DE2443892B1 - Schaltungsanordnung zur Herabsetzung der auftretenden Verlustleistung beim Abschalten einer wenigstens einen Halbleiterschalter und eine Induktanz enthaltenden Reihenschaltung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Herabsetzung der auftretenden Verlustleistung beim Abschalten einer wenigstens einen Halbleiterschalter und eine Induktanz enthaltenden ReihenschaltungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Herabsetzung der auftretenden Verlustleistung beim
Abschalten einer wenigstens einen Halbleiterschalter und eine Induktanz enthaltenden, von einer Gleichspannungsquelle
gespeisten Reihenschaltung, welche Induktanz eine Ausgangsspannung abgibt, mit einer zumindest
der Induktanz parallelgeschalteten, wenigstens eine Diode und einen Kondensator in Reihe enthaltenden
Zusatzschaltung, deren Diode in Sperrichtung zu der an die Induktanz angelegten Gleichspannung gepolt ist,
welcher Kondensator mit einer über den Halbleiterschalter aus der Gleichspannungsquelle gespeisten
Ladeschaltung mit wenigstens einer in Richtung der Gleichspannung gepolten Diode verbunden ist.
Eine Schaltungsanordnung, bei der die Reihenschaltung einer Induktanz und eines Schalters mit einer
Gleichspannungsquelle verbunden ist und der Induktanz eine Zusatzschaltung parallel geschaltet ist, die wenigstens
eine Diode und einen Kondensator in Reihenschaltung aufweist und bei der die Diode und der
Kondensator in vorstehend angegebener Weise geschaltet sind, ist bereits durch die DT-OS 16 63 155
bekannt. Die Zusatzschaltung verhindert dabei, daß Halbleiterbauelemente, also beispielsweise ein die
Gleichspannungsquelle bildender Gleichrichter, bei Betätigung des Schalters, insbesondere bei seiner
öffnung, beschädigt werden. Die Diode der Zusatzschaltung wirkt nämlich bei an der Induktanz auftretenden
induktiven Abschaltspannungen als Kurzschluß für den fließenden Strom.
Infolge des durch die Zusatzschaltung fließenden Stroms müssen das die Diode enthaltende Parallelglied
sowie in dem Kurzschlußzweig gegebenenfalls angeordnete weitere Bauelemente so stark dimensioniert sein,
daß sie die durch den Strom verursachte Belastung aushalten können. Bei der praktischen Verwirklichung
derartiger Schutzschaltungen erfordert diese Dimensionierung einen hohen schaltungstechnischen Aufwand,
denn die zum Löschen der induktiven Abschaltspannungen in dem Kurzschlußzweig auftretenden Ströme
können sehr hohe Stromwerte annehmen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit zur Herabsetzung der auftretenden Verlustleistung
beim Abschalten einer Reihenschaltung eines Halbleiterschalters und einer Induktanz anzugeben,
um in der Zusatzschaltung geringer belastbare Schaltelemente verwenden und damit den Schaltungsaufwand herabsetzen zu können.
Eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art ist zur Lösung dieser Aufgabe erfindungsgemäß
derart ausgebildet, daß die Ladeschaltung in Reihe mit der Diode eine Drosselspule aufweist und mit dem
Verbindungspunkt des Kondensators und der Diode der Zusatzschaltung verbunden ist.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß über die genannte Verbindung des Kondensators mit der Diode
der Zusatzschaltung über eine Drosselspule die Ladeleistung des Kondensators bei einer Abschaltung
der Induktanz nutzbar in diese abgegeben werden kann. Durch die Aufladung des jeweils vorgesehenen
Kondensators der Zusatzschaltung nach dem Abschalten der Induktanz kann nämlich über die Drosselspule
ein Strom an die Induktanz abgegeben werden, dessen Richtung mit der Stromrichtung übereinstimmt, die bei
angeschalteter Induktanz vorlag. Dadurch wird verhindert, daß sich an der Induktanz eine Abschaltespannung
der beschriebenen Art aufbaut. Gleichzeitig kann sich in der Reihenschaltung von Halbleiterschalter und Induktanz
nicht mehr eine derart hohe Verlustleistung ausbilden, wie dies bei einer Schaltungsanordnung der
bekannten Art der Fall ist. Da der jeweils vorgesehene Kondensator der Zusatzschaltung nur während einer
kurzen Zeitspanne innerhalb der Einschaltezeit des Halbleiterschalters aufgeladen wird, ist eine nur geringe
zusätzliche Belastung der Gleichspannungsquelle zu erwarten, die den Stromverbrauch, der normalerweise
durch die Reihenschaltung verursacht wird, praktisch nicht erhöht. Die Erfindung bewirkt insbesondere eine
Verringerung der Ausschaltverlustleistung im Halbleiterschalter.
Gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung enthält die Zusatzschaltung zwei jeweils aus
einem Kondensator und einer zu diesem in Reihe liegenden Diode bestehende Kondensator-Diode-Glieder,
ferner sind diese beiden Kondensator-Diode-Glieder bei in gleicher Richtung gepolten Dioden und bei
unterschiedlicher Reihenfolge von Kondensator und Diode mit ihren äußeren Enden miteinander verbunden,
und schließlich ist der Verbindungspunkt des Kondensators und der Diode des einen Kondensator-Diode-Gliedes
mit dem Verbindungspunkt des Kondensators und der Diode des anderen Kondensator-Diode-Gliedes
über die die Diode und die Drosselspule enthaltende Ladeschaltung verbunden. Hierdurch ergibt sich der
Vorteil, daß mit besonders geringem schaltungstechnischem Aufwand die Kondensatoren der Kondensator-Diode-Glieder
mit relativ geringem Strom geladen werden können, dennoch aber mit Sperrung der Diode
des genannten Induktanz-Diode-Gliedes jeweils auf die
Spannung der Gleichspannungsquelle aufgeladen sind, an der die die genannte eine Induktanz und den
Halbleiterschalter umfassende Reihenschaltung liegt.
Für eine Schaltungsanordnung, bei der die Reihenschaltung durch die Hauptwicklungen eines zwei
Hauptwicklungen aufweisenden Übertragers und je einen zu den Hauptwicklungen in Reihe liegenden
Halbleiterschalter eines Gegentakt-Gleichspannungswandlers gebildet ist, kann die Erfindung so weiter
ausgebildet sein, daß jeder Hauptwicklung ein Kondensator-Diode-Glied parallelgeschaltet ist und daß der
Verbindungspunkt des Kondensators und der Diode jedes Kondensator-Diode-Gliedes über ein Induktanz-Diode-Glied
mit einem ein bestimmtes Potential führenden Schaltungspunkt verbunden ist. Hierdurch
ergibt sich der Vorteil einer besonders wirksamen Herabsetzung der Abschaltverluste in einem Gegentakt-Gleichspannungswandler.
Von Vorteil bei der zuletzt betrachteten zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist gemäß einer
weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung, wenn die mit den Kondensator-Diode-Gliedern verbundenen
Induktanz-Diode-Glieder an ihren Dioden mit einer gemeinsamen Induktanz verbunden sind. Hierdurch
ergibt sich ein besonders geringer schaltungstechnischer Aufwand bei der Herabsetzung der Abschaltverluste
in einem Gegentakt-Gleichspannungswandler. Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung
der Erfindung sind in den einzelnen Schaltungszweigen gesonderte Dämpfungswiderstände eingefügt.
Hierdurch ergibt sich der Vorteil, daß mit besonders geringem schaltungstechnischem Aufwand parasitäre
Schwingungen in der gesamten Schaltungsanordnung vermieden werden können.
Gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausge-
staltung der Erfindung ist der Verbindungspunkt des Halbleiterschalters und der Induktanz der genannten
Reihenschaltung mit einem ein bestimmtes Potential, insbesondere Massepotential, führenden Schaltungspunkt in durch die DT-AS 11 75 321 an sich bekannter
Weise über eine Diode verbunden, die so gepolt ist, daß sie durch auf eine öffnung des Halbleiterschalters an
der Induktanz auftretende Spannungen in Durchlaßrichtung beansprucht ist. Hierdurch ergibt sich der Vorteil,
daß eine an der genannten Induktanz nach Entladung der jeweils vorgesehenen Kondensatoren der Zusatzschaltung
noch vorhandene Spannung ableitbar ist, so daß ein ausgezeichneter Schutz des Halbleiterschalters
erreicht ist.
Von Vorteil bei der zuletzt betrachteten zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung, wenn die Diode in durch die DT-AS 11 75 321 an sich bekannter Weise über ein Parallel-ÄC-Glied mit dem das bestimmte Potential führenden Schaltungspunkt verbunden ist. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, an dem Verbindungspunkt der Diode und des Halbleiterschalters auftretende Abschaltspannungen auf einen gewünschten Wert begrenzen zu können. An Hand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Von Vorteil bei der zuletzt betrachteten zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist gemäß einer noch weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung, wenn die Diode in durch die DT-AS 11 75 321 an sich bekannter Weise über ein Parallel-ÄC-Glied mit dem das bestimmte Potential führenden Schaltungspunkt verbunden ist. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, an dem Verbindungspunkt der Diode und des Halbleiterschalters auftretende Abschaltspannungen auf einen gewünschten Wert begrenzen zu können. An Hand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
F i g. 1 zeigt eine Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung in Verbindung mit einer einen
Halbleiterschalter und eine Induktanz enthaltenden Reihenschaltung;
Fig.2 zeigt Schaltungsanordnungen gemäß der Erfindung bei einem Gegentakt-Gleichspannungswandler.
