DE2426868A1 - Dielektrische glaskomposition fuer gasentladungs-datensichtgeraete - Google Patents

Dielektrische glaskomposition fuer gasentladungs-datensichtgeraete

Info

Publication number
DE2426868A1
DE2426868A1 DE19742426868 DE2426868A DE2426868A1 DE 2426868 A1 DE2426868 A1 DE 2426868A1 DE 19742426868 DE19742426868 DE 19742426868 DE 2426868 A DE2426868 A DE 2426868A DE 2426868 A1 DE2426868 A1 DE 2426868A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oxide
percent
weight
glass composition
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19742426868
Other languages
English (en)
Other versions
DE2426868C3 (de
DE2426868B2 (de
Inventor
Thomas Albert Sherk
Rao Ramamohana Tummala
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2426868A1 publication Critical patent/DE2426868A1/de
Publication of DE2426868B2 publication Critical patent/DE2426868B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2426868C3 publication Critical patent/DE2426868C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/087Chemical composition of glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C03C3/072Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00Compositions for glass with special properties
    • C03C4/16Compositions for glass with special properties for dielectric glass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

Böblingen, den 29. April 1974 bu-fe
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: KI 972 017
Dielektrische Glaskomposition für Gasentladungs-Datensichtgeräte
Zur Herstellung von Gasentladungs-Datensichtgeräten dienende Glassubstrate können oberhalb der die Elektroden darstellenden Leitungszüge mit einer einen Magnesiumoxydüberzug tragenden dielektrischen Schicht versehen sein. Bei Anwendung bekannter Herstellungsverfahren zum Versiegeln beider Glassubstrate für die Gasentladungsgefäßbildung tritt in der Magnesiumoxydüberzugsschicht die Tendenz auf/ rissig zu werden, d.h., es entstehen mikroskopisch feine Risse. Dies ist natürlich unerwünscht, da dieser Effekt zu Änderungen der Gaszusammensetzung innerhalb des Gasentladungsgefäßes führen kann. In erster Linie besteht deshalb die Aufgabe der Erfindung darin, dielektrische Glassorten bereitzustellen, deren Eigenschaften so ausgebildet sind, daß eine hierauf angebrachte Magnesiumoxydüberzugsschicht nicht zur Rissebildung, auch nicht in mikroskopischer Feinheit, tendiert, wenn derart gestaltete Glassubstrate einem nachfolgenden Aufheizschritt ausgesetzt werden. Im speziellen besteht diese Aufgabe darin, dieelektrische Gläser bereitzustellen, bei denen die Temperatur zur Auslösung von Rissebildung höher liegt als die Temperatur, bei der entsprechende Glassubstrate weiterbehandelt werden sollen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Glaskomposition für auf Glassubstrate aufzutragende überzüge nachstehend aufgeführte wesentliche Bestandteile in Gewichtsprozent enthält:
409882/1046
Boroxyd 13,6-20,0
Siliziumdioxyd 5,8-13,6
Aluminiumoxyd 0,2-1,0
Kalziumoxyd 0,0-6,0
Magnesiumoxyd 0,0-5,0.
wobei zumindest 3% der Glaskomposition Kalziumoxyd, Magnesiumoxyd oder beides sind.
Neben den gemäß der Aufgabe vorgesehenen Eigenschaften besitzt die erfindungsgemäße Glaskomposition außerdem noch die folgenden:
Eine ünstetigkeitsstelle in der Viskositäts-Temperaturkurve, so daß das erfindungs gemäße Dielektrikum bis auf eine Temperatur unterhalb der Temperatur der beginnenden Erweichung des Glassubstrats aufgeheizt werden kann,
einen Ausdehnungs-Koeffizienten, der eng an den des Substrates angepaßt ist;
leichte Fließfähigkeit in blasenfreie Filmschichten, die geringe oder überhaupt keine Tendenzen zur Kristallisation aufweisen und
gute chemische Beständigkeit.
