DE2414888A1 - Einrichtung zur temperaturmessung - Google Patents
Einrichtung zur temperaturmessungInfo
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Description
Einrichtung zur Temperaturmessung.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Temperaturmessung
von granuliertem Halbleitermaterial, das in einer Ampulle verdampft, die in einem Autoklaven angeordnet ist,
dessen Gegendruck in Abhängigkeit vom Dampfdruck des Halbleitermateriais gesteuert wird.
dessen Gegendruck in Abhängigkeit vom Dampfdruck des Halbleitermateriais gesteuert wird.
Kompaktes polykristallines Galliumphosphid kann bekanntlich
aus den beiden Komponenten bei einer Reaktionstemperatur von etwa 14500C dadurch hergestellt werden, daß das Gallium in
einem geschlossenen Rohr erhitzt wird. Durch Bohrungen in der Rohrwand gelangt Phosphordampf zum Gallium, das dann zu Galliumphosphid reagiert. Das Gallium wird mit einer verhältnismäßig geringen Wandergeschwindigkeit von etwa 1 cm/h durch
eine Heizzone geführt und man erhält Galliumphosphid, das
aber noch einen Kohlenstoffgehalt von etwa 1000 ppm enthält. Der Arbeitsdruck in der Anlage, der wesentlich bestimmt wird vom Dampfdruck des Phosphors, beträgt etwa 8 bis 10 Atm
(J.Cryst.Growth 5«4 286 (1968)). In1einer weiteren bekannten Anlage erfolgt die direkte Synthese von polykristallinem
Galliumphosphid aus weißem und rotem Phosphor bei Temperaturen Von etwa 1450 bis 150O0C in einer Quarzampulle, die in einem Graphitschiffchen das Gallium enthält. Der Phosphor
ist an einem Ende der Ampulle frei gelagert, und dieser Raum ist im allgemeinen mit Quarzwolle abgeschlossen, das den
bei einer Temperatur von etwa 480 bis 5800C entstehenden
Phosphordampf zum Gallium durchläßt. Dieses horizontale
System arbeitet mit einem erhöhten Betriebsdruck, der je nach der Temperatur zwischen 6 und 35 Atm. verändert werden kann. Die Quarzampulle wird in einem Autoklaven angeordnet, dessen
aus den beiden Komponenten bei einer Reaktionstemperatur von etwa 14500C dadurch hergestellt werden, daß das Gallium in
einem geschlossenen Rohr erhitzt wird. Durch Bohrungen in der Rohrwand gelangt Phosphordampf zum Gallium, das dann zu Galliumphosphid reagiert. Das Gallium wird mit einer verhältnismäßig geringen Wandergeschwindigkeit von etwa 1 cm/h durch
eine Heizzone geführt und man erhält Galliumphosphid, das
aber noch einen Kohlenstoffgehalt von etwa 1000 ppm enthält. Der Arbeitsdruck in der Anlage, der wesentlich bestimmt wird vom Dampfdruck des Phosphors, beträgt etwa 8 bis 10 Atm
(J.Cryst.Growth 5«4 286 (1968)). In1einer weiteren bekannten Anlage erfolgt die direkte Synthese von polykristallinem
Galliumphosphid aus weißem und rotem Phosphor bei Temperaturen Von etwa 1450 bis 150O0C in einer Quarzampulle, die in einem Graphitschiffchen das Gallium enthält. Der Phosphor
ist an einem Ende der Ampulle frei gelagert, und dieser Raum ist im allgemeinen mit Quarzwolle abgeschlossen, das den
bei einer Temperatur von etwa 480 bis 5800C entstehenden
Phosphordampf zum Gallium durchläßt. Dieses horizontale
System arbeitet mit einem erhöhten Betriebsdruck, der je nach der Temperatur zwischen 6 und 35 Atm. verändert werden kann. Die Quarzampulle wird in einem Autoklaven angeordnet, dessen
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Dampfdruck dem Betriebsdruck des Phosphors in der Ampulle angepaßt wird. Diese Anordnung hat somit den Vorteil, daß
die Quarzampulle lediglich für eine geringe Druckdifferenz ausgelegt sein muß, die zwischen dem Dampfdruck des Phosphors
innerhalb der Ampulle und dem Druck des Autoklaven, der auf ihre Außenwand wirkt, ausgelegt sein muß. Für die Reaktion
wird das Gallium durch eine induktiv beheizte Zone der Ampulle bewegt. Der den Phosphor enthaltende Teil der Ampulle
ist im allgemeinen in einem Ofen angeordnet, der die Verdampfungstemperatur des Phosphors herstellt. In diesem
System erhält man kompaktes Galliumphosphid, das an einem Ende noch ein kurzes Stück freies G-allium enthält (J.Electrochem.Soc.,108,
251 (1961)).