In F i g. 1 ist eine Reihenschaltung eines durch einen Transistor 1 vom npn-Leitfähigkeitstyp gebildeten
Halbleiterschalters und einer Induktanz 5 gezeigt. Mit der Induktanz 5 ist dabei die Kollektor-Emitter-Strecke
des Transistors 1 verbunden. Die betreffende Reihenschaltung — also Transistor 1 und Induktanz 5 — liegt
im vorliegenden Fall über einen Kondensator 6 an einer nicht dargestellten Gleichspannungsquelle. Diese
Gleichspannungsquelle möge zwischen Masse und einer Anschlußklemme 3 liegen, mit der der Kollektor des
Transistors 1 verbunden ist. Parallel zu dem Kondensator 6 liegt ein durch Strichpunktlinien angedeuteter
Widerstand 8, bei dem es sich um einen Verbraucherwiderstand handeln kann. Mit dem Verbindungspunkt 4
des Emitters des Transistors 1 und dem einen Ende der Induktanz 5 ist ferner eine Diode 7 mit ihrer Kathode
verbunden; die Anode dieser Diode 7 liegt an Masse.
Für die an der Induktanz 5 liegende Spannung auf einen über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 1
fließenden Strom hin ist die Diode 7 somit in Sperrichtung beansprucht. Die Basis des Transistors 1
ist an eine Steuerschaltung 2 angeschlossen, die den Transistor 1 impulsweise öffnet und schließt. Die soweit
beschriebene Anordnung stellt mithin einen Schaltregler dar.
Auf Grund des impulsweisen Ein- und Ausschaltens des Transistors 1 treten an der Induktanz 5 auf das
jeweilige Ausschalten des Transistors t hin induktive Abschaltspannungen auf. Diese Abschaltspannungen
besitzen dabei eine solche Polarität, daß ein durch sie verursachter Strom durch die Diode 7 fließen kann. Um
die bei diesem bisher beschriebenen Schaltungsaufbau auftretenden Belastungen zu veranschaulichen, sei im
folgenden kurz ein Beispiel betrachtet. Dazu seien folgende Werte angenommen:
UB = 400 V,
h = 4A,
h = 4A,
/„. = 3OkHz,
T... —
-.-- = 33 ;jis,
f,. = 0,4 ,xs.
Hierin bedeutet Ub die zwischen der Anschlußklemme 3 und Masse liegende Gleichspannung, Ie der
Emitterstrom des Transistors 1, fw die Steuer- bzw. ίο Schaltfrequenz des Transistors 1, Tw die Periodendauer
bei fw und tv eine bestimmte Stromabfallzeit des Transistors 1 bei dessen Übergang vom leitenden
Zustand in den gesperrten Zustand.
Unter Zugrundelegung der vorstehend angegebenen Werte ergibt sich für den Transistor 1 eine Schaltleistung
Ps=Ie ■ Ub=A A ■ 400 V= 1,6 kW.
Die mittlere Abschaltverlustleistung des Transistors 1 beträgt:
Diese relativ hohe Abschaltverlustleistung des Transistors 1 wird nun durch die in F i g. 1 noch dargestellte
Zusatzschaltung wesentlich verringert. Die betreffende Zusatzschaltung umfaßt im vorliegenden Fall zwei
Kondensator-Diode-Glieder, bestehend jeweils aus einem Kondensator 10 bzw. 11 und einer dazu in Reihe
liegenden Diode 9 bzw. 12. Die beiden Kondensator-Diode-Glieder 9,10 bzw. 11,12 sind mit ihren äußeren
Enden miteinander verbunden; die einen Enden liegen an Masse, und die anderen Enden sind mit dem
Verbindungspunkt 4 verbunden. In den beiden Kondensator-Diode-Gliedern 9, 10 bzw. 11, 12 besitzen die
Kondensatoren und Dioden unterschiedliche Reihenfolge; die beiden Dioden 9, 12 sind jedoch in gleicher
Richtung gepolt. Der Verbindungspunkt der Diode 9 und des Kondensators 10 des einen Kondensator-Diode-Gliedes
ist mit dem Verbindungspunkt des Kondensators 11 der Diode 12 und des anderen Kondensator-Diode-Gliedes
über ein Drossel-Diode-Glied verbunden, welches aus einer Drosselspule 14 und einer dazu in
Reihe liegenden Diode 13 besteht. Die Reihenfolge von Drosselspule 14 und Diode 13 spielt hier keine Rolle.
Die Drosselspule 14 bildet mit den beiden Kondensatoren 10,11 einen Schwingkreis.
Die Diode 13 ist so gepolt, daß sie für einen die Kondensatoren 10 und 11 aufladenden Strom vom
Verbindungspunkt 4 bzw. von der Drosselspule 14 her in Durchlaßrichtung beansprucht ist. Zur Veranschaulichung
der dabei ablaufenden Vorgänge sei angenommen, daß sich der Transistor 1 im nichtleitenden Zustand
befindet und daß die Kondensatoren 10, 11 entladen sind. Wird der Transistor 1 in den leitenden Zustand
gesteuert, so fließt zum einen ein Strom durch die Induktanz 5, und zum anderen fließt ein Ladestrom über
den Kondensator 11, die Drosselspule 14, die Diode 13 und den Kondensator 10. Die Dioden 9 und 12 sind im
Zuge der Ladung der Kondensatoren 10 und 11 gesperrt. Diese Ladung erfolgt praktisch so lange, bis
der Strom in der Drosselspule 14 den Wert Null erreicht hat. Anschließend sperrt dann die Diode 13.
