DE2426868A1 - Dielektrische glaskomposition fuer gasentladungs-datensichtgeraete - Google Patents
Dielektrische glaskomposition fuer gasentladungs-datensichtgeraeteInfo
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Description
Böblingen, den 29. April 1974 bu-fe
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: KI 972 017
Zur Herstellung von Gasentladungs-Datensichtgeräten dienende Glassubstrate
können oberhalb der die Elektroden darstellenden Leitungszüge mit einer einen Magnesiumoxydüberzug tragenden dielektrischen
Schicht versehen sein. Bei Anwendung bekannter Herstellungsverfahren
zum Versiegeln beider Glassubstrate für die Gasentladungsgefäßbildung tritt in der Magnesiumoxydüberzugsschicht
die Tendenz auf/ rissig zu werden, d.h., es entstehen mikroskopisch feine Risse. Dies ist natürlich unerwünscht, da dieser Effekt
zu Änderungen der Gaszusammensetzung innerhalb des Gasentladungsgefäßes
führen kann. In erster Linie besteht deshalb die Aufgabe der Erfindung darin, dielektrische Glassorten bereitzustellen,
deren Eigenschaften so ausgebildet sind, daß eine hierauf angebrachte Magnesiumoxydüberzugsschicht nicht zur Rissebildung, auch
nicht in mikroskopischer Feinheit, tendiert, wenn derart gestaltete Glassubstrate einem nachfolgenden Aufheizschritt ausgesetzt werden.
Im speziellen besteht diese Aufgabe darin, dieelektrische Gläser bereitzustellen, bei denen die Temperatur zur Auslösung von
Rissebildung höher liegt als die Temperatur, bei der entsprechende
Glassubstrate weiterbehandelt werden sollen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Glaskomposition für auf Glassubstrate aufzutragende überzüge nachstehend
aufgeführte wesentliche Bestandteile in Gewichtsprozent enthält:
409882/1046
Boroxyd 13,6-20,0
Siliziumdioxyd 5,8-13,6
Aluminiumoxyd 0,2-1,0
Kalziumoxyd 0,0-6,0
Magnesiumoxyd 0,0-5,0.
wobei zumindest 3% der Glaskomposition Kalziumoxyd, Magnesiumoxyd oder beides sind.
Neben den gemäß der Aufgabe vorgesehenen Eigenschaften besitzt die erfindungsgemäße Glaskomposition außerdem noch die folgenden:
Eine ünstetigkeitsstelle in der Viskositäts-Temperaturkurve, so
daß das erfindungs gemäße Dielektrikum bis auf eine Temperatur unterhalb der Temperatur der beginnenden Erweichung des Glassubstrats
aufgeheizt werden kann,
einen Ausdehnungs-Koeffizienten, der eng an den des Substrates angepaßt
ist;
leichte Fließfähigkeit in blasenfreie Filmschichten, die geringe
oder überhaupt keine Tendenzen zur Kristallisation aufweisen und
gute chemische Beständigkeit.
Wenn das dielektrische Glas gemäß der Erfindung bei Herstellungsverfahren
für Gasentladungs-Datensichtgeräten verwendet wird, dann ist zu berücksichtigen, daß das Glassubstrat, auf welches
das dielektrische Glas aufgetragen werden soll, in typischer Weise aus einem Natronkalksiliziumflußglas mit einem Ausdehnungs-Koeffizienten
von etwa 9 2xlO~ /0C beim Erstarrungspunkt des dielektrischen
Glases (angenähert 440 0C) besteht. Aus diesem Grunde
also sollte das dielektrische Glas auch einen Ausdehnungs-Koeffizienten 90 bis 9 4 bei seinem Erstarrungspunkt besitzen. Dies ent-
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spricht dann einem Ausdehnungs-Koeffizienten von angenähert 80 bis
84 im Temperaturbereich von Raumtemperatur (angenähert 22 C) bis 300 °C.
