DE2452684A1 - Vorrichtung und verfahren zum aufspruehen von zerstaeubten teilchen - Google Patents
Vorrichtung und verfahren zum aufspruehen von zerstaeubten teilchenInfo
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Description
NATIONAL EESEARGH DEVELOPMENT CORPORATION
London, England.
Vorrichtung und Verfahren zum Aufsprühen von zerstäubten Teilchen
Die Erfindung "betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Aufsprühen
von zerstäubten Teilchen bzw. vernebelten Teilchen und ins- _
besondere zur Herstellung einer Schicht oder eines Überzugs dieser
Teilchen auf einem Substrat.
Seit langem werden Materialien, wie Farben und Metalle, auf Oberflächen
für dekorative oder Schutzzwecke aufgesprüht. Bekanntlich wird dafür eine Zerstäubungsdüse verwendet, in welcher ein Strom
flüssigen Metalls durch die Wirkung von auftretenden Gasstrahlen zerstäubt wird. Der so gebildete Teilchenstrom wird dann auf ein Substrat
gerichtet. Gewöhnlich ist es erforderlich, das Substrat gleichförmig mit den zerstäubten Teilchen zu beschichten, was wegen der Teilchengrößenverteilung
am Sprühnebel jedoch bisher nicht erreicht werden konnte. Man hat vorgeschlagen, die Verteilung des Stroms von zerstäubten
Teilchen durch den Einsatz von Gasstrahlen oder von geeignet plazierten Oberflächen zu modifizieren, die in einem relativ
kleinen Winkel zu der Flugrichtung der Teilchen geneigt sind (GB-PS 1 262 471). Es wurde jedoch nicht
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angeregt oder überhaupt für möglich gehalten, eine gleichförmige Schicht von Metallteilchen auf einem Substrat mit
diesem Verfahren herzustellen.
Es wurde nun gefunden, daß man auf dem Substrat eine gleichförmigere
Verteilung der Teilchen erhält, wenn dem Strom von zerstäubten Teilchen eine Oszillation erteilt wird.
Erfindungsgemäß wird eine Vorrichtung zum Aufsprühen von zerstäubten Teilchen geschaffen, welche Einrichtungen zum
Erzeugen eines Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen, Einrichtungen zum Richten eines zweiten Gasstroms gegen den
Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen und Steuereinrichtungen für einen wiederholten zyklischen Betrieb aufweist, um
den zweiten Gasstrom in Betrieb derart zu ändern, daß der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt wird und
ihm dadurch eine Oszillation im wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilt wird.
Erfindungsgemäß wird auch ein Verfahren zum Aufsprühen von
zerstäubten Teilchen geschaffen, bei welchem ein Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen erzeugt und ein zweiter Gasstrom gegen den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen
derart gerichtet wird, daß der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt wird, so daß ihm eine Oszillation im wesentlichen
in einer einzigen Ebene erteilt wird.
Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum
Aufsprühen von zerstäubten Teilchen umfaßt Einrichtungen zum Erzeugen eines Stroms ,von mit Gas zerstäubten Teilchen,
Einrichtungen zum Richten einer Vielzahl von zweiten Gasströmen gegen den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen und
Strömungssteuereinrichtungen für einen wiederholten zyklischen Betrieb, um den Strom der zweiten Gaeströme derart zu
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ändern, daß in Betrieb der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt wird und ihm so eine Oszillation im
wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilt wird.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung hat die Vorrichtung
eine Zerstäuberdüse zur. Erzeugung eines Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen, sekundäre Düsen, die angrenzend an
die Zerstäuberdüse angeordnet sind, und Strömungssteuereinrichtungen für den wiederholten zyklischen Betrieb, um den
sekundären Düsen in einer Folge Druckgas zuzuführen, so daß in Betrieb die aus den sekundären- Düsen austretenden sekundären
Gasströme den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen ablenken und ihm so eine Schwingung im wesentlichen in einer
einzigen Ebene erteilen.