Hierbei verursacht die Drosselspule 14 mit Beginn des Ladestromrückganges aus ihrer magnetischen
Energie einen weiteren Strom, der von der Drosselspule 14 aus über die Diode 13, die Diode 9 und den
33 as
= 9,7 W.
Kondensator 11 einerseits sowie über die Diode 13, den
Kondensator 10 und die Diode 12 andererseits fließt. Auf diese Weise werden also die Kondensatoren 10 und
11 noch weiter geladen. Ist dieser Ladevorgang beendet, so liegen an den Kondensatoren 10 und 11 Spannungen,
die der Spannung zwischen dem Anschlußpunkt 3 und Masse der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 entsprechen.
Die Dioden 9, 12 und 13 sind in diesem Fall gesperrt.
Wird nun der Transistor 1 in seinen nichtleitenden Zustand überführt, so liefern — nunmehr an Stelle des Transistors 1 — die Kondensatoren 10 und 11 noch für eine gewisse Zeitspanne einen die Induktanz 5 sowie den Kondensator 6 und gegebenenfalls den Lastwiderstand 8 durchfließenden Strom. Infolge dieses die Induktanz 5 durchfließenden, langsam abklingenden Stromes bildet sich an der Induktanz 5 praktisch keine den Transistor 1 zerstörende Abschaltspannung aus. Eine sich über der Induktanz 5 ausbildende — nunmehr allerdings bereits wesentlich verminderte Abschaltespannung — wird über die Diode 7 unwirksam gemacht. Im folgenden seien die Leistungsverhältnisse betrachtet, die sich auf Grund der zuvor erläuterten Zusatzschaltung ergeben. Zuvor sei jedoch noch bemerkt, daß die mit der Induktanz 5 verbundenen Kondensatoren 10 und 11 bewirken, wie dies vorstehend erläutert worden ist, daß mit Überführen des Transistors 1 in den nichtleitenden Zustand die Spannung an dem Verbindungspunkt 4, bezogen auf Masse, nicht schlagartig verschwindet, sondern erst nach einer gewissen Verzögerungszeit il; diese Verzögerungszeit £1 möge z.B. 2μβ betragen. Bei einer Stromabfallzeit tr, innerhalb der der Emitterstrom des Transistors 1 auf Null abgesunken ist, ergibt sich somit folgende Abschaltverlustleistung Pvi für den Transistor 1:
Wird nun der Transistor 1 in seinen nichtleitenden Zustand überführt, so liefern — nunmehr an Stelle des Transistors 1 — die Kondensatoren 10 und 11 noch für eine gewisse Zeitspanne einen die Induktanz 5 sowie den Kondensator 6 und gegebenenfalls den Lastwiderstand 8 durchfließenden Strom. Infolge dieses die Induktanz 5 durchfließenden, langsam abklingenden Stromes bildet sich an der Induktanz 5 praktisch keine den Transistor 1 zerstörende Abschaltspannung aus. Eine sich über der Induktanz 5 ausbildende — nunmehr allerdings bereits wesentlich verminderte Abschaltespannung — wird über die Diode 7 unwirksam gemacht. Im folgenden seien die Leistungsverhältnisse betrachtet, die sich auf Grund der zuvor erläuterten Zusatzschaltung ergeben. Zuvor sei jedoch noch bemerkt, daß die mit der Induktanz 5 verbundenen Kondensatoren 10 und 11 bewirken, wie dies vorstehend erläutert worden ist, daß mit Überführen des Transistors 1 in den nichtleitenden Zustand die Spannung an dem Verbindungspunkt 4, bezogen auf Masse, nicht schlagartig verschwindet, sondern erst nach einer gewissen Verzögerungszeit il; diese Verzögerungszeit £1 möge z.B. 2μβ betragen. Bei einer Stromabfallzeit tr, innerhalb der der Emitterstrom des Transistors 1 auf Null abgesunken ist, ergibt sich somit folgende Abschaltverlustleistung Pvi für den Transistor 1:
t..
Vl
Jjl
Unter Berücksichtigung der oben für die einzelnen Größen bereits angegebenen Werte ergibt sich somit
für den Transistor T1 eine Abschaltverlustleistung:
Pn =
400 V 0,4 as 4 A 0,4 us
2 as
33 as
= 0,97 W
Durch die Verwendung der Kondensatoren 10 und 11
ist somit die Abschaltverlustleistung des Transistors 1 bei der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 1 auf 1Ao der
oben berechneten Abschaltverlustleistung gebracht, d. h. der Abschaltverlustleistung ohne die Verwendung
der im rechten Teil der F i g. 1 dargestellten Zusatzschaltung.
Nunmehr sei die Verlustleistung betrachtet, die die Zusatzschaltung, umfassend die Kondensatoren 10 und
11 und das die Diode 13 und die Drosselspule 14 umfassende Drossel-Diode-Glied, verursacht, also die
Verlustleistung des Schwingkreises. Hierzu sei angenommen, daß bei einer Kapazität von 1OnF je
Kondensator 10, 11 und einer Induktivität von 5,6 mH für die Drosselspalte 14, also einem Kreiswiderstand
9 von 1 kOhm, der Spitzenwert des die Drosselspule 4
durchfließenden Ladestromes
400 V
= 0,4A
beträgt.
