DE2442720C3 - Metal film resistance elements and their manufacturing process - Google Patents
Metal film resistance elements and their manufacturing processInfo
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Description
H2N-Z-CH2-CH2-H 2 NZ-CH 2 -CH 2 -
-NV-H-NV-H
mit π = 1,2,3 oder 4 enthältwith π = 1, 2, 3 or 4
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung Äthylendiamin enthält.2. The method according to claim 1, characterized in that the solution contains ethylenediamine.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung Diäthylentriamin, Triäthylentetramin und/oder Tetraäthylenpentamin enthält3. The method according to claim 1, characterized in that the solution is diethylenetriamine, triethylenetetramine and / or tetraethylene pentamine
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung folgende Zusammensetzung aufweist:4. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the solution has the following composition having:
Nickelsulfat(NiSO4 · 7 H2O)Nickel sulfate (NiSO 4 7 H 2 O)
NatriumhypophosphitSodium hypophosphite
(NaH2PO2 · H2O)(NaH 2 PO 2 · H 2 O)
ÄthylendiaminEthylenediamine
(H2N-CH2-CH2-NH2)(H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )
Primäres NatriumphosphatPrimary sodium phosphate
(NaH2PO4)(NaH 2 PO 4 )
Sekundäres NatriumphosphatSecondary sodium phosphate
(Na2HPO4)(Na 2 HPO 4 )
25 g/l 25 g/l 28 g/l IO g/l 10 g/l25 g / l 25 g / l 28 g / l IO g / l 10 g / l
sowie zur Einstellung auf etwa pH 7 erforderliche Menge an Salzsäure (HCl), und daß die Metallschicht bei einer Temperatur von 70 ±5° C auf dem Isolierträger niedergeschlagen wird.as well as the amount of hydrochloric acid (HCl) required to adjust the pH to about 7, and that the metal layer is deposited on the insulating substrate at a temperature of 70 ± 5 ° C.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmestabilisierung bei mindestens 400° C durchgeführt wird.5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the heat stabilization is carried out at at least 400 ° C.
6. Festes oder veränderbares Metallschichtwiderstandselement, bestehend aus einer Metallschicht, die durch chemischen Niederschlag aus einer Lösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 auf einem elektrischen Isolierträger beliebiger Form hergestellt und nach Anspruch 5 stabilisiert ist.6. Fixed or changeable metal film resistance element, consisting of a metal layer, by chemical precipitation from a solution according to any one of claims 1 to 4 on a electrical insulating support of any shape is produced and stabilized according to claim 5.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Metallschichtwiderstandselementen durch chemischen Niederschlag einer leitenden, nickelhaltigen Metallschicht auf einem elektrischen Isolierträger aus einer Lösung bei pH = 7, die Nickelsalze und Salze der unterphosphorigen Säure sowie einen Komplexbildner enthält, mit anschließender Wärmestabilisierung der Widerstandselemente.The invention relates to a method for producing metal film resistance elements by chemical means Precipitation of a conductive, nickel-containing metal layer on an electrical insulating carrier a solution at pH = 7, the nickel salts and salts of hypophosphorous acid and a complexing agent contains, with subsequent heat stabilization of the resistance elements.
Ein derartiges Verfahren ist aus der DD-PS 99 252 bekannt.Such a method is known from DD-PS 99,252.
Bekannt sind ferner verschiedene Verfahren zur Herstellung von Metallschichtwiderstandselementen, wonach auf chemischem Wege Metallschichten aufAlso known are various processes for the production of metal film resistor elements, after which metal layers are chemically applied
elektrischen Isolierträgern, wie Porzellan, Steatet, Glas oder Kunststoffen, abgeschieden werden. Da bei der Herstellung von elektrischen Widerstandselementen Nickel bzw. Nickellegierungen aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften besondere Bedeutung erlangt haben, lag es nahe, Abscheidebäder zu verwenden, mit denen Nickelschichten auf Isolierträgern niedergeschlagen werden können.electrical insulating carriers such as porcelain, steatet, glass or plastics. As in the manufacture of electrical resistance elements Nickel or nickel alloys are of particular importance due to their electrical properties it made sense to use deposition baths with which nickel layers are deposited on insulating substrates can be.