Der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen kann auf ein Substrat gerichtet werden, welches in einer Richtung bewegt
wird, die im wesentlichen rechtwinklig zu der Schwingungsebene bzw. Oszillationsebene des Teilchenstroms ist,
so daß auf der Oberfläche des Substrats eine gleichförmige
Schicht ausgebildet wird. Gewünschtenfalls kann die Erfindung
auch für die Herstellung einer Beschichtung eines Substrats mit einer nicht gleichförmigen Materialschicht
benutzt werden. Die Erfindung kann für jedes Material verwendet werden, das durch Gas so zerstäubt werden kann, daß
ein Strom von zerstäubten Teilchen gebildet wird· Die Erfindung wird speziell auf Verfahren, wie das Aufsprühen von
Farbe und Metall, angewendet. Die mit Gas zerstäubten Teilchen können entweder flüssig oder fest oder teilweise
flüssig und teilweise fest sein.
Die Erfindung ist in gleicher Weise für das Besprühen von
Oberflächen mit Farbe und anderen Materialien einsetzbar. Ohne daß dadurch eine Beschränkung vorgenommen wird, sind
die folgende Beschreibung und das nachstehende . Beispiel auf das Anwendungsgebiet des Aufsprühens von Metallen
gerichtet. 509820/0787
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird Metall im flüssigen oder geschmolzenen Zustand direkt durch
Gasströme in einer Zerstäuberdüse zerstäubt. Eine solche Düse kann beispielsweise einen Metallbeschickungsauslaß
aufweisen, der axial bezüglich einer ringförmigen Anordnung von Strahldüsen mündet, die so vorgesehen sind, daß ein Gasstrom
auf einen Strom von flüssigem oder geschmolzenem Metall gerichtet ist, der aus .dem Auslaß austritt. Das Metall
kann auch indirekt durch Zuführung von Pulver oder eines Drahtes in eine Wärmequelle zerstäubt werden, beispielsweise-
in eine Schweißbrennerflamme oder in einem Plasmalichtbogen, um den Schmelzzustand zu erzeugen.
Das für das Zerstäuben des flüssigen oder geschmolzenen Metalls verwendete Gas kann Luft oder irgendein anderes
geeignetes Gas sein. Obwohl Luft für manche Metalle geeignet ist, gibt es Fälle, in denen die durch Einsatz von Luft
verursachte Oxydation für die Eigenschaften der aufgesprühten Beschichtung nachteilig wäre. In diesen Fällen werden
Gase verwendet, die mit dem in Betracht gezogenen Metall nicht reagieren oder reduzierend wirken. Beispiele für
solche Gase sind Stickstoff für die Verwendung mit Aluminium, wobei Oxydeinschlüsse vermieden werden sollen, sowie aus dem
gleichen Grund Argon für Eisen-Nickel-Chrom-Legierungen.
Der an die Zerstäuberdüse angelegte Gasdruck kann im weiten Bereich variieren. So kann der (Über-) Druck an der Zer-
2 stäuberdüse von weniger als o,o7 kp/cm bis zum Mehrfachen
2
von Io kp/cm betragen und liegt vorzugsweise zwischen o,o35 kp/cm und 7o kp/cm (o,5 psi und looo psi), beispiels-
von Io kp/cm betragen und liegt vorzugsweise zwischen o,o35 kp/cm und 7o kp/cm (o,5 psi und looo psi), beispiels-
2
weise bei 7o kp/cm (loo psi).
weise bei 7o kp/cm (loo psi).
Das zum Ablenken des Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen benutzte Gas kann das gleiche Gas oder ein von dem
Zerstäubergas verschiedenes Gas sein. Je größer der Druck des zerstäubenden Gases ist, desto größer ist der Druck des
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für das Ablenken erforderlichen sekundären Gasstroms.
Gewöhnlich liegt der maximale Druck des sekundären Gasstroms
für eine gegebene Anordnung in der gleichen Größenordnung
■wie der Druck des Gases der Zerstäuberdüse.