Der Effektivwert des Ladestromes /i4e//beträgt
Stromflußzeit 0,5 T0 „. _
Λ = — — ——— — ν,j tür I0 — ilv,
■Ή· ' w
7b bedeutet die Periodendauer bei Resonanzfrequenz Λ
des Schwingkreises. Damit ist also
J14
/Oj = 0,2A
35
Bei einer tatsächlichen Ausführungsform besaß die Drosselspule 14 bei einer Induktivität von 5,62 mH
einen Serienwiderstand Rs=5 Ohm. Dies bedeutet, daß die durch den Serienwiderstand der Drosselspule 14
verursachte Verlustleistung Pn4 in dem die Kondensatoren 10 und 11 und die Drosselspule 14 umfassenden
Schwingkreis folgenden Wert besitzt:
45 Λ-14 = (W/ · Rs = (0>2A)2 · 5 = 0,2 W .
Die Verlustleistung Pm der Diode 13 beträgt bei
einer Flußspannung von Ud- 1 V:
Pn3 = UD ■ In, = UD ■ I14 ■ — -I = 0,13 W .
Die Gesamtverlustleistung Pz der mit dem Verbindungspunkt 4 der in F i g. 1 dargestellten Schaltungsanordnung
verbundenen, im rechten Teil der F i g. 1 dargestellten Zusatzschaltung beträgt somit
.Pz=0,2 W+0,13 W=0,33 W.
60
Diese Verlustleistung Pz ist in bezug auf die erzielte Abschaltverlustleistung Pn des Transistors 1 relativ
gering.
Die vorstehend beschriebenen günstigen Ergebnisse sind darauf zurückzuführen, daß die Ladeleistung der
Kondensatoren bei öffnung des Halbleiterschalters nutzbar in die Induktanz 5 abgegeben werden kann.
Nunmehr sei die in F i g. 2 dargestellte Schaltungsanordnung näher betrachtet. Diese Schaltungsanordnung
umfaßt im wesentlichen einen Gegentakt-Gleichspannungswandler, zu dem zwei npn-Transistoren 21 und 22
gehören, die mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken mit jeweils einer Hauptwicklung 23 bzw. 24 eines zwei
Hauptwicklungen 23, 24 besitzenden Übertragers verbunden sind, wobei die Emitter beider Transistoren
21, 22 an Masse liegen. Der gemeinsame Verbindungspunkt 20 der beiden Hauptwicklungen 23, 24 des
genannten Übertragers ist an einer Anschlußklemme 25 angeschlossen, die im vorliegenden Fall eine positive
Gleichspannung führt. Die Basen der beiden Transistoren 21 und 22 sind mit einer Steuerschaltung 26
verbunden, die normalerweise zwei miteinander verbundene weitere Wicklungen des genannten Übertragers
umfaßt. Die betreffenden miteinander verbundenen Wicklungen sind mit ihren nicht miteinander
verbundenen Enden mit den Basen der Transistoren 21, 22 verbunden, und mit ihren miteinander verbundenen
Enden liegen sie gegebenenfalls über einen Widerstand an Masse.
An den Verbindungspunkten 27 bzw. 28 der Kollektoren der Transistoren 21 bzw. 22 mit den einen
Enden der beiden Hauptwicklungen 23,24 sind ähnlich wie bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 Dioden
29 bzw. 30 angeschlossen. Die betreffenden Dioden 29,
30 sind dabei mit ihren Anoden mit den genannten Verbindungspunkten 27 bzw. 28 verbunden. Die
Kathoden der beiden Dioden 29 und 30 sind miteinander verbunden; sie liegen über ein gemeinsames Parallel-ÄC-Glied,
umfassend einen Widerstand 31 und einen Kondensator 32, an Masse. Auf die Bedeutung dieses
Gliedes, umfassend die Dioden 29, 30 und das Parallel-ÄC-Glied mit dem Widerstand 31 und dem
Kondensator 32, wird weiter unten noch eingegangen werden.
Den beiden Hauptwicklungen 23 bzw. 24 des Übertragers des Gegentakt-Gleichspannungswandlers
liegt jeweils ein Kondensator-Diode-Glied parallel, bestehend aus einem Kondensator 33 bzw. 35 und einer
dazu in Reihe liegenden Diode 34 bzw. 36. Die beiden Dioden 34, 36 sind so gepolt, daß sie für eine an der
zugehörigen Hauptwicklung 23 bzw. 24 des genannten Übertragers liegende Spannung infolge Fließens eines
Stromes über die zu der jeweiligen Hauptwicklung 23 bzw. 24 in Reihe liegende Kollektor-Emitter-Strecke
des Transistors 21 bzw. 22 in Sperrichtung beansprucht sind. Mit dem Verbindungspunkt des Kondensators 33
und der Diode 34 sowie mit dem Verbindungspunkt des Kondensators 35 und der Diode 36 ist jeweils ein
Induktanz-Diode-Glied mit seinem einen Ende verbunden.