Wenn das dielektrische Glas gemäß der Erfindung bei Herstellungsverfahren für Gasentladungs-Datensichtgeräten verwendet wird, dann ist zu berücksichtigen, daß das Glassubstrat, auf welches das dielektrische Glas aufgetragen werden soll, in typischer Weise aus einem Natronkalksiliziumflußglas mit einem Ausdehnungs-Koeffizienten von etwa 9 2xlO~ /0C beim Erstarrungspunkt des dielektrischen Glases (angenähert 440 0C) besteht. Aus diesem Grunde also sollte das dielektrische Glas auch einen Ausdehnungs-Koeffizienten 90 bis 9 4 bei seinem Erstarrungspunkt besitzen. Dies ent-
KI 972 017
409882/104S
spricht dann einem Ausdehnungs-Koeffizienten von angenähert 80 bis 84 im Temperaturbereich von Raumtemperatur (angenähert 22 C) bis 300 °C.
Besonders vorteilhafte dielektrische Glaskompositionen bestehen gemäß einer Weiterbildung der Erfindung aus folgenden wesentlichen Bestandteilen in Gewichtsprozent:
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - 66,0 ■
. 11,0- 13,0
B3O3 16,0- 18,4
Al2O3 0,2
MgO 2,2 - 3,0
CaO 2,2 - 5,4
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, daß bei Anwendung dielektrischer Gläser, wie oben beschrieben, eine Magnesiumoxidüberzugsschicht überhaupt nicht zu Rissigkeit neigt, wenn nicht äußerst hohe Temperaturen angewendet werden. Dies ist jedoch bei normalen Herstellungsverfahren ausgeschlossen. Bei Gläsern, deren Bestandteile, wie oben angegeben, gewählt sind, ist die Temperatur zur Auslösung von Rissebildung (485 C und darüber) höher als die Temperatur, die normalerweise angewendet wird, um Glasplatten als Substrate zur Herstellung von Gasentladungs-Datensichtgeräten zu versiegeln (etwa bei 470 bis 480 0C), wobei glasartige Versiegelungsglaser für diesen Herstellungsverfahrensschritt Anwendung finden.
Zusätzlich ergeben sich bei den erfindungsgemäßen dielektrischen Glaskompositionen noch folgende vorteilhafte Eigenschaften:
Sie lassen sich bis unterhalb der beginnenden Erweichungstempe-
KI 972 017
409882/1QAS
ratur der Substrate aufheizen, ihr Ausdehnungs-ivoeffizient liegt ziemlich in der Nähe des der Substrate; sie fließen leicht in gleicurrüßige blasenfreie Filme aus mit keiner oder nur geringer Tendenz zur Kristallisation, und es ergibt sich außerdem eine gute chemische Beständigkeit, die eine Voraussetzung für die Lebensdauer darstellt.
Weitere Vorteile der Lrfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Patentansprüchen.
Alle für die Erfindung in Betracht kommenden Glassorten enthalten Bestandteile, die innerhalb der Bereiche liegen, wie sie in der nachstehenden Tabelle genannt sind. Weiterhin ist in jeder Glassorte zumindest 3% Kalziumoxyd, Magnesiumoxyd oder beides enthalten.
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - ,69,6
SiO2 5,8 - 13,6
B3O3 13,6 - 2,0
Al3O3 0,2 - 1,0
MgO 0 - 5
CaO 0 - 6
In der nachfolgenden Beschreibung von vier Beispielen für dielektrische Glaskompositionen ist ihre besondere Eignung zur Auftragung auf Glassubstraten von Gasentladungs-Datensichtgeräten hervorzuheben, wobei Glassubstrate Verwendung finden, die einen Ausdehnungs-Koeffizienten TK von 82 besitzen. Diese Angaben sind in Einheiten ausgedrückt, die um 10 /0C zu multiplizieren sind und sich auf einen Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 300 0C beziehen.