Die GröBe, Anzahl und entsprechende Geometrie der sekundären
Düsen kann geändert werden. Obwohl eine sekundäre Düse benutzt werden kann, werden gewöhnlich zwei sekundäre Düsen
bevorzugt, von denen jeweils eine auf jeder Seite der Zerstäuberdüse
angeordnet wird. Bei einer speziellen Ausführungsform liegen eine Zerstäuberdüse und zwei sekundäre Düsen, die
auf jeder Seite der Zerstäuberdüse angeordnet sind, in einer Ebene, welche in Betrieb die Oszillationsebene des Teilchenstroras
ist. Gewöhnlich wird die Zerstäuberdüse über dem Sub-* strat positioniert, wobei die Oszillation in einer im wesentlichen
vertikalen Ebene erfolgt.
Der Winkel der Sekundärdüsen und somit der Winkel der
sekundären Gasströme zu dem Strom der mit Gas zerstäubten Teilchen hängt -vom den Verfahrensbedingungen ab, Der Winkel
sollte so eingestellt werden, daß die sekundären Gasströme
eine Bewegungskomponente haben, welche rechtwinklig und zu
der Ströroungsrichtung des nicht abgelenkten Stroms von zerstäubten
Teilchen hin verläuft. Beispielsweise können die sekundären Düsen so eingestellt werden, daß die sekundären
Gasströme eine Bewegungskomponente haben, die zu der Ströinungsrichtung
des nicht abgelenkten Teilchenstroms entgegengesetzt ist. Eine solche Anordnung ist dann günstig, wenn
die kinetische Energie des Teilchenstroms verringert werden
soll» Gewöhnlich haben jedoch die sekundären Gasströme eine Bewegungskomponente, die in der Strömungsrichtung des nicht
abgelenkten Teilchenstroms liegt* Die sekundären Düsen werden vorzugsweise in einem Winkel von 3o bis 60 zu der
StrÖBiungsrichtung des nicht abgelenkten Stroms von zerstäubten
Teilchen und in deren allgemeiner Richtung eingestellt, beispielsweise auf einen Winkel von 45 .
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Allgemein gilt, daß die dichteren Metalle einen größeren Betrag an Ablenkenergie als die weniger dichten Metalle
erfordern. Durch Anordnen des Winkels der sekundären. Düsen und der zeitlichen Abstimmung bzw. der Steuerung der Gasdruckimpulse
für diese Düsen ist es möglich, eine im wesentlichen gleichförmige Verteilung von Metallteilchen auf der
Oberfläche eines Substrats zu erhalten, das in der Bahn des Teilchenstroms angeordnet wird. Aus dem gleichen Grund ist
es möglich, eine Verteilung von Metallteilchen auf der Oberfläche eines Substrates zu erhalten, die nicht gleichförmig
ist und die durch geeignete Wahl des Winkels der Sekundärdüsen und der Steuerung der darauf ausgeübten Gasdruckimpulse
vorher eingestellt werden kann.
Als zweckmäßig hat sich die Varwendung von Reihen von
Bohrungen für die Sekundärdüsen erwiesen, da sie ihre Abmessungen über lange Zeiträume beibehalten. Es ist jedoch
auch möglich, für die sekundären Gasströme Schlitze zu verwenden. Dies hat den Vorteil, daß die Düsenöffnung auf einfache
Weise einstellbar gemacht werden kann*
Die Vorrichtung ist mit Steuereinrichtungen für den wiederholten
zyklischen Betrieb zum Andern des sekundären Gasstroms versehen. Vorzugsweise ist die Steuereinrichtung eine Strömungssteuereinrichtung
und umfaßt Einrichtungen zum Erzeugen von Änderungszyklen in der Zufuhr des sekundären Gasstroms.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform werden die Sekundärdüsen nacheinander mit Druckgas von der gleichen Quelle beschickt,
wobei durch die Erfindung nicht ausgeschlossen ist, daß auch verschiedene Gase oder verschiedene Drucke an jeder
Sekundärdüse benutzt werden können. Die Gaszufuhr zu den sekundären
Gasdüsen sollte so vorgesehen sein, daß dem Strom von zerstäubten Teilchen eine schnelle Oszillation erteilt
wird« Es kann auch erwünscht sein, daß der Aufbau und die Entspannung des Gasdrucks an den sekundären Düsen auf eine
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kontinuierlich zunehmende und abnehmende Weise erfolgt, d. h. nicht nur ein einfaches Ein- und Ausschalten des sekundären Gasstroms
ist-. ^n diesem Fall werden die Abmessungen der Vorrichtung,
beispielsweise die Länge und die Bohrung der Verrohrung zwischen der Gaszuführung und den Sekundärdüsen, unter Berücksichtigung
der Kompressibilität des Gases gewählt.
Bei einer speziellen Ausführungsform werden die sekundären Düsen mit einem Druckgas von einem Drehventil aus beschickt,
welches beispielsweise ein Ventil sein kann, das durch eine drehende Welle oder eine drehende Scheibe betätigt wird. Die
Drehzahl des Drehventils kann, wenn dies erforderlich ist, geändert werden. Wenn beispielsweise die Zerstäuberdüse über
einem sich bewegenden Substrat angeordnet ist, kann die Rotationsgeschwindigkeit
des Ventils und demzufolge die Oszillationsfrequenz des Teilchenstronis so geändert werden, daß sie
an.die Vorschubgeschwindigkeit des Substrats angepaßt ist. Bei jeder Halboszillation des Teilchenstroms wird eine Lage
von Metallteilchen auf dem Substrat abgelegt, auf der dann weitere Lagen bei darauffolgenden Oszillationen abgelegt
werden können. Gewöhnlich hat die fertige Beschichtung eine Stärke von wenigstens zwei Teilchenschichten, sie kann natürlich
auch beträchtlich größer sein. Geeignete Arbeitsgeschwindigkeiten für die Drehventile liegen zwischen 5o und
5ooo Upm, obwohl für die meisten Einsatzbedingungen Arbeitsgeschwindigkeiten zwischen loo und looo Upm zweckmäßig sind.
Entsprechend geeignete Vorschubgeschwindigkeiten für das Substrat liegen zwischen 1 und loo m/min, was von der erforderlichen
Stärke der abgeschiedenen Schicht abhängt. Obwohl ein Drehventil bevorzugt wird, ist es auch möglich,
andere Einrichtungen für das Zuführen und Umschalten der Gaszuführung zu den Sekundärdüsen unter Einsatz von eingestellten
pneumatischen Vorgängen zu benutzen".
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The sekundäre Gasstrom bzw. die sekundären Gasströme erteilen dem Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen eine
Oszillation, die im wesentlichen in einer einzigen Ebene liegt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung oszilliert
bzw. schwingt der Teilchenstrom um eine Mittellage, die der HauptStrömungsrichtung des nicht abgelenkten Teilchenstroms
entspricht. Erfindungsgemäß ist es möglich, von einer ortsfesten Zerstäuberdüse aus eine breite Lage
einer Abscheidung aufzusprühen. Wenn alternativ dazu
die Düse bewegt wird, beispielsweise beim Versprühen von Hand unter Verwendung einer Metalldrahtzuführung, kann eine
breite Abscheidung bei einem Minimum der Handbewegung erzielt werden.
Obwohl die Erfindung auf in der Hand zu haltende Sprühvorrichtungen
anwendbar ist, ist sie besonders für die Verwendung in einer Vorrichtung geeignet, welche eine stationäre
Zerstäuberdüse und Einrichtungen zum Bewegen eines Substrats relativ zu der Düse aufweist, so daß auf dem Substrat eine
Teilchenlage abgeschieden wird. Die abgeschiedene Lage von Metallteilchen kann auf dem Substrat verbleiben, beispielsweise als ein Korrosionsschutzüberzug. Die Lage kann auch
abgestreift und gerollt werden, beispielsweise bei der Herstellung von Metallfolien, Platten oder Spulen.