Während bei der galvanischen Vernickelung Nickelanoden, ein Elektrolyt mit einem Nickelsalz und ein starker Galvanisierstrom erforderlich sind, um an den als Kathode geschalteten Trägern Nickel abzuscheiden, ist bei der chemischen Vernickelung die Abscheidung des Nickels nicht an die Verwendung von elektrischem Strom gebunden. Eine Abscheidung von Nickel findet jeweüs dann statt, wenn den positiv geladenen Nickelionen negative elektrische Ladungen, also Elektronen, zugeführt werden. Bei der Galvanotechnik geschieht dies mit Hilfe von elektrischem Strom, bei der chemischen Metallabscheidung mit Hilfe eines Reduktionsmittels. While with the galvanic nickel plating nickel anodes, an electrolyte with a nickel salt and a a strong electroplating current is required in order to deposit nickel on the carriers connected as cathodes, In chemical nickel plating, the deposition of nickel does not depend on the use of electrical Electricity bound. A deposition of nickel takes place when the positively charged Nickel ions are supplied with negative electrical charges, i.e. electrons. In electroplating this is done with the help of electric current, in the case of chemical metal deposition with the help of a reducing agent.
Um jedoch einen spontanen Ladungsaustausch unter Ausfällung des Nickels, d.h. unter Badzersetzung, zu vermeiden, müssen bei der chemischen Vernickelung dem Bad neben dem Metallsalz, den Puffersubstanzen und dem Reduktionsmittel noch Stabilisatoren zugesetzt werden. Im Prinzip lassen sich mi\ derartigen Abscheidebädern die verschiedensten Materialien einschließlich Metallen mit gut haftenden, gleichmäßig starken Nickelüberzügen beschichten.However, in order to allow a spontaneous charge exchange with precipitation of the nickel, i.e. with bath decomposition must be avoided in the chemical nickel plating of the bath in addition to the metal salt, the buffer substances and stabilizers are also added to the reducing agent. In principle, such Separation baths the most diverse materials including metals with well-adhering, evenly coat thick nickel coatings.
Da für elektrische Widerstände aber gute und stabile elektrische Eigenschaften verlangt werden, ist die Mehrzahl der bekannten Nickelabscheidebäder zur Herstellung von Metallschichtwiderstandselementen nicht geeignet.Since good and stable electrical properties are required for electrical resistors, the Most of the known nickel plating baths for the production of metal film resistance elements not suitable.
Die Isolierträger, auf die die Metallschicht abgeschieden werden soll, müssen mit sensibilisierenden unrl aktivierenden wäßrigen Lösungen vorbehandelt werden. Wäßrige Zinn(ll)-chloridlösungen (SnCl2) dienen meist zur Sensibilisierung, stark verdünnte Edelmetallchloride, vorwiegend Palladiumchloridlösungen, zur Aktivierung.The insulating carrier on which the metal layer is to be deposited must be pretreated with sensitizing and activating aqueous solutions. Aqueous tin (II) chloride solutions (SnCl 2 ) are mostly used for sensitization, strongly diluted noble metal chlorides, predominantly palladium chloride solutions, for activation.
Ein bekanntgewordenes Verfahren (vgl. Veröffentlichung »Micro Circuitry by Chemical Deposition«, von Emma Lee H e b b, 22. Juni 1962, S. 10,14, 21, 24,30, 37, 38, und Fig. 12, S. 852 bis 862), Diamond Ordnance Fuze Laboratories, Ordnance Corps Department of the Army, Washington, D.C.) τ Herstellung von Metallschichtwiderstandselementen durch chemische Abscheidung von Nickel-Phosphor-Schichten verwendet eine Lösung mit Nickelsalzen und Salzen der unterphosphorigen Säure unter Zugabe von Essigsäuresalzen. Diese Lösung arbeitet im sauren oder alkalischen Bereich und ist aus diesem Grunde wenig geeignet. Die daraus hergestellten Widerstandselemente lassen sich wegen ihres hohen Temperaturkoeffizienten in der Mehrzahl der Anwendungsfälle nicht verwenden.A method that has become known (cf. publication "Micro Circuitry by Chemical Deposition", by Emma Lee H e b b, June 22, 1962, pp. 10, 14, 21, 24.30, 37, 38, and Fig. 12, pp. 852-862), Diamond Ordnance Fuze Laboratories, Ordnance Corps Department of the Army, Washington, D.C.) τ Manufacture of metal film resistor elements by chemical deposition of nickel-phosphorus layers used a solution containing nickel salts and salts of hypophosphorous Acid with the addition of acetic acid salts. This solution works in acidic or alkaline Area and is therefore not very suitable. The resistance elements produced therefrom can be Do not use in the majority of applications because of their high temperature coefficient.