Besonders vorteilhafte dielektrische Glaskompositionen bestehen gemäß einer Weiterbildung der Erfindung aus folgenden wesentlichen
Bestandteilen in Gewichtsprozent:
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - 66,0 ■
. 11,0- 13,0
B3O3 16,0- 18,4
Al2O3 0,2
MgO 2,2 - 3,0
CaO 2,2 - 5,4
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, daß bei Anwendung dielektrischer Gläser, wie oben beschrieben, eine
Magnesiumoxidüberzugsschicht überhaupt nicht zu Rissigkeit
neigt, wenn nicht äußerst hohe Temperaturen angewendet werden. Dies ist jedoch bei normalen Herstellungsverfahren ausgeschlossen.
Bei Gläsern, deren Bestandteile, wie oben angegeben, gewählt sind, ist die Temperatur zur Auslösung von Rissebildung (485 C
und darüber) höher als die Temperatur, die normalerweise angewendet
wird, um Glasplatten als Substrate zur Herstellung von Gasentladungs-Datensichtgeräten
zu versiegeln (etwa bei 470 bis 480 0C), wobei glasartige Versiegelungsglaser für diesen Herstellungsverfahrensschritt
Anwendung finden.
Zusätzlich ergeben sich bei den erfindungsgemäßen dielektrischen
Glaskompositionen noch folgende vorteilhafte Eigenschaften:
Sie lassen sich bis unterhalb der beginnenden Erweichungstempe-
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409882/1QAS
ratur der Substrate aufheizen, ihr Ausdehnungs-ivoeffizient liegt
ziemlich in der Nähe des der Substrate; sie fließen leicht in
gleicurrüßige blasenfreie Filme aus mit keiner oder nur geringer
Tendenz zur Kristallisation, und es ergibt sich außerdem eine gute chemische Beständigkeit, die eine Voraussetzung für die Lebensdauer
darstellt.
Weitere Vorteile der Lrfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Patentansprüchen.
Alle für die Erfindung in Betracht kommenden Glassorten enthalten
Bestandteile, die innerhalb der Bereiche liegen, wie sie in der nachstehenden Tabelle genannt sind. Weiterhin ist in jeder
Glassorte zumindest 3% Kalziumoxyd, Magnesiumoxyd oder beides enthalten.
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - ,69,6
SiO2 5,8 - 13,6
B3O3 13,6 - 2,0
Al3O3 0,2 - 1,0
MgO 0 - 5
CaO 0 - 6
In der nachfolgenden Beschreibung von vier Beispielen für dielektrische
Glaskompositionen ist ihre besondere Eignung zur Auftragung auf Glassubstraten von Gasentladungs-Datensichtgeräten
hervorzuheben, wobei Glassubstrate Verwendung finden, die einen Ausdehnungs-Koeffizienten TK von 82 besitzen. Diese Angaben sind
in Einheiten ausgedrückt, die um 10 /0C zu multiplizieren sind
und sich auf einen Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 300 0C beziehen.
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Angaben in Gewichtsprozent
I | II | III | IV | 4 | |
PbO | 66 | 6 4,4 | 63,4 | 62, | |
SiO2 | 11 | 12 | 12 | 13 | |
B2°3 | 18,4 | 17 | 17 | 16 | 2 |
A12°3 | 0,32 | 0,2 | 0,2 | o, | |
MgO | 2,2 | 3 | 3 | 3 | 4 |
CaO | 2,2 | 3,4 | 4,4 | 5, | |
TK(RT-300 | °) 82 | 82-7 | 83 | 83 | |
T RISS |
485 | 496 | 497 | 505 | |
T ISS = Temperatur in °C bei Auslösung der Rissebildung (Haarrisse)
.