Die Erfindung eignet sich besonders für das Sprührollverfahren von Metallen gemäß der GB-PS 1 262 k7l. Wenn ein
breites Band mit einer aufgesprühten Abscheidung kontinuierlich
oder halbkontinuierlich beschichtet werden soll, können zwei oder mehr Zerstäuberdüsen nebeneinander mit einer geeigneten
Überlappung des Teilchenstroms oder alternativ in einer Aufeinanderfolge zueinander verwendet werden. Die Düsen
können so angeordnet werden, daß die Ströme von zerstäubten Teilchen im wesentlichen parallel und in Phase zueinander
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bleiben, beispielsweise durch Zuführen der sekundären Gasströme von drehenden Ventilen aus, die von der gleichen
Welle betätigt werden.
Anhand der beiliegenden Zeichnung, in welcher schematisch in einer Seitenansicht eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Vorrichtung gezeigt ist, sowie des folgenden Beispiels wird die Erfindung näher erläutert.
Die Vorrichtung hat einen Speicherbehälter 1 für geschmolzenes Metall mit einem Durchlaß 2 im Boden, der zu einer Zerstäuberkammer
3 führt. Der Durchlaß 2 endet in einer ersten Zerstäuberdüse
k mit Strahldüsen 5, die mit einer Stickstof f druckquelle verbunden sind. Die Strahldüsen 5
haben eine 11 mm (7/l6M) Durchmesser-Ringanordnung von zwölf
Löchern, von denen jedes einen Durchmesser von 1,5 mm (o,o6ol!)
und einen Scheitelwinkel von 2o bildet. Angrenzend an die Zerstäuberdüse sind sekundäre ablenkende Düsen 6 und 6a vorgesehen,
die mit einer Stickstoffdruckquelle über einen Rotationsventil 7 verbunden sind. Jede der sekundären ablenkenden
Düsen besteht aus einer Linie von zehn Löchern, von denen jedes einen Durchmesser von o,79 mm (o,o31n) hat,
Die Gesamtlänge der Reihe beträgt 15,9 nun (5/8"). Das Ventil hat eine ¥elle 8 mit einer Abflachung 9 an einer Oberflächenseite.
Die Welle ist in einem Zylinder Io drehbar, der eine Stickstoffeinlaßoffnung 11 und Auslaßöffnungen 12 und 13 hat.
Die Auslaßöffnungen sind über flexible Rohre lk mit den sekundären Düsen verbunden. Unter der Zerstäuberdüse ist
ein bewegliches Substrat 15 angeordnet. Die Zerstäuberkammer ist mit einer Auslaßöffnung l6 versehen.
In Betrieb strömt geschmolzenes Aluminium von dem Speicherbehälter
1 durch den Durchlaß 2 mit einem Durchmesser von 3 mm und wird durch den aus den Strahldüsen 5 austretenden
Stickstoff zerstäubt. Der Stickstoff wird den Strahldüsen mit einem Druck von 5,6 kp/cm (8o lbs/in ) zugeführt. Die
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-Io -
Welle 8 wird mit einer Drehzahl von 48o Upm gedreht. In
eine Ringkammer lla am hinteren Ende des Rotationsventils
7 wird über den Einlaß 11 Stickstoff mit einem Druck von 8.tk kp/cm^ (I2o lbs/in2) zugeführt. Wenn sich die Welle
dreht» ermöglicht der flache Abschnitt es dem Stickstoff, von der Ringkammer lla zuerst durch die Auslaßöffnung 12
und von da zu der in der Zeichnung links gezeigten sekundären Düse 6 zu strömen. Eine weitere Bewegung der Welle
unterbricht die Stickstoffzufuhr und somit den ablenkenden
Gasstrom. Eine weitere Bewegung der Welle ermöglicht es dem
Stickstoff, durch den Auslaß 13 und von da zu der in der Zeichnung rechts gezeigten ablenkenden Düse 6a zu strömen.