Ferner ist eine Lösung folgender Zusammensetzung bekannt (vgl. DE-AS 17 65 090, Sp. 3, Z. 55 ff.):A solution of the following composition is also known (cf. DE-AS 17 65 090, column 3, line 55 ff.):
25 g/l Nickelsulfat (NiSO4 · 7 H2O),25 g / l nickel sulfate (NiSO 4 7 H 2 O),
25 g/l Natriumhypophosphit (NaH2PO2),25 g / l sodium hypophosphite (NaH 2 PO 2 ),
1 g/l Bernsteinsäure,
25 g/l Natriumsuccinat.1 g / l succinic acid,
25 g / l sodium succinate.
Mit dieser Lösung werden Isolierträger bei einer Badtemperatur von 50cC und einem pH-Wert von 7 mit einer Nickel-Phosphor-Legierung beschichtet. ]e nachWith this solution, insulating supports are coated with a nickel-phosphorus alloy at a bath temperature of 50 ° C. and a pH value of 7. ] e after
der Verweilzeit in dieser Lösung können Widerstandswerte vorr einigen Ohm bis Kiloohm erreicht werden. Nach der Beschichtung werden die so erhaltenen Widerstandselemente einige Stunden lang einer Wärmestabilisierung bei 28O0C unterworfen and anschließend mit elektrischen Kontakten, bei zylindrischen Trägern meist Metallkappen, versehen. Um höhere Widerstandswerte zu erzielen, werden diese Widerstandselemente »gewendelt«, d. h., durch einen Schleifprozeß wird eine spiral- bzw. wendelartige Widerstandsbahti herausgearbeitet In Abhängigkeit vom Widerstandswert schwankt der Temperaturkoeffizient zwischen +150 ppm/" C und +350 ppm/" C.the dwell time in this solution, resistance values from a few ohms to kilo ohms can be achieved. After coating, the resistance elements thus obtained are subjected to heat for several hours stabilization at 28O 0 C and then provided with electrical contacts, wherein cylindrical supports usually metal caps. In order to achieve higher resistance values, these resistance elements are "coiled", ie a spiral or helical resistance wire is worked out by a grinding process. Depending on the resistance value, the temperature coefficient fluctuates between +150 ppm / "C and +350 ppm /" C.
Derartige Widerslandselemente weisen allerdings einen relativ hohen Temperaturkoeffizienten auf, der zudem stark streut und vom Widerstandswert abhängig ist. Auch die elektrische Belastbarkeit ist kaum höher als bei üblichen Metallschichtwiderstandselementen nach dem Vakuumaufdampfverfahren.Such contradicting elements, however, have a relatively high temperature coefficient, the also differs strongly and is dependent on the resistance value. The electrical load capacity is hardly higher than in the case of conventional metal film resistor elements using the vacuum vapor deposition process.
Zur Verbesserung der Eigenschaften solcher Widerstandselemente ist eine andere Lösung zur Herstellung von Nickel-Phosphor-Schichtwiderstandselementen bekanntgeworden (vgl. DE-AS 17 65 090, Sp. 4, Z. 17 ff.), die folgende Komponenten enthält:Another solution is to manufacture them to improve the properties of such resistance elements of nickel-phosphorus sheet resistor elements became known (cf. DE-AS 17 65 090, column 4, line 17 ff.), which contains the following components:
25 g/l Nickelsulfat,25 g / l nickel sulphate,
25 g/l Natriumhypophosphit,25 g / l sodium hypophosphite,
50 g/l Natriumpyrophosphat,50 g / l sodium pyrophosphate,
30 g/l Dinatriumsalz der Äthylendiamintetraessigsäure, 7 g/l Dinatriumphosphat,30 g / l disodium salt of ethylenediaminetetraacetic acid, 7 g / l disodium phosphate,
1 1 destilliertes Wasser1 liter of distilled water
und ausreichend NaOH, damit der pH-Wert gleich 7 wird.and enough NaOH to make the pH equal to 7.