Für die direkte Synthese einer Halbleiterverbindung, deren eine Komponente einen wesentlich höheren Partialdruck hat
als die andere oder die anderen, eignen sich als Komponenten mit dem hohen Partialdampfdruck beispielsweise Phosphor
und Arsen. Als andere Reaktionskomponenten sind beispielsweise Gallium und Indium geeignet. Bei der Herstellung von
Galliumphosphid kann in einem Temperaturbereich von 1000 bis 14000G, vorzugsweise 9 bis 10 Atm,gearbeitet werden. Die
das Gallium enthaltenden Schiffchen können sowohl aus Graphit als auch aus Quarz oder auch aus Bornitrid bestehen.
Die Quarzampulle wird im allgemeinen nur für eine einmalige Synthese verwendet. Eine direkte Messung des Betriebsdrucks
innerhalb der Quarzampulle mit Hilfe einer Druckmeßeinrichtung und entsprechenden druckdichten, eingeschmolzenen Durchführungen
ist deshalb verhältnismäßig aufwendig. Da sich der Dampfdruck des Phosphors in Abhängigkeit von der Temperatur
nach einer festen reproduzierbaren Funktion ändert, kann der Betriebsdruck innerhalb der Ampulle, der im wesentlichen dem
Dampfdruck des Phosphors entspricht, auch indirekt über die Temperatur des Phosphors erfaßt werden. Eine Schwierigkeit
besteht jedoch darin, daß die Temperatur des Phosphors nicht nur durch die Temperatur einer Heizeinrichtung bestimmt wird.
Als Heizeinrichtung dient im allgemeinen ein als Hohlzylinder
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gestalteter Ofen mit einer elektrischen Widerstandsbeheizung, der konzentrisch zu der Ampulle angeordnet ist und relativ
zur Ampulle beweglich sein kann. Zum Phosphor gelangt ferner die Strahlungswärme des Schiffchens, dessen Temperatur im
Reaktionsbereich der Galliumphosphid-Synthese liegt und somit wesentlich höher ist als die Temperatur des Phosphors. Hinzu
kommt, daß von der Ampullenwand auch Yi/arme abgestrahlt wird.