Es wird darauf hingewiesen> daß die Glaskomposition der Beispiele
I-IV alle einen Ausdehnungs-Koeffizienten aufweisen, der verträglich
ist mit dem des Glassubstrats. Es ist außerdem von großer Bedeutung, daß bei Verwendung 'solcher Glassorten die Temperatur,
bei der Risse in der Magnesiumoxidüberzugsschicht eintreten, zwischen 485 und 505 C liegt. Dies liegt aber weit oberhalb der
Temperaturen, die normalerweise Verwendung finden, um Glaspanele zusammenzuschweißen, was zwischen 470 und 480 °C geschieht, so
daß keine Risse während des Herstellungsverfahrens auftreten können. Die vier bevorzugten Glassorten enthalten sämtlich Bestandteile,
die innerhalb folgender Bereiche liegen.
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - 66,0
SiO2 11,0 - 13,0
B3O3 16,0 - 18,4
Al2O3... 0,2
MgO 2,2 - 3,0
CaO...... 2,2 - 5,4
Die Beispiele V-VII sind drei dielektrische Glassorten, die man-KI
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nigfache Vorteile bieten.
Angaben in Gewichtsprozent
V | VI | VII | |
PbO | 66,6 | 68,6 | 68,6 |
SiO2 | 13,6 | 13,6 | 13,6 |
B2°3 | 13,6 | 13,6 | 13,6 |
Al2O3 | 0,2 | 0,2 | 0,2 |
MgO | 0,0 | 4,0 | 0,0 |
CaO | 6,0 | 0,0 | 4,0 |
TK (RT-300°) | 86 | 81,6 | 84,8 |
1RISS | 482 | 472 | 470 |
Die Glassorten der Beispiele V-VII sind etwas weniger wünschenswert
beim bevorzugten Herstellungsverfahren für Gasentladungs-Datensichtgeräte
als die Glassorten der Beispiele I-IV, da der TK zu hoch ist, wie im Beispiel V, und da außerdem die Temperatur
zur Einleitung der Rißbildung zu nahe an der Verarbeitungstemperatur
zum Versiegeln von Glassubstraten liegt. (Beispiel VI oder Beispiel VII). Die Beispiele IV - VII könnten jedoch von wesentlichem
Wert im Herstellungsverfahren sein, wo das Substrat einen höheren TK besitzt oder wo zu beschichtende Substrate nicht Temperaturen
mit einer Höhe von angenähert 470 0C ausgesetzt werden.
Die Beispiele I - VII lassen sich auf dielektrische Glassorten beschränken, die im wesentlichen folgende Bestandteilsanteile
enthalten:
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - 68,6
SiO2 11,0 - 13,6
B3O3 13,6 - 18,4
Al2O 0,2 - 1,0
MgO 0,0 - 4,0
CaO 0,0- 6,0
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In den Beispielen VIII-X ergeben sich Temperaturen zur Einleitung der Rißbildung, die unterhalb der Temperatur von 4 70 C liegen,
welche zum Versiegeln von Glassubstraten zu einem Panel dient. Doch könnten solche Glassorten von wesentlichem Wert in einem Herstellungsverfahren
sein, bei denen diese Temperaturgrenze nicht überschritten wird. Es sei weiterhin darauf hingewiesen, daß das
Beispiel X einen TK-Wert aufweist, der oberhalb des bevorzugten Bereiches, wie oben beschrieben, liegt. Diese Glaskomposition
könnte aber gut auf einem Substrat Anwendung finden, das einen etwas höheren TK-Wert als das oben angegebene Substrat hat.