Das eine Induktanz-Diode-Glied enthält eine Diode 37 und eine Induktanz 39, und das andere
Induktanz-Diode-Glied enthält eine Diode 38 und eine Induktanz 40. Die beiden Induktanz-Diode-Glieder
liegen mit ihren noch nicht betrachteten Enden an Masse. Dies sind in vorliegendem Fall die einen Enden
der durch Drosselspulen gebildeten Induktanzen 39 und 40. Es sei an dieser Stelle jedoch bemerkt, daß die
Reihenfolge von Diode 37 bzw. 38 und Induktanz 39 und 40 auch vertauscht sein kann. Die Induktanzen 39, 40
bilden zusammen mit jeweils einem der Kondensatoren 33,35 gesonderte Schwingkreise.
Die Dioden 37 und 38 der Induktanz-Diode-Glieder sind so gepolt, daß sie mit Überführen des jeweiligen
Transistors 21 bzw. 22 in den leitenden Zustand eine gewisse Zeitspanne im leitenden Zustand sind, und zwar
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in ähnlicher Weise wie die Diode 13 bei der Schaltungsanordnung nach Fig. 1. Um die in diesem
Zusammenhang sich abspielenden Vorgänge verständlicher werden zu lassen, sei die mit der Hauptwicklung 23
des Übertragers des Gegentakt-Gleichspannungswandlers gemäß Fig.2 verbundene Zusatzschaltung betrachtet.
Dabei sei angenommen, daß an der Anschlußklemme 25 bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 2
eine Gleichspannung von + 200 V liegt.
Befindet sich der Transistor 21 im nichtleitenden und der Transistor 22 im leitenden Zustand, so liegt
zwischen beiden Belegungen des Kondensators 33 eine Spannung von 200 V. Der Verbindungspunkt 27 führt
ein Potential von +400V, die andere Seite des Kondensators 33 ein Potential von +200V. Wird der
Transistor 21 dann in den leitenden Zustand überführt, so wird das Potential auf der mit dem Verbindungspunkt
27 verbundenen Belegung des Kondensators 33 gewissermaßen schlagartig auf null Volt verringert.
Demgemäß springt das Potential auf der anderen Belegung des Kondensators 33 auf -200 V. Damit fließt
ein Strom über den Kondensator 33, die Diode 37 und die Induktanz 39, die zusammen mit dem Kondensator
33 einen Schwingkreis bildet. Wenn im Zuge des Ladevorgangs die Spannung auf der mit der Kathode
der Diode 37 verbundenen Belegung des Kondensators
33 auf null Volt abgesunken ist — zu diesem Zeitpunkt besitzt der die Induktanz 39 durchfließende Spitzenstrom
seinen Maximalwert —, bildet sich an der Induktanz 39 eine Spannung aus. Dies hat zur Folge, daß
nunmehr die mit der Kathode der Diode 37 verbundene Belegung des Kondensators 33 auf eine positive
Spannung weiter geladen wird, die der an der Anschlußklemme 25 liegenden positiven Gleichspannung
entspricht. Auch nach dieser weiteren Ladung des Kondensators 33 ist die Diode 34 noch gesperrt Nach
Abgabe der Energie von der Induktanz 39 auf den Kondensator 33 ist die Diode 37 auch wieder gesperrt.
Wird der Transistor 21 wieder in seinen nichtleitenden Zustand überführt, so liefert der geladene
Kondensator 33 über die zu ihm in Reihe liegende Diode
34 noch für eine gewisse Zeitspanne einen Strom, der die Hauptwicklung 23 des Übertragers des Gegentakt-Gleichspannungswandlers
durchfließt, also gerade diejenige Hauptwicklung 23, durch die der Kollektor-Emitter-Strom
des Transistors 21 bisher geflossen ist, der sich nunmehr im nichtleitenden Zustand befindet. Mit
anderen Worten ausgedrückt heißt dies, daß der Kondensator 33 im betrachteten Falle noch für eine
gewisse Zeitspanne den die Hauptwicklung 23 durchfließenden Laststrom übernimmt. Dies hat wie bei der
Schaltungsanordnung nach Fig. 1 zur Folge, daß sich über der Hauptwicklung 23 praktisch keine den
Transistor 21 zerstörende Abschaltspannung ausbildet. Entsprechendes gilt im übrigen auch für den anderen,
bei der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 2 vorgesehenen Transistor 22, und zwar in Verbindung mit der mit
ihm verbundenen Zusatzschaltung, umfassend zum einen das Kondensator-Diode-Glied mit dem Kondensator
35 und der Diode 36 und umfassend zum anderen das Induktanz-Diode-Glied mit der Diode 38 und der
Induktanz 40. In diesem Fall bilden die Induktanz 40 und der Kondensator 35 einen Schwingkreis, der dem
Schwingkreis entspricht, welcher aus dem Kondensator 33 und der Induktanz 39 gebildet ist.