Diese Wärmeabführung wird noch dadurch erhöht, daß das Ende der Ampulle auf einer löffelartigen Stütze gelagert sein
kann, die im allgemeinen aus Metall, beispielsweise rostfreiem Stahl, besteht. Die Erfassung der Temperatur des Phosphors
durch Messung an der Ampullenwand ist deshalb nicht möglich.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zu Grunde, eine Temperaturmeßeinrichtung
zu schaffen, mit der die Temperatur des zu verdampfenden Halbleitermaterials genau erfaßt werden kann
und die unabhängig von der Ampulle in dem Synthesesystem angeordnet
werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Temperaturfühler innerhalb eines Meßrohres an dessen geschlossenem
Ende angeordnet ist, das in das Halbleitermaterial hineinragt, und das andere offene Ende in die Wand der Ampulle derart eingesetzt ist, daß das Rohrende zugleich eine
Wandöffnung für elektrische Anschlußleiter des Temperaturfühlers
bildet. In einem horizontalen Synthesesystem, dessen
Ampulle mit einem Ende auf einem Stützkörper ruht, wird das geschlossene Ende des Meßrohres vorzugsweise in Achsrichtung
der Ampulle über das Ende des .Stützkörpers hinausragen. Der Meßfühler erfaßt dann die Temperatur in einem Teil des
Phosphors, der von der Wärmeabführung der Ampullenwand und über den Stützkörper praktisch nicht beeinflußt wird. Mit
dieser Gestaltung der Meßeinrichtung kann somit die Temperatur des Phosphors und damit der Betriebsdruck für die Reaktion,
der praktisch dem Dampfdruck des Phosphors entspricht, direkt erfaßt werden. Der Temperaturwert wird zweckmäßig zugleich
in eine entsprechende elektrische Größe umgewandelt, die sowohl als Istwert für eine Steuerung oder Regelung der
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Temperatur innerhalb der Ampulle als auch für eine Folgeregelung des Druckes innerhalb des Autoklaven verwendet werden
kann, der als Stützdruck auf die Außenwand der Ampulle dient.
Eine besonders vorteilhafte weitere Ausgestaltung der Temperaturmeßeinrichtung
nach der Erfindung besteht darin, daß das Meßrohr in Achsrichtung der Ampulle angeordnet ist, und
daß sein offenes Ende mit einem trichterförmig erweiterten Zwischenstück versehen ist, das in die Stirnwand der Ampulle
eingesetzt ist. Mit dieser Ausführungsform und Anordnung des Meßrohres kann das Meßrohr beim Einsetzen der Ampulle in den
Ofen über einen entsprechend stabil aber zugleich vorzugsweise etwas federnd gestalteten Meßfühler geschoben werden,
der am Stützkörper für die Ampulle befestigt ist. Dieser Meßfühler kann beispielsweise ein ummanteltes Thermoelement
oder auch eine entsprechend gestaltete Widerstandsmeßeinrichtung sein.
Diese Meßeinrichtung nach der Erfindung kann in einem Syntesesystem
verwendet werden, dessen Heizeinrichtung ruht und bei dem eine bewegliche Ampulle vorgesehen ist, die auf einem
Trägerkörper angeordnet und mit diesem Trägerkörper bewegt wird. In diesem Falle wird auch der in die Ampulle hineinragende
Temperaturfühler mit der Ampulle selbst bewegt.
Ferner ist die Meßeinrichtung geeignet für ein System mit einer ruhenden Heizeinrichtung und einer freitragenden Lagerung
der Ampulle, die lediglich an beiden Enden von löffelartigen Stützkörpern getragen wird. Der Meßfühler wird dann
ebenfalls mit den Stützkörpern bewegt. Die Ampulle kann aber auch selbst auf den Stützkörpern unbeweglich gelagert sein.
In diesem System werden dann sowohl der Phosphorheizofen als auch eine vorzugsweise induktive Heizeinrichtung für das
Gallium in Achsrichtung des Systems bewegt.
Darüber hinaus ist die Temperaturmeßeinrichtung verwendbar in einem Synthesesystem, das ohne Stützdruck auf die Außenwände
der Ampulle und damit ohne Autoklaven arbeitet. In diesem Falle muß das Meßrohr mit seiner Einschmelzung in
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die Ampullenwand für den Betriebsdruck der Anlage und somit entsprechend mechanisch stabil gestaltet sein.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der ein Ausführungsbeispiel einer Einrichtung
zur Temperaturmessung nach der Erfindung veranschaulicht ist.
In der Figur ist ein Teil eines horizontalen Systems zur direkten Synthese von Galliumphosphid schematisch dargestellt.