Angaben in Gewichtsprozent
VIII | IX | X | |
PbO | 69,6 | 69,0 | 69,0 |
SiO2 | 13,6 | 7,8 | 5,8 |
B2°3 | 13,6 | 20,0 | 20,0 |
Ä12°3 | 0,2 | 0,2 | 0,2 |
MgO | 3,0 | 3,0 | 5,0 |
CaO | 0,0 | 0,0 | 0,0 |
TK (RT-300°) | 82,2 | 82,6 | 85 |
465 | 460 | 455 |
Obgleich einige dieser Beispiele dielektrischer Glassorten,
wie oben beschrieben, nicht völlig für einen Gebrauch im Herstellungsverfahren geeignet sind, die Glassubstrate mit einem
Ausdehnungs-Koeffizienten von etwa 82 (im Temperaturbereich zwischen
Raumtemperatur und 300 C) verwenden und wobei das überzogene
Substrat einschließlich einer Magnesiumoxidüberzugsschicht
einer Versiegelungstemperatur von angenähert 4 70 bis 480 C ausgesetzt
wird, läßt sich jedoch leicht erkennen, daß diese Glassorten von wesentlichem Wert in Prozessen sind, bei denen die beiden
letztgenannten Parameter in andere Bereiche fallen. Alle Beispiele der dielektrischen Glassorten, die hier beschrieben sind,
besitzen Bestandteile, die innerhalb folgender Bereiche fallen:
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Angaben in Gewichtsprozenten
PbO 62,4 - 69,6
5,8 - 13,6
B3O3 13,6 - 20,0
Al2O2 0,2 - 1,0
MgO 0,0 - 5,0
CaO 0,0 - 6,0
Alle oben genannten Beispiele für dielektrische Gläser enthalten in Gewichtsanteilen 0,2% Al3O3. Gläser mit wenig oder keinem
Al2O3-Anteil fließen am besten, wenn sie in außergewöhnlich oxidierenden,
nassen Atmosphären aufgeheizt werden. Ein Al2O3-Anteil
im Bereich von 0,2 bis 1 Gewichtsprozent strebt danach, Glassorten zu stabilisieren, so daß Kristallisationsprobleme weitgehend
ausgeschaltet bleiben. Gläser, die einen Anteil von Al3O3 besitzen,
der höher als 1% ist, sprechen nicht auf Aufheizen unter nasser Atmosphäre an und erfordern deshalb höhere Aufheiztemperaturen.
Es ist dabei leicht einzusehen, daß dieser Parameter sich in einem
gewissen Bereich variieren läßt, wobei 0,2% in vorteilhafter Weise ein Optimum ergibt.
Obgleich Glassorten mit einem hohen SiO2-Anteil (z.B. 15% oder
mehr) höhere Temperaturen zur Einleitung von Rißbildungen aufweisen, besitzen sie jedoch keinen gleichmäßigen blasenfreien dielektrischen
Filmschmelzfluß aufgrund der Viskositäts-Temperaturbeziehung
in den Oberflächenbereichen. Für eine gegebene Temperatur zur Einleitung von Rißbildungen kann ein Glas mit einem höheren
B2O3-Anteil als SiO- leichter in oxydierenden Atmosphären zum
Fließen gebracht werden (in allen Beispielen ist der B2O3-Anteil
gleich oder höher als der SiO2-Anteil) als bisher. Jedoch besitzen
bisherige Glassorten einen hohen B3O -Anteil bei in typischer
Weise relativ niedrigen Temperaturen zur Einleitung der Rißbildungen und niedrigeren chemischen Beständigkeiten.
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Wie durch die Erfindung gezeigt, läßt sich die MgO-Rißtemperatur in Gläsern mit hohen B-O .,-Anteil durch Einverleiben von MgO, CaO
oder vorzugsweise beidem in die Glaskomposition noch erhöhen. Diese Gläser lassen sich durch Aufheizen in gleichmäßige blasenfreie
Filme gießen, da sie eine unstetige Viskositäts-Temperaturbeziehung aufweisen.
Die Anwendung von mehr als etwa 3 bis 4 Gewichtsprozent MgO in der Glaskomposition führt zu einem dielektrischen Film der danach
strebt, auszukristallisieren und dabei gleichzeitig einen relativ
hohen TK-Wert aufweist. Beide Eigenschaften, insbesondere die zuerst genannte, ist dabei allgemein unerwünscht. Wird bloß CaO
(also ohne MgO) der dielektrischen Glaskomposition zugefügt und zwar in Beträgen bis zu etwa 6%, dann läßt sich zwar wesentlich
die Temperatur zur Einleitung der Rißbildung verbessern, indem sie angehoben wird, aber allgemein ergibt sich ein hoher TK,
wie sich aus dem Vergleich mit den Beispielen V und VII ergibt. Die besten Resultate in bezug auf Riß-Temperatur, auf TK-Wer
und auf die Fähigkeit, in gleichmäige freie Schmelzfilme gegossen zu werden, als den bedeutsamsten Parameters, ergeben sich
durch entsprechende Zusätze von MgO und CaO zu den anderen Bestandteilen
des dielektrischen Glases wie in den Beispielen I-IV.
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Claims (10)
1. Dielektrische Glaskomposition, gekennzeichnet durch
nachstehend aufgeführte wesentliche Anteile in Gewichtsprozent:
Bleioxyd 62,4 - 69,6
Boroxyd 13,6 - 20,0
Siliziumoxyd 5,8 - 13,6
Aluminiumoxyd 0,2 - 1,0
Kalziumoxyd 0,0 - 6,0
Magnesiumoxyd.. 0,0 - 5,0,
wobei zumindest 3% der Glaskomposition Kalziumoxyd, Magnesiumoxyd oder beides sind.
2. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch lr dadurch
gekennzeichnet, daß der Gesamtbestandteil von Kalziumoxyd
+ Magnesiumoxyd 3,0 bis 8,4 Gewichtsprozent beträgt.
3. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch l und/oder
Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei 7,8 bis 13,6 Gewichtsprozent Siliziumdioxyd ein Anteil von
0,4 Gewichtsprozent Magnesiumoxyd vorgesehen ist.
4. Dielektrische Glaskomposition mindestens nach Anspruch
3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anteil von 11,O bis
13,6 Gewichtsprozent Siliziumdioxyd und ein Anteil von 13,6 bis 18,4 Gewichtsprozent Boroxyd vorgesehen sind.
5. Dielektrische Glaskomposition mindestens nach Anspruch
4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anteil von 62,4 bis 66,6 Gewichtsprozent Bleioxyd neben 0,0 bis 3,O
Gewichtsprozent Magnesiumoxyd vorgesehen ist.
6. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende wesentliche Bestandteile in
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Gewichtsprozent:
Bleioxyd 62,4 - 6 6,0
Boroxyd 16,0 - 18,4
Siliziumdioxyd...... ...11,0 - 13,0
Aluminiumoxyd. 0,2
Kalziumoxyd 2,2 - 5,4
Magnesiumoxid 2,2 - 3,0.
7. . Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet
durch Anteile in Gewichtsprozent:
Bleioxyd 66;
Boroxyd. 18,4;
Siliziumdioxyd 11/0;
Kalziumoxyd . 2,2;
und
Magnesiumoxyd. 2,2.
8. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet
durch Anteile in Gewichtsprozent: Bleioxyd 64,4;
Boroxyd 17,0;
Siliziumdioxyd. 12,0;
Kalziumoxyd 3,4
und
Magnesiumoxyd 3,0.
9. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet
durch folgende Anteile in Gewichtsprozent: Bleioxyd.. 63,4
Boroxyd 17,0;
Siliziumdioxyd. 13,0;
Kalziumoxyd .- 4,4
und
Magnesiumoxyd 3,0.
10. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgende Anteile in Gewichtsprozent:
KI 972 017
409882/104S
Bleioxyd 62,4;
Boroxyd 16,0
Siliziumdioxyd 13,0;
Kalziumoxyd... 5,4
und
Magnesiumoxyd 3,0.
KI 9 72 017
409882/1045
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US374189A US3923530A (en) | 1973-06-27 | 1973-06-27 | Dielectric glass composition |
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JPS5023414A (de) | 1975-03-13 |
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BR7405331D0 (pt) | 1975-01-21 |
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GB1407959A (en) | 1975-10-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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