Der Gesamteffekt besteht darin, daß der Strom von zerstäubten Teilchen in einer vertikalen Ebene von Seite zu
Seite oszilliert.
Der oszillierende Sprühstrahl trifft schließlich auf die Oberfläche des Substrates auf, welches unter dem Sprühstrahl
in einem Abstand von 3o,5 cm (12") angeordnet ist. Die Breite
der Substratfläche, die von dem Sprühstrahl bedeckt wird, ergibt sich zu 4o,6 cm (l6"). Die Substratfläche wird senkrecht
zu der Ebene der ablenkenden Düsen mit einer Geschwindigkeit von 2o,3 cm/s (8"/s) bewegt, so daß bei jeder
Traversierung des oszillierenden Sprühstrahls sich die Oberfläche um etwa 2,5 cm (1") vorwärts bewegt. Auf diese
Weise wird eine gleichförmige Abscheidung von Aluminium auf der Oberfläche unter der Wirkung des die Oberfläche
bestreichenden Metallsprühstrahls erreicht.
Der Winkel der sekundären Düsen und die Steuerung der Gasdruckimpulse
können so vorgesehen werden, daß eine gleichförmige Verteilung auf der Substratoberfläche erreicht
wird. Die Größe der Abfalchung an der Welle und die Lage*·
der Auslaßöffnungen sind vorzugsweise so vorgesehen, daß man ein geeignetes Intervall zwischen dem Anlegen des Drucks
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an die linke Ablenkdüse und die rechte Ablenkdüse erhält. Bei der gezeigten Vorrichtung erstreckt sich die Abflachung
als Winkel von 97 zur Wellenmitte. Die Auslaßöffnungen liegen einander diametral gegenüber.
Die Verwendung eines Rotationsventils hat den Vorteil, daß ein allmählicher Aufbau und Abfall des Drucks an jeder Düse
nacheinander auftritt, da die Gasauslaßöffnungen allmählich bedeckt und freigegeben werden, wenn die Abflachung der
Welle daran vorbeigeht. An jeder sekundären Düse führt die allmähliche Zunahme des Gasdrucks zu einer allmählichen Erhöhung
der Ablenkung an dem Strahl von zerstäubten Teilchen,
bis der volle Druck in der sekundären Düse erreicht,wird.
In gleicher Weise nimmt der Druck allmählich ab und die Ablenkung wird geringer, wenn die Hinterkante der Abflachung
an der Welle an der zugeordneten Auslaßöffnung vorbeigeht. Die Auslaßöffnungen in der Vorrichtung sind kreisförmig. Es
können jedoch auch anders geformte Öffnungen vorgesehen werden. So können beispielsweise dreieckige Öffnungen verwendet
werden, um in bestimmten Fällen gleichförmige oder Sprühabscheidungen
mit speziellen Konturen zu erreichen. Bei der Vorrichtung ist auf jeder Seite des Stroms von zerstäubten
Teilchen nur eine sekundäre Düse eingesetzt, was normalerweise zufriedenstellende Ergebnisse ergibt. Es ist jedoch
möglich, zwei oder mehr sekundäre Düsen auf jeder Seite zu verwenden, die beispielsweise mit unterschiedlichen Winkeln
zu dem Strom von zerstäubten Metallteilchen, jedoch in der gleichen Ebene gerichtet sind und unabhängig mit Gas versorgt
werden.
Erfindungsgemäß kann eine gute Steuerung hinsichtlich der
Verteilung der abgeschiedenen Schicht von Metall während des Betriebs ausgeübt werden. Beispielsweise können die Gasdrucke,
die an den sekundären Düsen angelegt werden, bezüglich des Gasdrucks, der an der Hauptzerstäubungsdüse anliegt, von
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außerhalb der Zerstäubungskammer gesteuert werden. Die Drehzahl
des Rotationsventils kann ebenfalls geändert werden, wenn dies erforderlich ist. In gleicher Weise ist es möglich,
für eine Änderung der Anordnung des Winkels oder der Lage
der Sekundärdüsen nach Belieben während des Betriebs zu
sorgen. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß infolge des Überstreichens gemäß· der Erfindung die flüssigen Metallteilchen auf der Substratoberfläche sehr schnell abkühlen können, da die zuerst abgeschiedene Lage von Teilchen bis in die Nähe der Substrattemperatur abgekühlt ist, ehe der das Substrat bestreichende Strom zurückkehrt oder auf eine weitere Lage auf der ersten Lage abgeschieden wird.
