, oberhalb dieser Vormagnetisierungsschicht niederzuschlagen. Die Höhe der Einzelwanddomänenschicht beträgt 4,36 μητ und die der Vormagneiisierungsschicht 1,03 μιτι. Die charakteristische Länge der Einzelwanddomänenschicht beträgt 0,5 μιτι und die charakteristische Länge der Vormagnetisierungsschicht 0,6 μίτι. Um die Wirkung der Vormagnetisierungsschicht auf das äußere Vormagnetisierungsfeld zu ermitteln, wird eine gleiche Einzelwanddomänenschicht ohne diese Vormagnetisierungsschicht auf ein entsprechendes Substrat aufgewachsen. Ein externes Magnetfeld mit einer Stärke von 4775 A/m ist erforderlich, wenn diese Einzelwanddomänenschicht allein vorliegt. Die Vormagnetisierungsschicht wie oben angegeben reduziert die Anforderung an ein äußeres Feld auf 3183 A/m, entsprechend einer Reduktion um '/',.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Zur Aufrechterhaltung von selbstvormagnetisierenden magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen dienende Schichtstruktur (Fig. 1), die die eigentliche Einzelwanddomänenschicht (10) mit einer die wesentlichen magnetischen Materialeigenschaften für einen vorgegebenen DomänendurcYimesser festlegende Größe darstellenden charakteriristische Länge /sowie mit der Dicke h und eine im unmittelbaren Anschluß hieran liegende, in Austauschwechselwirkung hiermit stehende weichmagnetische Schicht (15) enthält dadurch gekennzeichnet, daß bei der zwischen einem Domänenweiterleitungsbild (18) und der weichmagnetischen Schicht (15) mit einer einen Eindomänenzustand gewährleistenden, relativ geringen Dicke h' und charakteristischen Länge /' liegenden Einzelwanddomänenschicht (10) folgende Beziehung zwischen den Parametern erfüllt sein muß:
DE2531722A 1974-07-25 1975-07-16 Stützfeld für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen Expired DE2531722C2 (de)

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US05/491,918 US3968481A (en) 1974-07-25 1974-07-25 Method of, and apparatus for, establishing self-biased single wall domains

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DE2531722A1 DE2531722A1 (de) 1976-02-05
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