Abgesehen von einer höheren Wärmestabilisierung der Schichtwiderstandselemente bei Temperaturen zwischen 250 und 3500C gleichen sich aber die Verarbeitungsbedingungen. Die Eigenschaften der so erhaltenen Metallschichtwiderstandselemente sind besser als bei dem zuvor genannten bekannten Verfahren. Insbesondere ergeben sich ein geringerer Temperaturkoeffizient von ca. ±50 ppm/" C bis ±150ppm/°C sowie eine höhere elektrische Belastbarkeit.Apart from a higher heat stabilization of the sheet resistance elements at temperatures between 250 and 350 ° C., however, the processing conditions are the same. The properties of the metal film resistance elements thus obtained are better than those of the aforementioned known method. In particular, there is a lower temperature coefficient of approx. ± 50 ppm / "C to ± 150 ppm / ° C and a higher electrical load capacity.
In der bereits eingangs genannten DD-PS 99 252 ist ein Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten auf elektrisch isolierenden Trägermaterialien durch nichtgalvanische Abscheidung einer Metallschicht aus einer Lösung angegeben, die neben Nickeloder Cobaltionen, einem Reduktionsmittel, Puffersubstanzen, einem Komplexbildner und gegebenenfalls einem Beschleuniger zur katalytischer! Beeinflussung des Schichtaufbaus Mangan(II)-Verbindungen enthält. Als Komplexbildner sind Carbonsäuren bzw. Hydroxycarbonsäuren und/oder deren Salze erwähnt.In DD-PS 99 252 already mentioned at the outset, there is a method for producing electrically conductive ones Layers on electrically insulating carrier materials by non-galvanic deposition of a metal layer specified from a solution which, in addition to nickel or cobalt ions, a reducing agent, buffer substances, a complexing agent and possibly an accelerator for catalytic! Influencing the layer structure contains manganese (II) compounds. Carboxylic acids or hydroxycarboxylic acids are used as complexing agents and / or their salts are mentioned.
Aus der DE-AS 17 65 090 ist ferner ein Verfahren zur Herstellung von Nickel-Phosphor-Schichtwiderstandselementen durch chemisches Niederschlagen bekannt, bei dem die angewandte Lösung Äthylendiamintetraessigsäure oder deren Salze sowie Salze von Sauerstoffsäuren des Phosphors enthält.From DE-AS 17 65 090 a method for Manufacture of nickel-phosphorus sheet resistor elements by chemical deposition known, in which the solution used is ethylenediaminetetraacetic acid or its salts and salts of oxo acids of phosphorus.
Trotz der mit diesen Verfahren erziehen Verbesserung der Metallschichtwiderstandselemente befriedigen die erzielten Eigenschaften noch nicht.Despite the improvements made with these methods, the metal film resistor elements are satisfactory the properties achieved are not yet.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, das eingangs genannte Verfahren dahingehend zu verbessern, daß damit Metallschichtwiderstandselemente herstellbar sind, deren spezifische elektrische Belastbarkeit deutlich höher und deren relative Widerstandswertänderung bei elektrischer Langzeitbelastung gegenüber den bisher bekanntgewordenen Nickel-Phosphor-Schichtwiderstandselementen unter gleichzeitiger Verringerung ihres Temperaturkoeffizienten merklich geringer liegt.The object of the invention is therefore to improve the method mentioned at the outset in such a way that so that metal film resistance elements can be produced whose specific electrical load capacity is clear higher and their relative change in resistance value with long-term electrical load compared to the previous ones known nickel-phosphorus sheet resistance elements with a simultaneous reduction their temperature coefficient is noticeably lower.