KI 9 72 017
409882/1045
Angaben in Gewichtsprozent
I II III IV 4
PbO 66 6 4,4 63,4 62,
SiO2 11 12 12 13
B2°3 18,4 17 17 16 2
A12°3 0,32 0,2 0,2 o,
MgO 2,2 3 3 3 4
CaO 2,2 3,4 4,4 5,
TK(RT-300 °) 82 82-7 83 83
T
RISS
485 496 497 505
T ISS = Temperatur in °C bei Auslösung der Rissebildung (Haarrisse) .
Es wird darauf hingewiesen> daß die Glaskomposition der Beispiele I-IV alle einen Ausdehnungs-Koeffizienten aufweisen, der verträglich ist mit dem des Glassubstrats. Es ist außerdem von großer Bedeutung, daß bei Verwendung 'solcher Glassorten die Temperatur, bei der Risse in der Magnesiumoxidüberzugsschicht eintreten, zwischen 485 und 505 C liegt. Dies liegt aber weit oberhalb der Temperaturen, die normalerweise Verwendung finden, um Glaspanele zusammenzuschweißen, was zwischen 470 und 480 °C geschieht, so daß keine Risse während des Herstellungsverfahrens auftreten können. Die vier bevorzugten Glassorten enthalten sämtlich Bestandteile, die innerhalb folgender Bereiche liegen.
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - 66,0
SiO2 11,0 - 13,0
B3O3 16,0 - 18,4
Al2O3... 0,2
MgO 2,2 - 3,0
CaO...... 2,2 - 5,4
Die Beispiele V-VII sind drei dielektrische Glassorten, die man-KI 9 72 017
4Q9882/1045
nigfache Vorteile bieten.
Angaben in Gewichtsprozent
V VI VII
PbO 66,6 68,6 68,6
SiO2 13,6 13,6 13,6
B2°3 13,6 13,6 13,6
Al2O3 0,2 0,2 0,2
MgO 0,0 4,0 0,0
CaO 6,0 0,0 4,0
TK (RT-300°) 86 81,6 84,8
1RISS 482 472 470
Die Glassorten der Beispiele V-VII sind etwas weniger wünschenswert beim bevorzugten Herstellungsverfahren für Gasentladungs-Datensichtgeräte als die Glassorten der Beispiele I-IV, da der TK zu hoch ist, wie im Beispiel V, und da außerdem die Temperatur zur Einleitung der Rißbildung zu nahe an der Verarbeitungstemperatur zum Versiegeln von Glassubstraten liegt. (Beispiel VI oder Beispiel VII). Die Beispiele IV - VII könnten jedoch von wesentlichem Wert im Herstellungsverfahren sein, wo das Substrat einen höheren TK besitzt oder wo zu beschichtende Substrate nicht Temperaturen mit einer Höhe von angenähert 470 0C ausgesetzt werden. Die Beispiele I - VII lassen sich auf dielektrische Glassorten beschränken, die im wesentlichen folgende Bestandteilsanteile enthalten:
Angaben in Gewichtsprozent
PbO 62,4 - 68,6
SiO2 11,0 - 13,6
B3O3 13,6 - 18,4
Al2O 0,2 - 1,0
MgO 0,0 - 4,0
CaO 0,0- 6,0
KI 972 017
409882/104S
In den Beispielen VIII-X ergeben sich Temperaturen zur Einleitung der Rißbildung, die unterhalb der Temperatur von 4 70 C liegen, welche zum Versiegeln von Glassubstraten zu einem Panel dient. Doch könnten solche Glassorten von wesentlichem Wert in einem Herstellungsverfahren sein, bei denen diese Temperaturgrenze nicht überschritten wird. Es sei weiterhin darauf hingewiesen, daß das Beispiel X einen TK-Wert aufweist, der oberhalb des bevorzugten Bereiches, wie oben beschrieben, liegt. Diese Glaskomposition könnte aber gut auf einem Substrat Anwendung finden, das einen etwas höheren TK-Wert als das oben angegebene Substrat hat.
