DE2421509A1 - Verfahren und geraet zur herstellung von mehrschichtstrukturen - Google Patents
Verfahren und geraet zur herstellung von mehrschichtstrukturenInfo
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Description
THE HANK ORGANISATION vj±QU. ·
439_445 Godstone Road Whyteleafe Surrey CR3-0YG,
England
Verfahren und Gerät zur Herstellung
von Mehrschichtstrukturen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und Geräte zur Herstellung
von Mehrschichtstrukturen. Die Erfindung ist insbesondere mit dem Problem befasst, für eine dauerhafte
und genaue Ausrichtung von Bezugsmarken auf einer Oberflache, auf der in einer Folge von fotografischen Vorgängen
Abbildungen erzeugt werden sollen, mit entsprechenden Bezugsmarken
auf einer Folge von Masken für jeden Vorgang zu sorgen. Dieses Problem tritt unabhängig davon auf, ob die
Ausrichtung automatisch oder ,,.von Hand erfolgt. Somit betrifft
die Erfindung insbesondere ein Verfahren zur Ausrichtung aufeinanderfolgender Masken relativ zu einer lichtempfindlichen
Trägerplatte bzw. einem Substrat bei der Herstellung
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einer Mehrschichtstruktur durch Behandlung des Substrats
in einer Folge von Bearbeitungsschritten, zu denen fotografische
Belichtungen ausgewählter Bereiche des Substrats durch aufeinanderfolgende Masken hindurch gehören, wobei
jede Maske in eine gewünschte räumliche Beziehung zum Substrat gebracht v.-ird. Ferner betrifft die Erfindung ein entsprechendes
Gerät zur Ausrichtung aufeinanderfolgender Masken relativ zu einer lichtempfindlichen Trägerplatte bzw.
einem Substrat bei der Herstellung einer Mehrschichtstruktur durch eine Folge von fotografischen Belichtungen, wobei
das Substrat und jede Maske jeweils Bezugsmarken tragen, die zur Ausrichtung verwendet werden.
Jeder fotografische Abbildungsvorgang umfasst das Beschichten der Oberfläche des Substrats mit einem lichtempfindlichen
Abdeckmittel, d.h. einem Fotolack, das bzw. der in der Regel vom Negativtyp ist, die Belichtung der Oberfläche durch
eine zwischengelegte Maske hindurch und die Entwicklung der belichteten Oberfläche. Die belichtete Oberfläche kann einer
Anzahl verschiedener weiterer Behandlungen unterworfen werden, beispielsweise kann sie geätzt werden, einer Diffusionsbe—
handlung unterworfen werden, oder Aluminium kann aufgespritzt
werden. Durch Steuerung und Auswahl der Maskenmuster und Maskenverfahren kann eine komplizierte Schicht-Struktur
aufgebaut werden. Es ist wichtig, dass die bei jeder Belichtung auf die Oberfläche reproduzierten Muster
eine genaue räumliche Beziehung zueinander einhalten. Aus
diesem Grunde muss die jeweils für eine Belichtung der Oberfläche verwendete Maske relativ zu zuvor erzeugten Mustern
auf der Oberfläche genau ausgerichtet sein. Zu diesem Zweck.,
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nämlich der Erreichung einer solchen genauen Ausrichtung,
sind Bezugsmarken auf die Oberfläche und die Masken aufgebracht bzw. aufgedruckt.
Gertiäss einem bekannten, bisher verwendeten Verfahren zur
Ausrichtung von Bezugsraarken werden zunächst zwei Bezugsmarken
auf der Oberfläche eines Substrats, beispielsweise einer Platte/ abgebildet bzw. aufgedruckt, die die komplexe
Schichtstruktur erhalten soll. Die zwei Bezugsmarken haben einen bestimmten Abstand voneinander, der in der
Regel der Breite der Platte vergleichbar ist, so dass eine Ausrichtung dieser Bezugsmarken zwangsläufig zu einer
Ausrichtung der gesamten Platte führt. Jede Bezugsmarke hat grundsätzlich die Form eines einfachen Kreuzes, und
die zwei Bezugsmarken liegen parallel zueinander. Weitere Bezugsmarken in Form von zwei Kreuzen, die durch den
gleichen Abstand wie die auf der Platte getrennt sind, sind auf jeder Maske vorgesehen, mit der die Platte aufeinanderfolgend
ausgerichtet werden soll. Die Ausrichtung der zwei Bezugsmarken auf der Platte und der entsprechenden
Maskenmarken wird dadurch erreicht, dass die Kreuze der Platte mittels einer mechanischen Einrichtung automatisch
relativ zu den Kreuzen jeder Maske innerhalb der Abmessungen eines gleichförmigen bzw. leeren Bereichs um die Kreuze herum
angeordnet werden und dass dann mit Hilfe von Servomotoren eine weitere automatische Lageeinstellung der Maske in der
Weise erfolgt, dass sich deren Bezugsmarken mit denen der Platte decken. Zum Antrieb dar Servomotoren werden Fehlersignale
fotoelektrisch aus optischen Abtastungen entsprechender Linien der jeweiligen Maskenkreuze und Plattenkreuze abgeleitet,
wobei ein Nullsignal geliefert wird, wenn sich die Masken-
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kreuze und die Plattenkreuze decken. Bei einer automatischen Ausrichtung müssen die Bereiche in der Umgebung der Bezugsmarken
gleichmässig frei sein, da die sich aus der optischen Abtastung ergebenden Signale nur dann ausgewertet
werden können, wenn keine nennenswert störende Marke in den Abtastbereich fällt.
Nach der automatischen Ausrichtung mit der Maske wird die Platte fotografisch belichtet, damit das Muster der Maske
auf die Platte reproduziert wird. Eine bisher bestehende Sclwierigkeit liegt darin, dass bei jeder Belichtung eine
weitere Abbildung der Bezugsmarke der Maske, beispielsweise des erwähnten Kreuzes, der Originalmarke auf der
Platte überlagert wird, bis mehrere fotografische Abbildungen
den Plattenmarken überlagert sind. Die überlagerten fotografischen Abbildungen führen zwangsläufig zu störenden
Änderungen der Deutlichkeit der Bezugsmarken im Hinblick auf die Breite, die Schattenbildung und die allgemeine
Kontrasthöhe, was zu einer gewissen Ungenauigkeit bei der Nullanzeige des Abtasters führt. Diese Ungenauigkeit wächst
mit der Anzahl der Überlagerungen.