sorgen. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß infolge des Überstreichens gemäß· der Erfindung die flüssigen Metallteilchen auf der Substratoberfläche sehr schnell abkühlen können, da die zuerst abgeschiedene Lage von Teilchen bis in die Nähe der Substrattemperatur abgekühlt ist, ehe der das Substrat bestreichende Strom zurückkehrt oder auf eine weitere Lage auf der ersten Lage abgeschieden wird.
Bei dem vorstehenden Beispiel kann die Aluminiumschicht auf dem Substrat abgestriffen und anschließend aufgerollt werden,
so daß man eine Aluminiumfolie erha.1t. Sie kann auch
als Schutzüberzug auf dem Substrat entweder wie abgeschieden oder im aufgerollten Zustand, beispielsweise bei der Herstellung
von mit Aluminium beschichtetem Weichstahl,
verbleiben.
verbleiben.
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Claims (1)
- ι PATENTANSPRÜCHE/1.j Vorrichtung zum Aufsprühen von zerstäubten Teilchen, gekennzeichnet durch Einrichtungen (2, 5) zum Erzeugen eines Stroms von mit Gas' verstäubten Teilchen, durch Einrichtungen (6, 6a) zum Ausrichten eines sekundären Gasstroms gegen den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen und durch Steuereinrichtungen (7) für einen wiederholten zyklischen Vorgang zum Ändern des sekundären Gasstroms derart, daß in Betrieb der Strom der mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt, und diesem Strom eine Oszillation im wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilt wird.2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Einrichtungen (2, 5) zum Erzeugen eines Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen, durch Einrichtungen (6, 6a) zum Ausrichten einer Vielzahl von sekundären Gasströmen gegen den Strom der mit Gas zerstäubten Teilchen und durch Strömungssteuereinrichtungen (7) für einen wiederholten zyklischen Vorgang zum Andern der Strömung des sekundären Gasstroms derart, daß in Betrieb der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt und dem Strom eine Oszillation im wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilt wird.3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Zerstäuberdüse (k) zur Erzeugung eines Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen, durch sekundäre Düsen (6, 6a), die angrenzend an die Zerstäuberdüse (4) angeordnet sind, und durch Strömungssteuereinrichtungen (7) für einen wiederholten zyklischen Vorgang für die aufeinanderfolgende Beschickung der sekundären Düsen (6, 6a) mit Druckgas» so daß509820/07 87in Betrieb die aus den sekundären Düsen (6, 6a) austretenden sekundären Gasströme den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen ablenken und dem Strom eine Oszillation im wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilen.4» Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäuberdüse (4) einen Auslaß (2) für die Metallzuführung hat, der axial bezüglich einer ringförmigen Anordnung von Gasstrahldüsen (5) angeordnet ist, wobei die Strahldüsen derart angeordnet sind, daß in Betrieb die Gasströme auf einen Strom von flüssigem oder geschmolzenem Metall gerichtet sind, der aus dem Auslaß (2) austritt.5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch zwei sekundäre Düsen (6, 6a), die auf jeder Seite der Zerstäuberdüse (4) angeordnet sind.6. Vorrichtung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäuberdüse (4) und die sekundären Düsen (6, 6a) in einer Ebene liegen, die in Betrieb die Oszillationsebene des Stroms von zerstäubten Teilchen ist.7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Richten der sekundären Gasströme so angeordnet sind, daß die sekundären Gasströme eine Bewegungskomponente in der nicht abgelenkten Strömungsrichtung des Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen haben.509820/07878. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Ausrichten des sekundären Gasstroms einen Winkel zwischen 3o und 6o° zu der nicht abgel-enkten Strömungsrichtung des Stroms von mit Gas zerstäubten Teilchen bilden.9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche * dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung eine Strömungssteuereinrichtung (7) mit Einrichtungen (8, 12, 13) zum Erzeugen von Variationszyklen bei der Beschickung der sekundären Gasströme umfaßt.10. Vorrichtung nach Anspruch 9 t gekennzeichnet durch Einrichtungen zum aufeinanderfolgenden Beschicken der sekundären Düsen (6, 6a) mit Druckgas von der gleichen Druckquelle.11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder Io, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung ein Rotationsventil (7) aufweist.12. Vorrichtung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch eine axial drehbare Welle (8) mit einer langgestreckten Abflachung (9)» die in einem Zylinder (io) mit einem Gaseinlaß (11) und einer Vielzahl von Gasauslässen (12, 13) angeordnet ist, und die so angebracht sind, daß in Betrieb die Rotation der Welle (8) Gas von dem Einlaßabschnitt (ll) nacheinander zu den Auslaßabschnitten (12, 13) über die Kammer abgibt, die von der Abflachung (9),der Welle (8) und dem Zylinder (lo) gebildet ist.13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Einrichtungen zum Bewegen des Substrats (15) relativ zu der Gaszerstäubereinrichtung (4) derart, daß in Betrieb eine Schicht von zerstäubten Teilchen auf dem Substrat (15) abgeschieden wird.509820/0787Ik. Vorrichtung nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch Einrichtungen zum Bewegen des Substrats (15) in einer Richtung, die in Betrieb im wesentlichen recht-. winklig zu der Oszillationsebene des Treilchenstroms verläuft.15·· Verfahren zum Aufsprühen von zerstäubten Teilchen, insbesondere mit einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen erzeugt wird und ein sekundärer Gasstrom gegen den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen derart gerichtet wird, daß der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt und diesem Strom eine Oszillation im wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilt wird.16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen erzeugt wird und eine Vielzahl von sekundären Gasströmen nacheinander gegen den Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen gerichtet wird, so daß der Strom von mit Gas zerstäubten Teilchen abgelenkt und dem Strom eine Oszillation im wesentlichen in einer einzigen Ebene erteilt wird.17. Verfahren nach Anspruch 15 oder l6, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen zerstäubte Metallteilchen sind.18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom von zer- . stäubten Teilchen auf ein Substrat gerichtet wird, weiches relativ zu dem Teilchenstrom bewegt wird.509820/078719· Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis l8, dadurch gekennzeichnet, daß der sekundäre Gasstrom eine Bewegungskomponente hat, die in der nicht abgelenkten Strömungsrichtung des Stroms von zerstäubten Teilchen liegt.20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der sekundäre Gasstrom mit der nicht abgelenkten S-trömungsrichtung des Stroms von zerstäubten Teilchen einen Winkel von 3° bis 6o bildet.21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von sekundären Gasströmen nacheinander von der gleichen Druckquelle gespeist wii'd.22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszuführung zu den sekundären Gasströmen von einem Rotationsventil gesteuert wird.23· Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Rotationsventil mit einer Drehzahl zwischen loö und looo Upm betrieben wird. .2k» Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasdruck in dem zerstäubten Teilchenstrom zwischen o,o35 und2
1Λ kp/cm (o,5 bis 2oo psi) liegt.25. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß der maximale Druck der sekundären Gasstroms die gleiche Größenordnung wie der Druck in dem zerstäubten Teilchenstrom hat. .509820/0787- i8 -26. Verfahren nach Anspruch l8, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat relativ zu der Oszillationsebene des Teilchenstroms mit einer Geschwindigkeit zwischen 1 und loo m/min bewegt wird.27» Durch Aufsprühen von Metall nach dem Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche 15 bis 26 hergestellter Gegenstand.509820/0787
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