Das Ende einer Reaktionsampulle 2 enthält granulierten
Phosphor 4 und ist mit seinem Ende auf einem löffelartigen Stützkörper 6 gelagert, der an einer Schubstange 8 befestigt
ist, die an ihrem Ende mit einer Abdichtung 10 versehen ist und die über eine Spindel 12 und ein Getriebe 14 mit einem
Antrieb 16 verbunden ist, der vorzugsweise ein drehzahlgeregelter Antriebsmotor sein kann. Die Ampulle 2 ist von einem
als Hohlzylinder gestalteten Ofen 18 umgeben, der eine Heizwendel 20 enthält, die vorzugsweise bifilar gewickelt
sein kann. Der Ofen 18 ist in einem Autoklaven 22 angeordnet, durch dessen Stirnwände die Schubstange 8 mittels einer
nicht näher bezeichneten druckdichten Durchführung hindurchgeführt ist.
In einem Meßrohr 24» das mit Hilfe eines kegelartigen Zwischenstücks
26 in die Stirnwände der Reaktionsampulle 2 derart
eingeschmolzen ist, daß sie in Achsrichtung der Ampulle 2 und damit zugleich in Achsrichtung des gesamten Systems in
den Phosphor 4 hineinragt, ist ein Temperaturfühler 28 angeordnet. Die Länge des Meßröhrchens 24 ist so gewählt, daß
es über das Ende"des Auflagelöffels 6 hinausragt. Der am
Ende des Meßröhrchens 24 angeordnete Temperaturfühler 28 befindet sich somit in einem Teil des Phosphors, in dem sich
die Wärmeabführung von der Wand der Reaktionaampulle 2 über
den Auflagelöffel 6 praktisch noch nicht wesentlich bemerkbar macht. Der Temperaturfühler 28, beispielsweise ein Thermoelement
oder ein Thermowiderstand, ist mit einem Mantel versehen und stabförmig ausgebildet. Dieser Stab ist an einer
Haltevorrichtung 7 für den Auflagelöffel 6 befestigt.
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Er kann zu diesem Zweck mit einer zylinderförmigen Hülle 30
verseilen sein, die in eine entsprechende Bohrung der Haltevorrichtung 7 eingesetzt ist. Der Mantel 32 des Meßfühlers
28 schließt die elektrischen Anschlußleiter des Meßfühlers
ein und kann zweckmäßig durch eine Bohrung 34 der Schubstange 8 hindurchgeführt sein. Er ist dann in der als Hohlkörper
gestalteten Schubstange und in der ebenfalls als Hohlkörper gestalteten Spindel angeordnet, und die am Ende der Spindel
12 angedeuteten und nicht näher bezeichneten Enden können einem Anzeigegerät zugeführt werden und auch mit der Elektronik
einer in der Figur nicht dargestellten Steuer- oder Regeleinrichtung für den Druck innerhalb des Autoklaven 22
verbunden sein.
Da der Ampulleninnendruck im wesentlichen dem Phosphordampfdruck entspricht, dient der mit dem Temperaturfühler 28 erfaßte
Temperaturwert als Istwert für eine automatische Druckregelung des Autoklaven. Mit dieser Druckregelung wird
der Außendruck auf die Ampulle auf den Betriebsdruck innerhalb der Ampulle genau abgestimmt. Ferner kann der Meßfühler
28 auch als Istwertgeber für einen PI-Temperaturregler verwendet
werden, der den Phosphorofen 18 im Autoklaven 22 stets so ausregelt, daß der Phosphor 4 auf einer gewünschten Temperatur
gehalten werden kann. Es hat sich nämlich erwiesen, daß beispielsweise bei einer konstanten Temperatur von 35O0C
im Phosphorofen 18 die Temperatur des Phosphors 4 innerhalb der Ampulle 2 bei einem Temperaturanstieg im Reaktionsschiffchen, das sich am anderen Ende der Ampulle 2 befindet,
von 8500C auf 120O0C allein durch die Wärmestrahlung und die
Wärmekonzentration vom heißen Reaktionsschiffchen im Phosphor auf 530° C ansteigen kann.