Bildet sich dennoch, also nach Wirksamsein der betrachteten Zusatzschaltungen, eine Abschaltspannung
an der jeweiligen Hauptwicklung 23 bzw. 24 des Übertragers des Gegentakt-Gleichspannungswandlers
aus, so gelangen zusätzlich zu den Kondensator-Diode-Gliedern, umfassend die Kondensatoren 33, 35 und die
Dioden 34, 36, die Dioden 29, 30 mit dem zu ihnen in Reihe liegenden Parallel-ÄC-Glied zur Wirkung. Die
Höhe der an dem Parallel-ÄC-Glied, umfassend den
Widerstand 31 und den Kondensator 32, dabei abfallenden Spannung legt den Wert fest, auf den die
zuletzt erwähnte Abschaltspannung schließlich begrenzt wird.
Berücksichtigt man den Umstand, daß die Induktanzen 39, 40 jeweils nur etwa während der Hälfte der
Periodendauer Tw bei der Schwingfrequenz fw des Gegentakt-Gleichspannungswandlers wirksam sind für
die Aufladung des Kondensators 33 bzw. des Kondensators 35, so ergibt sich, daß während der jeweils anderen
Hälfte der Periodendauer 7Vdie jeweilige Induktanz 39
bzw. 40 bei der in F i g. 2 dargestellten Schaltungsanordnung nicht ausgenutzt ist. Wird jedoch, wie dies in
F i g. 2 durch eine gestrichelte Linie angedeutet ist, eine Verbindung zwischen den Anoden der beiden Dioden 37
und 38 hergestellt und wird eine der beiden Induktanzen 39,40 weggelassen, so ist die übriggebliebene Induktanz
39 oder 40 doppelt ausgenutzt. Mit anderen Worten ausgedrückt heißt dies, daß die dann in der Schaltungsanordnung
nach F i g. 2 noch vorhandene Induktanz 39 oder 40 jeweils aufeinanderfolgend an der Um- und
Aufladung der Kondensatoren 33 und 35 jeweils während der Hälfte der Periodendauer TVbeteiligt ist.
Nunmehr seien noch die Leistungsverhältnisse bei der in F i g. 2 dargestellten Schaltungsanordnung betrachtet.
Unter Berücksichtigung einer an der Anschlußklemme 25 liegenden Gleichspannung von Lfe=+200V,
einem Kollektor-Emitter-Strom Ie in dem jeweiligen Transistor 21, 22 von 4 A sowie einer Schaltfrequenz
/iy=30 kHz, einer Stromabschaltdauer £v=0,4 μβ für den
jeweiligen Transistor 21,22 und einer Abschaltverzögerungszeitspanne
11 = 2 μ5 für die Spannung an der
jeweiligen Hauptwicklung des Übertragers des Gegentakt-Gleichspannungswandlers ergibt sich auch bei der
in F i g. 2 dargestellten Schaltungsanordnung für jeden Transistor 21, 22 eine Abschaltverlustleistung Pvnm
=0,97 W. Bei einer Kapazität von 20 nF je Kondensator 33, 35, einer Induktivität von 1,42 mH für die jeweilige
Induktanz 39 bzw. 40 bei einem Serienwiderstand Rs= 1,25 Ohm ergeben sich unter Anwendung der im
Zusammenhang mit der in F i g. 1 dargestellten Schaltungsanordnung angegebenen Gleichungen für die
im rechten Teil der F i g. 2 dargestellten Zusatzschaltungen, umfassend also jeweils einen Schwingkreis mit
zwischen dem Kondensator 33 bzw. 35 und der Induktanz 39 bzw. 40 liegender Diode 37 bzw. 38,
folgende Verlustleistungen:
Die Verlustleistung Pv39/4o auf Grund des Serienwiderstands
der Induktanz 39 bzw. 40 beträgt
die Verlustleistung /V37/38 der Diode 37 bzw. 38 bei einer
Flußspannung Ud= 1 V beträgt
Damit beträgt die Gesamtverlustleistung der bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig.2 vorgesehenen
Schwingkreise und damit der Zusatzschaltungen:
=2 ■ 0,26 W+ 0,4 W=0,92 W.
Diese Gesamtverlustleistung der im rechten Teil der F i g. 2 dargestellten Zusatzschaltungen ist somit ebenfalls
niedriger als die Abschaltverlustleistung der Transistoren dieser Schaltungsanordnung. Wie bei der
in F i g. 1 dargestellten Schaltungsanordnung ist der Wert der Gesamtverlustleistung der betreffenden
Zusatzschaltungen wesentlich niedriger als der entsprechende Wert von Zusatzschaltungen, die, ohne die in
Fig.2 dargestellten Induktanz-Diode-Glieder, umfassend
die Dioden 37 und 38 und die induktanzen 39 und 40, zu verwenden, lediglich die dargestellten Kondensator-Diode-Glieder
mit den Dioden 34, 36 und den
Kondensatoren 33, 35 umfassen, wobei allerdings der jeweiligen Diode noch ein Widerstand parallel geschaltet
ist, wenn die zuvor im Zusammenhang mit F i g. 2 vorgegebenen Werte zugrunde gelegt werden. Eine
derartige, gerade angedeutete Beschaltung der Hauptwicklungen 23, 24 des Übertragers des in Fig.2
dargestellten Gegentakt-Gleichspannungswandlers verursacht nämlich, wie sich gezeigt hat, eine Verlustleistung
von 96 W. Durch die erfindungsgemäßen Zusatzschaltungen ist also der Wert der zuletzt genannten
Verlustleistung auf Vioo vermindert.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Schaltungsanordnung zur Herabsetzung der auftretenden Verlustleistung beim Abschalten einer
wenigstens einen Halbleiterschalter und eine Induktanz enthaltenden, von einer Gleichspannungsquelle
gespeisten Reihenschaltung, welche Induktanz eine Ausgangsspannung abgibt, mit einer zumindest der
Induktanz parallelgeschalteten, wenigstens eine Diode und einen Kondensator in Reihe enthaltenden
Zusatzschaltung, deren Diode in Sperrichtung zu der an die Induktanz angelegten Gleichspannung gepolt
ist, welcher Kondensator mit einer über den Halbleiterschalter aus der Gleichspannungsquelle
gespeisten Ladeschaltung mit wenigstens einer in Richtung der Gleichspannung gepolten Diode
verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladeschaltung (13, 14) in Reihe mit der
Diode (13) eine Drosselspule (14) aufweist und mit dem Verbindungspunkt des Kondensators (10, 11)
und der Diode (9,12) der Zusatzschaltung verbunden ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschaltung zwei
jeweils aus einem Kondensator (10; 11) und einer zu diesem in Reihe liegenden Diode (9,12) bestehende
Kondensator-Diode-Glieder (10, 9; 11, 12) enthält, daß diese beiden Kondensator-Diode-Glieder (10,9;
11,12) bei in gleicher Richtung gepolten Dioden (9,
12) und bei unterschiedlicher Reihenfolge von Kondensator (10; 11) und Diode (9; 12) mit ihren
äußeren Enden miteinander verbunden sind und daß der Verbindungspunkt des Kondensators (10) und
der Diode (9) des einen Kondensator-Diode-Gliedes (10,9) mit dem Verbindungspunkt des Kondensators
(11) und der Diode (12) des anderen Kondensator-Diode-Gliedes (11, 12) über die die Diode (13) und
die Drosselspule (14) enthaltende Ladeschaltung (14,
13) verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Reihenschaltung durch die Hauptwicklungen
eines zwei Hauptwicklungen aufweisenden Übertragers und je einen zu den Hauptwicklungen in Reihe
liegenden Halbleiterschalter eines Gegentakt-Gleichspannungswandlers gebildet ist, dadurch gekennzeichnet,
daß jeder Hauptwicklung (23, 24) ein Kondensator-Diode-Glied (33, 34; 35, 36) parallel
geschaltet ist und daß der Verbindungspunkt des Kondensators (33; 35) und der Diode (34; 36) jedes
Kondensator-Diode-Gliedes (33,34; 35,36) über ein Induktanz-Diode-GIied (37,39; 38,40) mit einem ein
bestimmtes Potential führenden Schaltungspunkt (Masse) verbunden ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Kondensator-Diode-Gliedern
(33, 34; 35, 36) verbundenen Induktanz-Diode-Glieder
(37,39; 38, 40) an ihren Dioden (37, 38) mit einer gemeinsamen Induktanz (39 oder
40) verbunden sind.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in den
einzelnen Schaltungszweigen gesonderte Dämpfungswiderstände vorgesehen sind.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der
Verbindungspunkt des Halbleiterschalters (1; 21; 22) und der Induktanz (5; 23; 24) der genannten
Reihenschaltung mit einem ein bestimmtes Potential, insbesondere Massepotential, führenden Schaltungspunkt,
in an sich bekannter Weise über eine Diode (7; 29; 30) verbunden ist, die so gepolt ist, daß
sie durch auf eine öffnung des Halbleiterschalters (1; 21; 22) an der Induktanz (5; 23; 24) auftretende
Spannungen in Durchlaßrichtung beansprucht ist.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (29, 30) in an sich
bekannter Weise über ein Parallel-ÄC-Glied (31,32)
mit dem das bestimmte Potential führenden Schaltungspunkt verbunden ist.
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ID=5925689
Family Applications (1)
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DE (1) | DE2443892C2 (de) |
GB (1) | GB1518260A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2927437A1 (de) * | 1978-07-21 | 1980-01-31 | Siemens Ag | Schutzschaltung fuer leistungshalbleiter |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4135568A1 (de) * | 1991-10-29 | 1993-05-06 | Abb Patent Gmbh, 6800 Mannheim, De | Ausschaltentlastungsnetzwerk fuer leistungstransistoren in mehrtransistor-konverter |
DE4135569C1 (de) * | 1991-10-29 | 1993-04-01 | Abb Patent Gmbh, 6800 Mannheim, De |
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1974
- 1974-09-13 DE DE19742443892 patent/DE2443892C2/de not_active Expired
-
1975
- 1975-09-12 GB GB4866177A patent/GB1518260A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2927437A1 (de) * | 1978-07-21 | 1980-01-31 | Siemens Ag | Schutzschaltung fuer leistungshalbleiter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2443892C2 (de) | 1978-03-09 |
GB1518260A (en) | 1978-07-19 |
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