Ein bekanntes Verfahren zur Vermeid-ung dieser Schwierigkeiten
ist die Verwendung eines unterschiedlichen Satzes von Bezugsmarken für jede Belichtung. Jede Maske reproduziert
dabei fotografisch ihren eigenen Satz von Bezugsmarken, so dass zuvor überlagerte Plattenbezugsmarken nicht verwendet
werden. Die Platte selber ist mit Bezugsmarken versehen, die durch Überlagerung nicht beeinträchtigt sind, damit
eine genaue Ausrichtung jeder aufeinanderfolgenden Maske
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möglich ist. Der verwendete Satz von Plattenbezugsmarken
entspricht dem für jede Maske typischen Satz. Wie bereits erläutert wurde, muss jedoch leider zum Zweck der automatischen
Ausrichtung notwendigerweise ein trennender, freier Bereich um jede Bezugsmarke vorgesehen sein, damit eine
fotoelektrische Erkennung möglich ist. Bei mehreren Sätzen von Plattenmarken hat dies demzufolge einen Verlust
des praktisch verwendbaren Bereichs der Platte zur Folge. Die verlorene Fläche hängt von der Anzahl der angev/endeten
Masken vorgänge und der erwarteten Abweichung bei der anfänglichen
mechanischen Einstellung ab. Dieses Verfahren ist bei manueller Ausrichtung anwendbar, bei der eine
Erkennung enger Muster durch ein Mikroskop möglich ist.
Erfindungsgemäss wird für ein Verfahren zur Ausrichtung aufeinanderfolgender
Masken relativ zu einer lichtempfindlichen Trägerplatte bzw. einem Substrat bei der Herstellung einer
Mehr schicht struktur durch Behandlung des Substrats in einer Folge von Bearbeitungsschritten, zu denen fotografische
Belichtungen ausgev/ählter Bereiche des Substrats durch aufeinanderfolgende Masken hindurch gehören, wobei jede Maske
in eine gewünschte räumliche Beziehung zum Substrat gebracht wird, vorgeschlagen, dass jede.aufeinanderfolgende
Maske mittels Bezugsmarken.auf jeder aufeinanderfolgenden
Maske relativ zum Substrat ..rieht ig angeordnet wird, wobei
die Bezugsmarken auf jeder Maske nacheinander in eine bestimmte Beziehung zu entsprechenden Bezugsmarken auf dem
Substrat gebracht werden, ohne dass irgendwelche fotografischen Abbildungen der Bezugsmarken auf den Masken den
Bezugsmarken auf dem Substrat überlagert werde. Dabei sind
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die entsprechenden Bezugsmarken auf dem Substrat jeweils die gleichen.
Das erfindungsgemässe Verfahren ermöglicht, dass ein
einziger ursprünglicher Satz von Bezugsmarken, der während eines anfänglichen Abbildungs- bzw, Druckvorgangs auf eine
Substratoberfläche aufgebracht worden ist, bei weiteren
aufeinanderfolgenden Abbildungsvorgängen als Bezugssystem für aufeinanderfolgende Ausrichtungen relativ zu den
Oberflächen aufeinanderfolgender Masken verwendet wird,
wobei das erfindungsgemässe Verfahren so arbeitet, dass ein Überdecken des ursprünglichen einzigen Satzes von
Bezugsmarken durch fotografische Abbildung von Bezugsmarken auf den Masken vermieden wird und dass bei jeder der aufeinanderfolgenden
Ausrichtungen von Masice und Substrat die gleichen Auswertbedingungen bestehen. Die Erfindung löst
daher die Aufgabe, für eine genaue Ausrichtung zu sorgen, · ohne dass zahlreiche, verteilte Markensätze angewendet werden.
Ferner ist dann, wenn bei der Aufbringung der Bezugsmarken auf einer Maske ein Fehler vorliegt, der dadurch verursachte
Fehler der Plattenausrichtung beschränkt, und eine Korrektur ist möglich. -
Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist
vorgesehen, dass die Bezugsmarken auf dem Substrat und auf jeder Maske getrennt zur Deckung mit zwei verschiedenen
Stellen gebracht werden, die sich durch bestimmte und genau bekannte Koordinaten unterscheiden.
Beispielsweise können die Bezugsmarken auf dem Substrat jeweils grundsätzlich Kreuzform haben und zunächst mit einem dritten
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Bezugssystem mit- ähnlicher Kreuzform, das in einer Äbtast
vor richtung vorgesehen ist, ausgerichtet werden. Während eines zweiten Ausrichtvorgangs wird ein ähnliches Paar
von Bezugsmarken auf einer Maske mit dem gleichen Bezugssytem
oder mit einem weiteren Bezugssystem ausgerichtet, das vom dritten Bezugssystem einen bestimmten Abstand hat.
Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist
vorgesehen, dass die Bezugsmarken auf dem Substrat und die entsprechenden Bezugsmarken auf jeder Maske relativ
zueinander um einen bestimmten Betrag versetzt sind, wenn sich die Maske und das Substrat in den richtigen Relativstellungen
befinden. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass die Bezugsmarken auf dem Substrat durch die Maske hindurch beleuchtet werden, wobei sich die Bezugsmarken auf
der Maske ausserhalb des Weges des die Bezugsmarken auf dem Substrat beleuchtenden Lichtes befinden, und dass Bilder
der jeweiligen Bezugsmarken, die von von den Bezugsmarken refleMiertem Licht erzeugt werden, beobachtet oder festgestellt
werden, wobei das Substrat und die Maske in die richtigen Relativstellungen gebracht werden, indem die
jeweiligen Bilder der Bezugsmarken in bestimmte Relativstellungen gebracht werden. Vorzugsweise geht das Licht,
das entweder von den Bezugsmarken auf der Maske oder den Bezugsmarken auf dem Substrat reflektiert v/orden ist, durch
eine einstellbare Strahlversetzungsvorrichtung hindurch, die um ein bestimmtes Ausmass so verstellt ist, dass sie die
Bilder der jeweiligen Bezugsmarken zu Deckung miteinander bringt'. Gemäss einer anderen bevorzugten Durchführungsform
der Erfindung, die insbesondere bei der Belichtung von Negativ-
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fotolacken geeignet ist, wird das Substrat durch aufeinanderfolgende
Masken hindurch fotografisch belichtet, und vor oder nach jeder Hauptbelichtung werden wenigstens
zwei Bezugsmarken auf dem Substrat und jeweilige gleichmassige Hintergrundbereiche in der Umgebung der Be2ugsmarken
getrennt von dar Hauptbelichtung des übrigen Substrats belichtet, bevor oder nachdem sie mit entsprechenden Bezugsmarken
auf jeder aufeinanderfolgenden Maske ausgerichtet v/erden bzw. worden sind. Alternativ kann dann, wenn ein
Positivfotolack belichtet .wird, das Substrat einer Folge von Belichtungen durch aufeinanderfolgende Masken hindurch
ausgesetzt werden, wobei die Bezugsmarken auf dem Substrat während der Belichtungen getrennt abgedeckt v/erden, nachdem
sie mit den enbsprechenden Bezugsmarken auf jeder Maske
ausgerichtet worden sind.
Ferner wird ein Gerät zur Ausrichtung aufeinanderfolgender Masken relativ zu einer lichtempfindlichen Trägerplatte
bzw. einem Substrat bei der Herstellung einer Mehrschichtstruktur durch eine Folge von fotografischen Belichtungen
vorgeschlagen, v/obei das Substrat und jede Maske jeweils Bezugsmarken tragen, die zur Ausrichtung verwendet werden,
das sich erfindungsgemäss auszeichnet durch eine Einrichtung, die durch die Maske hindurch Licht auf die Bezugsmarken auf
dem Substrat wirft, eine Einrichtung, die von den Bezugs— marken auf dem Substrat reflektiertes Licht zu einem Bezugsort lenkt, eine Einrichtung, die von den Bezugsmarken auf der
Maske reflektiertes Licht zu einem Bezugsort lenkt, der der gleich= wie der zuvor genannte Bezugsort oder ein davon verschiedener
sein kann, eine Einrichtung zum Einstellen der Lage
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jeder aufeinanderfolgenden Maske relativ zum Substrat, die die Maske und das Substrat in eine für die Belichtung
gewünschte Relativstellung bringt, in der sich die Bezugsmarken auf der Maske und dem Substrat nich decken, und eine
Einrichtung zur Überwachung der Relativstellung am Bezugsort bzw. an jedem Bezugsort.
Gemäss einer bevorzugten Ausführungsfonn ist vorgesehen, dass die Bezugsmarken am Substrat und an der Maske relativ
zueinander versetzt sind und von Licht beleuchtet v/erden, das vom gleichen optischen System gelenkt bzw. geleitet wird,
wobei die Einrichtung zur Lenkung reflektierten Lichtes von den Bezugsmarken der Maske und des Substrats zu dem
oder den Bezugsorten zumindest einen Teil des optischen Systems umfasst, und dass zum optischen System ein .
Strahlteiler gehört, der zur Trennung des Beleuchtungs— Strahls von den reflektierten Strahlen dient. Vorzugsweise
ist ferner vorgesehen, dass eine einstellbare Strahlversetzungsvorrichtung
im reflektierten Strahl, der entweder von den Bezugsmarken auf der Masice oder dem Substrat kommt, so
angeordnet und ausgebildet ist, dass dann, wenn die Maske und das Substrat relativ zueinander richtig angeordnet sind,
die zwei reflektierten Strahlen aufeinanderfolgende Bilder der jeweiligen Bezugsmarken bilden, die sich am gleichen
Bezugsort decken. Die Strahlversetzungsvorrichtung kann eine lichtdurchlässige Platte mit parallelen Seiten umfassen,
die so ausgebildet ist, dass sie um eine zu den Seiten parallele und zum zu versetzenden Strahl senkrechte Achse
drehen kann.
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Bei einer praktischen Ausführungsform des Gerätes sind
an dem oder jedem Bezugsort eine oszillierende Aperturblende, die eine hin- und hergehende Bev/egung senkrecht
zum darauf einfallenden reflektierten Strahl ausführen kann, wobei die Mittel- oder Ruhelage der Aperturblende mit der\
Lage des Strahls zusammenfallt, wenn die entsprechende
Bezugsmarke richtig angeordnet ist, und ein phasenempfindlicher fotoelektrischer Detektor vorgesehen, der auf durch
die Aperturblende durchgelassenes Licht in der Weise anspricht, dass er eine Abweichung des Strahls von der
Mittel- oder Ruhelage anzeigt.
Eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemässen Gerätes
umfasst eine Einrichtung, die lediglich die Bezugsmarken des Substrats und die unmittelbar umgebenden Bereiche vor
oder nach der Ausrichtung dieser Bezugsmarken . mit Bezugsmarken auf jeder aufeinanderfolgenden Maske belichtet, so
dass bei einer Belichtung des übrigen Substrats durch jede
Maske hindurch keine fotografischen Bilder der Bezugsmarken
der Maske auf dem Substrat erzeugt werden. Das Substrat wird vorzugsweise von einer bewegbaren Spann- bzw. Haltevorrichtung
getragen, die das Substrat relativ zu einem Maskentragtisch bewegen kann, wobei die Haltevorrichtung Öffnungen
bzw. Löcher hat, die mit Lichtleiteinrichtungen versehen sind, durch die hindurch nur die Bezugsrnarken und die umgebenden
Bereiche des Substrats belichtet v/erden.
Die Lichtleiteinrichtungen können jeweils eine in eine Öffnung
eingesetzte rohrförmige Hülse auf v/eisen, wobei die Hülsen zum Zweck der Belichtung der Bezugsmarken am Substrat und der
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umgebenden Bereiche in den Öffnungen lagemässig einstellbar
sind. . . ·
Ausfuhrungsbeispxele der Erfindung sind in den Zeichnungen
dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Substrat und eine
darüberliegende Maske, die zur Durchführung einer ersten Ausführungsform des
erfxndungsgemassen Verfahrens dient;
Fig. 2 einen schematischen Schnitt gemäss IX-II
in Fig. 1;
Fig. 3 einen Teil eines typischen optischen
' Systems, das zur Durchführung der ersten Ausführungsform des erfindungsgemässen
Verfahrens verwendet wird:
Fig. 4 eine schematische perspektivische Ansicht
eines Teils eines Gerätes, das zur Durchführung einer zweiten Ausführungsform
des erfindungsgemässen Verfahrens verwendet wird; und
Fig. 5 einen Querschnitt gemäss V-V in
Fig. 4.
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Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht. Sie zeigt eine transparente
Glasmaske 1 durch deren transparente Bereiche 2 eine freie, gleichförmige Zone um jede von zwei Bezugsmarken 3
in Form von Ereusen auf einer Trägerplatte 4- beleuchtet werden
können (s. Fig. 4-). Der Schnitt gemäß Fig. 2 zeigt die relative Lage von Maske und Trägerplatte 4, wenn von der
Maske 1 durchgelässenes Licht auf die Bezugsmarken 3 der Trägerplatte 4· fällt. Um jede von zwei ähnlichen Bezugsmarken
6 auf der Maske 1 sind hell reflektierende Flächen 5 vorgesehen. Die Flächen 5 sind dadurch hell reflektierend
gemacht worden, daß eine dicke Hintergrundschicht aus Chrom auf der Unterseite der Maske 1 abgelagert worden ist.
Die Maskenmarken 6, die ebenfalls die Form von Kreuzen haben, bestehen aus verhältnismäßig dünnen Emulsionsschichten,
die vor den die reflektierenden Flächen 5 bildenden Schichten auf der Maske 1 niedergeschlagen worden sind, so daß
jeweils'als Bezugsmaske 6 ein dunkles, gegen einen hellen
Hintergrund stark kontrastierendes Kreuz geschaffen worden ist. Durch die reflektierenden Chromschichten der
Flächen 5 kann kein Licht dringen, das die dahinterliegende Trägerplatte beeinträchtigen könnte.
Wenn sich die Trägerplatte bzw. das Substrat 4 und die Maske in den richtigen, für eine Belichtung geeigneten Relativ-"
Stellungen befinden,· sind die Substratmarken 3 um eine
bestimmte Strecke von den Maskenmarken 6 und den reflektierenden Hintergrundflächen 5 seitlich versetzt, wie dies in den
Figuren 1 und 2 gezeigt ist.
In Fig. 3 ist die Beziehung der Maske 1 und der Trägerplatte
zu einem optischen Abtaster, wie beispielsweise einem fotoelektrischen Mikroskop während der Ausrichtung von Maske und
Trägerplatte dargestellt. Licht von einer Quelle 7 ist auf
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die telezentrische Aperturblende 8 des Mikroskops fokussiert. Der einfallende Strahl wird von einem halbreflektierenden
Strahlteiler 9 durchgelassen, in-dem ein Teil des Strahls
durch Reflexion verlorengeht. Das durchgelassene Licht geht durch das optische System des Mikroskops hindurch, das ein
Objektiv 10 aufweist, das den Strahl durch die Maske auf die kreuzförmige Bezugsmarke 3 richtet. Von der Bezugsmarke 3
reflektiertes Licht läuft durch das Mikroskop zurück, wird vom Strahlteiler 9 reflektiert, wobei wiederum ein Verlust
auftritt, und wird so fokussiert, daß ein Bild 11 bei einem schwingenden Schlitz 12 gebildet wird. Der schwingende
Schlitz 12 geht in einer zum darauf' einfallenden Strahl
senkrechten Ebene hin und her, wobei der Schlitz 12 parallel zum Bild 11 einer der Linien verläuft, die das Kreuz bilden.
Der Schlitz 12 gestattet den Eintritt von Licht, außer wenn seine Lage mit dem Bild 11 zusammenfällt, d.h. bei
einer Phase der Schwingung, die sich mit der Stellung des Bildes 11 und somit mit der Stellung des Gegenstandes ändert,
bei dem es sich in diesem Fall uia die Bezugsmarke 3 handelt.
Die Mittelstellung des sctwingenden Schlitzes 12 bildet einen
Bezugsort. Ein Bild, das sich genau an diesem Bezugsort befindet, zeigt die ITullphase, bei der kein Licht eintritt bzw.
aufgenommen wird, an und führt zu einer Uullkomponente der
Änderung eines Signals, das aus dem durch den Schlitz 12 durchgelassenen Licht abgeleitet wird, das von einer FeIdlinse
13 auf ein lichtempfindliches Element 14· gerichtet wird, bei dem es sich vorzugsweise um einen Fototransistor
handelt. Die resultierenden elektrischen" Signale vom Element 14 werden verstärkt und dann von einem phasenempfindlichen
Detektor 4-0 festgestellt, der mit der Schwingung der Schlitzes 12 synchronisiert ist. Damit die zwei sich schneidenden
Linien des die Bezugsmarke 3 bildenden Kreuzes ermittelt werden können, ist ein zweiter, nicht dargestellter Strahlteiler im
Weg des das Bild erzeugenden reflektierten Strahles nach dem
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Durchgang durch den ersten '
Strahlteiler 9 erforderlich. Die zwei Strahlteiler erzeugen zwei Bilder bei zwei getrennten schwingenden Schlitzen, die
senkrecht zueinander stehen und jeweils einem eigenen fotoelektrischen Detektor zugeordnet sind. Diese Verdoppelung ist
in. Fig. 3 nicht dargestellt; sie ist jedoch im praktischen Betrieb erforderlich, urn eine vollständige Lageinformation
im Hinblick auf die Bezugsmarke 3 zu erzeugen. Zur Bestrahlung und Feststellung der zweiten Bezugsmarke 3 ist ein zweites
Mikroskopsystem erforderlich.
Zwischen den Strahlteiler 9 und den schwingenden Schlitz ist ein optisches Mikrometer in Form einer parallelseitigen
Glasplatte 15 eingefügt, die um eine zu ihren ebenen Stirnseiten parallele und zum Strahl senkrechte Achse drehbar
ist, damit der durchtretende Strahl und das von ihm gebildete Bild 11 seitlich versetzt werden. Zwei solche optische
Mikrometer sind erforderlich, um eine Strahlversetzung sowohl in der x-Richtung als auch in der y-Richtung zu erzeugen,
wenn eine unabhängige Bewegungskontrolle für diese zwei Richtungen erforderlich ist.
Im folgenden soll die Art "beschrieben werden, in der die in
FjLg. 3 gezeigte Vorrichtung verwandt wird, um eine Ausrichtung
der Haske 1 mit der Trägerplatte 4 zu erreichen. Zuerst soll
die Ausrichtung der Marken 3 und 6 auf der rechten Seite der
Fig. 1 erfolgen, so daß sie voneinander um vorbebestimate
-Abstände in der X-Richtung (horizontal in Fig. 1) und der Y-Richtung (senkrecht in Fig. 1) voneinander getrennt
sind. ■
a) Die erste Ausrichtung in der X-Richtung wird dadurch ausgeführt,
daß die Trägerplatte 4 so bewegt wird, daß eine der Linien (senkrecht zu der X-Richtung) der Trägerplattenmarke
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mit dem Schlitz 12 zusammenfällt, wobei dieses Zusanmenfallen
von einem Fadendetektor 40 festgestellt wird.
b) Die zweite Ausrichtung in der X-Richtung wird derart ausgeführt,
daß zuerst die Glasplatte Λ5 um einen vorbestimmten
Winkel gedreht wird, wodurch eine Bildverschiebung am Schlitz 12 erzeugt wird, die genau der Verschiebung des
Kreuzes 3 relativ zu dem Kreuz 6 in der X-Richtung entspricht, wenn die Maske und die Trägerplatte sich in der
gewünschten Ausrichtungs- bzw. Deckungslage befinden, und sodann wird eine der Linien (senkrecht au der X-Richtung)
der Maskenmarke 6 in Deckung mit dem Schlitz 12 gebracht. Durch diese Öpterationen (a) und (b) wird die Ausrichtung
der auf der rechten Seite der Fig. 1 liegenden Maskenmarke mit der Trägerplattenmarke in der X-Richtung abgeschlossen.
c) Die erste Ausrichtung in der Y-Richtung wird dadurch ausgeführt,
daß die Trägerplatte 4- derart bewegt wird, daß die andere Linie (senkrecht zu der Y-Richtung) der Trägerplattenmarke
3 mit dem nichtdargestellten, oben erwähnten
Schlitz zusammenfällt.
d) Die zweite Ausrichtung in der Y-Richtung wird dadurch ausgeführt,
daß zuerst eine weitere Glasplatte (die nicht dargestellt ist, die jedoch entsprechend dem oben unter (c)
erwähnten, nicht dargestellten Schlitz vorgesehen wird) um einen vorbestimmten Winkel entsprechend der gewünschten:.
Verschiebung zwischen den Marken in der X-Richtung, gedreht wird, und daß sodann die Maske 1 so bewegt wird, daß
die andere Linie (senkrecht zu der Y-Richtung) der Maskenmarke mit dem nichtge zeigt en Schlitz zusammenfällt. Durch
diese Operationen (c) und (d) wird die Ausrichtung der Trägerplattenmarke mit der Maskenmarke auf der rechten Seite
der Fig. 1. in der Y-Richtung abgeschlossen.
Sodann wird die Ausrichtung der Maskenmarke auf der linken Seite der Fig. 1 mit der entsprechenden Trägerplattenmarke
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in ähnlicher Weise ausgeführt, wie es oben anhand der Schritte (a) bis (d) erläutert wurde.
Es ist leicht einzusehen, daß durch die Zwischenschaltung
der Mikrometerplatte 15 in den reflektierten Strahl während
eines der Ausrichtvorgänge die Versetzung zwischen den
zwei Sätzen von Marken J> und 6 praktisch aufgehoben wird,
so daß beide Sätze'von Marken mit dem gleichen Bezugsort
ausgerichtet werden, ohne daß die Maskenbezugsmarken 6 tatsächlich über den Trägerplatten—Bezugsmarken 3 angeordnet
werden müssen, was zu einem Überdrucken bzw. Überdecken der
letzteren führen würde.
Ein anderes Verfahren zur Verhinderung von Lichteinfall
auf die Trägerplatte 4- besteht darin, die Maskenbezugsmarken 6 außerhalb des Bereichs der Maske anzuordnen, der
die Trägerplatte bedeckt. Dann ist zur Hervorhebung der Marken 6 ein geeigneter Hintergrund erforderlich.
Die zuvor beschriebene Ausführungsform der Erfindung bedingt,
dass eine bestimmte Versetzung bzw. ein bestimmter Abstand
zwischen den Bezugsmarken auf der Maske und dem Substrat hergestellt werden muss. Dies ist mühsam und zeitraubend.
Die Figuren 4 und 5 zeigen eine bevorzugte Ausführungsform
der Erfindung, die insofern vorteilhaft ist, dass sie ein
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Überdrucken bzw. Abdecken der Bezugsmarken auf dem Substrat
vermeidet, ohne dass eine genaue Versetzung zwischen den Substratmarken und den Maskenmarken erforderlich ist.
Bei der unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 3 beschriebenen Ausfuhrungsförm wird ein überdrucken bzw. Abdecken der
Substratbezugsmarken durch eine körperliche Trennung der Bezugsmarken auf dem Substrat und jeder Maske vermieden.
Gemäss einem alternativen erfxndungsgemassen Verfahren wird
ein Überdrucken bzw. Überdecken dadurch verhindert, dass so vorgegangen wird, dass die Bereiche um die Bezugsmarken
auf dem Substrat vor der Ausrichtung mit den Bezugsmarken auf der Maske getrennt belichtet werden, so dass letztere
während der Hauptbelichtungen des übrigen Substrats nicht fotografisch auf dem Substrat abgebildet werden. Beispielsweise
könnte für,eine vorausgehende, näherungsweise Ausrichtungsbelichtung eine Maske verwendet werden, die Licht nur zu
den Bereichen des Substrats in der Umgebung der Bezugsmarken auf dem Substrat durchlässt, wobei das Substrat nur in
diesen Bereichen fotografisch belichtet wird. Danach wird
die Maske für die Belichtung des übrigen Substrats ausgerichtet. Dieses Vorgehen würde in der Praxis zeitraubend
sein, da es die Durchführung von zwei getrennten Maskenausrichtungen erfordert.
Bei der in den Figuren 4 und 5 dargestellten bevorzugten
Ausführungsform ist das Gerät, das zur Übergabe und/oder zum Halten der Maske und des Substrats zum Zweck der
relativen Ausrichtung vor der Hauptbelichtung des Substrats
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durch die Maske dient, in der Weise abgewandelt, dass eine
Maskenvorrichtung gebildet wird, die für die vorausgehende Belichtung der Bereiche der Substratbezugsmarken verwendet
wird, wobei sich das Substrat für die Hauptbelichtuhg bereits an Ort und Stelle befindet.
Im folgenden wird auf die Figuren 4 und 5 Bezug genommen. Ein Aufgabeplattenhalter
16 weist nicht dargestellte, jedoch bekannte Saugöffnungen auf, die eine zu belichtende Trägerplatte anheben,
so daß die Trägerplatte 4 auf der flächen Unterseite des Plattenhalters
16 gehalten wird. Vor dem Anhsbeni wird die Trägerplatte
vorbereitend mechanisch relativ zum Plattenhalter 16 in eine Bezugsstellung ausgerichtet, so dass das Substrat 4
dann, wenn es der Plattenhalter anhebt und aufgrund der
Bewegung eines den Plattenhalter tragenden Übertragungsarms über eine bekannte Bahn bewegt, in richtiger räumlicher
Stellung relativ zu einem ringförmigen Maskentragtisch 17
angeordnet ist. Die nicht dargestellte Maske soll auf dem Maskentragtisch 17 in genau bestimmter Weise so angebracht
werden, dass sich die Bezugsmarken auf der Trägerplatte und der Maske in richtiger räumlicher Beziehung befinden, die
es ermöglicht, dass der Maskentragtisch 17 von Servomotoren so verfahren wird, dass genaue Koinzidenz zwischen den
entsprechenden Bezugsmarken auf dem Substrat und der Maske besteht.
Bevor die Maske auf dem Maskentragtisch 17 angeordnet wird, wird jedoch der Aufgabeplattenhalter 16 auf den Maskentragtisch
17 abgesenkt, während er nach wie vor das Substrat 4 hält. Währenddessen wird ein Mittelfutter 18 auf einem nicht
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dargestellten Luftlager so hoch-gefahren, daß es relativ zum Plattenhalter 16 eben ausgerichtet ist und das Substrat 4- fest
einspannt. Während dieser Vorgänge ist die Trägerplatte genau an der flachen Unterseite des Plattenhalters 16 angeordnet,
wie bereits erwähnt wurde. Diese genaue Anordnung wird durch die an sich beaknnte Technik erzielt, daß die Trägerplatte 4-mittels
einer kinematische Sonde in eine genaue Stellung relativ
zum Plattenhalter 16 in einer nicht dargestellten Aufgabestation gebracht wird, und daß der Plattenhalter 16 selber in
einer besonderen Lage über der Aufgabestation, beispielsweise mittels eines kinematischen Verriegelungssystems mit drei
Kugeln und drei Rillen, von dem eine Kugel 19'in Fig. 5 dargestellt
ist, Örtlich festgelegt wird.
Genau im Bereich der Bezugsmarken 3 der Trägerplatte 4 sind Löcher 20 in den Plattenhalter 16 gebohrt, die dazu
dienen, während einer vorausgehenden Belichtung Licht durchzulassen, wobei diese Belichtung durchgeführt wird,
während sich das Substrat 4 an Ort und Stelle befindet und während das Mittelfutter 18 in Stellung gebracht wird.
Eine Kunststoffabdeekung 21 für den Aufgabeplatterihalter
tragt die kinematischen Haltekugeln 19 und bildet ferner
eine Einstellmöglichkeit zur Beschränkung des Lichtes für die vorläufige Belichtung auf die Bereiche der Bezugsmarke.
Um diese Einstellung zu erleichtern, sind die Löcher 20 grosser als erforderlich ausgebildet, und rohrförmige
Hülsen 22 mit geeignetem Durchmesser sind in den Löchern 20 angeordnet. Die Hülsen 22 sind in ihrer Lage genau und
einfach einstellbar mittels Schrauben 23, die in die Abdeckung 21 für den Aufgabeplattenhalter eingeschraubt sind
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und durch erweiterte Löcher in Flanschen 24 hindurchgehen, die an den Hülsen 22 ausgebildet sind. Die Ausrichtung der
Bereiche der Bezugsmarken wird vor der'vorausgehenden Belichtung
mittels eines nicht dargestellten Prüfmikroskops betrachtet.
Die Flansche 24 der Hülsen 22 verhindern ein Durchdringen von störendem Licht auf das Substrat 4.
Nach der vorausgehenden Belichtung der Bereiche der Substratbezugsmarken
und nach dem Ausrichten des Substrat 4· relativ zum Maskentragtisch 1? wird das Mittelfutter 18 entfernt, die
Maske in Stellung gebracht und die Hauptbeiichtung des Substrats 4- durch die Maske durchgeführt, nachdem die Bezugsmarken auf der
Maske und dem Substrat in der oben beschriebenen Weise ausgerichtet worden sind.
Nach der Belichtung, der Bearbeitung und der erneuten Beschichtung ist das Substrat für eine weitere vorausgehende
Belichtung der Bereiche der Bezugsmarken vor der Ausrichtung \
.mit der folgenden Maske und vor der Belichtung durch
dieselbe bereit.
Das Substrat und jede Maske werden mittels fotoelektrischer Mikroskope so zur Deckung gebracht, dass die übereinanderliegenden
Bilder der Substratbezugsmarken und der Maskenbezugsmarken an bestimmten Bezugsorten liegen, beispielsweise
bei schwingenden Schlitzen, wie dies zuvor unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 3 beschrieben wurde. Während
jeder Hauptbelichtung des Substrats werden die Maskenbezugsmarken nicht auf den Substratmarken fotografisch abgebildet
, da die Bereiche des Substrats, die die Bezugsmarken
auf dem Substrat ungeben, bereits zuvor belichtet worden sind.
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Die zusätzliche Belichtung der Substratmarkenbereiche zur Verhinderung eines Überdrucken^ kann auch nach anstatt vor
der Hauptbelichtung erfolgen. Beispielsweise kann ein Ausgab eplattenhalt er zu diesem Zweck ausgebildet sein. Auch
andere Anordnungen als die hier als Beispiele beschriebenen können dazu verwendet werden, eine zusätzliche Belichtung der
Bereiche der Substratbezugsmarken an Ort und Stelle zu erreichen.
Die Erfindung kann auch zur Belichtung eines positiven
lichtempfindlichen Abdeckmittels, d;h. eines Positivfotolackes,
verwendet werden. Wenn ein Positivfotolack auf ein Substrat bzw. eine Platte aufgebracht.worden ist, können
die Bezugsmarken auf dem Substrat während der Haupt bs-lichtung
von Bereichen des Substrats mit ultraviolettem Licht oder anderer Strahlung vor einem Überdrucken, d.h. einer
fotografischen Abbildung der Bezugsmarken auf der Maske, geschützt werden, indem die Bezugsmarken und ihre Hintergrundbereiche
mit Hilfe von Abdeckelementen abgeschirmt werden, die von geeigneten einfahrbaren und genau einstellbaren
Haltern getragen werden. Zu diesem Zweck können die Abdeckelemente
geeignete kleine Platten aufweisen, die von gleitend verschiebbaren Haltern getragen werden, die vorzugsweise
in .Präzisionskugelbuchsen gelagert sind, so dass deren Bewegungen genau wiederholbar sind. Jedes Abdeckelement
wiederum ist an seinem gleitend verschiebbaren Halter einstellbar angebracht, beispielsweise mittels einer
exzentrischen Schraube, wodurch ermöglicht wird, dass die Stellung des Abdeckelementes relativ zu seinem gleitend
verschiebbaren Halter genau eingestellt werden kann. Während des Ausrichtungsschrittes kann, wenn die Bezugsmarken
auf dem Substrat bzw. der Trägerplatte belichtet werden, ein Überdrucken dadurch verhindert werden, daß ein Filter
eingefügt wird, das den Ultraviolettbereich ausschließt.
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Claims (18)
- PatentansOri'che.'Verfahren zur Ausrichtung einer Folge von Masken in Bezug auf eine photoempfindliche Trägerplatte bzw. ein Substrat bei der Herstellung einer Mehrschichtstruktur, dadurch: gekenn ζ ei chn et, daß eine Reihe von photographischen Belichtungen ausgewählter Bereiche des Substrats durch eine Folge von Masken vorgenommen wird, daß jede Maske in eine gewünschte räumliche Lage in Bezug auf das Substrat gebracht wird, wobei Jede aufeinanderfolgende Maske genau in Bezug auf das Substrat unter Verwendung von Bezugsmarken auf jeder der aufeinanderfolgenden Masken angeordnet wird, und daß die aufeinanderfolgenden Masken jeweils aufeinanderfolgend in eine vorbestimmte Lage in Bezug auf entsprechende Bezugsmarken auf dem Substrat gebracht werden, ohne daß sich auf diesem photographische Bilder der Bezugsmarken auf den Marken überlagern.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bezugsmarken auf dem Substrat durch die Maske beleuchtet werden, wobei die Bezugsmarken auf der Maske außerhalb der Bahn des Lichtes liegen, mit dem die Bezugsmarken des Substrats beleuchtet werden, und daß feststellbare Bilder der jeweiligen Bezugsmarken durch von diesen reflektiertes Licht gebildet werden, wobei das Substrat und eine Maske dadurch in die genaue gegenseitige Stellung gebracht werden, daß die jeweiligen Bilder der Bezugsmarken in vorbestimmte relative Lagen gebracht werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch Λ oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das von' einem der beiden Sätze von Bezugsmarken auf die Maske und das Substrat reflektierte Licht durch eine einstellbare Strahlverschiebungs.einrichtung läuft, die um einen bestimmten Betrag verstellbar ist, um die Bilder der jeweiligen Bezugsmarken zusammenfallen zu lassen, wenn sich das Substrat und die Maske in der richtigen relativen409847/0909Lage zueinander befinden.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat durch eine Folge von Masken einer Folge von Hauptbelichtungen ausgesetzt wird, und daß dieselben beiden Bezugsmarken auf dem Substrat und entsprechende, diese Marken umgebende gleichförmige Hintergrundbereiche getrennt von der Hauptbelichtung des übrigen Substrats belichtet werden·
- 5* Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat einer Folge von Belichtungen durch auf-einanderfolgende Masken hindurch ausgesetzt wird, wobei die Bezugsmarken auf dem Substrat während der Belichtungen getrennt abgedeckt werden, nachdem sie mit der entsprechenden Bezugsmarke auf jeder Maske ausgerichtet worden sind.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Bezugsraarken (3, 6) auf dem Substrat (4) und auf jeder Maske (1) getrennt zur Deckung mit zwei 'verschiedenen Stellen gebracht werden, die sich durch bestimmte und genau bekannte Koordinaten unterscheiden.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Bezugsmarken (3) auf dem Substrat (4) und die entsprechenden Bezugsmarken (6) auf jeder Maske re-. lativ zueinander um einen bestimmten Betrag versetzt sind, wenn eich die Maske und das Substrat in den richtigen RelativsteUingen befinden (Fig. 1).
- 8. Verfahr«! nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat und jede Maske getrennt relativ zu einem Bezugsort ausgerichtet werden, indem von den jeweiligen Bezugsmärken ausgehende Lichtstrahlen verwendet werden, wobei einer der Lichtstrahlen durch eine einstellbare409847/0909StrahVersetzungsvorrichtung (15) hindurchgeht, die ermöglicht, dass der Lichtstrahl urn ein bestimmtes Stück so versetzt wird, dass beide Lichtstrahlen auf den Bezugsort gerichtet sind, wenn sich die Maske und das Substrat in ihren richtigen Relativstellungen befinden.~
- 9. Gerät zur Ausrichtung einer Folge von Masken in Bezug auf eine photo empfindliche Trägerplatte "bzw. ein Substrat zur Herstellung einer Mehrschicht struktur mit Hilfe einer Reihe von photo graphisch en Belichtungen, wobei das Substrat und jede Maske jeweils Bezugsinarken tragen, die zur gegenseitigen Ausrichtung verwandt werden, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (75 10), die durch jede Maske (1) Licht auf die Bezugsmarken (3) des Substrats wirft, durch Einrichtungen, die einen Bezugspunkt bilden, durch Einrichtungen (9), die das von den Marken des Substrats reflektierte Licht auf den Bezugspunkt (12) richten, durch Einrichtungen, die das von den Bezugsmarken der Maske reflektierte Licht auf dem Bezugspunkt richten, durch Einrichtungen, um die Lage jeder Maske (1) in Bezug auf das Substrat einzustellen, wobei die. Maske und das Substrat in eine gewünschte relative Lage zueinander für die Belichtung gebracht werden können, während die Bezugsmarken (6, 3) auf der Maske und dem Substrat sich nicht in Deckung befinden, und durch Einrichtungen, um die relative Lage am Bezugspunkt zu überwachen.
- 10. Gerät zur Ausrichtung einer Folge von Masken in Bezug auf ein photoempfindliches Substrat für die Herstellung einer Mehrschichtstruktur mit Hilfe einer Reihe von photographischen Belichtungen, wobei das Substrat und jede Maske jeweils Bezugsmarken tragen, die für die gegenseitige Ausrichtung verwandt werden, gekennzeichnet durch Einrichtungen (7, 10), die durch jede Maske Licht auf die Bezugsmarken (3) des Substrats richten, durch Einrichtungen, die einen ersten Bezugspunkt (12) bilden, durch Einrichtungen409847/0909(9), die von den Marken des Substrats reflektiertes Licht zu dem Bezugspunkt (12) richten, durch Einrichtungen, die einen weiteren Bezugspunkt getrennt von dem ersten Bezugspunkt bilden, durch Einrichtungen, die von den Bezugsmarken der Maske reflektiertes Licht auf den weiteren Bezugspunkt richten, durch Einrichtungen, um die Lage jeder Maas (1) in Bezug auf das Substrat einzustellen, wobei die Maske und das Substrat in eine gewünschte relative Lage zueinander für die Belichtung gebracht werden können, während die Bezugsmarken (6, 3) auf der Maske und dem Substrat sich nicht miteinander in Deckung befinden, und durch Einrichtungen, um die relative Lage an dem Bezugspunkt bzw. den Bezugspunkten zu überwachen.
- 11. Gerät nach einem der Ansprüche 9 oder 10, gekennzeichnet durch ein optisches System, das sowohl die Bezugsmarken des Substrats wie auch die Bezugsmarken . der Maske belichtet, wobei die Bezugsmarken gegeneinander versetzt sind, und wobei die Einrichtung, die von den Bezugsmarken der Maske und des Substrats reflektiertes Licht auf den Bezugspunkt richtet wenigstens einen Teil des optischen Systems umfaßt, wobei das optische System eine : Strahlaufspaltvorrichtung umfaßt, die den Beleuchtungsstrahl von den reflektierten Strahlen trennt.
- 12. Gerät nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch einstellbare Strahlverschiebungseinrichtungen> die in dem reflektierten Strahl von einem der beiden Sätze von Bezugsmarken auf der Marke angeordnet sind, und durch Einrichtungen zur Einstellung der Strahlverschiebungseinrichtung derart, daß, wenn die Maske und das Substrat genau in Bezug aufeinander angeordnet sind, die beiden reflektierten Strahlen sich einander deckende aufeinanderfolgende Bilder der jeweiligen Bezugsmarken an demselben409847/0909Bezugspunkt bilden.
- 13. Gerät nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlverschiebungseinrichtung eine lichtdurchlässige Platte (15) mit parallelen Seiten umfaßt, die so ausgebildet ist, daß sie um eine-zu den Seiten parallele und zum zu versetzenden Strahl senkrechte Achse drehen kann.
- 14. Gerät nach einem der Ansprüche 9 bis I3, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachungseinrichtung an dem oder jedem Bezugsort eine oszillierende Aperturblende (12), die eine hin- und hergehende Bewegung senkrecht zum darauf einfallenden reflektierten Strahl ausführen kann, wobei die Mittel- oder Ruhelage der Aperturblende mit der Lage des Strahls zusammenfällt, wenn die entsprechende Bezugsmarke richtig angeordnet ist, und einen phasenempfindlichen fotoelektrischen Detektor (14) aufweist, der auf durch die Aperturblende durchgelassenes Licht in der Weise anspricht , dass^ er eine Abweichung des Strahls von der Mittel- oder Ruhelage anzeigt.
- 15. Gerät zum Ausrichten einer Folge von Masken in Bezug auf eine photoempfindliche Trägerplatte bzw. Substrat für die Herstellung einer Mehrschichtstruktur durch eine Reihe von photographischen Belichtungen, wobei das Substrat und jede Maske jeweils Bezugsmarken tragen, die bei der Ausrichtung verwandt werden, gekenn ζ eichnet durch Einrichtungen, um lediglich, die Bezugsmarken auf dem Substrat und unmittelbar benachbarte Bereiche,getrennt von der Ausrichtung der Marken mit Bezugsmarken auf jeder folgenden Maske,und getrennt von der Hauptbelichtung des übrigen Substrats durch jede Maske,zu belichten, wodurch auf den Substrat nicht bei jeder Hauptbelichtung photographische Bilder der Bezugsmarken derMaske gebildet werden.409847/09.09
- 16. Gerät nach Anspruch 15) gekennzeichnet durch eine bewegliche Einspannvorrichtung, die das Substrat für eine relative Bewegung zu einer Maskenhalterung trägt, wobei die Einspannvorrichtung licht einlassende- und Lichtleitende Einrichtunge aufweist, .durch die lediglich die Bezugsmarken und die umgebenden Bereiche auf dem Substrat belichtet werden.
- 17. Gerät nach Anspruch 16, dadurch gekennz eich-n e t, daß die lichteinlassenden und lichtleitendeii Einrichtungen jeweils rohrförmige Hülsen aufweisen, die in öffnungen in der Einspannvorrichtung eingesetzt sind, und daß Einrichtungen vorgesehen sind, um die Lage der • Hülsen in der Einspannvorrichtung zur Belichtung der Bezugsmarken des Substrats und der umgebenden Bereiche einzustellen.
- 18. Gerät zum Ausrichten einer Folge von Masken in Bezug auf eine photoempfindliche Trägerplatte bzw. ein Substrat für die Herstellung einer Hehrschichtstruktur, :wobei das Substrat und jede Maske jeweils Bezugsmarken tragen, die bei der Ausrichtung verwandt werden, gekennzeichnet durch zurückziehbare Maskenelemente, die in Maskenstellungen über den Bezugsmarken auf dem Substrat bringbar sind, um die Belichtung des Substrats in der Nähe der Bezugsmarken bei einer Belichtung des Substrats zu verhindern.09847/0909L e e r s e i t ecopy
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DE2421509C3 DE2421509C3 (de) | 1979-12-20 |
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