Das t'rfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von MetallschichtwUerstandselementen durch chemische Abscheidung einer leitenden, nickelhaltigen Metallschicht auf einem elektrischen Isolierträger aus einer Lösung bei pH = 7, die Nickelsalze und Salze derThe method according to the invention for production of metal layer resistance elements by chemical deposition of a conductive, nickel-containing metal layer on an electrical insulating support from a solution at pH = 7, the nickel salts and salts of the
ίο unterphosphorigen Säure sowie einen Komplexbildner enthält, mit anschließender Wärmestabilisierung der Widerstandselemente ist dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Lösung eine oder mehrere Polyamine der Formelίο hypophosphorous acid and a complexing agent contains, with subsequent heat stabilization of the resistance elements is characterized in that the solution used is one or more polyamines of the formula
H2N-T-CH2-CH2-NH 2 NT-CH 2 -CH 2 -N
Nr-H
H L No.-H
HL
mit/7= 1,2,3 oder 4 enthält.with / 7 = 1, 2, 3 or 4.
ίο Die Temperatur der Lösung wird von Fall zu Fall bestimmt, insbesondere hat sich 700C als zweckmäßig erwiesen.ίο The temperature of the solution is determined from case to case, in particular 70 0 C has proven to be useful.
Eine besonders hohe spezifische elektrische Belastbarkeit der Metallschichtwiderstandselemente ergibt sich, wenn die Wärmestabilisierung bei mindestens 4000C durchgeführt wird. Trotzdem wird überraschenderweise ein niedriger Temperaturkoeffizient von unter ±100ppm/°C erreicht Vom Erfinder durchgeführte Versuche haben ferner ergeben, daß eine Wärmestabilisierung oberhalb 4000C von gemäß der DE-AS 17 65 090 hergestellten Widerstandselementen zu einem sehr hohen Temperaturkoeffizienten führt.A particularly high specific electric capacity of the metal layer resistance elements is obtained if the heat stabilization is carried out at at least 400 0 C. Nevertheless, a low temperature coefficient of is surprisingly lower than ± 100ppm / ° C achieved by the inventor conducted tests have shown further that a heat stabilization above 400 0 C by the DE-AS 17 65 090 resistor elements produced leads according to a very high temperature coefficient.
Da sich die Verarbeitungsbedingungen nicht wesentlich voneinander unterscheiden, sei im folgenden eine Nickel-Phosphor-Lösung, die Äthylendiamin enthält, als Ausführungsbeispiel näher beschrieben.Since the processing conditions are not significantly different from each other, the following is one Nickel-phosphorus solution containing ethylenediamine is described in more detail as an exemplary embodiment.
Es werden zylindrische Isolierträger z. B. aus AbO3 in bekannter Weise sensibilisiert und aktiviert und anschließend in eine wäßrige Lösung folgender Zusammensetzung gegeben:There are cylindrical insulating supports z. B. from AbO 3 sensitized and activated in a known manner and then added to an aqueous solution of the following composition:
Nickelsulfat (NiSO4 ■ 7 H2O)
Natriumhypophosphit (NaH2PO2 Nickel sulfate (NiSO 4 ■ 7 H 2 O)
Sodium hypophosphite (NaH 2 PO 2
ÄthylendiaminEthylenediamine
(1,2-Diaminoäthan.(1,2-diaminoethane.
H2N-CH2-CH2-NH2)H 2 N-CH 2 -CH 2 -NH 2 )
Primäres Natriumphosphat
(NaH2PO4)Primary sodium phosphate
(NaH 2 PO 4 )
Sekundäres NatriumphosphatSecondary sodium phosphate
(Na2HPO4)(Na 2 HPO 4 )
H2O)H 2 O)
25 g/l 25 g/i25 g / l 25 g / i
28 g/l
10 g/l
10 g/l28 g / l
10 g / l
10 g / l
Durch Zugabe der dazu erforderlichen Menge Salzsäure (HCI) wird der pH-Wert der Lösung auf etwa 7 ±0,3 gebracht.By adding the required amount of hydrochloric acid (HCl), the pH of the solution is increased to about 7 ± 0.3 brought.
Die Verwendung der beiden Natriumsalze der Phosphorsäure ist nicht entscheidend; sie wirken, wie allgemein bekannt ist, als Puffergemisch, hier entsprechend als Phosphatpuffer, und dienen zur Stabilisierung des Abscheidebades. Die wäßrige Lösung bzw. das Abscheidebad wird auf einer konstanten Temperatur von 70°C gehalten.The use of the two sodium salts of phosphoric acid is not critical; they act like is generally known as a buffer mixture, here correspondingly as a phosphate buffer, and are used for stabilization of the deposition bath. The aqueous solution or the deposition bath is kept at a constant temperature kept at 70 ° C.
