DE2508283B2

DE2508283B2 - Ueberlastungsschutzschaltung fuer transistor-leitungsverstaerker

Info

Publication number: DE2508283B2
Application number: DE19752508283
Authority: DE
Inventors: Dirk Ing.(grad.) 8560 Lauf; Lange Heinz Dipl.-Ing. 8501 Heroldsberg Baackmann
Original assignee: TEKA DE Feiten & Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH, 8500 Nürnberg
Priority date: 1975-02-26
Filing date: 1975-02-26
Publication date: 1977-05-18
Also published as: DE2508283A1

Description

Trägerfrequenz-Leitungsverstärker sind besonders bei längerer Leitungsführung durch Störströme und Störspannungen gefährdet, die von außen auf die Leitungen induziert werden, so daß die Bauelemente der Verstärker, besonders die Transistoren, beschädigt werden können. Dies erfordert einen Überlastungsschutz.

Als Schutzmaßnahmen werden unter anderem sogenannte Gasspannungsableiter und gegeneinander geschaltete Zenerdioden am Eingang und Ausgang des Verstärkers verwendet (vergleiche z.B. DT-AS 12 22 544, DT-AS 12 76 742 und DT-AS 15 37 599). Ein solcher Schutz ist ausreichend, wenn die notwendige spannung, die im ungestörten Betrieb an diesem Widerstand abfällt

Die Erfindung wird für ein AusführungsbeispieJ anhand der Figur näher beschrieben und erläutert:
Am Eingang Ki und Ausgang K2 des Leitungsverstärkers übernehmen die Spannungsableiter Gj bzw. Gl den Grobschutz. Durch die Kondensatoren Cl bis CA wird die Fernspeisegleichspannung vom hochfrequenten Signal getrennt Danach folgen als weiterer

ίο Schutz die gegeneinander geschalteten und über die Widerstände R\ bzw. R2 vorgespannten Zenerdioden Di und Dl bzw. D3 und D4. die Primär- und Sekundärwicklungen des Eingangsübertragers EU bzw. Ausgangsübertragers AU können nun wegen der

is Kondensatoren O brs C4 leitend einseitig miteinander verbunden werden. Die Koppelkondensatoren CS und CB bilden den Eingang bzw. Ausgang des eigentlichen Verstärkerteiles, der hier aus den drei Transistoren 71 bis 73, den Kollektorwiderständen R6 bis RS, dem Spannungsteiler aus den Widerständen A4 und Ä5, sowie einem zusätzlichen Emitterwiderstand Λ9 besteht.

Die Stabilisierung der Transistorstufen übernimmt der gemeinsame Emitterwiderstand A3; an ihm fällt im

ungestörten Betrieb die Stabilisierungsspannung US ab.

Als Versorgungsspannung dient derjenige Teil der

Fernspeisegleichspannung, der über der Zenerdiode D5 und dem dazu parallel geschalteten Kondensator CJ anliegt Die Abtrennung des Hochfrequenzsignals von der Gleichspannung erfolgt jeweils über einen Tiefpaß, der am Eingang K\ bzw. Ausgang Kl des Leitungsverstärkers liegt und aus einem Kondensator C5 bzw. CB und einer Spule LX bzw. L2 besteht.
Trotz der Spannungsableiter Gi und Gl werden im

galvanische Trennung von Verstärkermasse und Kabel- 35 Störungsfalle eine Reihe von Bauteilen unzulässig hoch

außenleiter über hochspannungsfeste Eingangs- und Ausgangstrennübertrager vorgenommen wird. Erfolgt diese Trennung jedoch über Hochspannungskondensatoren, so haben sich die oben erwähnten Maßnahmen

belastet Beim Auftreten eines Störstromstoßes über den Eingang Kl z. B. fließt der Hauptanteil IS des Störstromes über die Spule Ll, die Diode D5, den gemeinsamen Emitterwiderstand R3 und den Kondenals unzureichend erwiesen, insbesondere dann, wenn die 40 sator Q. Erst wenn die Störspannung so groß geworden einzelnen Transistorstufen durch einen gemeinsamen ist daß der Spannungsableiter Gi zündet, sinkt der Emitterwiderstand stabilisiert werdea Die Verwendung Störstrom entlang dieses Weges auf einen gefahrlosen von Hochspannungskondensatoren empfiehlt sich den- Bruchteil ab, der durch die Brennspannung des noch bei Systemen, die im Mega-Hertz-Bereich Spannungsabieiters GI und den Widerstand im arbeiten, weil dann keine schwierig herzustellenden 45 Stromweg bestimmt ist. Bis zum Zünden des Spanhochspannungsfesten Eingangs- und Ausgangsübertra- nungsableiters jedoch kann am gemeinsamen Emitterwiderstand R3 eine unzulässig große, der Betriebsspan

ger erforderlich sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zusätzliche Schutzmaßnahmen für Transistor-Leitungsverstärker zu finden, deren Masse durch Hochspannungskondensatoren vom Kabelinnenleiter getrennt ist und deren einzelne Transistorstufen durch einen gemeinsamen Emitterwiderstand stabilisiert sind.

Die Erfindung geht dabei von einem Stande der Technik gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 aus, der aus der DT-AS14 87 401 hervorgeht

Diese Aufgabe wird darauf aufbauend erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß parallel zum gemeinsamen Emitterwiderstand eine Zenerdiode geschaltet ist deren Zenerspannung wenig größer ist als die Stabilisierungs- 60 anliegt.

nung des Verstärkers sich überlagernde Spannung entstehen, die den Verstärker, insbesondere die Transistoren, gefährdet

Die Zenerdiode DS, die parallel zum gemeinsamen Emitterwiderstand A3 liegt, und so geschaltet ist, daß ihre Kathode an der Verstärkermasse liegt, begrenzt die Störspannung, die am Widerstand A3 anliegt, auf den ungefährlichen Wert der Durchlaßspannung der Diode. Im ungestörten Betrieb jedoch bleibt die Diode ungezündet, da sie so bemessen ist, daß ihre Zenerspannung wenig über der Spannung liegt, die in diesem Falle am gemeinsamen Emitterwiderstand /?3

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentanspruch:

Überlastungsschutzschaltung für Transistor-Leitungsverstärker der Trägerfrequenztechnik, bei denen die galvanische Trennung von Verstärkermasse und Kabelaußenleiter durch Hochspannungskondensatoren erfolgt und deren Arbeitspunktstabilisierung durch einen allen Transistorstufen gemeinsamen Emitterwiderstand erzeugt wird und deren Eingangs- und Ausgangsklemmen und Stromversorgungsanschlüsse durch Zenerdioden und Spannungsableiter geschützt sind, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zum gemeinsamen Emitterwiderstand (R3) eine Zenerdiods (D6) geschaltet ist, deren Zenerspannung wenig größer ist als die Stabilisierungsspannung, die im ungestörten Betrieb an diesem Widerstand abfällt.