Eine besonders tiefe exzentrische Lage des Meßröhrchens 24 mit dem hineinragenden Meßfühler 28 kann deshalb gewählt
werden, weil bei fortschreitender Umsetzung des Phosphors 4 mit dem Gallium bevorzugt der Phosphor im oberen Teil verdampft,
so daß die Oberfläche der verbleibenden Phosphormenge etwa den in der Figur mit einer strichpunktierten Linie
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angedeuteten Verlauf hat. Mit dieser Lage des Meßrohres 24 bleibt somit immer ein inniger Kontakt zwischen dem Meßröhr
chen und dem Phosphor 4 während des gesamten Ziehvorganges erhalten.
Der Temperaturgradient zwischen dem Temperaturfühler 28 und dem Phosphor 4 ist vernachlässigbar klein, zumal der innere
Durchmesser des Meßröhrchens verhältnismäßig klein gehalten werden kann. Dieser Durchmesser wird im allgemeinen nur wenige
Millimeter, beispielsweise 3 bis 5 mm,betragen. Dementsprechend wird der Durchmesser des Meßröhrchens 24 ebenfalls
nur etwa 3 bis 6 mm betragen und auch in Ausnahmefällen 6 bis
10 mm nicht wesentlich überschreiten.
Die Schubstange 8 bildet mit ihrem* Antrieb 16 und dem druckdicht und fest eingebauten Temperaturfühler 28 sowie dem Auflagelöffel
6 und dessen Halterung 7 eine Einheit und dient als Führung der Ampulle. NachBeendigung der Synthese wird die
Schubstange mit der Halterung in ihre Ausgangsposition zurückgefahren, wo sie für die nächste Reaktionsampulle bereit
liegt.
4 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
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Claims (3)
1.) Einrichtung zur Temperaturmessung von granuliertem Halbleitermaterial,
das in einer Ampulle verdampft, die in einem Autoklaven angeordnet ist, dessen Gegendruck in Abhängigkeit
vom Dampfdruck des Halbleitermaterials gesteuert wird, insbesondere für Anlagen zur Herstellung einer
Halbleiterverbindung, deren eine Komponente einen wesentlich höheren Dampfdruck hat als die andere oder die
anderen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Temperaturfühler
(28) in einem Meßrohr (24) an dessen geschlossenem Ende angeordnet ist, das in das Halbleitermaterial (4) hineinragt
und dessen offenes Ende in die Wand einer Ampulle (2) derart eingesetzt ist, daß das Rohrende zugleich eine
Wandöffnung für elektrische Anschlußleiter des Temperaturfühlers (28) bildet.
2. Einrichtung nach Anspruch 1 zur Messung der Temperatur des Halbleitermaterials innerhalb einer Ampulle, deren Ende
auf einem Stützkörper ruht, dadurch gekennzeichnet, daß das geschlossene Ende des Meßrohres (24) in der Achsrichtung
der Ampulle (2) über das Ende des Stützkörpers (6) hinausragt.
3. Einrichtung nach einem der Ansprüche. 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Meßrohr (24) in Achsrichtung der Ampulle (2) angeordnet ist und daß sein offenes Ende mit
einem trichterförmig erweiterten Zwischenstück (26) versehen ist, das in die Wand der Ampulle (2) eingesetzt ist.
4· Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Temperaturfühler (28) und seine elektrischen Anschlußleiter mit einem Mantel versehen sind, welcher an
der Halterung (7) des Stützkörpers (6) befestigt ist.
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Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2414888A DE2414888C2 (de) | 1974-03-27 | 1974-03-27 | Einrichtung zur Temperaturmessung |
CH317075A CH580807A5 (de) | 1974-03-27 | 1975-03-13 | |
GB11089/75A GB1492902A (en) | 1974-03-27 | 1975-03-17 | Apparatus for the preparation of semiconductor compounds |
JP50033474A JPS50131575A (de) | 1974-03-27 | 1975-03-19 | |
US05/561,342 US3981196A (en) | 1974-03-27 | 1975-03-24 | Apparatus for temperature measurement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2414888A1 true DE2414888A1 (de) | 1975-10-16 |
DE2414888C2 DE2414888C2 (de) | 1983-08-25 |
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ID=5911377
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
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JP (1) | JPS50131575A (de) |
CH (1) | CH580807A5 (de) |
DE (1) | DE2414888C2 (de) |
GB (1) | GB1492902A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0280952A2 (de) * | 1987-03-02 | 1988-09-07 | Balzers Aktiengesellschaft | Direkt-Temperaturkontrolle eines Wafers |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4148223A (en) * | 1977-03-24 | 1979-04-10 | Abbott Laboratories | Method and apparatus for measuring the temperature of a glass container |
US6063633A (en) * | 1996-02-28 | 2000-05-16 | The University Of Houston | Catalyst testing process and apparatus |
US5746512A (en) * | 1996-09-10 | 1998-05-05 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for reducing crack of polysilicon in a quartz tube and boat |
ATE300345T1 (de) * | 2002-09-10 | 2005-08-15 | Niro Process Technology Bv | Methode und apparat zur gewinnung einer reinen substanz aus einer unreinen lösung durch kristallisation |
CN111934500B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-10-15 | 东方电气集团东方电机有限公司 | 一种发电机定子测温元件的更换方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3174340A (en) * | 1960-12-19 | 1965-03-23 | Combustion Eng | Thermocouple and thermometer well |
US3580078A (en) * | 1969-04-16 | 1971-05-25 | American Standard Inc | Thermocouple failure indicating device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2688876A (en) * | 1952-08-15 | 1954-09-14 | Robert H Barnes | Temperature measuring device |
US2862787A (en) * | 1953-05-27 | 1958-12-02 | Paul F Seguin | Process and apparatus for the preparation of semi-conductors from arsenides and phosphides and detectors formed therefrom |
DE1161036B (de) * | 1960-03-21 | 1964-01-09 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen |
US3305313A (en) * | 1963-12-18 | 1967-02-21 | Philco Ford Corp | Method of producing gallium phosphide in crystalline form |
US3481711A (en) * | 1964-08-04 | 1969-12-02 | Nippon Electric Co | Crystal growth apparatus |
US3704093A (en) * | 1970-06-15 | 1972-11-28 | Little Inc A | Method of synthesizing intermetallic compounds |
HU163305B (de) * | 1971-02-22 | 1973-07-28 | ||
US3884642A (en) * | 1973-07-23 | 1975-05-20 | Applied Materials Inc | Radiantly heated crystal growing furnace |
-
1974
- 1974-03-27 DE DE2414888A patent/DE2414888C2/de not_active Expired
-
1975
- 1975-03-13 CH CH317075A patent/CH580807A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-03-17 GB GB11089/75A patent/GB1492902A/en not_active Expired
- 1975-03-19 JP JP50033474A patent/JPS50131575A/ja active Pending
- 1975-03-24 US US05/561,342 patent/US3981196A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3174340A (en) * | 1960-12-19 | 1965-03-23 | Combustion Eng | Thermocouple and thermometer well |
US3580078A (en) * | 1969-04-16 | 1971-05-25 | American Standard Inc | Thermocouple failure indicating device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0280952A2 (de) * | 1987-03-02 | 1988-09-07 | Balzers Aktiengesellschaft | Direkt-Temperaturkontrolle eines Wafers |
EP0280952A3 (en) * | 1987-03-02 | 1990-03-21 | Spectrum Cvd, Inc. | Direct wafer temperature control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH580807A5 (de) | 1976-10-15 |
GB1492902A (en) | 1977-11-23 |
JPS50131575A (de) | 1975-10-17 |
US3981196A (en) | 1976-09-21 |
DE2414888C2 (de) | 1983-08-25 |
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