Angaben in Gewichtsprozent
VIII IX X
PbO 69,6 69,0 69,0
SiO2 13,6 7,8 5,8
B2°3 13,6 20,0 20,0
Ä12°3 0,2 0,2 0,2
MgO 3,0 3,0 5,0
CaO 0,0 0,0 0,0
TK (RT-300°) 82,2 82,6 85
465 460 455
Obgleich einige dieser Beispiele dielektrischer Glassorten, wie oben beschrieben, nicht völlig für einen Gebrauch im Herstellungsverfahren geeignet sind, die Glassubstrate mit einem Ausdehnungs-Koeffizienten von etwa 82 (im Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur und 300 C) verwenden und wobei das überzogene Substrat einschließlich einer Magnesiumoxidüberzugsschicht einer Versiegelungstemperatur von angenähert 4 70 bis 480 C ausgesetzt wird, läßt sich jedoch leicht erkennen, daß diese Glassorten von wesentlichem Wert in Prozessen sind, bei denen die beiden letztgenannten Parameter in andere Bereiche fallen. Alle Beispiele der dielektrischen Glassorten, die hier beschrieben sind, besitzen Bestandteile, die innerhalb folgender Bereiche fallen:
KI 972 017
409882/1045
Angaben in Gewichtsprozenten
PbO 62,4 - 69,6
5,8 - 13,6
B3O3 13,6 - 20,0
Al2O2 0,2 - 1,0
MgO 0,0 - 5,0
CaO 0,0 - 6,0
Alle oben genannten Beispiele für dielektrische Gläser enthalten in Gewichtsanteilen 0,2% Al3O3. Gläser mit wenig oder keinem Al2O3-Anteil fließen am besten, wenn sie in außergewöhnlich oxidierenden, nassen Atmosphären aufgeheizt werden. Ein Al2O3-Anteil im Bereich von 0,2 bis 1 Gewichtsprozent strebt danach, Glassorten zu stabilisieren, so daß Kristallisationsprobleme weitgehend ausgeschaltet bleiben. Gläser, die einen Anteil von Al3O3 besitzen, der höher als 1% ist, sprechen nicht auf Aufheizen unter nasser Atmosphäre an und erfordern deshalb höhere Aufheiztemperaturen.
Es ist dabei leicht einzusehen, daß dieser Parameter sich in einem gewissen Bereich variieren läßt, wobei 0,2% in vorteilhafter Weise ein Optimum ergibt.
Obgleich Glassorten mit einem hohen SiO2-Anteil (z.B. 15% oder mehr) höhere Temperaturen zur Einleitung von Rißbildungen aufweisen, besitzen sie jedoch keinen gleichmäßigen blasenfreien dielektrischen Filmschmelzfluß aufgrund der Viskositäts-Temperaturbeziehung in den Oberflächenbereichen. Für eine gegebene Temperatur zur Einleitung von Rißbildungen kann ein Glas mit einem höheren B2O3-Anteil als SiO- leichter in oxydierenden Atmosphären zum Fließen gebracht werden (in allen Beispielen ist der B2O3-Anteil gleich oder höher als der SiO2-Anteil) als bisher. Jedoch besitzen bisherige Glassorten einen hohen B3O -Anteil bei in typischer Weise relativ niedrigen Temperaturen zur Einleitung der Rißbildungen und niedrigeren chemischen Beständigkeiten.
KI 9 72 017
409882/1QA5
Wie durch die Erfindung gezeigt, läßt sich die MgO-Rißtemperatur in Gläsern mit hohen B-O .,-Anteil durch Einverleiben von MgO, CaO oder vorzugsweise beidem in die Glaskomposition noch erhöhen. Diese Gläser lassen sich durch Aufheizen in gleichmäßige blasenfreie Filme gießen, da sie eine unstetige Viskositäts-Temperaturbeziehung aufweisen.
Die Anwendung von mehr als etwa 3 bis 4 Gewichtsprozent MgO in der Glaskomposition führt zu einem dielektrischen Film der danach strebt, auszukristallisieren und dabei gleichzeitig einen relativ hohen TK-Wert aufweist. Beide Eigenschaften, insbesondere die zuerst genannte, ist dabei allgemein unerwünscht. Wird bloß CaO (also ohne MgO) der dielektrischen Glaskomposition zugefügt und zwar in Beträgen bis zu etwa 6%, dann läßt sich zwar wesentlich die Temperatur zur Einleitung der Rißbildung verbessern, indem sie angehoben wird, aber allgemein ergibt sich ein hoher TK, wie sich aus dem Vergleich mit den Beispielen V und VII ergibt. Die besten Resultate in bezug auf Riß-Temperatur, auf TK-Wer und auf die Fähigkeit, in gleichmäige freie Schmelzfilme gegossen zu werden, als den bedeutsamsten Parameters, ergeben sich durch entsprechende Zusätze von MgO und CaO zu den anderen Bestandteilen des dielektrischen Glases wie in den Beispielen I-IV.
KI 972 017
409882/1045

Claims (10)

PATENTANSPRÜCHE
1. Dielektrische Glaskomposition, gekennzeichnet durch nachstehend aufgeführte wesentliche Anteile in Gewichtsprozent:
Bleioxyd 62,4 - 69,6
Boroxyd 13,6 - 20,0
Siliziumoxyd 5,8 - 13,6
Aluminiumoxyd 0,2 - 1,0
Kalziumoxyd 0,0 - 6,0
Magnesiumoxyd.. 0,0 - 5,0,
wobei zumindest 3% der Glaskomposition Kalziumoxyd, Magnesiumoxyd oder beides sind.
2. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch lr dadurch gekennzeichnet, daß der Gesamtbestandteil von Kalziumoxyd + Magnesiumoxyd 3,0 bis 8,4 Gewichtsprozent beträgt.
3. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch l und/oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei 7,8 bis 13,6 Gewichtsprozent Siliziumdioxyd ein Anteil von 0,4 Gewichtsprozent Magnesiumoxyd vorgesehen ist.
4. Dielektrische Glaskomposition mindestens nach Anspruch
3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anteil von 11,O bis 13,6 Gewichtsprozent Siliziumdioxyd und ein Anteil von 13,6 bis 18,4 Gewichtsprozent Boroxyd vorgesehen sind.
5. Dielektrische Glaskomposition mindestens nach Anspruch
4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anteil von 62,4 bis 66,6 Gewichtsprozent Bleioxyd neben 0,0 bis 3,O Gewichtsprozent Magnesiumoxyd vorgesehen ist.
6. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende wesentliche Bestandteile in
^I 9 72 017
409882/1045
Gewichtsprozent:
Bleioxyd 62,4 - 6 6,0
Boroxyd 16,0 - 18,4
Siliziumdioxyd...... ...11,0 - 13,0
Aluminiumoxyd. 0,2
Kalziumoxyd 2,2 - 5,4
Magnesiumoxid 2,2 - 3,0.
7. . Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch Anteile in Gewichtsprozent:
Bleioxyd 66;
Boroxyd. 18,4;
Siliziumdioxyd 11/0;
Kalziumoxyd . 2,2;
und
Magnesiumoxyd. 2,2.
8. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch Anteile in Gewichtsprozent: Bleioxyd 64,4;
Boroxyd 17,0;
Siliziumdioxyd. 12,0;
Kalziumoxyd 3,4
und
Magnesiumoxyd 3,0.
9. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgende Anteile in Gewichtsprozent: Bleioxyd.. 63,4
Boroxyd 17,0;
Siliziumdioxyd. 13,0;
Kalziumoxyd .- 4,4
und
Magnesiumoxyd 3,0.
10. Dielektrische Glaskomposition nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgende Anteile in Gewichtsprozent:
KI 972 017
409882/104S
Bleioxyd 62,4;
Boroxyd 16,0
Siliziumdioxyd 13,0;
Kalziumoxyd... 5,4
und
Magnesiumoxyd 3,0.