Die Isolierträger sollten mindestens 15 min in derThe insulating carrier should be in the for at least 15 minutes
('5 Lösung verbleiben, um eine ausreichend gleichmäßige Beschichtung zu erhalten. Die fertig beschichteten Widerstandselemente werden nach Entnahme aus der Lösung einer mehrstündigen Wärmestabilisierung bei('5 solution remain to be sufficiently uniform To obtain coating. The finished coated resistor elements are removed from the Solution of several hours of heat stabilization
mindestens 400°C unterworfen. Anschließend erhalten diese Widerstandselemente elektrische Kontakte wie z. B. Metallkappen und einen Oberflächenschutz aus z. S. Lack, zementartiger Masse, Keramikgehäuse od. dgl. Wie schon früher angedeutet, kann zur Erhöhung der Widerstandswerte vorher noch eine Wendelung vorgenommen werden.subjected to at least 400 ° C. These resistance elements are then given electrical contacts such as z. B. metal caps and a surface protection made of z. S. paint, cementitious mass, ceramic casing or the like. As indicated earlier, to increase the resistance values, a Twisting can be made.
Insbesondere aufgrund der Möglichkeit, bei so hohen Temperaturen wie mindestens 400°C eine Wärmestabilisierung durchzuführen, weisen die so hergestellten Metallschichtwiderstandselemente eine deutlich höhere spezifische elektrische Belastbarkeit auf als bei niedrigeren Temperaturen stabilisierte. Auch die niedrigere relative Widerstandswertänderung unter elektrischer Langzeitbelastung läßt sich auf die höhere Wärmestabilisierung zurückführen. Da es durch die Lösungszusarnmensetzung gelingt, die sonst bei der Wärmestabilisierung mit hohen Temperaturen zugleich verbundene Erhöhung des Temperaturkoeffizienten nicht nur zi vermeiden, sondern ihn sogar noch auf ±20 bii ±100ppm/°C zu erniedrigen, wird ein merklichei Fortschritt bei der Herstellung von Metallschichtwider Standselementen auf der Basis von Nickel-PhosphorIn particular due to the possibility of heat stabilization at temperatures as high as at least 400 ° C perform, the metal film resistance elements produced in this way have a significantly higher specific electrical load capacity than stabilized at lower temperatures. Even the lower one Relative change in resistance value under long-term electrical stress can be attributed to the higher heat stabilization lead back. As it is through the solution composition succeeds, which is otherwise associated with high temperatures during heat stabilization Not only do not increase the temperature coefficient zi, but even increase it to ± 20 bii Lowering ± 100ppm / ° C becomes a noticeable factor Progress in the production of metal layer resistors on the basis of nickel-phosphorus
Schichten durch chemische Abscheidung erreicht.
Im wesentlichen gleiche elektrische EigenschafterLayers achieved by chemical deposition.
Essentially the same electrical properties
wie bei der Verwendung von Äthylendiamin in deias with the use of ethylenediamine in dei
Lösung lassen sich mit seinen homologen Verbindun ίο gen, nämlich mit Diäthylentriamin, TriäthylentetramirSolution can be found with its homologous compounds ίο gen, namely with diethylenetriamine, triethylenetetramir
oder Tetraäthylenpentamin, erzielen.
Ein Beispiel eines erfindungsgemäßen Metallschichtor tetraethylene pentamine.
An example of a metal layer according to the invention
Widerstandselements ist schematisch in Schnittansichi irResistance element is shown schematically in Schnittansichi ir
der Zeichnung dargestellt.
is Danach trägt ein Isolierträger 1 eine Metallschicht 2
die dem (nicht gezeigten) fertigen Widerstand, der noc!shown in the drawing.
Is then an insulating carrier 1 carries a metal layer 2 which the (not shown) finished resistor, the noc!
mit Kontakten versehen ist, den gewünschten Wider standswert verleiht.is provided with contacts, gives the desired resistance value.
Blatt ZeichnungenSheet drawings
Claims (1)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: DRAEGER, KURT, DR., 5330 KOENIGSWINTER, DE |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |