DE2415052B2 - Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer LichtleitfaserInfo
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser aus Quarzglas, wobei zunächst ein
Rohling mit Schichten, deren Brechungsindizes nach außen hin abnehmen, durch Abscheiden von Quarzglas
aus der Gasphase erzeugt wird und wobei durch einen nachfolgenden Ziehprozeß der Rohling zu einer
Lichtleitfaser umgeformt wird.
Lichtleitfasern dienen der optischen Signalübertragung. Sie müssen von hoher Qualität sein, so daß mit
Daten modulierte Lichtsignale möglichst nicht durch Unregelmäßigkeiten im Faseraufbau gestört werden.
Daher sind Verfahren zur Herstellung von Lichtleitfasern notwendig, die eine hohe Qualität der Fasern
gewährleisten.
In der DE-OS 19 09 433 ist ein Verfahren zur Herstellung von Lichtleitfasern beschrieben, durch
welches zunächst in zwei getrennten Arbeitsgängen ein aus Siliziumdioxid und Titandioxyd bestehender Quarzglaszylinder
und ein aus reinem Siliziumdioxyd bestehendes Quarzglasrohr durch Gasabscheideprozesse
hergestellt werden. Durch Einschieben des Zylinders in das Rohr entsteht ein Rohling aus einem Kern- und
einem Mantelkörper. Dieser Rohling wird anschließend s zu einer Kernmantelfaser ausgezogen.
Ti otz eines hohen Aufwandes bei der Bearbeitung
der aneinander angrenzenden Oberflächen für einen guten Paßsitz des Zylinders in dem Rohr weist die
ausgezogene Faser im Kernmantelübergangsgebiet Spannungen und Schlieren, u.U. auch Bläschen auf,
welche für die zu leitenden Lichtsignale störende Streuzen tren bilden.
Aufgabe der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung ist es daher, ein einheitliches einfaches Verfahren
anzugeben, durch welches die Herstellung von Lichtleitfasern ermöglicht wird, welche Lichtsignale störungsfrei
führen.
Bei diesem Verfahren entsteht zunächst ein Rohling mit einer auf dem Träger anliegenden Materialfolge, die
hinsichtlich der Brechzahl aufeinander gut angepaßt ist Da der Träger ein in Faserziehrichtung konisch
auslaufendes Ende aufweist, braucht dieser beim Ausziehen des Rohlings zur Faser nicht entfernt
werden. Er bewirkt vielmehr, daß das Schichtenmaterial bei der ;euiti Ausziehen nötigen Temperatur entlang des
konischen Trägerteils zur Faserform zusammengeführt wird, weshalb keinerlei Gaseinschlüsse entstehen
können.
Die fertige Faser weist weder Spannungen noch Schlieren auf.
Zum näheren Verständnis wird das erfindungsgemäße Verfahren an Hand der Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Innerhalb eines Quarzrohres 1 ist ein
Träger 2 aus hochreinem Graphit angeordnet, der vorteilhafterweise durch eine HF-Spule 3 induktiv
beheizt wird. Zur Erzeugung einer ersten Quarzschicht 4 auf dem Träger 2 wird in Richtung der Pfeile
vorteilhiifterweise gasförmiges SiH4 und O2 in das
Quarzrohr eingeleitet. Die Gase reagieren bei ca. 4000C
unter Bildung von Quarz und Wasserdampf gemäß der Reaktionsgleichung
SiH4+ 2 O2-SiO2+ 2 H2O.
Durch gleichzeitiges Beimengen von titanhaltigen Gasen setzt sich titandotiertes SiO2 auf der Oberfläche
des Trägers 2 ab, wobei durch den im Gasstrom enthaltenen Titananteil der Brechungsindex der Quarzschicht
vorgegeben wird. Durch die relativ niedrige
so ReakticMistemperatur wird die Gefahr verringert, daß
das Material des Trägers angegriffen wird und daß dadurch Spuren des Trägermaterials in das Quarzglas
gelangen, die nach dem Ausziehen zur Faser deren Lichtfülirung beeinträchtigen würden.
Anschließend wird zur Erzeugung einer auf die Schicht 4 folgenden Schicht 5 mit einem Brechungsindex,
der geringer ist als der Brechungsindex der Schicht 4, entweder der Titananteil im Gasstrom variiert oder es
werden zur Ablagerung von weiterem Siliziumdioxydmaterial 5 auf der ersten Siliziumdioxydschicht 4
insbesondere gasförmige Siliziumchlorverbindungen sowie geeignete Reaktionsgase in das Quarzrohr 1
eingelei tet und im Träger 2 die benötigte Reaktionstemperatur eingestellt.
Bei Verwendung von SiCU sowie CO2 und H2 als
Reaktionsgase entsteht bei einer erhöhten Temperatur von ca. 12000C Siliziumdioxyd sowie CO und HCl. SiO2
setzt sich auf der ersten Quarzschicht 4 ab, während das
HCl entweicht Trotz dieser erhöhten iren wird nun das Material des Trägers nicht
n, da es von der festen Quarzschutzschicht 4 ist. Der Reaktionstemperaturbereich liegt
ere zwischen 10000C und 14000C.
der titandotierten Quarzschicht 4 abgelagerte kann zur Erzeugung eines nach außen den Brechungsindexprofils mit einem gerinananteil oder mit anderen Stoffen dotiert
der titandotierten Quarzschicht 4 abgelagerte kann zur Erzeugung eines nach außen den Brechungsindexprofils mit einem gerinananteil oder mit anderen Stoffen dotiert
s'bar nach der Fertigstellung dieses auf dem
10 Träger 2 angeordneten aus den Schichten 4 und 5 bestehenden Rohlings wird dieser insbesondere bei
einer Temperatur zwischen 1500° C und 2000° C zu einer
Lichtleitfaser ausgezogen.
Eine Kernmantelfaser entsteht, wenn die Schichten 4 und 5 je einen festen Brechungsindex aufweisen, eine
Gradientenfaser ergibt sich, wenn an die Schicht 4 mit einem festen Brechungsindex eine Schicht 5 mit nach
außen kontinuierlich abnehmenden Brechzahlprofil angelagert ist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser aus Quarzglas, wobei zunächst ein Rohling mit
Schichten, deren Brechungsindizes nach außen hin abnehmen, durch Abscheiden von Quarzglas aus der
Gasphase erzeugt wird und wobei nachfolgend aus dem Rohling eine Lichtleitfaser gezogen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß Schichten aus Quarzglas mit nacheinander abnehmenden
Brechungsindizes auf einem festen, auiheizbaren Träger mit einem konisch auslaufenden Ende
abgeschieden werden und daß unmittelbar danach das entstandene Schichtensystem zur Lichtleitfaser
ausgezogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger induktiv beheizt wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung aller an
den Träger angrenzenden Schichten SiH4 verwendet wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der
ersten an den Träger angrenzenden Schicht SiH4 verwendet wird und zur Erzeugung der an die erste
Schicht anschließenden Schichten Siliziumchloridverbindungen verwendet werden.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten zur Erzeugung unterschiedlicher Brechungsindizes mit einem Stoff in unterschiedlicher
Konzentration oder mit unterschiedlichen Stoffen dotiert werden.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten bei einer Temperatur von 400 bis 14000C abgeschieden werden.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Lichtleitfaser bei einer Temperatur von 1500 bis 2000° C ausgezogen wird.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Träger aus hochreinem Graphit besteht.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742415052 DE2415052C3 (de) | 1974-03-28 | 1974-03-28 | Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser |
DE19762645375 DE2645375A1 (de) | 1974-03-28 | 1976-10-07 | Herstellung von lichtleitfasern nach einem fluessigphasen-abscheidungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742415052 DE2415052C3 (de) | 1974-03-28 | 1974-03-28 | Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2415052A1 DE2415052A1 (de) | 1975-10-16 |
DE2415052B2 true DE2415052B2 (de) | 1978-08-24 |
DE2415052C3 DE2415052C3 (de) | 1979-04-19 |
Family
ID=5911466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742415052 Expired DE2415052C3 (de) | 1974-03-28 | 1974-03-28 | Verfahren zur Herstellung einer Lichtleitfaser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2415052C3 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4198223A (en) * | 1977-05-17 | 1980-04-15 | International Telephone And Telegraph Corporation | Continuous fiber fabrication process |
GB2071644B (en) * | 1980-02-22 | 1984-03-14 | Sumitomo Electric Industries | Radiation resistant optical fibres and a process for the production thereof |
US4306897A (en) * | 1980-04-16 | 1981-12-22 | International Telephone And Telegraph Corporation | Method of fabricating fatigue resistant optical fibers |
DE3206143A1 (de) * | 1982-02-20 | 1983-09-01 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren und anordnung zur herstellung einer vorform, aus der optische fasern ziehbar sind |
DE3521119A1 (de) * | 1985-06-13 | 1986-12-18 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur herstellung einer vorform fuer optische fasern und verwendung eines rohres aus quarzglas bzw. dotiertem quarzglas zur herstellung einer solchen vorform |
-
1974
- 1974-03-28 DE DE19742415052 patent/DE2415052C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2415052A1 (de) | 1975-10-16 |
DE2415052C3 (de) | 1979-04-19 |
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