KI 9 72 017
409882/1045
DE19742426868 1973-06-27 1974-06-04 Dielektrisches Bleiglas des Systems PbO-B tief 2 O tief 3 -SiO tief 2 -Al tief 2 O tief 3 als Unterlage für rissefreie MgO-Uberzüge in Gasentladungs-Datensichtgeräten Expired DE2426868C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37418973 1973-06-27
US374189A US3923530A (en) 1973-06-27 1973-06-27 Dielectric glass composition

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2426868A1 true DE2426868A1 (de) 1975-01-09
DE2426868B2 DE2426868B2 (de) 1975-05-28
DE2426868C3 DE2426868C3 (de) 1976-01-29

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
SE7408432L (de) 1974-12-30
JPS5023414A (de) 1975-03-13
FR2235094B1 (de) 1978-08-04
SE396065B (sv) 1977-09-05
AU6915674A (en) 1975-11-20
CH605439A5 (de) 1978-09-29
BR7405331A (pt) 1976-02-24
US3923530A (en) 1975-12-02
IT1010169B (it) 1977-01-10
JPS5324083B2 (de) 1978-07-19
CA1031954A (en) 1978-05-30
BR7405331D0 (pt) 1975-01-21
ZA743223B (en) 1976-01-28
FR2235094A1 (de) 1975-01-24
NL7406295A (de) 1974-12-31
DE2426868B2 (de) 1975-05-28
GB1407959A (en) 1975-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69532437T2 (de) Kalknatron-siikatglaszusammensetzungen und deren anwendungen
DE19655399B3 (de) Alkalifreies Glassubstrat
DE60318517T2 (de) Bleifreies niedrigschmelzendes Glas
DE69806714T2 (de) Kalknatron-silikatglaszusammensetzungen und deren anwendungen
EP1006088B1 (de) Bleifreie, alkalimetallfreie Glaszusammensetzungen
EP0805125B1 (de) Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und seine Verwendung
DE10025324B4 (de) Herstellungsverfahren für eine Zündkerze
DE69916683T2 (de) Glassubstrat für Bildschirme
DE4213579A1 (de) Alkalifreies glas
DE102011056873A1 (de) Fluorphosphatgläser
DE2823904A1 (de) Dichtungsglas
DE3026200A1 (de) Nichtlinearer widerstand und verfahren zu seiner herstellung
DE2446742A1 (de) Glaslotzusammensetzung
DE69223874T2 (de) Gläser für elektronische Substrate und daraus hergestellte Produkte
DE1621409C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines cristobalithaltlgen Emailüberzuges auf einem Gegenstand aus Eisen oder Stahl
DE2534396A1 (de) Verfahren zur herstellung eines glaslots
DE2003332B2 (de) Korrosionsbeständiges, teilweise kristallisiertes Email und Verfahren zum Herstellen eines Emailüberzuges
DE1796001A1 (de) Elektronische Mikroschaltungen
DE2824797C2 (de) Glaszusammensetzung im System TiO↓2↓-BaO-ZnO-ZrO↓2↓-CaO-MgO-SiO↓2↓-Na↓2↓O/K↓2↓O mit einem Brechungsindex von über 2,10
DE3413587C2 (de)
DE1496465B2 (de) Kristallisierte abdichtglaeser mit waermeausdehnungskoeffi zienten von hoechstens 70 x 10 hoch 7 grad c (0 450 grad c) die bei temperaturen unter 700 grad c entglast worden sind und verfahren zur herstellung einer kristallisierten glasab dichtung
DE1496652B2 (de) Knstallisierbares Grundemail mit ho her Erweichungstemperatur über 540 Grad C, guter Temperatureechselbestandigkeit und hoher Schlagfestigkeit
DE2418462C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Glases mit definierter Transformationstemperatur
WO2013045335A1 (de) Brandschutzelement mit schutzbeschichtung und dessen herstellungsverfahren
DE19934153B4 (de) Isolierender Film für Dünnfilmstrukturen und elektrolumineszente Dünnfilm-Anzeigevorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee